一种二苯并辛烯醌类有机化合物及其应用

申请号 CN202010908190.2 申请日 2020-09-02 公开(公告)号 CN112552247A 公开(公告)日 2021-03-26
申请人 广州华睿光电材料有限公司; 武汉华星光电半导体显示技术有限公司; 发明人 宋鑫龙; 杨曦; 宋晶尧; 李们在; 李先杰; 王煦; 张月;
摘要 本 发明 涉及一种二苯并辛烯醌类有机化合物,如通式(1)或通式(2)所示,及其在有机 电子 器件,特别是 有机发光 二极管 中的应用。按照本发明所述的有机化合物,具有优异的空穴传输性质和 稳定性 ,可作为有机电致发光元件中的空穴注入层材料,也可以作为 掺杂剂 掺杂在空穴注入层或空穴传输层中,这样既可用 低 电压 驱动,也可提高电致 发光效率 ,延长器件寿命。
权利要求

1.一种有机化合物,其特征在于:包含通式(1)或(2)所示的结构:
其中:
Ar1选自:取代或未取代含有6-60个C原子的芳香基团、取代或未取代含有5-60个环原子的杂芳香基团、或者取代或未取代含有3-30个环原子的非芳香环系;
Y每次出现分别独立选自CR1、N、CR1R2、NR1、SiR1R2、O、S或PR1;
3 3 4 3 3 4 3
X每次出现分别独立选自CR、N、CRR 、NR、SiRR 、O、S、S=O、S(=O)2、PR 或C=M,且至少有一个X选自C=M;
M选自O、S、S(=O)2、CR5R6、NR5、SiR5R6、PR5、取代或未取代含有6-60个C原子的芳香基团、取代或未取代含有5-60个环原子的杂芳香基团、或者取代或未取代含有3-30个环原子的非芳香环系;
R1~R6每次出现时,各自独立选自H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲烷基、具有1至20个C原子的基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、亚硝基,CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
2.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于:所述C=M选自以下基团:
其中:
Q、E各自独立选自:CR7R8、NR7、O、S、SiR7R8、PR7、P(=O)R7、S=O、S(=O)2或C=O;
R7、R8每次出现时,各自独立选自:H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷氧基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合;
n选自0~4的任一整数。
3.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于:所述C=M选自
4.根据权利要求3所述的有机化合物,其特征在于:所述C=M选自以下任一基团:
5.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于:所述有机化合物选自通式(2-1)~(2-18)任一结构:
其中:
Y1选自CR9、SR9或N;Y2选自CR9R10、NR9、O或S;
n1选自0~3的任一整数;n2选自0~4的任一整数;
R9和R10每次出现时,各自独立选自:H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷氧基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至
20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
6.根据权利要求5所述的有机化合物,其特征在于:Y1选自N;Y2选自NR9。
7.根据权利要求1~6任一项所述的有机化合物,其特征在于:Ar1选自以下基团:
其中:
W每次出现分别独立选自:CR11R12、NR11、O、S、SiR11R12、PR11、P(=O)R12、S=O、S(=O)2或C=O;
Z每次出现分别独立选自:CR11或N;
R11和R12每次出现时,各自独立选自:H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷氧基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至
20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
8.根据权利要求5或6所述的有机化合物,其特征在于:R1和R2中至少有一个选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
9.根据权利要求1-6任一项所述的有机化合物,其特征在于:通式(1)或(2)中至少有一个X选自CR3,且R3独立选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
10.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于:通式(1)选自通式(3-1)~(3-6)任一结构:
Z每次出现分别独立选自CR11或N;
11
R 选自H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷氧基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
11.一种混合物,其特征在于:包含如权利要求1-10任一项所述的有机化合物,及至少一种有机功能材料,所述有机功能材料选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、发光体、主体材料或有机染料。
12.一种组合物,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的有机化合物或权利要求11所述的混合物,及至少一种有机溶剂
13.一种有机电子器件,其特征在于,所述有机电子器件至少包括一种如权利要求1-10任一项所述的有机化合物或权利要求11所述的混合物。
14.根据权利要求13所述的有机电子器件,其特征在于,所述有机电子器件至少包含空穴注入层或空穴传输层,所述空穴注入层或所述空穴传输层包含一种如权利要求1至10任一项所述的有机化合物或权利要求11所述的混合物。

说明书全文

一种二苯并辛烯醌类有机化合物及其应用

[0001] 本申请要求于2019年9月26日提交中国专利局、申请号为2019109143855发明名称为“一种二苯并辛烯醌类有机化合物及其应用”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

[0002] 本发明涉及有机电致发光技术领域,特别是涉及一种二苯并辛烯醌类有机化合物及其应用。

背景技术

[0003] 由于有机发光二极管(OLED)具有种类多、制造成本低和光学与电学性能良好等优点,其在光电器件(例如平板显示器和照明)的应用方面具有很大的潜
[0004] 有机发光二极管是由正极与负极以及在它们中间的有机物层三部分组成。为了提高有机发光二极管的效率与寿命,有机物层一般具有多层结构,每一层包含有不同的有机物质。具体可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层电子传输层、电子注入层等。这种有机发光二极管发光的基本原理为:当在两个电极之间施加电压时,正极向有机层注入空穴,负极向有机层注入电子,注入的空穴与电子相遇时会成激子,该激子跃迁回基态时发光。这种有机发光二极管具有自发光、高亮度、高效率、低驱动电压、广视、高对比度、高响应性等优点。为了提高注入的空穴和电子的复合效率,需要进一步对有机发光二极管的结构和材料等方面进行改良。
[0005] 目前默克公司利用芳香族二胺衍生物(专利CN104718636A)或芳香族稠环二胺衍生物(专利CN107922312A)作为有机发光二极管的空穴传输材料,以此来提高注入空穴的效率,但这时需要提高使用电压才可以使有机发光二极管充分发光,这就导致了有机发光二极管寿命降低和消耗电量增大的问题。
[0006] 最近在有机发光二极管的空穴传输层中掺杂电子受体来解决此类问题,例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(F4TCNQ)(Chemical Science 2018,9(19),4468-4476;Appl.Phys.Lett.,2018,112(8),083303/1-083303/2;Chemistry of Materials 2018,30(3),998-1010),然而,这些化合物在用于掺杂有机层时存在诸多缺陷,例如:在有机发光二极管的制作工序中操作不稳定,在有机发光二极管驱动时稳定性不足,寿命下降,或在用真空来制造有机发光二极管时,上述化合物会在装置内扩散,污染装置。
[0007] 因此,需要进一步改进空穴传输层中掺杂的电子受体,即P-dopant型掺杂剂,特别是可以实现有机发光二极管低电压化和长寿命化的掺杂剂。

发明内容

[0008] 鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种二苯并辛烯醌类有机化合物及其应用,旨在解决提供一类新型的有机光电功能材料,提高器件的效率和寿命。
[0009] 本发明的技术方案如下:
[0010] 一种有机化合物,包含通式(1)或(2)所示的结构:
[0011]
[0012] 其中:
[0013] Ar1每次出现时,独立选自取代或未取代含有6-60个C原子的芳香基团或5-60个环原子的杂芳香基团或3-30个环原子的非芳香环系;
[0014] Y每次出现分别独立选自CR1、N、CR1R2、NR1、SiR1R2、O、S或PR1;
[0015] X每次出现分别独立选自CR3、N、CR3R4、NR3、SiR3R4、O、S、S=O、S(=O)2、或PR3或C=M,且至少有一个X选自C=M;
[0016] M选自O、S、S(=O)2、CR5R6、NR5、SiR5R6、PR5、或取代或未取代含有6-60个C原子的芳香基团或5-60个环原子的杂芳香基团、或3-30个环原子的非芳香环系;
[0017] R1-R6每次出现时,独立选自H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲烷基、具有1至20个C原子的基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、亚硝基,CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
[0018] 一种混合物,包含一种如上项所述的有机化合物,及至少一种有机功能材料,所述有机功能材料选自空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、发光体、主体材料或有机染料。
[0019] 一种组合物,包括一种如上所述的有机化合物或混合物,及至少一种有机溶剂
[0020] 一种有机电子器件,所述电子器件至少包括一种如上所述的有机化合物或混合物。
[0021] 有益效果:
[0022] 本发明的有机化合物,具有优异的空穴传输性质及稳定性,可作为有机电致发光元件中的空穴注入层材料,也可以作为掺杂剂掺杂在空穴注入层或空穴传输层中,这样既可用低电压驱动,也可提高电致发光效率,延长器件寿命。附图说明
[0023] 图1是一实施例的有机发光器件结构图,图中101是基板,102是阳极,103是空穴注入层(HIL),104是空穴传输层(HTL),105是发光层,106是电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL),107是阴极

具体实施方式

[0024] 本发明提供一种包含二苯并辛烯醌类的化合物及其在有机电子器件中的应用。为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0025] 在本发明中,“取代”表示被取代基中的氢原子被取代基所取代。
[0026] 本发明中,“取代或未取代”表示所定义的基团可以被取代,也可以不被取代。当所定义的基团被取代时,应理解为任选被本领域可接受的基团所取代,包括但不限于:含有1至20个C原子的直链烷基、含有3至20个C原子的支链烷基、含有3-20个环原子的环烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有5-20个环原子的芳基、含有5-20个环原子的杂芳基、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、-NRR′、氰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基、硝基或卤素,且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代;可理解的,-NRR′中的R和R′各自独立地为本领域可接受的基团所取代,包括但不限于H、具有1至6个C原子的直链烷基、具有3至8个C原子的支链烷基、含有3-8个环原子的环烷基、含有3-8个环原子的杂环基、含有5-20个环原子的芳基或含有5-10个环原子的杂芳基;所述C1-6烷基、含有3-8个环原子的环烷基、含有3-8个环原子的杂环基、含有5-20个环原子的芳基或含有5-10个环原子的杂芳基任选进一步被一个或多个以下基团取代:C1-6烷基、含有3-8个环原子的环烷基、含有3-8个环原子的杂环基、卤素、羟基、硝基或氨基。
[0027] 在本发明中,“环原子数”表示原子键合成环状而得到的结构化合物(例如,单环化合物、稠环化合物、交联化合物、环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的原子数。该环被取代基所取代时,取代基所包含的原子不包括在成环原子内。关于以下所述的“环原子数”,在没有特别说明的条件下也是同样的。例如,苯环的环原子数为6,环的环原子数为10,噻吩基的环原子数为5。
[0028] 芳香基团指至少包含一个芳环的基。杂芳香基团指包含至少一个杂原子的芳香烃基。杂原子优选选自Si、N、P、O、S和/或Ge,特别优选选自Si、N、P、O和/或S。稠环芳香基团指芳香基团的环可以具有两个或多个环,其中两个碳原子被两个相邻的环共用,即稠环。稠杂环芳香基团指包含至少一个杂原子的稠环芳香烃基。对于本发明的目的,芳香基团或杂芳香基团不仅包括芳香环的体系,而且包含非芳香族的环系。因此,比如吡啶、噻吩、吡咯、吡唑、三唑、咪唑、噁唑、噁二唑、噻唑、四唑、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、卡宾等体系,对于该发明目的同样认为是芳香基团或杂环芳香基团。对于本发明的目的,稠环芳香族或稠杂环芳香族环系不仅包括芳香基团或杂芳香基团的体系,而且,其中多个芳香基团或杂环芳香基团也可以被短的非芳族单元间断(<10%的非H原子,优选小于5%的非H原子,比如C、N或O原子)。因此,比如9,9'-螺二芴,9,9-二芳基芴,三芳胺,二芳基醚等体系,对于该发明目的同样认为是稠环芳香族环系。
[0029] 在本发明实施例中,有机材料的能级结构,三线态能级ET、HOMO、LUMO起着关键的作用。下面对这些能级的做介绍。
[0030] HOMO和LUMO能级可以通过光电效应进行测量,例如XPS(X射线光电子光谱法)和UPS(紫外光电子能谱)或通过循环伏安法(以下简称CV)。最近,量子化学方法,例如密度泛函理论(以下简称DFT),也成为行之有效的计算分子轨道能级的方法。
[0031] 有机材料的三线态能级ET1可通过低温时间分辨发光光谱来测量,或通过量子模拟计算(如通过Time-dependent DFT)得到,如通过商业软件Gaussian 03W(Gaussian Inc.),具体的模拟方法可参见WO2011141110或如下在实施例中所述。
[0032] 应该注意,HOMO、LUMO、ET1的绝对值取决于所用的测量方法或计算方法,甚至对于相同的方法,不同评价的方法,例如在CV曲线上起始点和峰点可给出不同的HOMO/LUMO值。因此,合理有意义的比较应该用相同的测量方法和相同的评价方法进行。本发明实施例的描述中,HOMO、LUMO、ET1的值是基于Time-dependent DFT的模拟,但不影响其他测量或计算方法的应用。
[0033] 在发明中,(HOMO-1)定义为第二高的占有轨道能级,(HOMO-2)为第三高的占有轨道能级,以此类推。(LUMO+1)定义为第二低的未占有轨道能级,(LUMO+2)为第三低的占有轨道能级,以此类推。
[0034] 本发明中,当通一通式中存在多个标号相同的基团时,应理解为各基团相同或不同,例如: 中各X彼此相同或不同。
[0035] 本发明中,未指明取代位点时,应理解为基团的任一可取代位置均可作为连接位点。
[0036] 本发明涉及一种有机化合物,包含通式(1)或(2)所示的结构:
[0037]
[0038] 其中:
[0039] Ar1每次出现时,独立选自取代或未取代含有6-60个C原子的芳香基团或5-60个环原子的杂芳香基团或3-30个环原子的非芳香环系;
[0040] Y每次出现分别独立选自CR1、N、CR1R2、NR1、SiR1R2、O、S或PR1;
[0041] X每次出现分别独立选自CR3、N、CR3R4、NR3、SiR3R4、O、S、S=O、S(=O)2、或PR3或C=M,且至少有一个X选自C=M;
[0042] M选自O、S、S(=O)2、CR5R6、NR5、SiR5R6、PR5、或取代或未取代含有6-60个C原子的芳香基团或5-60个环原子的杂芳香基团、或3-30个环原子的非芳香环系;
[0043] R1-R6每次出现时,独立选自H、D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有1至20个C原子的烷氧基、具有1至20个C原子的硫代烷氧基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状的烷基、具有3至20个C原子的烷氧基、具有3至20个C原子的硫代烷氧基、甲硅烷基、具有1至20个C原子的酮基、具有2至20个C原子的烷氧基羰基、具有7至20个C原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯、异硫氰酸酯、羟基、硝基、亚硝基,CF3、Cl、Br、F、I、可交联的基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团、具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳香基团、具有5至60个环原子的芳氧基或具有5至60个环原子的取代或未取代的杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
[0044] 在一个优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构中至少有一个Y选自CR1或N;即同一环上,至少一个Y原子与相邻原子以双键相连。
[0045] 在一个优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构中至少有一个X选自CR3,更优选地R3独立选自吸电子基团。
[0046] 在一个优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构中至少有一个X选自CR3,更优选地R3独立选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
[0047] 在一个优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构中X选自CR3或C=M;且至少有3
一个X选自C=M,所述R均选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
[0048] 在一个优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构中至少有一个X选自C=M;优选地,通式(1)或(2)所示的结构中至少有两个X选自C=M。
[0049] 在某些优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构中只有一个X选自C=M;优选地,通式(1)或(2)所示的结构中只有两个X选自C=M。
[0050] 在某些优选地实施例中,所述的C=M选自以下基团:
[0051]
[0052] 其中:
[0053] Q、E各自独立选自CR7R8、NR7、O、S、SiR7R8、PR7、P(=O)R7、S=O、S(=O)2或C=O;
[0054] R7、R8每次出现时,独立选自H、D,或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基,或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基,或甲硅烷基,或具有1至20个C原子的酮基,或具有2至20个C原子的烷氧基羰基,或具有7至20个C原子的芳氧基羰基,氰基,氨基甲酰基,卤甲酰基,甲酰基,异氰基,异氰酸酯,硫氰酸酯或异硫氰酸酯,羟基,硝基,CF3,Cl,Br,F,I可交联的基团,或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团,或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,或这些体系的组合;
[0055] n选自0-4的任一整数。
[0056] 在某些优选地实施例中,所述的C=M选自 更优选地,R5和R6中至少有一个选自氰基、硝基、亚硝基、CF3、Cl、Br、I、F、被一个或多个R20取代芳香基团或被一个或多个R20取代杂芳香基团;更更优选地,R5和R6均选自氰基、硝基、亚硝基、CF3、Cl、Br、I、F、被一个或多个R20取代芳香基团或被一个或多个R20取代杂芳香基团;R20选自:氰基、硝基、亚硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
[0057] 在某些优选地实施例中,所述的C=M选自以下基团:
[0058]
[0059] 在某些优选地实施例中,通式(1)或(2)选自以下通式:
[0060]
[0061] 在某些优选地实施例中,通式(1)或(2)中仅有一个X或两个X选自C=M;进一步,通式(1)或(2)所示的结构选自通式(2-1)-(2-18)任一结构:
[0062]
[0063] 其中:
[0064] Y1选自CR9、SR9或N;Y2选自CR9R10、NR9、O或S;
[0065] n1选自0-3的任一整数;n2选自0-4的任一整数;
[0066] R9和R10每次出现时,独立选自H、D,或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基,或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基,或甲硅烷基,或具有1至20个C原子的酮基,或具有2至20个C原子的烷氧基羰基,或具有7至20个C原子的芳氧基羰基,氰基,氨基甲酰基,卤甲酰基,甲酰基,异氰基,异氰酸酯,硫氰酸酯或异硫氰酸酯,羟基,硝基,CF3,Cl,Br,F,I可交联的基团,或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团,或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
[0067] 在某些优选地实施例中,通式(1)或(2)所示的结构选自通式(2-19)-(2-24)任一结构:
[0068]
[0069] 其中:
[0070] Y1、Y2、n1、n2、R9和R10含义同上所述。
[0071] 在某些优选地实施例中,Y1选自N;Y2选自NR9。
[0072] 在某些优选地实施例中,R3多次出现时,至少有一个选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F;
[0073] 在一实施例中,X多次出现时,选自C=M和CR3;进一步,R3选自H、氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
[0074] 在某些优选地实施例中,通式(2-1)-(2-24)中R1、R2中至少有一个选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F;更优选地,R1、R2均选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F;更更优选地,R1、R2均选自氰基或F。
[0075] 在一实施例中,R1、R2选自相同的基团。
[0076] 优选地,本发明所述的有机化合物选自通式(2-3)或(2-4);进一步,M选自5 6 5 6
更优选地,R和R中至少有一个选自氰基;进一步,R和R均选自氰基。
[0077] 在某些优选地实施例中,本发明所述的Ar1选自以下基团:
[0078]
[0079] 其中:
[0080] W每次出现分别独立选自CR11R12、NR11、O、S、SiR11R12、PR11、P(=O)R12、S=O、S(=O)2或C=O;
[0081] Z每次出现分别独立选自CR11或N;
[0082] R11和R12每次出现时,独立选自H、D,或具有1至20个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基,或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基,或甲硅烷基,或具有1至20个C原子的酮基,或具有2至20个C原子的烷氧基羰基,或具有7至20个C原子的芳氧基羰基,氰基,氨基甲酰基,卤甲酰基,甲酰基,异氰基,异氰酸酯,硫氰酸酯或异硫氰酸酯,羟基,硝基,CF3,Cl,Br,F,I可交联的基团,或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团,或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团,或这些体系的组合。
[0083] 在某些优选地实施例中,R11和R12中至少有一个选自氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F。
[0084] 进一步地,本发明所述的Ar1选自以下基团:
[0085]
[0086] 以上基团的H原子可以进一步被R取代,R含义同R3所述。
[0087] 在某些优选地实施例中,通式(1)选自通式(3-1)-(3-8)任一结构:
[0088]
[0089] 更进一步地,通式(1)优选自如下通式:
[0090]
[0091] R11和R12定义同上;R3定义如上,在此不再赘述。
[0092] 进一步地,R11优选为H、氰基、硝基、CF3、Cl、Br、I或F;
[0093] 进一步地,R12优选为H或5-6元芳基或杂芳基;更进一步地,R12优选为苯基。
[0094] 下面举例按照本发明所示的化合物的具体例子,但并不限定于此:
[0095]
[0096]
[0097]
[0098]
[0099]
[0100]
[0101]
[0102]
[0103]
[0104] 本发明还涉及所述组合物作为有机磁材料,铁磁性有机化合物是指具有铁磁性的有机材料,又称有机铁磁材料,传统铁磁材料都是含铁族或稀土族金属元素的合金和氧化物等无机材料,其强磁性源于原子磁矩,是由电子轨道磁矩和电子自旋磁矩两部分组成,这些无机磁性材料有密度大、加工成型困难等缺陷,在本发明的醌类有机化合物其自由基阴离子盐或二阴离子盐中,LUMO能级低,基态稳定,并且存在稳定的未满电子层,可以提供稳定的磁矩源,因此表现为磁性,可应用在铁磁材料中(具体可参照文献Angew.Chem.Int.Ed.Engl.1994,33.385-415)。
[0105] 按照发明的有机化合物,可以作为功能材料用于电子器件的功能层中。有机功能层包括,但不限于,空穴注入层(HI L),空穴传输层(HTL),电子传输层(ETL),电子注入层(EI L),电子阻挡层(EBL),空穴阻挡层(HBL),发光层(EML)。
[0106] 在一个特别优选的实施例中,按照本发明的有机化合物用于空穴注入层(HI L)或空穴传输层(HTL)中。
[0107] 在一个非常优选的实施例中,按照本发明的有机化合物做为p型掺杂材料用于空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)中。
[0108] 在某些实施例中,按照发明的有机化合物,其T1≥0.3eV,较好是≥0.6eV,最好是≥0.8eV。
[0109] 功能材料需要好的热稳定性。一般的,按照本发明的有机化合物,其玻璃化温度Tg≥100℃,在一个优选的实施例中,Tg≥120℃,在一个较为优选的实施例中,Tg≥140℃,在一个更为优选的实施例中,Tg≥160℃,在一个最为优选的实施例中,Tg≥180℃。
[0110] 作为p型参杂材料必须有适当的LUMO能级。在某些实施例中,按照发明的有机化合物,其LUMO≤-5.30eV,更好是≤-5.50eV,最好是≤-5.60eV。
[0111] 在某些优先的实施例中,按照本发明的有机化合物,其((HOMO-(HOMO-1))≥0.2eV,较好是≥0.25eV,更好是≥0.3eV,更更好是≥0.35eV,非常好是≥0.4eV,最好是≥
0.45eV。
[0112] 本发明还提供一种混合物,其特征在于,包含有至少一种以上所述的有机化合物,及至少另一种有机功能材料,所述至少另一种的有机功能材料可选于空穴注入材料(HIM),空穴传输材料(HTM),电子传输材料(ETM),电子注入材料(EIM),电子阻挡材料(EBM),空穴阻挡材料(HBM),发光材料(Emitter),主体材料(Host)和有机染料。例如在WO2010135519A1,US20090134784A1和WO 2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述,特此将此3专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
[0113] 在一些优选的实施例中,所述混合物,其中所述的另一种有机功能材料选于空穴注入材料(HIM),空穴传输材料(HTM),和主体材料(Host)。
[0114] 在某些优先的实施例中,所述混合物,其中所述的有机化合物的LUMO要等于或低于另一种有机功能材料的HOMO+0.2eV。
[0115] 在某些较为优先的实施例中,所述混合物,其中所述的有机化合物的LUMO要等于或低于另一种有机功能材料的HOMO+0.1eV。
[0116] 在某些特别优先的实施例中,所述混合物,其中所述的有机化合物的LUMO要等于或低于另一种有机功能材料的HOMO。
[0117] 在其中一个实施例中,所述混合物包括至少一种空穴注入材料(HIM)或空穴传输材料和一种掺杂剂,所述掺杂剂是上述的有机化合物,所述掺杂剂与主体的摩尔比是1:1至1:100000。
[0118] 其中关于HIM/HTM/EBM,和Host(主体材料/基质材料)的详细描述详见专利WO2018095395A1。
[0119] 本发明的另一个目的是为印刷OLED提供材料解决方案。
[0120] 在某些实施例中,按照本发明的化合物,其分子量≥800g/mol,优选≥900g/mol,很优选≥1000g/mol,更优选≥1100g/mol,最优选≥1200g/mol。
[0121] 在另一些实施例中,按照本发明的化合物,在25℃时,在甲苯中的溶解度≥2mg/ml,优选≥3mg/ml,更优选≥4mg/ml,最优选≥5mg/ml。
[0122] 本发明还涉及一种组合物,包含至少一种如上所述的化合物或混合物,及至少一种有机溶剂;所述的至少一种的有机溶剂选自芳族或杂芳族、酯、芳族酮或芳族醚、脂肪族酮或脂肪族醚、脂环族或烯烃类化合物,或酸酯或磷酸酯类化合物,或两种及两种以上溶剂的混合物。
[0123] 在一个优选的实施例中,按照本发明的一种组合物,其特征在于,所述的至少的一种有机溶剂选自基于芳族或杂芳族的溶剂。
[0124] 适合本发明的基于芳族或杂芳族溶剂的例子有,但不限制于:对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1,4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1,2,3,4-四甲苯、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、环己基苯、苄基丁基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1,2,4-三氯苯、4,4-二氟二苯甲烷、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α,α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、喹啉、异喹啉、2-呋喃甲酸甲酯、2-呋喃甲酸乙酯等;
[0125] 适合本发明的基于芳族酮溶剂的例子有,但不限制于:1-四氢萘酮,2-四氢萘酮,2-(苯基环氧)四氢萘酮,6-(甲氧基)四氢萘酮,苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它们的衍生物,如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮等;
[0126] 适合本发明的基于芳族醚溶剂的例子有,但不限制于:3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、对茴香二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1,4-苯并二噁烷、1,3-二丙基苯、2,5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1,3-二丙氧基苯、1,2,4-三甲氧基苯、4-(1-丙烯基)-1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、缩甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1,2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚;
[0127] 在一些优选的实施例中,按照本发明的组合物,所述的至少一种的有溶剂可选自:脂肪族酮,例如,2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2,5-己二酮、2,6,8-三甲基-4-壬酮、葑酮、佛尔酮、异佛尔酮、二正戊基酮等;或脂肪族醚,例如,戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。
[0128] 在另一些优选的实施例中,按照本发明的组合物,所述的至少一种的有溶剂可选自基于酯的溶剂:辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。特别优选辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、异壬酸异壬酯。
[0129] 所述的溶剂可以是单独使用,也可以是作为两种或多种有机溶剂的混合物使用。
[0130] 在某些优选的实施例中,按照本发明的一种组合物,其特征在于,包含至少一种如上所述的有机化合物或高聚物或混合物及至少一种有机溶剂,还可进一步包含另一种有机溶剂。另一种有机溶剂的例子包括(但不限于):甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
[0131] 一些优选的实施例中,特别适合本发明的溶剂是汉森(Hansen)溶解度参数在以下范围内的溶剂:
[0132] δd(色散力)在17.0~23.2MPa1/2的范围,尤其是在18.5~21.0MPa1/2的范围;
[0133] δp(极性力)在0.2~12.5MPa1/2的范围,尤其是在2.0~6.0MPa1/2的范围;
[0134] δh(氢键力)在0.9~14.2MPa1/2的范围,尤其是在2.0~6.0MPa1/2的范围。
[0135] 按照本发明的组合物,其中有机溶剂在选取时需考虑其沸点参数。本发明中,所述的有机溶剂的沸点≥150℃;优选为≥180℃;较优选为≥200℃;更优为≥250℃;最优为≥275℃或≥300℃。这些范围内的沸点对防止喷墨印刷头的喷嘴堵塞是有益的。所述的有机溶剂可从溶剂体系中蒸发,以形成包含功能材料薄膜
[0136] 在一个优选的实施方案中,按照本发明的组合物是一溶液。
[0137] 在另一个优选的实施方案中,按照本发明的组合物是一悬浮液。
[0138] 本发明实施例中的组合物中可以包括0.01至10wt%的按照本发明的有机化合物或高聚物或混合物,较好的是0.1至15wt%,更好的是0.2至5wt%,最好的是0.25至3wt%。
[0139] 本发明还涉及所述组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时的用途,特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。
[0140] 其中,适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印,喷印(Nozzle Printing),活版印刷,丝网印刷,浸涂,旋转涂布,刮刀涂布,辊筒印花,扭转辊印刷,平版印刷,柔版印刷,轮转印刷,喷涂,刷涂或移印,狭缝型挤压式涂布等。首选的是凹版印刷,喷印及喷墨印刷。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物,润滑剂,润湿剂,分散剂,疏水剂,粘接剂等,用于调节粘度,成膜性能,提高附着性等。有关打印技术,及其对有关溶液的相关要求,如溶剂及浓度,粘度等。
[0141] 本发明还提供一种如上所述的化合物、混合物或组合物在有机电子器件中的应用,所述的有机电子器件可选于,但不限于,有机发光二极管(OLED),有机光伏电池(OPV),有机发光电池(OLEEC),有机场效应管(OFET),有机发光场效应管,有机激光器,有机自旋电子器件,有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)等,特别优选为OLED。本发明实施例中,优选将所述有机化合物或高聚物用于OLED器件的发光层。
[0142] 如图1所示,本发明进一步涉及一种有机电子器件,至少包含一种如上所述的化合物或混合物。更进一步地,所述有机电子器件至少包含一功能层,所述功能层包含一种如上所述的化合物或混合物。所述功能层选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)。
[0143] 在某个优选地实施例中,按照本发明所述的有机电子器件,至少包含一空穴注入层或空穴传输层,所述空穴注入层或空穴传输层包含一种如上所述的有机化合物。
[0144] 一般地,本发明所述有机电子器件至少包含一个阴极107,一个阳极102及位于阴极107和阳极102之间的一个功能层,其中所述的功能层中至少包含一种如上所述的有机化合物。所述的有机电子器件可选于,但不限于,有机发光二极管(OLED),有机光伏电池(OPV),有机发光电池(OLEEC),有机场效应管(OFET),有机发光场效应管,有机激光器,有机自旋电子器件,有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)等,特别优选的是有机电致发光器件,如OLED,OLEEC,有机发光场效应管。
[0145] 在某些优先的实施例中,所述的电致发光器件,其空穴注入层或空穴传输层包含一种如上所述的有机化合物或高聚物。
[0146] 在以上所述的发光器件,特别是OLED中,包括一基片101,一阳极102,至少一发光层105,一阴极107,进一步地,在阳极102和发光层106之间还依次层叠有空穴注入层(HIL)103,空穴传输层(HTL)104,在发光层105和阴极107之间层叠有电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)106。
[0147] 基片可以是不透明或透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见,Bulovic等Nature 1996,380,p29,和Gu等,Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基片可以是刚性的或弹性的。基片可以是塑料,金属,半导体晶片或玻璃。最好是基片有一个平滑的表面。无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中,基片是柔性的,可选于聚合物薄膜或塑料,其玻璃化温度Tg为150℃以上,较好是超过200℃,更好是超过250℃,最好是超过300℃。合适的柔性基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。
[0148] 阳极可包括一导电金属或金属氧化物,或导电聚合物。阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层(HIL)或空穴传输层(HTL)或发光层中。在一个的实施例中,阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV,较好是小于0.3eV,最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包括但不限于:Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、掺杂氧化锌(AZO)等。其他合适的阳极材料是已知的,本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积,如一合适的物理气相沉积法,包括射频磁控溅射,真空热蒸发,电子束(e-beam)等。在某些实施例中,阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到,并且可以用来制备根据本发明的器件。
[0149] 阴极可包括一导电金属或金属氧化物。阴极可以容易地注入电子到EIL或ETL或直接到发光层中。在一个的实施例中,阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV,较好是小于0.3eV,最好是小于0.2eV。原则上,所有可用作OLED的阴极的材料都可能作为本发明器件的阴极材料。阴极材料的例子包括但不限于:Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积,如一合适的物理气相沉积法,包括射频磁控溅射,真空热蒸发,电子束(e-beam)等。
[0150] OLED还可以包含其他功能层,如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)。适合用于这些功能层中的材料在上面及在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中有详细的描述,特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
[0151] 按照本发明的发光器件,其发光波长在300到1200nm之间,较好的是在350到1000nm之间,更好的是在400到900nm之间。
[0152] 本发明还涉及按照本发明的电致发光器件在各种电子设备中的应用,包含,但不限于,显示设备,照明设备,光源,传感器等等。
[0153] 下面将结合优选实施例对本发明进行了说明,但本发明并不局限于下述实施例,应当理解,所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到,对本发明的各实施例进行的一定的改变,都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖
[0154] 具体实施例
[0155] 按照本发明的化合物的合成方法举例,但本发明并不局限于下述实施例。
[0156] 实施例1合成化合物DPB-1
[0157]
[0158] 化合物A2的合成:
[0159] 将化合物A1(1.86g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 17.6g,81.8mmol),三氯化钌(RuCl.XH2O,0.25g1.2mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A2(1.67g,78%),MS:[M+H]+=215。
[0160] 化合物A4的合成:
[0161] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A3(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A4(2.23g,78%),MS:[M+H]+=287.
[0162] 化合物DPB-1的合成:
[0163] 将四氯化(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A4(2.86g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-1(2.33g,61%),MS:[M+H]+=383。
[0164] 实施例2合成化合物DPB-2
[0165]
[0166] 化合物A6的合成:
[0167] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A5(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A6(2.23g,79%),MS:[M+H]+=287.
[0168] 化合物DPB-2的合成:
[0169] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A6(2.86g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-2(2.31g,62%),MS:[M+H]+=383。
[0170] 实施例3合成化合物DPB-3
[0171]
[0172] 化合物A8的合成:
[0173] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A7(4.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A8(2.28g,59%),MS:[M+H]+=387.
[0174] 化合物DPB-3的合成:
[0175] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A8(3.87g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-3(2.02g,42%),MS:[M+H]+=483。
[0176] 实施例4合成化合物DPB-4
[0177]
[0178] 化合物A10的合成:
[0179] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A9(3.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A10(1.21g,36%),MS:[M+H]+=337.
[0180] 化合物DPB-4的合成:
[0181] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A10(3.37g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-4(1.08g,25%),MS:[M+H]+=433。
[0182] 实施例5合成化合物DPB-5
[0183]
[0184] 化合物A12的合成:
[0185] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A11(1.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A12(1.10g,47%),MS:[M+H]+=236.
[0186] 化合物DPB-5的合成:
[0187] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A12(2.37g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-5(1.49g,45%),MS:[M+H]+=332。
[0188] 实施例6合成化合物DPB-6
[0189]
[0190] 化合物A14的合成:
[0191] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A13(2.28g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A14(1.96g,67%),MS:[M++H]=293.
[0192] 化合物DPB-6的合成:
[0193] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A14(2.93g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用+无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-6(3.30g,85%),MS:[M+H]=
389。
[0194] 实施例7合成化合物DPB-7
[0195]
[0196] 化合物A16的合成:
[0197] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A15(1.96g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A16(2.16g,78%),MS:[M+H]+=277.
[0198] 化合物DPB-7的合成:
[0199] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A16(2.76g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-7(3.17g,85%),MS:[M+H]+=373。
[0200] 实施例8合成化合物DPB-8
[0201]
[0202] 化合物A18的合成:
[0203] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A17(1.96g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A18(2.08g,75%),MS:[M+H]+=276.
[0204] 化合物DPB-8的合成:
[0205] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A18(2.76g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-8(3.36g,88%),MS:[M+H]+=372。
[0206] 实施例9合成化合物DPB-12
[0207]
[0208] 化合物A26的合成:
[0209] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A25(3.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A26(2.72g,81%),MS:[M++H]=337.
[0210] 化合物DPB-12的合成:
[0211] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A26(3.37g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-12(1.51g,35%),MS:[M+H]+=433。
[0212] 实施例10合成化合物DPB-13
[0213]
[0214] 化合物A28的合成:
[0215] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A27(4.68g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A28(2.06g,50%),MS:[M+H]+=411.
[0216] 化合物DPB-13的合成:
[0217] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A28(4.11g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-13(3.81g,75%),MS:[M+H]+=507。
[0218] 实施例11合成化合物DPB-14
[0219]
[0220] 化合物A30的合成:
[0221] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A29(4.68g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A30(2.17g,54%),MS:[M+H]+=411.
[0222] 化合物DPB-14的合成:
[0223] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A30(4.11g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-14(3.75g,74%),MS:[M+H]+=507。
[0224] 实施例12合成化合物DPB-16
[0225]
[0226] 化合物A34的合成:
[0227] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A33(4.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A34(1.78g,46%),MS:[M+H]+=387.
[0228] 化合物DPB-16的合成:
[0229] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A34(3.87g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-16(2.51g,52%),MS:[M+H]+=483。
[0230] 实施例13合成化合物DPB-17
[0231]
[0232] 化合物A36的合成:
[0233] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A35(3.60g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A36(2.58g,72%),MS:[M+H]+=359.
[0234] 化合物DPB-17的合成:
[0235] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A36(3.59g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-17(1.72g,38%),MS:[M+H]+=455。
[0236] 实施例14合成化合物DPB-18
[0237]
[0238] 化合物A38的合成:
[0239] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A37(2.88g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A38(1.19g,37%),MS:[M+H]+=323.
[0240] 化合物DPB-18的合成:
[0241] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A38(3.23g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-18(1.92g,46%),MS:[M+H]+=419。
[0242] 实施例15合成化合物DPB-19
[0243]
[0244] 化合物A40的合成:
[0245] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A39(2.88g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A40(1.35g,42%),MS:[M+H]+=323.
[0246] 化合物DPB-19的合成:
[0247] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A40(3.23g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-19(2.76g,66%),MS:[M++H]=419。
[0248] 实施例16合成化合物DPB-20
[0249]
[0250] 化合物A42的合成:
[0251] 将化合物A2(2.15g,10mmol),A41(3.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A42(2.12g,63%),MS:[M+H]+=337.
[0252] 化合物DPB-20的合成:
[0253] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A42(3.37g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-20(1.94g,45%),MS:[M+H]+=433
[0254] 实施例17合成化合物DPB-21
[0255]
[0256] 化合物A43的合成:
[0257] 将化合物A1(1.86g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 8.8g,40.9mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.125g0.6mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A43(1.62g,81%),MS:[M+H]+=201。
[0258] 化合物A45的合成:
[0259] 将化合物A43(2.00g,10mmol),A44(1.88g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A45(1.72g,67%),MS:[M+H]+=259.
[0260] 化合物DPB-21的合成:
[0261] 将四氯化钛(2.34g,12.5mmol),丙二腈(0.66g,10mmol),A45(2.59g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-21(1.72g,57%),MS:[M+H]+=304。
[0262] 实施例18合成化合物DPB-22
[0263]
[0264] 化合物A47的合成:
[0265] 将化合物A46(2.86g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 8.8g,40.9mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.125g0.6mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A47(2.28g,76%),MS:[M+H]+=301。
[0266] 化合物A49的合成:
[0267] 将化合物A47(3.00g,10mmol),A48(4.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A49(2.41g,51%),MS:[M+H]+=473.
[0268] 化合物DPB-22的合成:
[0269] 将四氯化钛(2.34g,12.5mmol),丙二腈(0.66g,10mmol),A49(4.73g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-22(3.23g,62%),MS:[M+H]+=521。
[0270] 实施例19合成化合物DPB-23
[0271]
[0272] 化合物A51的合成:
[0273] 将化合物A50(2.02g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 17.6g,81.8mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.25g1.2mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A51(0.94g,47%),MS:[M+H]+=201。
[0274] 化合物A52的合成:
[0275] 将化合物A51(2.00g,10mmol),A3(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A52(1.74g,64%),MS:[M+H]+=273.
[0276] 化合物DPB-23的合成:
[0277] 将四氯化钛(2.34g,12.5mmol),丙二腈(0.66g,10mmol),A52(2.73g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-23(1.54g,48%),MS:[M+H]+=321
[0278] 实施例20合成化合物DPB-24
[0279]
[0280] 化合物DPB-24的合成:
[0281] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),4-氰基四氟苄腈(4.28g,20mmol),A6(2.86g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-24(2.98g,
44%),MS:[M+H]+=679。
[0282] 实施例21合成化合物DPB-25
[0283]
[0284] 化合物A54的合成:
[0285] 将化合物A53(2.18g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A54(1.71g,79%),MS:[M+H]+=217。
[0286] 化合物A56的合成:
[0287] 将化合物A54(2.16g,10mmol),A55(5.46g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A56(2.84g,65%),MS:[M+H]+=439.
[0288] 化合物DPB-25的合成:
[0289] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A56(3.37g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-25(3.12g,57%),MS:[M++H]=548
[0290] 实施例22合成化合物DPB-26
[0291]
[0292] 化合物A58的合成:
[0293] 将化合物A57(2.98g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 88g,409mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,3g 1.25mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A58(2.45g,81%),MS:[M+H]+=303。
[0294] 化合物A59的合成:
[0295] 将化合物A58(3.03g,10mmol),A25(3.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A59(1.78g,42%),MS:[M+H]+=427.
[0296] 化合物DPB-26的合成:
[0297] 将四氯化钛(23.3g,125mmol),丙二腈(6.6g,100mmol),A59(4.27g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-26(4.78g,59%),MS:[M+H]+=811
[0298] 实施例23合成化合物DPB-27
[0299]
[0300] 化合物A61的合成:
[0301] 将化合物A60(2.54g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A61(1.63g,65%),MS:[M+H]+=252。
[0302] 化合物A62的合成:
[0303] 将化合物A61(2.52g,10mmol),A3(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A62(2.51g,78%),MS:[M+H]+=323.
[0304] 化合物DPB-27的合成:
[0305] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A62(3.23g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-27(3.51g,84%),MS:[M+H]+=418
[0306] 实施例24合成化合物DPB-28
[0307]
[0308] 化合物A64的合成:
[0309] 将化合物A63(2.18g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A64(1.25g,58%),MS:[M+H]+=216。
[0310] 化合物A65的合成:
[0311] 将化合物A64(2.16g,10mmol),A6(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A65(2.32g,81%),MS:[M+H]+=287.
[0312] 化合物DPB-28的合成:
[0313] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(1.32g,20mmol),A65(2.87g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-28(3.28g,86%),MS:[M+H]+=382
[0314] 实施例25合成化合物DPB-29
[0315]
[0316] 化合物A67的合成:
[0317] 将化合物A66(2.34g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 22g,102.3mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.31g1.5mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A67(1.54g,67%),MS:[M+H]+=231。
[0318] 化合物A68的合成:
[0319] 将化合物A67(2.31g,10mmol),A3(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A68(2.74g,91%),MS:[M+H]+=302.
[0320] 化合物DPB-29的合成:
[0321] 将四氯化钛(3.51g,18.75mmol),丙二腈(0.99g,15mmol),A68(2.73g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-29(1.43g,32%),MS:[M+H]+=447
[0322] 实施例26合成化合物DPB-30
[0323]
[0324] 化合物A70的合成:
[0325] 将化合物A69(2.20g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A70(1.18g,55%),MS:[M+H]+=217。
[0326] 化合物A71的合成:
[0327] 将化合物A70(2.16g,10mmol),A6(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A71(2.30g,80%),MS:[M+H]+=288.
[0328] 化合物DPB-30的合成:
[0329] 将四氯化钛(2.34g,12.5mmol),丙二腈(0.66g,10mmol),A71(2.88g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-30(2.79g,83%),MS:[M++H]=337
[0330] 实施例27合成化合物DPB-31
[0331]
[0332] 化合物A73的合成:
[0333] 将化合物A72(3.68g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A73(2.67g,73%),MS:[M+H]+=366。
[0334] 化合物A75的合成:
[0335] 将化合物A73(3.66g,10mmol),A74(1.96g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A75(4.51g,86%),MS:[M+H]+=525.
[0336] 化合物DPB-31的合成:
[0337] 将四氯化钛(2.34g,12.5mmol),1,1,3,3-四三氟甲基丙烷(3.02g,20mmol),A75(5.25g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-31(5.39g,68%),MS:[M+H]+=793
[0338] 实施例28合成化合物DPB-32
[0339]
[0340] 化合物A77的合成:
[0341] 将化合物A76(3.20g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所需固体化合物A77(1.64g,52%),MS:[M+H]+=317。
[0342] 化合物A78的合成:
[0343] 将化合物A77(3.17g,10mmol),A6(2.16g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A78(3.10g,80%),MS:[M+H]+=388.
[0344] 化合物DPB-32的合成:
[0345] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),丙二腈(0.66g,10mmol),芴(1.66g,10mmol),A78(3.88g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-32(0.70g,12%),MS:[M+H]+=584
[0346] 实施例29合成化合物DPB-33
[0347]
[0348] 化合物A80的合成:
[0349] 将化合物A79(3.14g,10mmol),高碘酸钠(NaIO4 35.2g,163.6mmol),三氯化钌(RuCl.xH2O,0.6g 0.24mmol),乙腈40ml,二氯甲烷40ml,和蒸馏水50ml在30-40度下搅拌过夜,将反应产物冷却至室温,并加入200ml蒸馏水,然后减压过滤形成的沉淀物,用二氯甲烷萃取滤液,并向其中加入无水硫酸镁已除水分,然后减压下除去溶剂,用二氯甲烷为洗脱液使剩余物经过硅胶柱已得到产物,然后减压下除去该溶剂并在真空中干燥该产物以制备所+需固体化合物A80(1.34g,43%),MS:[M+H]=313。
[0350] 化合物A82的合成:
[0351] 将化合物A80(3.12g,10mmol),A81(2.62g,20mmol)和10ml乙酸加热过夜,将反应混合物冷却至室温,过滤生成的固体,并用乙醇和水洗涤下已得到A82(3.77g,70%),MS:[M+H]+=539.
[0352] 化合物DPB-33的合成:
[0353] 将四氯化钛(4.67g,25mmol),三氟甲基乙腈(3.60g,30mmol),A82(5.38g,10mmol)在氮气干燥吡啶/二氯甲烷为溶剂回流搅拌24小时,之后用冷浓盐酸淬灭,二氯甲烷浓缩,之后用无水硫酸钠干燥,减压蒸馏,残余物用DCM/MeOH重结晶,得到DPB-33(0.72g,10%),MS:[M+H]+=721
[0354] OLED器件的制备与表征
[0355] 器件结构为:
[0356] ITO//HIL(10nm)/HT-1(120nm)/HT-2(10nm)/BH:BD(25nm)/ET:Liq30nm)/Liq(1nm)/Al(100nm),具体制备步骤如下:
[0357]
[0358] a、导电玻璃基片的清洗:首次使用时,可用多种溶剂进行清洗,例如氯仿、酮、异丙醇进行清洗,然后进行紫外臭氧等离子处理;
[0359] b、HIL(10nm),HT-1(120nm),HT-2(10nm),EML(20nm),ETL(30nm):将ITO基片移入真空气相沉积设备中,在高真空(1×10-6毫巴)下,采用电阻加热蒸发,HT-1和DPB-1以98:2的比例共蒸镀形成10nm的HIL(空穴注入层),之后依次蒸镀得到120nm的HT-1以及10nm的HT-2层。随后BH和BD以97:3的比例共蒸镀形成25nm的发光层。接着将ET和LiQ置于不同的蒸发单元,使其分别以50重量%的比例进行共沉积,在发光层上形成30nm的电子传输层,随后在电子传输层上沉积1nm的LiQ作为电子注入层,最后在所述电子注入层上沉积厚度为100nm的Al阴极
[0360] c、封装:器件在氮气手套箱中用紫外线硬化树脂封装。
[0361] 所有器件除HIL采用下表2的材料中不同化合物作为掺杂剂(P-dopant),其他实施方案均相同。各OLED器件的电流电压(J-V)特性通过表征设备来表征,同时记录重要的参数如效率,寿命及外部量子效率
[0362] 表2
[0363]
[0364] 经检测,采用本申请涉及的化合物在器件效率及寿命方面均好于对比化合物1,特别是当P-dopant材料选自DPB-1和DPB-4、DPB-16、DPB-20和DPB-24时,其寿命提高约20%,同时器件效率也提高了约10%。由上可知,本申请的化合物作为HTL层的掺杂剂,所得到器件的效率和寿命远远优于对比化合物1。
[0365] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0366] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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