| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 301 | 纳米碳高温烯膜 | CN201821780434.8 | 2018-10-31 | CN209306944U | 2019-08-27 | 刘正; 栾殿明 |
| 本实用新型公开了一种纳米碳高温烯膜，其属于纳米碳高温烯膜技术领域。包括聚酯薄膜层，所述聚酯薄膜层的顶部设有安装层，安装层的顶部设有缓冲层，缓冲层的顶部设有基膜层，基膜层的顶部设有复合胶水层，缓冲层上开设有腔室，腔室的顶部内壁上和底板内壁上均固定安装有多个缓冲块，且多个缓冲块一一对应设置，相对应的两个缓冲块之间设有橡胶棒，所述缓冲块上开设有空腔，且橡胶棒延伸至对应的空腔内并固定安装有挡板，相对应的两个挡板相互远离的一侧均固定安装有竖杆。本实用新型设计合理，结构简单，操作方便，当膜受到压力时，能够通过第一纳米弹性连接丝和第二纳米弹性连接丝的弹性形变进行缓冲。 | ||||||
| 302 | 用液态或气态前驱体生产纳米材料的ICP等离子气相反应器 | CN201821618109.1 | 2018-10-03 | CN209237921U | 2019-08-13 | 郑小勇 |
| 本申请公开了一种用液态或气态前驱体生产纳米材料的ICP等离子气相反应器，包括反应腔，所述反应腔两端分别同轴密封连接于等离子发生器与冷却腔，所述反应腔侧壁至少设置有一个进气环，所述进气环与所述反应腔侧壁之间密封连接，所述进气环内部形成有环形静压腔，所述反应腔侧壁开设有多个连通所述环形静压腔的旋气嘴，多个所述旋气嘴沿所述反应腔圆周方向依次排列设置，所述冷却腔内部同轴设置有一反应腔清理环，所述反应腔清理环直径略小于所述反应腔直径，所述反应腔清理环清理所述反应腔内壁。本实用新型的优点在于结构简单，操作方便，成本低廉，且制备的纳米材料纯度较高、稳定性好、形貌粒径均匀。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 303 | 中空微针与药物注射装置 | CN201721884312.9 | 2017-12-28 | CN209187900U | 2019-08-02 | 唐永炳; 黄磊; 王陶; 李星星; 杨扬 |
| 本实用新型提供了一种中空微针与药物注射装置，涉及医用设备领域，该中空微针包括针体，针体为金刚石管，利用该中空微针能够缓解现有技术中的中空微针与生物体相容性差、强度不高易造成断针滞留的技术问题，达到避免断针和避免引发不良反应的技术效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 304 | 赤泥磁化焙烧综合利用系统 | CN201821737118.2 | 2018-10-25 | CN209161850U | 2019-07-26 | 刘步有 |
| 本实用新型公开了一种赤泥磁化焙烧综合利用系统，涉及矿物资源利用技术领域，其技术方案要点是包括搅拌机、烘干机、回转窑、磁选机、压滤机，搅拌机的出料口通过第二输送设备与烘干机的进料口连接；烘干机与回转窑之间设有球磨机，烘干机的出料口通过第三输送设备与球磨机的进料口连接，球磨机的出料口与回转窑的进料口连接；回转窑的出料口通过第四输送设备与磁选机的进料口连接；磁选机上设有磁性出口和非磁性出口，非磁性出口通过第五输送设备与压滤机的进料口连接。本实用新型解决了传统磁化焙烧利用褐煤还原赤泥因灰分高导致反应效率低问题，通过优化改进磁化焙烧设备提高赤泥综合利用率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 305 | 一种具有空气过滤功能的热裂解法生产球形纳米石墨烯的设备 | CN201821475012.X | 2018-09-10 | CN209161493U | 2019-07-26 | 康武丽; 连金杯; 丁立; 张仲才 |
| 本实用新型公开了一种具有空气过滤功能的热裂解法生产球形纳米石墨烯的设备，包括设备主体，所述设备主体包括热裂解反应釜，所述热裂解反应釜一端设有电子点火杆，所述热裂解反应釜的另一端设有法兰，所述法兰上设有气孔，所述气孔上设有过滤盘，所述过滤盘与所述气孔螺纹连接，所述过滤盘上设有若干滤孔，若干所述滤孔上均设有滤芯套管，每根所述滤芯套管内均设有多个耐高温滤芯，所述相邻两个耐高温滤芯之间的间隔相等，所述滤芯套管与所述滤孔可拆卸连接，所述热裂解反应釜上设有热能发电机，所述热能发电机的热能接收器通过导热管与所述热裂解反应釜内部连接，所述导热管与所述热裂解反应釜连接处设有第一控制阀。本实用新型提供了具有空气过滤功能、且能够利用热能发电。 | ||||||
| 306 | 氮化碳空心球反应装置 | CN201821863146.9 | 2018-11-13 | CN209123930U | 2019-07-19 | 倪成辉 |
| 本实用新型提供氮化碳空心球反应装置，它包括有热反应炉、反应箱，反应箱底部设有加热器，反应箱上部一侧通过进料管与热反应炉出口连接，反应箱上部另一侧设有过渡管，过渡管与储料罐底部连接，储料罐顶部活动铰接有盖板，反应箱上部一侧连接有返热管，反应箱内腔中部设有预热管，返热管出口向下折弯与预热管一端连接，预热管另一端穿过反应箱形成出口，反应箱下部侧壁上设有喷气嘴，喷气嘴由外部风机供风。采用本方案后的结构合理、反应效果好。 | ||||||
| 307 | 具有三维结构的电极和包含其的电化学装置 | CN201821830417.0 | 2018-11-07 | CN209104268U | 2019-07-12 | 严仁晟; 李相英; 姜盛中; 金廷娥; 金帝映; 金周明; 李龙熙; 李在宪 |
| 本实用新型公开了一种具有三维结构的电极和包含所述具有三维结构的电极的电化学装置，所述具有三维结构的电极包含：多孔无纺布，所述多孔无纺布包含多根聚合物纤维；活性材料复合物，所述活性材料复合物位于所述聚合物纤维之间并具有活性材料粒子和第一导电材料；和第二导电材料，所述第二导电材料位于所述活性材料复合物的外表面上，其中通过所述聚合物纤维形成互连的多孔网络，且所述互连的多孔网络均匀地填充有所述活性材料复合物和所述第二导电材料以形成三维超晶格结构。所述电化学装置具有优异的每单位重量或体积的容量、高能量密度和高输出特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 308 | 一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构 | CN201821593249.8 | 2018-09-28 | CN209104184U | 2019-07-12 | 陈湛旭; 万巍; 陈泳竹; 林家勇; 何影记 |
| 本实用新型公开了一种渐变折射率纳米结构结合纳米透镜的LED结构，是在传统LED结构的表面制备具有渐变折射率的纳米结构与微透镜阵列从而提高传统LED芯片出光效率。该新型的LED结构包括衬底，形成与衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上的多量子阱层，形成于所述多量子阱层上的p掺杂GaN层、形成于所述p掺杂GaN层上的ITO透明电极层、形成于所述ITO透明电极层上的纳米结构，所述的纳米结构包括ITO纳米柱阵列、在ITO纳米柱阵列间隙的聚苯乙烯材料和在表面的微透镜阵列结构。本实用新型提供的新型高效率LED结构，与其他结构相比，出光效率显著提高。 | ||||||
| 309 | 基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池 | CN201822176823.6 | 2018-12-25 | CN209104162U | 2019-07-12 | 王霆; 芦政; 其他发明人请求不公开姓名 |
| 本实用新型公开了一种基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合陷光结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的介质层及位于介质层上或介质层内的金属纳米颗粒阵列层。本实用新型中晶体硅太阳电池的开路电压、短路电流均有明显的提升，光电转换效率有了大幅度的提高，取得了意想不到的技术效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 310 | 生长在Al衬底上的InGaN纳米柱 | CN201821603271.6 | 2018-09-29 | CN209000923U | 2019-06-18 | 李国强; 徐珍珠; 高芳亮; 张曙光; 温雷; 余粤锋 |
| 本实用新型公开了生长在Al衬底上的InGaN纳米柱，包括生长在Al衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。其中采用的Al衬底热导率高，成本低，有利于解决器件散热的问题，降低器件成本；其次，本实用新型采用的Al衬底导电性能好，可以直接作为器件的电极，简化了器件的制备工艺；本实用新型的InGaN纳米柱具有晶体质量好、缺陷密度低和应力弛豫等特点，可用于制备发光二极管、光电探测器和太阳能电池等。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 311 | 一种纳米金属粉体的制造装置 | CN201821291348.0 | 2018-08-12 | CN208945167U | 2019-06-07 | 林朝阳; 邓君; 肖力 |
| 本实用新型公布了一种纳米金属粉体的制造装置，它包括基座，基座上设置有金属气化器、粉体凝结罐以及搅拌罐，粉体凝结罐与金属气化器通过输送管和返料管连通；粉体凝结罐上端设置有冷凝架，冷凝架内安装有冷凝管，粉体凝结罐的中部设有筛分机构，筛分机构包括固定吹气管、旋转轴以及搅拌阀板，固定吹气管位于旋转轴内，与旋转轴间隙配合，旋转轴轴壁上均匀设置有搅拌阀板，旋转轴上均匀开设有多个吹料口，固定吹气管上开设有一个出气口，出气口与入料通道在同一水平线上。本实用新型的目的是针对以上问题，提供一种纳米金属粉体的制造装置，该装置结构简单，可实现达标极纳米金属粉体的一次性炼制、凝结的达标粉体合格率高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 312 | 一种用于制作纳米粒子自组装结构的装置 | CN201821573519.9 | 2018-09-26 | CN208932976U | 2019-06-04 | 王艳艳; 王爽 |
| 本实用新型实施例公开了一种用于制作纳米粒子自组装结构的装置及应用，包括：一平面基底；一柔性模板；其底部贴合设置于所述平面基底的上表面；且所述柔性模板的与所述玻璃基底贴合的底部设置有与外界相通的、用于使得外界的纳米粒子溶液流入的微通道。由上，本申请可以实现对纳米粒子自组装位置的精准控制，且简单易操作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 313 | 一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaNSBD器件 | CN201821031401.3 | 2018-06-29 | CN208873725U | 2019-05-17 | 刘新宇; 王成森; 王鑫华; 王泽卫; 黄森; 康玄武; 魏珂; 黄健 |
| 本公开提供了一种基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件；所述基于纳米沟道阵列的薄势垒GaN SBD器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构非阳极区域上的SiNx电荷恢复层；形成于所述薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构阳极区域上的纳米沟道阵列结构；以及形成于所述SiNx电荷恢复层通孔中的阴极金属和形成于所述纳米沟道阵列结构上的阳极金属。本公开GaN SBD器件能够获得低开启电压、高正向电流密度和低反向漏电。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 314 | 纳米级成核剂生产装置 | CN201820200244.8 | 2018-02-05 | CN208857176U | 2019-05-14 | 侯凤寿; 曹林; 郭强; 杨杰 |
| 本实用新型属于纳米级成核剂生产设备领域，具体涉及一种纳米级成核剂生产装置，包括结晶釜，结晶釜通过管道连接蒸馏塔，蒸馏塔通过管道连接冷凝器，冷凝器下方设置收料塔；蒸馏塔内部设置“X”状发热管；收料塔连接自动烘干、称重、包装装置。本实用新型主要用于有机磷酸酯类纳米成核剂生产过程，利用有机磷酸酯类成核剂溶于甲醇不溶于水的特性，将有机磷酸酯类成核剂溶于甲醇和水的混合液内，使其在混合液内重新结晶，经过蒸馏冷凝后得到纳米成核剂，纳米成核剂产品具有分散效果好，晶体均匀的的特点；装置生产效率高。 | ||||||
| 315 | 一种手性金属纳米薄膜光学结构 | CN201820970429.7 | 2018-06-22 | CN208833932U | 2019-05-07 | 左瑜 |
| 本实用新型涉及一种手性金属纳米薄膜光学结构，包括：金属薄膜、以及位于所述金属薄膜上的“U”型缝和横缝。本实用新型实施例，制备了一种手性金属“U”型纳米薄膜结构，再通过在该薄膜结构上添加一个横缝结构使得该纳米薄膜结构的圆二色性得到很大的增强。 | ||||||
| 316 | 一种基于等离光子谐振技术的CRP浓度检测装置 | CN201821166849.6 | 2018-07-23 | CN208795656U | 2019-04-26 | 刘钢; 许浩; 王易; 胡友德 |
| 本实用新型医疗检测领域，具体而言，涉及一种基于等离光子谐振技术的CRP浓度检测装置，包括光学检测装置、芯片座和带有的等离光子谐振耦合的芯片，所述光学检测装置连接所述芯片座，所述芯片座与所述芯片可拆卸连接，其能够对低浓度微生物进行检测，检测装置利用小型LED灯实现透射成像检测，最大限度减少仪表需求，检测装置具有实用性高、敏感度高的优点，且无需额外的检测标记物质，简化了检测过程，降低了检测成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 317 | 一种带有GaAs面掺杂平滑层的GaAs基PHEMT外延材料结构 | CN201820500122.0 | 2018-04-10 | CN208738256U | 2019-04-12 | 蒋建 |
| 本实用新型提出一种带有GaAs面掺杂平滑层的GaAs基PHEMT外延材料结构，该材料结构包括GaAs半绝缘衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlGaAs下势垒层、第一GaAs平滑层、下平面掺杂层、第二GaAs平滑层、AlGaAs下空间隔离层、InGaAs沟道层、AlGaAs上空间隔离层、第三GaAs平滑层、上平面掺杂层、第四GaAs平滑层，AlGaAs上势垒层、AlAs腐蚀阻断层和GaAs重掺杂帽层；在GaAs半绝缘衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlGaAs下势垒层、第一GaAs平滑层、下平面掺杂层、第二GaAs平滑层、AlGaAs下空间隔离层、InGaAs沟道层、AlGaAs上空间隔离层、第三GaAs平滑层、上平面掺杂层、第四GaAs平滑层、AlGaAs上势垒层、AlAs腐蚀阻断层、GaAs重掺杂帽层。提高势垒层中Si面掺杂的掺杂效率，有利于改善PHEMT器件的跨导和击穿电压。 | ||||||
| 318 | 一种用于锂电池负极的片状硅粒 | CN201821489679.5 | 2018-09-12 | CN208722988U | 2019-04-09 | 杜海文; 张军彦; 周社柱; 张瑾; 薛巍 |
| 本实用新型公开了一种用于锂电池负极的片状硅粒，属于硅材料制备技术领域；包括片状单质硅内芯，所述的片状单质硅内芯上下表面具有氧化硅外层，所述的氧化硅外层上贯通分布有多个孔洞；本实用新型的硅颗粒结构，有利于与石墨充分混合形成分支状及网络状结构，有利于缓解硅的体积效应，满足锂电池硅碳负极中对硅材料的要求，实现金刚线切割废料的再利用，并实现巨大的经济效益。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 319 | 一种可调节微纳米环半径的装置 | CN201820974438.3 | 2018-06-23 | CN208603709U | 2019-03-15 | 蔡帅 |
| 本实用新型公开了一种可调节微纳米环半径的装置，其结构包括夹具、半径调节器主体、放置台、拉力传感器、支撑架、导轨、控制面板、底箱、顶板，所述拉力传感器底部表面边沿固定连接支撑架顶部表面边沿，所述底箱顶部表面边沿贴合焊接于顶板底部表面边沿，所述顶板顶部表面中央设在夹具底部表面边沿。本实用新型设有导轨，推动支撑架带动滑动块控制滑轮在滑槽和导轨主体上滑动，使滑动块和支撑架配合对拉力传感器跟随调节变化移动，导槽固定在外壳上辅助滑动块移动，同时垫板对滑动块在导轨主体移动与外壳碰撞缓冲，避免拉力传感器对微纳米环半径调节拉动传感不准确，提高装置对微纳米环半径的调节效果。 | ||||||
| 320 | 一种带有减反射膜的太阳能光伏玻璃 | CN201821294027.6 | 2018-08-13 | CN208589455U | 2019-03-08 | 朱海明; 邵昌庆; 张宏民; 齐元海; 徐贵平 |
| 本实用新型公开了一种带有减反射膜的太阳能光伏玻璃，包括玻璃基体、多孔SiO2减反射膜和纳米TiO2膜，所述多孔SiO2减反射膜包括第一多孔SiO2减反射膜和第二多孔SiO2减反射膜，所述纳米TiO2膜包括第一纳米TiO2膜和第二纳米TiO2膜，所述多孔SiO2减反射膜与玻璃基体为一体式结构，并覆盖在玻璃基体的上、下表面，所述纳米TiO2膜通过辊式涂布机涂覆在多孔SiO2减反射膜的上、下表面，所述玻璃基体中间设有真空夹层。本实用新型设计合理、方便制造，所得双绒面玻璃的光透过率较高、隔热效果好而且表面具有自清洁功能，具有非常好的市场前景和推广价值，可广泛应用于太阳能光伏领域。 | ||||||
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