技术领域
[0001] 本
发明大体上涉及用于清洗来自其上具有残余物和/或污染物的微
电子装置的所述残余物和/或污染物，且确切地说包括含
铜材料、含钽材料、含钴材料和含钌材料中的至少一个种的残余物和/或污染物的组合物。
背景技术
[0002] 微电子装置晶片用以形成集成
电路。微电子装置晶片包含例如
硅的衬底，在其中区域被
图案化以供沉积具有绝缘、导电或半导电的特性的不同材料。
[0003] 为获得正确图案化，必须去除用于在衬底上形成层的盈余材料。此外，为制造功能性且可靠的电路，在后续加工之前制备平整或平坦的微电子晶片表面很重要。因此，有必要平坦化和/或研磨微电子装置晶片的某些表面。
[0004] 化学机械研磨或平坦化(“CMP”)为从微电子装置晶片的表面去除材料的工艺，且通过将例如磨耗的物理工艺与例如
氧化或螯合的化学工艺偶合来平坦化且研磨表面。以其最基本的形式，CMP涉及将
浆液(例如，
磨料和活性化学物质的溶液)施加到微电子装置晶片的表面的研磨
衬垫，以实现去除、平坦化和研磨工艺。通常不需要由纯物理或纯化学作用组成的去除或研磨工艺，而是二者协同组合以便实现快速、均匀的去除。在集成电路的制造中，CMP浆液也应能够优先去除包括金属和其它材料的复合层的膜，从而可产生高度平坦的表面以用于后续
光刻光刻或图案化、
刻蚀和
薄膜加工。
[0005] 在微电子装置制造中通常用于电路的
金属化的铜镶嵌工艺中，必须去除且平面化的层包含厚度为约1-1.5μm的铜层和厚度为约0.05-0.15μm的铜晶种层。通过势垒材料的层从介电材料表面分离这些铜层，所述势垒材料的层通常厚度约 其防止铜扩散到氧化物介电材料中。在研磨之后获得晶片表面上的良好均匀度的一个关键是使用对每种材料具有正确去除选择性的CMP浆液。
[0006] 钽和氮化钽目前用作防止由铜通过介电层扩散所造成的装置污染的势垒层材料。然而，由于钽的高
电阻性，尤其在高纵横比特征中，难以使铜有效地沉积于势垒层上。因此，铜晶种层必须最初沉积于势垒层上。由于电路的特征大小降低到65nm、45nm和32nm标度，因此控制晶种层的精确厚度以防止沟槽顶部的突出和空隙的形成变得极其困难，尤其对于
32nm技术
节点和超出32nm的技术节点。
[0007] 涉及晶片衬底表面制备、沉积、电
镀、刻蚀和化学机械研磨的前述工艺操作不同地需要清洗操作以确保微电子装置产品不含将以其它方式有害地影响产品的功能或甚至致使其不可用于其预定功能的残余物和污染物。通常，这些污染物的粒子小于0.3μm。遵循CMP工艺，这些残余物和污染物包含CMP浆液组分、来自经去除层的粒子和例如苯并三唑(BTA)的
腐蚀抑制剂化合物。如果不经去除，那么这些残余物可能导致对铜线的损害或使铜金属化物严重地粗糙化，以及导致CMP后施加的层在装置衬底上的较差粘附。铜金属化物的严重粗糙化尤其难以解决，这是因为过度粗糙的铜可能导致产品微电子装置的较差电学性能。
[0008] 在所属领域中存在对用以提供从衬底(包含除钽和氮化钽以外或另外包含势垒材料的衬底)有效地去除残余物和污染物的组合物和方法的持续需求。组合物和方法应消除铜上的粒子和其它
缺陷且不腐蚀或以其它方式损害铜。
发明内容
[0009] 本发明大体上涉及一种用于清洗来自其上具有残余物和污染物的微电子装置的残余物和/或污染物的组合物和方法。残余物可包含CMP后、刻蚀后和/或灰化后残余物。组合物和方法尤其在清洗包括铜、低k介电材料和包括含钽材料、含钴材料和含钌材料中的至少一种的势垒材料的微电子表面时有利。
[0010] 在一个方面中，描述一种清洗组合物，所述清洗组合物包括至少一种有机胺、
水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。
[0011] 在另一方面中，一种去除来自其上具有残余物和污染物的微电子装置的残余物和污染物的方法，所述方法包括使微电子装置与清洗组合物
接触足够时间以至少部分地清洗来自微电子装置的残余物和污染物，其中所述清洗组合物与铜、低k介电材料和势垒材料兼容，其中势垒材料包括含钽材料、含钴材料和含钌材料中的至少一种，且其中所述清洗组合物包括至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。
[0012] 其它方面、特征和优点将从随后公开内容和随附
权利要求书更充分地显而易见。
具体实施方式
[0013] 本发明大体上涉及适用于从其上具有残余物和污染物的微电子装置去除这些材料的组合物。所述组合物尤其适用于去除CMP后、刻蚀后或灰化后残余物。
[0014] 为易于参考，“微电子装置”对应于
半导体衬底、平板显示器、
相变存储装置、太阳
电池板和其它产品，包含
太阳能衬底、光伏打装置和微
机电系统(MEMS)，经制造以用于微电子、集成电路或计算
机芯片应用。太阳能衬底包含(但不限于)硅、非晶硅、
多晶硅、
单晶硅、CdTe、铜铟硒化物(copper indium selenide)、铜铟硫化物(copper indium sulfide)和镓上砷化镓(gallium arsenide on gallium)。太阳能衬底可经掺杂或未经掺杂。应理解，术语“微电子装置”并不意谓以任何方式限制且包含将最终变为微电子装置或微电子组合件的衬底。
[0015] 如本文中所使用，“残余物”对应于在包含(但不限于)
等离子体刻蚀、灰化、化学机械研磨、湿式刻蚀和其组合的微电子装置的制造期间所产生的粒子。
[0016] 如本文中所使用，“污染物”对应于存在于CMP浆液中的化学物质、研磨浆液的反应副产物残余物、存在于湿式刻蚀组合物中的化学物质、湿式刻蚀组合物的反应副产物以及是CMP工艺、湿式刻蚀、等离子体刻蚀或等离子体灰化工艺的副产物的任何其它材料。常见污染物包含苯并三唑，其通常存在于CMP浆液中。
[0017] 如本文中所使用，“CMP后残余物”对应于来自研磨浆液的粒子(例如，含硅石粒子)、存在于浆液中的化学物质、研磨浆液的反应副产物、富
碳粒子、研磨衬垫粒子、刷卸除粒子、构筑粒子的装备材料、金属、金属氧化物、有机残余物、势垒层残余物，以及是CMP工艺的副产物的任何其它材料。如本文中所定义，通常研磨的“金属”包含铜、
铝和钨。
[0018] 如本文中所定义，“低k介电材料”对应于用作分层微电子装置中的介电材料的任何材料，其中材料的介电常量小于约3.5。优选地，低k介电材料包含低极性材料，例如含硅有机
聚合物、含硅杂化有机/无机材料、有机
硅酸盐玻璃(OSG)、TEOS、氟化硅酸盐玻璃(FSG)、
二氧化硅和碳掺杂的氧化物(CDO)玻璃。应了解，低k介电材料可具有不同
密度和不同孔隙。
[0019] 如本文中所定义，“络合剂”包含由所属领域的技术人员理解为络合剂、螯合剂(chelating agents和/或sequestering agents)的那些化合物。络合剂将与待使用本文中所描述的组合物去除的金属
原子和/或
金属离子化学上组合或物理上夹持所述金属原子和/或金属离子。
[0020] 如本文中所定义，术语“势垒材料”对应于在所属领域中用以密封金属线(例如，铜互连件)以最小化所述金属(例如，铜)到介电材料中的扩散的任何材料。优选的势垒层材料包含钽、
钛、钌、铪、钨、钴，以及前述金属中的任一种的氮化物和硅化物。
[0021] 如本文中所定义，“刻蚀后残余物”对应于在气相等离子体刻蚀工艺(例如，BEOL双金属镶嵌工艺)或湿式刻蚀工艺之后所保留的材料。刻蚀后残余物可为有机物、有机金属、有机硅，或本质上为无机物，例如含硅石材料、碳基有机材料和例如氧气和氟气的刻蚀气体残余物。
[0022] 如本文中所定义，如本文中所使用的“灰化后残余物”对应于在用以去除硬化光阻和/或底部抗反射涂层(BARC)材料的氧化或还原等离子体灰化之后所保留的材料。灰化后残余物可为有机物、有机金属、有机硅或本质上为无机物。
[0023] “基本上不含”在本文中定义为小于2wt.％，优选小于1wt.％，更优选小于0.5wt.％，且最优选小于0.1wt.％。在一个
实施例中，“基本上不含”对应于百分之零。
[0024] 如本文中所定义，“含钌材料”和“钌物质”包含(但不限于)纯钌、钌氮化物(包含钌氮化物，其包括例如Si、Ta或Li的额外元素)、钌氧化物(包含钌氧化物，其包括氢氧化物)和钌
合金。所属领域的技术人员应理解，各种钌氧化物和钌氮化物的化学式可基于钌离子的氧化态而变化，其中钌的常见氧化态为0、+2、+3、+4、+6、+7、+8或-2。
[0025] 如本文中所定义，“含钽材料”和“钽物质”包含(但不限于)纯钽、钽氮化物(包含钽氮化物，其包括例如Si的额外元素)、钽氧化物(包含钽氧化物，其包括氢氧化物)、钽铝化物和钽合金。所属领域的技术人员应理解，各种钽氧化物和钽氮化物的化学式可基于钽离子的氧化态而变化，其中钽的常见氧化态为-1、-3、+1、+2、+3、+4和+5。
[0026] 如本文中所定义，“含钴材料”和“钴物质”包含(但不限于)纯钴、钴氧化物、钴氢氧化物、(包含钴氮化物，其包括例如Ta或Ti的额外元素)、钽氧化物、CoW、CoP、CoSi和硅化钴。所属领域的技术人员应理解，各种钴氧化物和钴氮化物的化学式可基于钴离子的氧化态而变化，其中钴的常见氧化态为-3、-1、+1、+2、+3、+4和+5。
[0027] 如本文中所定义，“含钌材料”和“钌物质”包含(但不限于)纯钌、钌氮化物(包含钌氮化物，其包括例如Si、Ta或Li的额外元素)、钌氧化物(包含钌氧化物，其包括氢氧化物)和钌合金。所属领域的技术人员应理解，各种钌氧化物和钌氮化物的化学式可基于钌离子的氧化态而变化，其中钌的常见氧化态为0、+2、+3、+4、+6、+7、+8或-2。
[0028] 如本文所使用，“约”意图对应于所陈述值的±5％。
[0029] 如本文中所定义，“反应产物或降解产物”包含(但不限于)形成为表面催化、氧化、还原、与组成性组分反应的产物或以其它方式聚合的产物的产物或副产物；形成为其中物质或材料(例如，分子、化合物等)与其它物质或材料组合、与其它物质或材料互换组分、分解、重排或以其它方式化学上和/或物理上改变的变化或转化的产物的产物或副产物，包含前述中的任一种的中间产物或副产物或前述反应、变化和/或转化的任何组合。应了解，反应物或降解产物可具有比原始反应物更大或更小的摩尔
质量。
[0030] “
氧化剂”在化学领域中熟知作为可氧化另一物质同时自身被还原的物质。出于本
申请的目的，氧化剂可包含(但不限于)臭氧、
硝酸、鼓泡空气、环己
氨基磺酸、过氧化氢、FeCl3、过
硫酸氢
钾、过
硼酸盐、过氯酸盐、高碘酸盐、过
硫酸盐、高锰酸盐、亚氯酸盐、氯酸盐、碘酸盐、
次氯酸盐、硝酸盐、过氧化单硫酸盐、过氧单硫酸、硝酸
铁、胺-N-氧化物、过氧化脲、
过氧乙酸、过碘酸、重铬酸钾、2-硝基
苯酚、1,4-苯醌、过氧苯
甲酸、过氧邻苯二
甲酸盐、氧化
钒、偏钒酸铵、钨酸铵、硫酸，和其组合。
[0031] “含唑腐蚀抑制剂”或“含唑
钝化剂”包含三唑和其衍
生物、苯并三唑和其衍生物、
甲苯基三唑、噻唑和其衍生物、四唑和其衍生物、咪唑和其衍生物，以及吖嗪和其衍生物。
[0032] 如本文中所使用，“含氟化合物”对应于包括与另一原子离子键合的氟离子(F-)的盐或
酸化合物。
[0033] 如本文中所使用，清洗来自其上具有残余物和污染物的微电子装置的残余物和污染物的“适用性”对应于至少部分去除来自微电子装置的残余物/污染物。清洗效果由在微电子装置上目标的减少来评定。举例来说，可使用原子
力显微镜来进行清洗前分析和清洗后分析。可将样品上的粒子登记为
像素范围。可应用直方图(例如，Sigma Scan Pro)以过滤呈某一强度(例如，231-235)的像素和所计数粒子数。可使用以下公式来计算粒子减少：
[0034]
[0035] 值得注意地，测定清洗效力的方法仅针对实例提供且并不意图受其限制。替代地，可将清洗效力视为由颗粒材料所
覆盖的总表面的百分比。举例来说，AFM可被程序化以执行z-平面扫描以识别高于某一高度
阈值的所关注表面形貌区域，且随后计算由所关注的所述区域覆盖的总表面面积。所属领域的技术人员将容易理解，清洗后由所关注的所述区域覆盖的面积越小，去除组合物越有效。优选地，使用本文中所描述的组合物，至少75％的残余物/污染物从微电子装置去除，更优选地至少90％、甚至更优选地至少95％且最优选地至少99％的残余物/污染物被去除。
[0036] 如下文中更充分地描述，本文中所描述的组合物可实施于广泛多种特定调配物中。
[0037] 在所有这些组合物中，其中参考重量百分比范围(包含零下限)论述组合物的特定组分，应理解，这些组分可存在或不存在于组合物的各种特定实施例中，且在存在这些组分的例项中，以其中采用这些组分的组合物的总重量计，其可以低至0.001重量百分比的浓度存在。
[0038] 在一第一方面中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。在一个实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少两种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。在另一实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少两种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。在又另一实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少两种金属腐蚀抑制剂。在另一实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少两种pH调节剂、至少两种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂。在又另一实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少两种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少两种金属腐蚀抑制剂。在又另一实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少两种有机添加剂和至少两种金属腐蚀抑制剂。在又另一实施例中，清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少两种pH调节剂、至少两种有机添加剂和至少两种金属腐蚀抑制剂。实施例中的任一个可另外包含至少一种还原剂、至少一种缓冲剂，或至少一种还原剂和至少一种缓冲剂两者。此外，本文中所公开的实施例中的任一个可另外包含至少一种
表面活性剂。有利地，清洗组合物增强对例如苯并三唑的污染物的去除而同时降低所暴露铜的腐蚀速率和保留于所暴露铜上的残余物(例如，CMP后残余物，包含包括势垒层材料的CMP后残余物，所述势垒层材料包括钽物质、钴物质和钌物质中的至少一种)的量。
[0039] 在从微电子装置去除残余物材料之前，第一方面的清洗组合物可基本上不含或不含至少一种氧化剂；含氟源；磨料；四甲基
氢氧化铵；含唑腐蚀抑制剂；五倍子酸；锍化合物；氨肟化合物；以及其组合。此外，清洗组合物不应
固化以形成聚合物固体，例如光阻剂。尽管设想调配物可包含至少一种表面活性剂，但如所属领域的技术人员易于理解，还设想所述调配物基本上不含表面活性剂。此外，按组合物的总重量计，至少一种有机添加剂于清洗组合物中的量小于20wt％，优选小于10wt％，且更优选小于5wt％，且至少一种pH调节剂优选地包括
碱金属氢氧化物，例如KOH。
[0040] 在一个优选的实施例中，第一方面的清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂，其中所述清洗组合物按以下重量百分比比率调配：范围介于约1到约100，优选约5到约50，更优选约10到约25，且最优选约12到约20的有机胺/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.1到约50，优选约1到约30，更优选约2到约20，且最优选约4到约10的pH调节剂/金属腐蚀抑制剂；以及范围介于约0.01到约50，优选约0.1到约25，更优选约1到约15，且最优选约2到约10的有机添加剂/金属腐蚀抑制剂。如本文中所公开且如所属领域的技术人员所理解，所添加pH调节剂的量视所需pH而定。按组合物的总重量计，水于清洗组合物中的量为至少80wt％，优选为至少85wt％，且更优选为至少90wt％。清洗组合物可另外包括至少一种还原剂、至少一种缓冲剂，或至少一种还原剂和至少一种缓冲剂两者。
[0041] 可适用于特定组合物中的说明性有机胺包含具有通式NR1R2R3的物质，其中R1、R2和R3可彼此相同或不同且选自由以下组成的组：氢、直链或分支链C1-C6烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基和己基)、直链或分支链C1-C6醇(例如，甲醇、
乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇)和具有式R4-O-R5的直链或分支链醚，其中R4和R5可彼此相同或不同且选自由如上文所定义的C1-C6烷基组成的组。当胺包含醚组分时，可将胺视为烷氧基胺。设想其它有机胺包含二氰胺(C2N3-)，以及其盐和其类似物。最优选地，R1、R2和R3中的至少一个为直链或分支链C1-C6醇。实例包含(但不限于)：烷醇胺，例如氨基乙基乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、氨基乙氧基乙氧基乙醇、丁氧基丙胺、甲氧基丙胺、丁氧基异丙胺、2-乙基己基异丙氧基胺、乙醇丙胺、乙基乙醇胺、N-羟乙基吗啉、氨基丙基二乙醇胺、二甲基氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、单乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、3-氨基-1-丙醇、二异丙胺、氨基甲基丙二醇、N,N-二甲基氨基甲基丙二醇、氨基乙基丙二醇、N,N-二甲基氨基乙基丙二醇、异丙胺、2-氨基-1-丁醇、氨基甲基丙醇、氨基二甲基丙醇、N,N-二甲基氨基甲基丙醇、异丁醇胺、二异丙醇胺、3-氨基、4-羟基辛烷、2-氨基丁醇、三(羟甲基)氨基甲烷(TRIS)、N,N-二甲基三(羟甲基)氨基甲烷、羟基丙胺、苯甲胺、羟基乙胺、三(羟乙基)氨基甲烷、其它C1-C8烷醇胺和其组合；胺，例如三亚乙基二胺、乙二胺、己二胺、四亚乙基五胺(TEPA)、三亚乙基四胺、二亚乙基三胺、三乙胺、三甲胺和其组合；二甘醇胺；吗啉；以及胺与烷醇胺的组合。优选地，有机胺包括单乙醇胺。
[0042] pH调节剂包含碱金属氢氧化物(例如，LiOH、KOH、RbOH、CsOH)、碱土金属氢氧化物1 2 3 4
(例如，Be(OH)2、Mg(OH)2、Ca(OH)2、Sr(OH)2、Ba(OH)2)，以及具有式NR RRR OH的化合物，其中R1、R2、R3和R4可彼此相同或不同且选自由以下组成的组：氢、直链或分支链C2-C6烷基(例如，乙基、丙基、丁基、戊基和己基)、C1-C6烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基)和被取代或未被取代的C6-C10芳基(例如，苯甲基)，其中R1、R2、R3和R4不全为甲基。可使用市售的四烷基氢氧化铵，包含四乙基氢氧化铵(TEAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)、四丁基氢氧化铵(TBAH)、三丁基甲基氢氧化铵(TBMAH)、苯甲基三甲基氢氧化铵(BTMAH)、氢氧化胆碱、乙基三甲基氢氧化铵、三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、三乙基甲基氢氧化铵、三羟乙基甲基氢氧化铵，和其组合。替代地或另外，至少一种季碱可为式(PR1R2R3R4)OH的化合物，其中R1、R2、R3和R4可彼此相同或不同且选自由以下组成的组：氢、直链C1-C6烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基)、分支链C1-C6烷基、C1-C6烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基)、被取代的C6-C10芳基、未被取代的C6-C10芳基(例如，苯甲基)和其任何组合，例如四丁基氢氧化鏻(TBPH)、四甲基氢氧化鏻、四乙基氢氧化鏻、四丙基氢氧化鏻、苯甲基三苯基氢氧化鏻、甲基三苯基氢氧化鏻、乙基三苯基氢氧化鏻、正丙基三苯基氢氧化鏻。在一个实施例中，pH调节剂包括KOH。在另一实施例中，pH调节剂包括氢氧化胆碱。在另一实施例中，pH调节剂包括本文中所列举的至少一种碱金属氢氧化物和至少一种额外氢氧化物。在另一实施例中，pH调节剂包括本文中所列举的KOH和至少一种额外氢氧化物。在又另一实施例中，pH调节剂包括KOH和氢氧化胆碱。
[0043] 本文中所设想的金属腐蚀抑制剂包含(但不限于)：乙酸、丙
酮肟、
丙烯酸、
己二酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、甜菜碱、二甲基乙二肟、甲酸、
反丁烯二酸、
葡萄糖酸、麸氨酸、谷氨酰胺、
戊二酸、甘油酸、丙三醇、乙醇酸、
乙醛酸、组氨酸、亚氨基二乙酸、间苯二甲酸、伊康酸、乳酸、白氨酸、赖氨酸、
顺丁烯二酸、顺丁烯二酸酐、苹果酸、
丙二酸、杏仁酸、2,4-戊二酮、苯乙酸、苯丙氨酸、邻苯二甲酸、脯氨酸、丙酸、焦儿茶酚、苯均四酸、
奎尼酸、丝氨酸、山梨糖醇、丁二酸、
酒石酸、对苯二甲酸、偏苯三甲酸、苯均三甲酸、酪氨酸、缬氨酸、木糖醇、
草酸、鞣酸、吡啶甲酸、1,3-环戊二酮、邻苯二酚、连苯三酚、间苯二酚、对苯二酚、三聚氰酸、巴比妥酸、1,2-二甲基巴比妥酸、丙
酮酸、丙硫醇、苯基异羟肟酸、2,5-二羧基吡啶、4-(2-羟乙基)吗啉(HEM)、N-氨基乙基哌嗪(N-AEP)、
乙二胺四乙酸(EDTA)、1,2-环己二胺-N,N,N',N'-四乙酸(CDTA)、N-(羟乙基)-乙二胺四乙酸(HEdTA)、亚氨基二乙酸(IDA)、2-(羟乙基)亚氨基二乙酸(HIDA)、氮基三乙酸、硫脲、1,1,3,3-四甲基脲、脲、脲衍生物、甘氨酸、半胱氨酸、麸氨酸、异白氨酸、甲硫氨酸、哌啶、N-(2-氨乙基)哌啶、吡咯烷、苏氨酸、
色氨酸、柳酸、
对甲苯磺酸、水杨基羟肟酸、5-磺基柳酸，和其组合。在一优选的实施例中，优选地，金属腐蚀抑制剂包括半胱氨酸、草酸、组氨酸中的至少一种或其任何组合。在另一优选的实施例中，金属腐蚀抑制剂包括半胱氨酸和草酸。在另一优选的实施例中，金属腐蚀抑制剂包括半胱氨酸、草酸和至少一种额外金属腐蚀抑制剂。
[0044] 所设想的有机添加剂包含(但不限于)：2-吡咯烷酮、1-(2-羟乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、丙三醇、1,4-丁二醇、四亚甲基砜(环丁砜)、二甲砜、乙二醇、丙二醇、二丙二醇、四乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二醇醚(例如，二乙二醇单甲醚、三乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、三乙二醇单乙醚、乙二醇单丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚(DEGBE)、三乙二醇单丁醚(TEGBE)、乙二醇单己醚(EGHE)、二乙二醇单己醚(DEGHE)、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚(DPGME)、三丙二醇甲醚(TPGME)、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚(DOWANOL PnB)、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚(DOWANOL PPh))，和其组合。替代地或另外，有机添加剂可包含：膦酸和其衍生物，例如1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、1,5,9-三氮杂环十二烷-N,N',N"-三(亚甲基膦酸)(DOTRP)、1,4,7,10-四氮杂环十二烷-N,N',N",N"'-四(亚甲基膦酸)(DOTP)、氮基三(亚甲基)三膦酸、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)(DETAP)、氨基三(亚甲基膦酸)、is(六亚甲基)三胺膦酸、1,4,7-三氮杂环壬烷-N,N',N"-三(亚甲基膦酸)(NOTP)、其盐，和其衍生物。替代地或另外，有机添加剂可包含羟丙基
纤维素、羟乙基
纤维素、
羧甲基纤维素。羧甲基纤维素钠(Na CMC)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、使用N-乙烯吡咯烷酮
单体制得的任何聚合物、聚丙烯酸酯和聚丙烯酸酯的类似物、聚氨基酸(例如，聚丙氨酸、聚亮氨酸、聚甘氨酸)、聚酰胺羟基脲烷、聚内酯、聚丙烯酰胺、三仙胶、聚氨基葡萄糖、聚氧化乙烯、聚乙烯醇(PVA)、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸、聚亚乙基亚胺(PEI)、糖醇(例如山梨醇和木糖醇)、脱水山梨糖醇的酯、仲醇乙氧基化物(例如TERGITOL)，和其组合。在一优选的实施例中，至少一种有机添加剂包括HEDP。在另一优选的实施例中，至少一种有机添加剂包括至少一种二醇醚，所述二醇醚包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚。在另一优选的实施例中，至少一种有机添加剂包括HEDP和包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚的至少一种二醇醚。在另一优选的实施例中，至少一种有机添加剂包括HEC或HEDP和HEC的组合，或HEC、HEDP和包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚的至少一种二醇醚的组合，或HEC和包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚的至少一种二醇醚的组合。
[0045] 还原剂(如果存在)包含(但不限于)：
抗坏血酸、L(+)-抗坏血酸、异抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、五倍子酸、甲脒亚磺酸、尿酸、酒石酸、半胱氨酸、D-葡糖酸钾、羟胺、亚硝酸钾、碳酸胍、8-羟基-5-喹啉磺酸水合物，和其任何组合。优选地，还原剂包括抗坏血酸、酒石酸，或其组合。如果存在，那么按组合物的总重量计，至少一种还原剂以约0.0001wt％到约1wt％，优选约0.0001wt％到约0.2wt％的量存在于第一方面的清洗组合物中。
[0046] 表面活性剂(如果存在)包含(但不限于)阴离子型、非离子型、阳离子型和/或两性离子型表面活性剂，例如：褐藻酸和其盐；羧甲基纤维素；硫酸葡聚糖和其盐；聚(半乳糖醛酸)和其盐；(甲基)丙烯酸和其盐、顺丁烯二酸、顺丁烯二酸酐、苯乙烯磺酸和其盐、乙烯基磺酸和其盐、烯丙基磺酸和其盐、丙烯酰胺基丙基磺酸和其盐的均聚物；(甲基)丙烯酸和其盐、顺丁烯二酸、顺丁烯二酸酐、苯乙烯磺酸和其盐、乙烯基磺酸和其盐、烯丙基磺酸和其盐、丙烯酰胺基丙基磺酸和其盐的共聚物；聚氨基葡萄糖；阳离子
淀粉；聚赖氨酸和其盐；二烯丙基二甲基
氯化铵(DADMAC)、二烯丙基二甲基溴化铵、二烯丙基二甲基硫酸铵、二烯丙基二甲基
磷酸铵、二甲基烯丙基二甲基氯化铵、二乙基烯丙基二甲基氯化铵、二烯丙基二(β-羟乙基)氯化铵、二烯丙基二(β-乙氧基乙基)氯化铵、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯
酸加成盐和季盐、(甲基)丙烯酸二乙氨基乙酯酸加成盐和季盐、(甲基)丙烯酸7-氨基-3,7-二甲基辛酯酸加成盐和季盐、N,N'-二甲氨基丙基丙烯酰胺酸加成盐和季盐、烯丙胺、二烯丙胺、乙烯胺、乙烯基吡啶的均聚物；和二烯丙基二甲基氯化铵(DADMAC)、二烯丙基二甲基溴化铵、二烯丙基二甲基硫酸铵、二烯丙基二甲基磷酸铵、二甲基烯丙基二甲基氯化铵、二乙基烯丙基二甲基氯化铵、二烯丙基二(β-羟乙基)氯化铵、二烯丙基二(β-乙氧基乙基)氯化铵、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯酸加成盐和季盐、(甲基)丙烯酸二乙氨基乙酯酸加成盐和季盐、(甲基)丙烯酸7-氨基-3,7-二甲基辛酯酸加成盐和季盐、N,N'-二甲氨基丙基丙烯酰胺酸加成盐和季盐、烯丙胺、二烯丙胺、乙烯胺、乙烯基吡啶的共聚物；椰油二甲基羧甲基甜菜碱；月桂基二甲基羧甲基甜菜碱；月桂基二甲基-α-羧乙基甜菜碱；十六烷基二甲基羧甲基甜菜碱；月桂基-双-(2-羟乙基)羧甲基甜菜碱；十八烷基-双-(2-羟丙基)羧甲基甜菜碱；油基二甲基-γ-羧丙基甜菜碱；月桂基-双-(2-羟丙基)α-羧乙基甜菜碱；椰油二甲基磺基丙基甜菜碱；硬脂基二甲基磺基丙基甜菜碱；月桂基-双-(2-羟乙基)磺基丙基甜菜碱；十二烷基硫酸钠；磺基丁二酸二辛酯钠盐；月桂基醚硫酸钠；聚乙二醇支化壬基苯醚硫酸铵盐；二钠2-十二烷基-3-(2-磺酸根苯氧基)；PEG25-PABA；聚乙二醇单-C10-16-烷基醚硫酸钠盐；(2-N-丁氧基乙氧基)乙酸；十六烷基苯磺酸；十六烷基三甲基氢氧化铵；十二烷基三甲基氢氧化铵；十二烷基三甲基氯化铵；十六烷基三甲基氯化铵；N-烷基-N-苯甲基-N,N-二甲基氯化铵；十二烷胺；聚氧化乙烯月桂基醚；十二烯基丁二酸单二乙醇酰胺；乙二胺四(乙氧基化物-嵌段-丙氧基化物)；以及其组合。如果存在，那么按组合物的总重量计，至少一种表面活性剂以约0.00001wt％到约1wt％，优选约0.00001wt％到约0.2wt％的量存在于第一方面的清洗组合物中。
[0047] 如果存在，那么在稀释和制造期间添加缓冲剂以使清洗组合物稳定以及实现适合组成性pH，如由所属领域的技术人员所易于测定。所设想的缓冲剂包含(但不限于)：磷酸、磷酸二钾、碳酸钾、硼酸、赖氨酸、脯氨酸、β-丙氨酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、二甲基乙二肟、二元
磷酸盐(例如，(NH4)2HPO4、K2HPO4)、三元磷酸盐(例如，(NH4)3PO4、K3PO4)、二元磷酸盐与三元磷酸盐的混合物(例如，K2HPO4/K3PO4)、二元碳酸盐与三元碳酸盐的混合物(例如，K2CO3/KHCO3)、羟基亚乙基二膦酸(HEDP)，和其组合。优选的缓冲剂(如果存在)包含磷酸、碳酸钾和其组合。如果存在，那么按组合物的总重量计，至少一种缓冲剂以约0.0001wt％到约20wt％，优选约1wt％到约20wt％，或约1wt％到约10wt％，或约0.1wt％到约5wt％的量存在于第一方面的清洗组合物中。
[0048] 在一尤其优选的实施例中，第一方面的清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种有机添加剂、至少一种金属腐蚀抑制剂以及氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物中的至少一种，其中所述清洗组合物按以下重量百分比比率调配：范围介于约1到约100，优选约5到约50，更优选约10到约25，且最优选约12到约20的有机胺/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约1到约10，且最优选约1到约6的氢氧化胆碱/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约30，优选约0.5到约20，更优选约2到约10，且最优选约2到约6的碱金属氢氧化物/金属腐蚀抑制剂；以及范围介于约0.01到约50，优选约0.1到约25，更优选约1到约15，且最优选约2到约10的有机添加剂/金属腐蚀抑制剂。按组合物的总重量计，水于清洗组合物中的量为至少80wt％，优选为至少
85wt％，且更优选为至少90wt％。优选地，存在氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物两者且至少一种碱金属氢氧化物包括KOH。出乎意料地，按组合物的总重量计，最优选的产物包含以下的组合：(a)作为金属腐蚀抑制剂的草酸与半胱氨酸，呈约1:1到约3:1的重量百分比比率；或(b)作为金属腐蚀抑制剂的组氨酸、草酸和半胱氨酸，呈约1:1:1到约2:3:1的重量百分比比率。
[0049] 在另一优选的实施例中，第一方面的清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、膦酸或其衍生物、至少一种二醇醚和至少一种金属腐蚀抑制剂，其中所述清洗组合物按以下重量百分比比率调配：范围介于约1到约100，优选约5到约50，更优选约10到约25，且最优选约12到约20的有机胺/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.1到约50，优选约1到约30，更优选约2到约20，且最优选约4到约10的pH调节剂/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约0.5到约10，且最优选约0.5到约4的膦酸或其衍生物/金属腐蚀抑制剂；以及范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约20，更优选约0.5到约10，且最优选约1到约6的二醇醚/金属腐蚀抑制剂。按组合物的总重量计，水于清洗组合物中的量为至少80wt％，优选为至少85wt％，且更优选为至少90wt％。优选地，膦酸或其衍生物包括HEDP且至少一种二醇醚包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚。出乎意料地，按组合物的总重量计，最优选的产物包含以下的组合：(a)作为金属腐蚀抑制剂的草酸与半胱氨酸，呈约1:1到约3:1的重量百分比比率；或(b)作为金属腐蚀抑制剂的组氨酸、草酸和半胱氨酸，呈约1:1:1到约2:3:1的重量百分比比率。
[0050] 在又另一实施例中，第一方面的清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、膦酸或其衍生物、至少一种二醇醚、至少一种金属腐蚀抑制剂以及氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物中的至少一种，其中所述清洗组合物按以下重量百分比比率调配：范围介于约1到约100，优选地约5到约50，更优选约10到约25，且最优选约12到约20的有机胺/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约1到约10，且最优选约1到约6的氢氧化胆碱/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约30，优选约0.5到约20，更优选约2到约10，且最优选约2到约6的碱金属氢氧化物/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约0.5到约10，且最优选约0.5到约4的膦酸或其衍生物/金属腐蚀抑制剂；以及范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约20，更优选约0.5到约10，且最优选约1到约6的二醇醚/金属腐蚀抑制剂。按组合物的总重量计，水于清洗组合物中的量为至少80wt％，优选为至少85wt％，且更优选为至少90wt％。优选地，存在氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物两者且至少一种碱金属氢氧化物包括KOH，膦酸或其衍生物包括HEDP，且至少一种二醇醚包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚。出乎意料地，按组合物的总重量计，最优选的产物包含以下的组合：(a)作为金属腐蚀抑制剂的草酸与半胱氨酸，呈约1:1到约3:1的重量百分比比率；或(b)作为金属腐蚀抑制剂的组氨酸、草酸和半胱氨酸，呈约1:1:1到约2:3:1的重量百分比比率。
[0051] 在又另一实施例中，第一方面的清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种二醇醚、至少一种缓冲剂、至少一种金属腐蚀抑制剂以及氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物中的至少一种，其中所述清洗组合物按以下重量百分比比率调配：范围介于约1到约100，优选约5到约50，更优选约10到约25，且最优选约12到约20的有机胺/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约1到约10，且最优选约1到约6的氢氧化胆碱/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约50，优选约0.5到约30，更优选约2到约20，且最优选约5到约15的碱金属氢氧化物/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约20，更优选约0.5到约10，且最优选约1到约6的二醇醚/金属腐蚀抑制剂；以及范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约0.5到约10，且最优选约1到约8的缓冲剂/金属腐蚀抑制剂。按组合物的总重量计，水于清洗组合物中的量为至少80wt％，优选为至少85wt％。优选地，存在氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物两者且至少一种碱金属氢氧化物包括KOH，至少一种二醇醚包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚，且至少一种缓冲剂包括磷酸或碳酸钾。出乎意料地，按组合物的总重量计，最优选的产物包含以下的组合：(a)作为金属腐蚀抑制剂的草酸与半胱氨酸，呈约1:1到约3:1的重量百分比比率；或(b)作为金属腐蚀抑制剂的组氨酸、草酸和半胱氨酸，呈约1:1:1到约2:3:1的重量百分比比率。
[0052] 在又另一实施例中，第一方面的清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、膦酸或其衍生物、至少一种二醇醚、至少一种缓冲剂、至少一种金属腐蚀抑制剂以及氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物中的至少一种，其中所述清洗组合物按以下重量百分比比率调配：范围介于约1到约100，优选约5到约50，更优选约10到约25，且最优选约12到约20的有机胺/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约15，更优选约1到约10，且最优选约1到约6的氢氧化胆碱/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约30，优选约0.5到约20，更优选约2到约10，且最优选约2到约6的碱金属氢氧化物/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.05到约15，更优选约0.1到约10，且最优选约0.1到约4的膦酸或其衍生物/金属腐蚀抑制剂；范围介于约0.01到约25，优选约0.1到约20，更优选约0.5到约10，且最优选约1到约6的二醇醚/金属腐蚀抑制剂；以及范围介于约1到约
100，优选约5到约60，更优选约10到约50，且最优选约20到约40的缓冲剂/金属腐蚀抑制剂。
按组合物的总重量计，水于清洗组合物中的量为至少80wt％。优选地，存在氢氧化胆碱和碱金属氢氧化物两者且至少一种碱金属氢氧化物包括KOH，膦酸或其衍生物包括HEDP，至少一种缓冲剂包括磷酸或碳酸钾，且至少一种二醇醚包括三乙二醇单丁醚或丙二醇正丁醚或丙二醇苯醚。出乎意料地，按组合物的总重量计，最优选的产物包含以下的组合：(a)作为金属腐蚀抑制剂的草酸与半胱氨酸，呈约1:1到约3:1的重量百分比比率；或(b)作为金属腐蚀抑制剂的组氨酸、草酸和半胱氨酸，呈约1:1:1到约2:3:1的重量百分比比率。
[0053] 组分的重量百分比比率的范围将涵盖第一方面的组合物的所有可能的浓缩或稀释的实施例。为此目的，在一个实施例中，提供可被稀释以供用作清洗溶液的浓缩清洗组合物。浓缩清洗组合物或“浓缩物”宜允许用户(例如，CMP工艺工程师)在使用时将浓缩物稀释到所期望强度和pH。浓缩清洗组合物的稀释度可范围介于约1:1到约2500:1，优选为约10:1到约200:1，且最优选为约30:1到约150:1，其中所述清洗组合物在使用
溶剂(例如，去离子水)的工具时或恰好在其之前被稀释。所属领域的技术人员应了解，在稀释之后，本文中所公开的组分的重量百分比比率的范围应保持不变。
[0054] 第一方面的清洗组合物的浓缩物的pH大于7，优选范围介于约10到大于14，更优选范围介于约12到约14，且最优选范围介于约13到14。所属领域的技术人员应理解，在稀释后，清洗组合物的pH将减小到约10到约12的范围。
[0055] 第一方面的组合物可用于包含(但不限于)以下的应用中：刻蚀后残余物去除、灰化后残余物去除表面制备、
电镀后清洗和CMP后残余物去除。另外，设想清洗组合物可适用于清洗且保护包含(但不限于)以下的其它金属(例如含铜)产品：装饰性金属、金属线接合、印刷
电路板和使用金属或金属合金的其它电子封装。
[0056] 在又另一优选实施例中，第一方面的清洗组合物另外包含残余物和/或污染物。残余物和污染物可溶解于组合物中。替代地，残余物和污染物可悬浮于组合物中。优选地，残余物包含CMP后残余物、刻蚀后残余物、灰化后残余物、污染物或其组合。
[0057] 通过仅添加各别成分且混合为均质状况，易于调配出本文中所描述的清洗组合物。此外，组合物可易于调配为单封装调配物或在使用时或使用前混合的多部分调配物，例如，多部分调配物的个别部分可在工具处或在工具上游的储槽中混合。各别成分的浓度可以组合物的特定倍数广泛变化，即更稀或更浓，且应了解，本文中所描述的组合物可不同地且可替代地包括符合本文中的公开内容的成分的任何组合、由成分的任何组合组成或主要由成分的任何组合组成。
[0058] 因此，另一方面涉及一种
试剂盒，所述试剂盒在一或多个容器中包含被调适以形成本文中所描述的清洗组合物的一或多种组分。试剂盒在一或多个容器中可包含至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂，以用于在制造时或使用时与更多水组合。在另一实施例中，试剂盒在一或多个容器中可包含至少一种有机胺、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂和至少一种金属腐蚀抑制剂，以用于在制造时或使用时与水组合。试剂盒的容器必须适用于存储和运送所述清洗组合物，例如容器(美国
马萨诸塞州比尔里卡英特格股份有限公司(Entegris,Inc.,Billerica,Mass.,USA))。
[0059] 当应用于微电子制造操作时，将本文中所描述的清洗组合物有效地用于清洗来自微电子装置的表面的CMP后残余物和/或污染物，或刻蚀后残余物或灰化后残余物。清洗组合物并不大体上损害低k介电材料、势垒层材料(例如，含钌材料、含钽材料和含钴材料中的至少一种)，或腐蚀装置表面上的金属互连件(例如，铜)。优选地，在残余物去除之前，清洗组合物去除存在于装置上的至少90％，更优选至少95％，甚至更优选至少98％，且最优选至少99％的残余物。
[0060] 在CMP后残余物和污染物清洗应用中，本文中所描述的清洗组合物可与各种各样的常规清洗工具(例如兆音波和电刷洗涤)一起使用，所述工具包含(但不限于)：Verteq单晶片兆频音波Goldfinger、OnTrak系统DDS(双面洗涤器)、SEZ或其它单晶片喷雾冲洗、Applied Materials Mirra-MesaTM/ReflexionTM/Reflexion LKTM，以及兆频音波分批湿式清洗台系统。
[0061] 在使用组合物以用于清洗来自其上具有CMP后残余物、刻蚀后残余物、灰化后残余物和/或污染物的微电子装置的CMP后残余物、刻蚀后残余物、灰化后残余物和/或污染物时，在范围介于约20℃到约90℃，优选约20℃到约50℃的
温度下，清洗组合物通常与装置接触约5秒到约10分钟，优选约1秒到20分钟，优选约15秒到约5分钟的时间。这些接触时间和温度为说明性的，且在方法的广泛实践中可采用对至少部分地清洗来自装置的CMP后残余物/污染物有效的任何其它合适时间和温度条件。“至少部分地清洗”和“实质性去除”两者对应于在残余物去除之前去除存在于装置上的至少90％，更优选至少95％，甚至更优选至少98％，且最优选至少99％的残余物。
[0062] 在实现所期望清洗动作之后，可易于从先前施加到其的装置去除清洗组合物，这在本文中所描述的组合物的给定最终用途应用中可为期望的且有效的。优选地，冲洗溶液包含去离子水。其后，可使用氮气或旋转干燥循环来干燥所述装置。
[0063] 本发明的又另一方面涉及根据本文中所描述的方法制得的改进的微电子装置且涉及含有这些微电子装置的产品。
[0064] 另一方面涉及一种再循环清洗组合物，其中如所属领域的技术人员所易于测定，可循环所述清洗组合物直到残余物和/或污染物负载达到清洗组合物可容纳的最大量。
[0065] 又一方面涉及制造包括微电子装置的制品的方法，所述方法包括使用包括以下、由以下组成或主要由以下组成的清洗组合物：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂、至少一种金属腐蚀抑制剂、任选地至少一种缓冲剂和任选地至少一种还原剂，使微电子装置与清洗组合物接触足够时间以清洗来自其上具有CMP后残余物和污染物的微电子装置的所述残余物和污染物，且将所述微电子装置并入到所述制品中。
[0066] 在另一方面中，描述去除来自其上具有CMP后残余物和污染物的微电子装置的所述CMP残余物和污染物的方法，所述方法包括：
[0067] -用CMP浆液研磨微电子装置；
[0068] -使微电子装置与本文中所描述的清洗组合物接触足够时间以去除来自微电子装置的CMP后残余物和污染物，以形成含CMP后残余物的组合物；以及
[0069] -使微电子装置与清洗组合物连续地接触足够时间量以实现对微电子装置的实质性清洗，
[0070] 其中所述清洗组合物包括以下、由以下组成或主要由以下组成：至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂、至少一种金属腐蚀抑制剂、任选地至少一种缓冲剂和任选地至少一种还原剂。
[0071] 另一方面涉及一种制品，所述制品包括清洗组合物、微电子装置和选自由以下组成的组的材料：残余物、污染物和其组合，其中所述清洗组合物包括至少一种有机胺、水、至少一种pH调节剂、至少一种有机添加剂、至少一种金属腐蚀抑制剂、任选地至少一种缓冲剂和任选地至少一种还原剂，且残余物包括CMP后残余物、刻蚀后残余物和灰化后残余物中的至少一种。在一优选实施例中，微电子装置包括铜、低k介电材料，以及势垒材料，所述势垒材料包括含钌材料、含钽材料和含钴材料中的至少一种。
[0072] 本发明的特征和优势由以下非限制性实例更充分地说明，其中除非以其它方式明确地陈述，否则所有份和百分比均按重量计。
[0073] 实例1
[0074] 在实验之前，制备展示于表1中的以下溶液且使用去离子水稀释为60:1。调配物A包含0.05wt％半胱氨酸、0.16wt％氢氧化胆碱、4.5wt％MEA、平衡水。调配物B-L包含0.2wt％草酸、0.1wt％半胱氨酸、4.950wt％MEA、用以在调配物中产生pH为13.2的氢氧化胆碱与KOH的混合物，且剩余组分列于表1中。测试溶液以测定BTA去除效率(以百分比计)和铜刻蚀速率(以 计)，其结果也提供于表1中。使用其上生长有BTA层的铜衬底来执行BTA去除效率实验。在室温下将具有BTA的衬底浸没于表1的溶液中。椭圆偏振仪用以测定与溶液接触之前和之后的BTA薄膜厚度。还使用铜衬底在室温下执行铜刻蚀速率实验。
[0075] 实例2
[0076] 在实验之前，制备展示于表2中的以下溶液且使用去离子水稀释为60:1。调配物AA-KK包含0.2wt％草酸、0.075wt％半胱氨酸、4.95wt％MEA、用以在调配物(除调配物CC以外)中产生pH为13.2的氢氧化胆碱与KOH的混合物，且剩余组分列于表2中。值得注意地，调配物CC具有用以产生pH为约13.7的氢氧化胆碱与KOH的混合物。测试溶液以测定BTA去除效率(以百分比计)、铜刻蚀速率(以 计)和低k介电刻蚀速率(以 计)，其结果也展示于表2中。使用其上生长有BTA层的铜衬底来执行BTA去除效率实验。在室温下将具有BTA的衬底浸没于表2的溶液中。椭圆偏振仪用以测定与溶液接触之前和之后的BTA薄膜厚度。
还分别使用低k介电质和铜衬底在室温下执行铜刻蚀速率和低k介电刻蚀速率实验。
[0077] 结果显示，调配物CC、DD和HH具有最高BTA去除且就铜刻蚀速率和低k介电质刻蚀速率来说与其它调配物相称。值得注意地，调配物HH在从微电子衬底的铜金属表面去除专用浆液时最有效。值得注意地，调配物CC为BB的较高pH型式，且呈现较好的浆液去除和较低铜刻蚀速率。
[0078] 显然，关于BTA去除以及浆液去除，有机添加剂和pH的选择是重要的。
[0079] 表1：包含铜刻蚀速率和BTA去除效率的调配物A-L。
[0080]
[0081] 表2：包含铜刻蚀速率、低k介电质刻蚀速率(ER)和BTA去除效率的调配物AA-KK。
[0082]
[0083]
[0084] 实例3
[0085] 在实验之前，制备展示于表3中的以下溶液且使用去离子水稀释为60:1。调配物LL-OO包含0.2wt％草酸、0.1wt％半胱氨酸、4.95wt％MEA、用以在调配物中产生pH为13.2的氢氧化胆碱与KOH的混合物，且剩余组分列于表3中。浓缩物的pH为约13.2。测试溶液以测定BTA去除效率(以百分比计)和铜刻蚀速率(以 计)，其结果也提供于表3中。使用其上生长有BTA层的铜衬底来执行BTA去除效率实验。在室温下将具有BTA的衬底浸没于表3的溶液中。椭圆偏振仪用以测定与溶液接触之前和之后的BTA薄膜厚度。还使用铜衬底在室温下执行铜刻蚀速率实验。
[0086] 结果显示，调配物NN和OO具有最高BTA去除且就铜刻蚀速率来说与其它调配物相称。值得注意地，调配物OO在从微电子衬底的表面去除专用浆液时最有效。
[0087] 表3：调配物LL-OO以及铜刻蚀速率和BTA去除效率。
[0088]
[0089] 尽管本文中已参考说明性实施例和特征不同地公开本发明，但将了解，上文中所描述的实施例和特征不意图限制本发明，且基于本文中的公开内容，其它变化、
修改和其它实施例将向一般技术人员表明自身。因此，如在下文给出的权利要求书的精神和范围内涵盖所有所述变化、修改和替代实施例，将大致解释本发明。
