1.一种真空电子装置，所述真空电子装置包括：
中空管结构，所述中空管结构包括：
至少三个谐振腔，每一谐振腔包含沿着长轴的空腔宽度，沿着短轴的空腔高度，以及沿着传播轴的空腔长度，且所述长轴正交于所述短轴；
至少两个漂移管段，每一漂移管段包含沿着所述长轴的漂移管段宽度，沿着所述短轴的漂移管段高度，以及沿着所述传播轴的漂移管段长度，且所述空腔高度大于所述漂移管段高度；
所述至少两个漂移管段中的第一漂移管段安置在所述至少三个谐振腔中的第一谐振腔与第二谐振腔之间；
所述至少两个漂移管段中的第二漂移管段安置在所述至少三个谐振腔中的所述第二谐振腔与第三谐振腔之间；以及
所述第一漂移管段的漂移管段宽度与所述第二漂移管段的漂移管段宽度不同。
2.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中对于每一漂移管段：
所述漂移管段宽度为所述漂移管段高度的至少两倍。
3.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中所述第一漂移管段的所述漂移管段宽度至少比所述第二漂移管段的所述漂移管段宽度大0.3％。
4.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段经配置以产生第一漂移谐振射频(RF)场，且所述第二漂移管段经配置以产生第二漂移谐振RF场，且所述第一漂移谐振RF场的峰值与所述第二漂移谐振RF场的峰值相差横向模式的所述第一漂移谐振RF场的所述峰值的至少0.6％，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是在倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管段。
5.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段经配置以产生具有第一漂移带宽的第一漂移谐振射频(RF)场，且所述第二漂移管段经配置以产生具有第二漂移带宽的第二漂移谐振RF场，且所述第一漂移谐振RF场的峰值与所述第二漂移谐振RF场的峰值相差横向模式的所述第一漂移带宽和所述第二漂移带宽的总和的至少1.5倍，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是在倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管段。
6.根据权利要求5所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移带宽通过 给出且所述第二漂移带宽通过
给出，其中 是横向模式的所述第一漂移管段的谐振频率，
是所述横向模式的所述第二漂移管段的谐振频率， 是所述第一漂移管段的有载品质因数，且 是所述第二漂移管段的有载品质因数。
7.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段的横向模式的第一漂移谐振频率通过
近似，其中μ1是复合磁导率且ε1是所述第一漂
移管段中的材料的体积的复合磁介电常数；w1是所述漂移管段宽度；h1是所述漂移管段高度；且l1是所述第一漂移管段的所述漂移管段长度的近似，所述第一谐振腔的所述空腔高度的一半，所述第二谐振腔的所述空腔高度的一半，以及所述第一谐振腔、所述第一漂移管段以及所述第二谐振腔的特征的校正因数；且m、n以及p是表示所述横向模式的非负整数，且m和n并非都为零；且所述第二漂移管段的横向模式的第二漂移谐振频率通过表示，其中μ2是复合磁导率且ε2是所述第二漂
移管段中的材料的体积的复合磁介电常数；w2是所述漂移管段宽度；h2是所述漂移管段高度；且l2是所述第二漂移管段的所述漂移管段长度的近似，所述第二谐振腔的所述空腔高度的一半，所述第三谐振腔的所述空腔高度的一半，以及所述第二谐振腔、所述第二漂移管段以 及 所 述 第 三 谐 振 腔的 特 征的 校 正 因 数 ；且 增 量 漂 移 谐 振 频 率为每一横向模式的至少0.6％，所述横向模式的谐振频率小于操
作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是在倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管段。
8.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段的横向模式的第一漂移谐振频率通过
近似，其中μ是复合磁导率且ε是漂移管段中的
材料的体积的复合介电常数；w1是所述第一漂移管段的所述漂移管段宽度；h是所述漂移管段高度；且l是所述漂移管段的所述漂移管段长度的近似，在所述漂移管段的每一端上的所述谐振腔的空腔高度的一半，以及所述漂移管段和在所述漂移管段的每一端上的所述谐振腔的特征的校正因数；且m、n以及p是表示所述横向模式的非负整数，且m和n并非都为零，且所述第二漂移管段的横向模式的第二漂移谐振频率通过
表示，其中w2是所述第二漂移管段的所述漂移
管段宽度，且增量漂移谐振频率 是每一横向模式的至少0.6％，
所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管段。
9.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
对于横向模式的至少一个漂移管段，来自每一横向模式的所述至少两个漂移管段的反射系数的峰量值在所述横向模式的漂移谐振频率下小于0.13分贝(dB)，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍。
10.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
对于横向模式的至少一个漂移管段，来自所述漂移管段的每一端上的两个谐振腔的反射系数的量值的峰乘积小于横向模式的0.97，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍。
11.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述至少两个漂移管段具有立方体形状或椭圆柱形状。
12.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述真空电子装置包含带状束速调管。
13.根据权利要求1所述的真空电子装置，所述真空电子装置还包括：
电子枪组合件，所述电子枪组合件沿着所述传播轴耦合到所述中空管结构的第一端；
以及
收集极组合件，所述收集极组合件沿着所述传播轴耦合到所述中空管结构的第二端。
14.根据权利要求13所述的真空电子装置，所述真空电子装置还包括：
磁聚焦组合件，所述磁聚焦组合件围绕所述中空管结构的至少一部分、经配置以使电子束聚焦。
15.根据权利要求14所述的真空电子装置，其中所述磁聚焦组合件包含永久磁体、周期性永久磁体或电磁体。
16.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中所述中空管结构还包括：
所述至少两个漂移管段中的第三漂移管段沿着所述传播轴安置在所述至少三个谐振腔中的所述第三谐振腔与第四谐振腔之间；以及
所述第三漂移管段的漂移管段宽度与所述第一漂移管段的所述漂移管段宽度和所述第二漂移管段的所述漂移管段宽度不同。
17.根据权利要求16所述的真空电子装置，其中：
所述第三漂移管段的所述漂移管段宽度与所述第一漂移管段的所述漂移管段宽度相差至少0.3％或与所述第二漂移管段的所述漂移管段宽度相差至少0.3％。
18.根据权利要求16所述的真空电子装置，其中：
所述第三漂移管段经配置以产生所述第三漂移管段的横向模式的第三漂移谐振频率，且所述第三漂移谐振频率与第一漂移谐振频率相差所述第三漂移谐振频率的至少0.7％，且与第二漂移谐振频率相差所述第三漂移谐振频率的至少0.6％。
19.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述至少三个谐振腔中的至少一个包含凹入特征。
20.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述至少三个谐振腔中的至少一个包含凹入特征，且所述至少三个谐振腔中的至少一个包含非凹入特征。
21.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述至少三个谐振腔中的至少一个包含非凹入特征，且没有凹入特征的每一谐振腔被称为非凹入谐振腔。
22.根据权利要求21所述的真空电子装置，其中：
用具有非凹入特征的谐振腔形成的至少一个漂移管段的有载品质因数比通过具有凹入特征的谐振腔形成的类似漂移管段的有载品质因数小至少20％。
23.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述至少三个谐振腔中的至少一个包含选自由以下各项组成的群组的带状束式空腔：
杠铃式空腔、哑铃式空腔、H型块式空腔、规则立方体空腔、带槽脊波导以及交叉孔口式空腔。
24.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述空腔宽度大于所述漂移管段宽度。
25.根据权利要求1所述的真空电子装置，其中：
所述空腔宽度为所述空腔高度的至少两倍。
26.一种真空电子装置，所述真空电子装置包括：
中空管结构，所述中空管结构包括：
至少两个谐振腔，每一谐振腔包含沿着长轴的空腔宽度，沿着短轴的空腔高度，以及沿着传播轴的空腔长度，且所述长轴正交于所述短轴；
在漂移管中的至少一个漂移管段，所述漂移管段包含沿着所述长轴的至少两个漂移管段宽度，沿着所述短轴的漂移管段高度，以及沿着所述传播轴的漂移管段长度，所述空腔高度大于所述漂移管段高度；
所述至少一个漂移管段中的第一漂移管段安置在所述至少两个谐振腔中的第一谐振腔与第二谐振腔之间；以及
所述至少一个漂移管段的第一漂移管段宽度与所述至少一个漂移管段的第二漂移管段宽度不同。
27.根据权利要求26所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段宽度和所述第二漂移管段宽度各自为所述漂移管段高度的至少两倍。
28.根据权利要求26所述的真空电子装置，其中：
所述至少一个漂移管段具有梯形形状、双阶梯形状、指数形状、多项式形状、线性形状或沿着通过所述长轴和所述传播轴形成的平面的分段组合。
29.根据权利要求26所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段宽度比所述第二漂移管段宽度大至少0.3％。
30.一种真空电子装置，所述真空电子装置包括：
中空管结构，所述中空管结构包括：
至少三个谐振腔，每一谐振腔包含沿着长轴的空腔宽度，沿着短轴的空腔高度，以及沿着传播轴的空腔长度，且所述长轴正交于所述短轴；
至少两个漂移管段，每一漂移管段包含沿着所述长轴的漂移管段宽度，沿着所述短轴的漂移管段高度，以及沿着所述传播轴的漂移管段长度，且所述空腔高度大于所述漂移管段高度；
所述至少两个漂移管段中的第一漂移管段安置在所述至少三个谐振腔中的第一谐振腔与第二谐振腔之间；
所述至少两个漂移管段中的第二漂移管段安置在所述至少三个谐振腔中的所述第二谐振腔与第三谐振腔之间；以及
所述第一漂移管段的漂移管段长度与所述第二漂移管段的漂移管段长度不同，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管。
31.根据权利要求30所述的真空电子装置，其中：
对于每一漂移管段，所述漂移管段宽度为所述漂移管段高度的至少两倍。
32.根据权利要求30所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段的所述漂移管段长度比所述第二漂移管段的所述漂移管段宽度大
0.7％至15％。
33.根据权利要求30所述的真空电子装置，其中：
所述第一谐振腔、所述第二谐振腔以及所述第三谐振腔不是输出谐振腔。
34.根据权利要求30所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段经配置以产生第一漂移谐振射频(RF)场，且所述第二漂移管段经配置以产生第二漂移谐振RF场，且所述第一漂移谐振RF场的峰值与所述第二漂移谐振RF场的峰值相差横向模式的所述第一漂移谐振RF场的所述峰值的至少0.6％，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍。
35.根据权利要求30所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段的横向模式的第一漂移谐振频率通过
近似，其中μ1是复合磁导率且ε1是所述第一漂
移管段中的材料的体积的复合磁介电常数；w1是所述漂移管段宽度；h1是所述漂移管段高度；且l1是所述第一漂移管段的所述漂移管段长度的近似，所述第一谐振腔的所述空腔高度的一半，所述第二谐振腔的所述空腔高度的一半，以及所述第一谐振腔、所述第一漂移管段以及所述第二谐振腔的特征的校正因数；且m、n以及p是表示所述横向模式的非负整数，且m和n并非都为零；且所述第二漂移管段的横向模式的第二漂移谐振频率通过表示，其中μ2是复合磁导率且ε2是所述第二漂
移管段中的材料的体积的复合磁介电常数；w2是所述漂移管段宽度；h2是所述漂移管段高度；且l2是所述第二漂移管段的所述漂移管段长度的近似，所述第二谐振腔的所述空腔高度的一半，所述第三谐振腔的所述空腔高度的一半，以及所述第二谐振腔、所述第二漂移管段以 及 所 述 第 三 谐 振 腔的 特 征的 校 正 因 数 ；且 增 量 漂 移 谐 振 频 率为横向模式的至少0.6％，所述横向模式的谐振频率小于操作频
率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍。
36.根据权利要求30所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段经配置以产生具有第一漂移带宽的第一漂移谐振射频(RF)场，所述第一漂移带宽通过 给出，且所述第二漂移管段经配置以产生具有第二漂移带宽 的第二漂移谐振RF场，其中 是横向模式的所述第一漂移管
段的谐振频率， 是所述横向模式的所述第二漂移管段的谐振频率， 是所述第一漂移管段的有载品质因数，且 是所述第二漂移管段的有载品质因数，且所述第一漂移谐振RF场的峰值与所述第二漂移谐振RF场的峰值相差横向模式的所述第一漂移带宽和所述第二漂移带宽的总和的至少1.5倍，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管段。
37.一种真空电子装置，所述真空电子装置包括：
中空管结构，所述中空管结构包括：
至少三个谐振腔，每一谐振腔包含沿着长轴的空腔宽度，沿着短轴的空腔高度，以及沿着传播轴的空腔长度，且所述长轴正交于所述短轴；
在漂移管中包含漂移管材料的至少两个漂移管段，每一漂移管段包含沿着所述长轴的漂移管段宽度，沿着所述短轴的漂移管段高度，以及沿着所述传播轴的漂移管段长度，且所述空腔高度大于所述漂移管段高度；
所述至少两个漂移管段中的第一漂移管段沿着所述传播轴安置在所述至少三个谐振腔中的第一谐振腔与第二谐振腔之间；
所述至少两个漂移管段中的第二漂移管段沿着所述传播轴安置在所述至少三个谐振腔中的所述第二谐振腔与第三谐振腔之间，且所述第二漂移管段包含沿着所述第二漂移管段的至少一个内壁的壁材料；
其中所述壁材料的电磁特性与真空和所述中空管结构的其余部分的壁材料的磁导率和介电常数不同。
38.根据权利要求37所述的真空电子装置，其中：
至少一个内壁包含沿着所述短轴的短内壁或沿着所述长轴的长内壁。
39.根据权利要求37所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段的横向模式的第一漂移谐振频率通过
近似，其中μ1是复合磁导率且ε1是所述第一漂
移管段中的材料的体积的复合磁介电常数；w1是所述漂移管段宽度；h1是所述漂移管段高度；且l1是所述第一漂移管段的所述漂移管段长度的近似，所述第一谐振腔的所述空腔高度的一半，所述第二谐振腔的所述空腔高度的一半，以及所述第一谐振腔、所述第一漂移管段以及所述第二谐振腔的特征的校正因数；且m、n以及p是表示所述横向模式的非负整数，且m和n并非都为零；且所述第二漂移管段的横向模式的第二漂移谐振频率通过表示，其中μ2是磁导率且ε2是所述第二漂移管
段中的材料的体积；w2是所述漂移管段宽度；h2是所述漂移管段高度；且l2是所述第二漂移管段的所述漂移管段长度的近似，所述第二谐振腔的所述空腔高度的一半，所述第三谐振腔的所述空腔高度的一半，以及所述第二谐振腔、所述第二漂移管段以及所述第三谐振腔的特征的校正因数；且增量漂移谐振频率 为横向模式的至少
0.6％，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍，且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是在倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的管段。
40.根据权利要求37所述的真空电子装置，其中：
所述第一漂移管段经配置以产生具有第一漂移带宽的第一漂移谐振射频(RF)场，所述第一漂移带宽通过 给出，且所述第二漂移管段经配置以产生具有第二漂移带宽 的第二漂移谐振RF场，其中 是横向模式的所述第一漂移管
段的谐振频率， 是所述横向模式的所述第二漂移管段的谐振频率， 是所述第一漂移管段的有载品质因数，且 是所述第二漂移管段的有载品质因数，且所述第一漂移谐振RF场的峰值与所述第二漂移谐振RF场的峰值相差横向模式的所述第一漂移带宽和所述第二漂移带宽的总和的至少1.5倍，所述横向模式的谐振频率小于操作频率的两倍且所述横向模式的谐振频率小于截止频率的两倍，其中所述第一漂移管段和所述第二漂移管段并不是倒数第二个谐振腔与最后一个谐振腔之间的漂移管段。