专利汇可以提供一种应力记忆高分子材料及智能压力装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种应 力 记忆高分子材料,具有不同的相筹及两个以上转变 温度 ,其制备过程包括预处理(移除塑性应变)和 应力 记忆编程,所述应力记忆编程包括以下步骤:i.加热所述应力记忆高分子材料至T1;ii.拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;iii.在εI.S应变下保持一段时间;iv.在εI.S应变下冷却至T2。本发明还公开了一种使用该应力记忆高分子材料的智能压力装置。与 现有技术 相比较,由于本发明提供的应力记忆高分子材料在εhigh的应变下进行了去除塑性应变的预处理及在小于εhigh的εI.S应变下进行了应力记忆编程,在ε 致动器 的形状记忆高分子材料将有更长的使用寿命。,下面是一种应力记忆高分子材料及智能压力装置专利的具体信息内容。
1.一种应力记忆高分子材料,具有不同的相筹及两个以上转变温度,其特征在于制备过程包括预处理,即进行移除塑性应变处理,和预处理后的应力记忆编程,所述应力记忆编程包括以下步骤:
i. 加热所述应力记忆高分子材料至T1;
ii. 拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;
iii.在εI.S应变下保持一段时间;
iv.在εI.S应变下冷却至T2;
所述应力记忆高分子材料为聚氨酯材料,制备聚氨酯时,所使用的多元醇包括聚四甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)、聚己内酯二醇(PCL)、聚丁烯己二酸二醇(PBA)或环己烷己二酸二醇(PHA);使用的扩链剂为1,4 -丁二醇(BDO)、乙二醇(EG)或乙二胺(EDA);
使用的二异氰酸酯为亚甲基二苯基二异氰酸酯(MDI)、1,6 -己二异氰酸酯(HDI)、2,4-甲苯二异氰酸酯(TDI)、1,4-丁烷二异氰酸盐(BDI)或异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI);
多元醇链的相对分子质量为250-6000,二异氰酸酯的相对分子质量为150-250;
其中T1>Thigh,εI.S<εhigh,T2
a.在THigh下将样品拉伸至εhigh,THigh高于所述应力记忆高分子材料的转变温度;
b.在εhigh应变下保持一段时间;
c. 在εhigh应变下将样品降温至Tlow,并再保持一段时间,Tlow低于所述应力记忆高分子材料的转变温度;
d.卸载约束,使所述应力记忆高分子材料内应力松弛;
e.重新加热至THigh进行应力回复;
f.重复步骤a-e 3-10次。
3.一种应力记忆高分子材料的制备方法,其特征在于制备过程包括预处理,即进行移除塑性应变处理,和预处理后的应力记忆编程,所述应力记忆编程包括以下步骤
i. 加热所述应力记忆高分子材料至T1;
ii. 拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;
iii.在εI.S应变下保持一段时间;
iv.在εI.S应变下冷却至T2;
所述应力记忆高分子材料为聚氨酯材料,制备聚氨酯时,所使用的多元醇包括聚四甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)、聚己内酯二醇(PCL)、聚丁烯己二酸二醇(PBA)或环己烷己二酸二醇(PHA);使用的扩链剂为1,4 -丁二醇(BDO)、乙二醇(EG)或乙二胺(EDA);使用的二异氰酸酯为亚甲基二苯基二异氰酸酯(MDI)、1,6 -己二异氰酸酯(HDI)、2,4-甲苯二异氰酸酯(TDI)、1,4-丁烷二异氰酸盐(BDI)或异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI);
多元醇链的相对分子质量为250-6000,二异氰酸酯的相对分子质量为150-250;
其中T1>Thigh,εI.S<εhigh,T2
a.在THigh下将样品拉伸至εhigh,THigh高于所述应力记忆高分子材料的转变温度;
b.在εhigh应变下保持一段时间;
c. 在εhigh应变下将样品降温至Tlow,并再保持一段时间,Tlow低于所述应力记忆高分子材料的转变温度;
d.卸载约束,使所述应力记忆高分子材料内应力松弛;
e.重新加热至THigh进行应力回复;
f.重复步骤a-e 3-10次。
5.一种智能压力装置,其特征在于:包括承载层(1)、固定在所述承载层(1)上的工作单元和穿戴部件(5),所述工作单元包括应力记忆高分子材料(2)和与所述应力记忆高分子材料(2)紧贴的加热系统(3);
所述智能压力装置通过所述穿戴部件(5)穿戴到使用者身上后,所述承载层(1)绷紧并使固定在所述承载层(1)上的应力记忆高分子材料(2)产生约束应变;
所述应力记忆高分子材料(2)通过如下方法进行处理:
i. 加热所述应力记忆高分子材料至T1;
ii. 拉伸所述应力记忆高分子材料至εI.S;
iii.在εI.S应变下保持一段时间;
iv.在εI.S应变下冷却至T2;
其中T1>Thigh,εI.S<εhigh,T2
6.根据权利要求5所述的智能压力装置,其特征在于:所述加热系统(3)选用电阻织物、薄膜加热元件、光热转换材料或磁感应发热剂。
7.根据权利要求5所述的智能压力装置,其特征在于:具有多个沿所述承载层长度方向依次布置的工作单元。
8.根据权利要求5所述的智能压力装置,其特征在于:所述工作单元包括一体化的应力记忆高分子材料(2)和多个加热系统(3),所述多个加热系统(3)能够对所述记忆高分子材料(2)的局部进行加热。
9.根据权利要求5-8任意一项所述的智能压力装置,其特征在于:所述应力记忆高分子材料(2)选用权利要求1、2或3所述的应力记忆高分子材料。
10.根据权利要求9所述的智能压力装置,其特征在于:所述应力记忆高分子材料(2)选用权利要求3所述的应力记忆高分子材料,所述约束应变小于εI.S。
11.根据权利要求5-8任意一项所述的智能压力装置,其特征在于:所述应力记忆高分子材料(2)选用应力记忆织物或应力记忆泡沫。
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