电磁波屏蔽部件
阅读：413发布：2020-05-11
专利汇可以提供电磁波屏蔽部件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种相对于GHz频带的 电磁波 具有高屏蔽特性，且能够透射从紫外线区域至 中红外 线区域的电磁波的电磁波屏蔽部件。本发明的电磁波屏蔽部件具备形成有沿厚度方向贯穿的多个贯穿孔的金属箔，贯穿孔的平均开口直径为1μm～100μm，平均 开口率 为1％～50％，贯穿孔的开口直径为1μm～1.5μm时，从紫外线区域至可见光区域中，直至贯穿孔的开口直径的一半长度的 波长 为止的透射率为开口率的10％以上，贯穿孔的开口直径为1.5μm～5μm时，从紫外线区域至可见光区域的电磁波的透射率在贯穿孔的开口率的-5％～+5％的范围内， 近红外 线区域中，直至贯穿孔的开口直径的一半长度的波长为止的透射率为开口率的10％以上，贯穿孔的开口直径为5μm以上时，从紫外线区域至近红外线区域的透射率在贯穿孔的开口率的-5％～+5％的范围内，中红外线区域中，直至贯穿孔的开口直径的一半长度的波长为止的透射率为开口率的10％以上。，下面是电磁波屏蔽部件专利的具体信息内容。
1.一种电磁波屏蔽部件，其具备形成有沿厚度方向贯穿的多个贯穿孔的金属箔，所述贯穿孔的平均开口直径为1μm～100μm，平均开口率为1％～50％，
所述贯穿孔的平均开口直径为1μm以上且小于1.5μm时，
从紫外线区域至可见光区域中，直至所述贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为所述平均开口率的10％以上，
所述贯穿孔的平均开口直径为1.5μm以上且小于5μm时，
从紫外线区域至可见光区域的电磁波的透射率在所述贯穿孔的平均开口率的绝对值-
5％至+5％的范围内，
近红外线区域中，直至所述贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为所述平均开口率的10％以上，
所述贯穿孔的平均开口直径为5μm以上时，
从紫外线区域至近红外线区域的电磁波的透射率在所述贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，
中红外线区域中，直至所述贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为所述平均开口率的10％以上。
2.根据权利要求1所述的电磁波屏蔽部件，其中，
所述金属箔的厚度为5μm～1000μm。
3.根据权利要求1或2所述的电磁波屏蔽部件，其中，
所述金属箔为选自由铝箔、铜箔、银箔、金箔、铂箔、不锈钢箔、钛箔、钽箔、钼箔、铌箔、锆箔、钨箔、铍铜箔、磷青铜箔、黄铜箔、锌白铜箔、锡箔、铅箔、锌箔、焊锡箔、铁箔、镍箔、坡莫合金箔、镍铬箔、42合金箔、可伐合金箔、蒙乃尔合金箔、英科乃尔合金箔及哈氏合金箔组成的组中的箔，或者层叠选自所述组中的箔及与所选择的箔不同种类的金属而成的箔。
电磁波屏蔽部件
技术领域
[0001] 本发明涉及一种电磁波屏蔽部件。
背景技术
[0002] 近年来，伴随着移动电话等通信设备的需求的扩大，使用电磁波的通信的使用频带也得到扩大。具体而言，正在进行从以往的MHz频带向GHz频带的应用研究。
[0003] 随之，对GHz频带的电磁波要求具有高屏蔽特性的电磁波屏蔽部件。
[0004] 例如，专利文献1中记载有一种电磁波屏蔽壁纸，其中，至少在铝箔的背面侧经由粘接层设置由薄页纸及中间剥离性纸构成的壁纸用衬里纸层，且在该壁纸用衬里纸层设置由针状突起引起的插通孔([权利要求1])。
[0005] 该专利文献1中记载有如下内容，在1GHz～8GHz频带中，具有50dB以上的电磁波屏蔽特性([表1])。
[0007] 例如，专利文献2中记载有一种电磁波屏蔽用层叠体，在透明的热塑性树脂薄膜的一面设置由金属及电介质构成的层(A)，在其相反面设置金属层(B)，在该层叠体中，金属部分相对于金属层(B)面中的薄膜面积的覆盖率为20％以上且80％以下，层叠体的可见光透射率(Tvis)与近红外透射率(Tnir)之比(Tnir/Tvis)为0.75以下，且80MHz～1000MHz频带下的电场波屏蔽特性为30dB以上([权利要求1])。
[0008] 以往技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1：日本特开平11-177277号公报
[0011] 专利文献2：日本特开2009-243138号公报
发明内容
[0012] 发明要解决的技术课题
[0013] 其中，MHz频带的电磁波时，通过使用如金属网那样的具有大的贯穿孔的金属性屏蔽部件获得高屏蔽特性。因此，能够提高可见光区域中的透射性。
[0014] 然而，相对于GHz频带的电磁波，利用如金属网那样的具有大的贯穿孔的屏蔽部件无法获得高屏蔽特性，因此存在无法兼顾高屏蔽特性与紫外线区域、可见光区域、近红外线区域及中红外线区域的电磁波的透射性的问题。
[0015] 因此，本发明的课题在于，提供一种相对于GHz频带的电磁波具有高屏蔽特性，且能够透射从紫外线区域至中红外线区域的电磁波的电磁波屏蔽部件。
[0016] 用于解决技术课题的手段
[0017] 本发明人为了实现上述课题进行深入研究的结果，发现通过如下能够解决上述课题，并完成本发明，即本发明具备形成有沿厚度方向贯穿的多个贯穿孔的金属箔，贯穿孔的平均开口直径为1μm～100μm，平均开口率为1％～50％，贯穿孔的平均开口直径为1μm以上且小于1.5μm时，从紫外线区域至可见光区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，贯穿孔的平均开口直径为1.5μm以上且小于5μm时，从紫外线区域至可见光区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，近红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，贯穿孔的平均开口直径为5μm以上时，从紫外线区域至近红外线区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，中红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上。
[0018] 即，发现能够通过以下结构实现上述目的。
[0019] [1]一种电磁波屏蔽部件，其具备形成有沿厚度方向贯穿的多个贯穿孔的金属箔，[0020] 贯穿孔的平均开口直径为1μm～100μm，平均开口率为1％～50％，
[0021] 贯穿孔的平均开口直径为1μm以上且小于1.5μm时，
[0022] 从紫外线区域至可见光区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，
[0023] 所述贯穿孔的平均开口直径为1.5μm以上且小于5μm时，
[0024] 从紫外线区域至可见光区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，
[0025] 近红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，
[0026] 贯穿孔的平均开口直径为5μm以上时，
[0027] 从紫外线区域至近红外线区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，
[0028] 中红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上。
[0029] [2]根据[1]所述的电磁波屏蔽部件，其中，金属箔的厚度为5μm～1000μm。
[0030] [3]根据[1]或[2]所述的电磁波屏蔽部件，其中，金属箔为选自由铝箔、铜箔、银箔、金箔、铂箔、不锈钢箔、钛箔、钽箔、钼箔、铌箔、锆箔、钨箔、铍铜箔、磷青铜箔、黄铜箔、锌白铜箔、锡箔、铅箔、锌箔、焊锡箔、铁箔、镍箔、坡莫合金箔、镍铬箔、42合金箔、可伐合金箔、蒙乃尔合金箔、英科乃尔合金箔及哈氏合金箔组成的组中的箔，或者层叠选自该组中的箔及与所选择的箔不同种类的金属而成的箔。
[0031] 发明效果
[0033] 图1是示意地表示本发明的电磁波屏蔽部件的一例的顶视图。
[0034] 图2是示意地表示图1所示的电磁波屏蔽部件的一例的剖视图。
[0035] 图3是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的优选的制造方法的一例的示意剖视图。
[0036] 图4是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的优选的制造方法的一例的示意剖视图。
[0037] 图5是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的优选的制造方法的一例的示意剖视图。
[0038] 图6是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的优选的制造方法的一例的示意剖视图。
[0039] 图7是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的制造方法的另一例的示意剖视图。
[0040] 图8是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的制造方法的另一例的示意剖视图。
[0041] 图9是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的制造方法的另一例的示意剖视图。
[0042] 图10是用于说明本发明的电磁波屏蔽部件的制造方法的另一例的示意剖视图。
[0043] 图11是用于说明屏蔽特性的测定方法的示意图。
具体实施方式
[0044] 以下，对本发明进行详细说明。
[0045] 以下所记载的构成要件的说明基于本发明的代表性实施方式来进行，但本发明并不限定于这种实施方式。
[0047] [电磁波屏蔽部件]
[0048] 本发明的电磁波屏蔽部件，其具备形成有沿厚度方向贯穿的多个贯穿孔的金属箔，
[0049] 贯穿孔的平均开口直径为1μm～100μm，平均开口率为1％～50％，
[0050] 贯穿孔的平均开口直径为1μm以上且小于1.5μm时，
[0051] 从紫外线区域至可见光区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，
[0052] 贯穿孔的平均开口直径为1.5μm以上且小于5μm时，
[0053] 从紫外线区域至可见光区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，
[0054] 近红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，
[0055] 贯穿孔的平均开口直径为5μm以上时，
[0056] 从紫外线区域至近红外线区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，
[0057] 中红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上。
[0058] 接着，利用图1对本发明的电磁波屏蔽部件的结构进行说明。
[0059] 图1是表示本发明的电磁波屏蔽部件的适当的实施方式的一例的示意俯视图。图2是图1的B-B线剖视图。
[0060] 图1及图2所示的电磁波屏蔽部件10具有沿厚度方向贯穿金属箔3的多个贯穿孔5。
[0061] 其中，本发明的电磁波屏蔽部件中，形成于金属箔的贯穿孔的平均开口直径为1μm～100μm，平均开口率为1％～50％，贯穿孔的平均开口直径为1μm以上且小于1.5μm时，从紫外线区域至可见光区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，贯穿孔的平均开口直径为1.5μm以上且小于5μm时，从紫外线区域至可见光区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，近红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上，贯穿孔的平均开口直径为5μm以上时，从紫外线区域至近红外线区域的电磁波的透射率在贯穿孔的平均开口率的绝对值-5％至+5％的范围内，中红外线区域中，直至贯穿孔的平均开口直径的一半长度的波长为止的电磁波的透射率为平均开口率的10％以上。
[0062] 如上述，相对于GHz频带的电磁波，利用如金属网的具有大的贯穿孔的屏蔽部件无法获得高屏蔽特性，因此存在无法兼顾高屏蔽特性与紫外线区域、可见光区域、近红外线区域及中红外线区域的电磁波的透射性的问题。
[0063] 相对于此，本发明的电磁波屏蔽部件在金属箔形成上述范围的平均开口直径及平均开口率的贯穿孔，并根据贯穿孔的平均开口直径，将紫外线区域、可见光区域、近红外线区域及中红外线区域的透射率设为上述范围。
[0064] 由此，相对于GHz频带的电磁波而能够获得高屏蔽特性，且能够确保紫外线区域、可见光区域、近红外线区域及中红外线区域的电磁波的透射性。
[0065] 其中，关于贯穿孔的平均开口直径，从电磁波屏蔽部件的一个面，利用高分辨率扫描型电子显微镜(Scanning Electron Microscope：SEM)以倍率100～10000倍对电磁波屏蔽部件的表面进行拍摄，在所得到的SEM照片中，至少提取20个周围以环状相连的贯穿孔，读取其直径而设为开口直径，并计算它们的平均值作为平均开口直径。
[0066] 另外，关于倍率，能够适当选择上述范围的倍率，以便获得能够提取20个以上贯穿孔的SEM照片。并且，关于开口直径，测定贯穿孔部分的端部之间的距离的最大值。即，贯穿孔的开口部的形状并非限定为大致圆形形状，因此开口部的形状为非圆形形状时，将贯穿孔部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。因此，例如，即使为如2个以上的贯穿孔成一体化的形状的贯穿孔时，也可将其视为1个贯穿孔，并将贯穿孔部分的端部之间的距离的最大值设为开口直径。
[0067] 并且，贯穿孔的平均开口率在电磁波屏蔽部件的一个面侧设置平行光光学单元，使平行光透射，并利用光学显微镜从电磁波屏蔽部件的另一个面以100倍的倍率对电磁波屏蔽部件的表面进行拍摄而获取照片。关于所获得的照片的10cm×10cm的范围内的100mm×75mm的视角(5个位置)，由通过所透射的平行光投影的贯穿孔的开口面积的总计和视角的面积(几何学面积)计算比率(开口面积/几何学面积)，并计算各视角(5个位置)上的平均值作为平均开口率。
[0068] 并且，在本发明中，从紫外线区域至可见光区域是指包含紫外线区域及可见光区域的、波长为250nm以上且小于750nm的频带。并且，近红外线区域是指波长为750nm以上且小于2500nm的频带。因此，从紫外线区域至近红外线区域是指包含紫外线区域、可见光区域及近红外线区域的、波长为250nm以上且小于2500nm的频带。并且，中红外线区域是指波长2500nm以上且18000nm以下的频带。
[0069] 并且，电磁波的透射率是在屏蔽箱内发送特定频率的电磁波，并由另一侧接收通过电磁波屏蔽部件的电磁波，并能够作为通过电磁波屏蔽部件之后的电磁波的强度相对于通过电磁波屏蔽部件之前的电磁波的强度之比求出。
[0070] 上述的各波长区域中的电磁波的透射率为对应的波长频带中的电磁波的透射率的平均值。
[0071] 并且，GHz频带的电磁波是指1GHz～18GHz频带的电磁波。
[0072] 在本发明中，1GHz～18GHz频带中的电磁波屏蔽特性的平均值能够设为60dB以上。
[0073] 其中，电磁波屏蔽特性是指由对数表示通过电磁波屏蔽部件之前的电场强度与通过电磁波屏蔽部件之后的电场强度之比的特性。
[0074] 其中，贯穿孔的平均开口直径优选为1μm以上且45μm以下，更优选为1μm以上且40μm以下，进一步优选为1μm以上且30μm以下。
[0075] 通过将贯穿孔的平均开口直径设为上述范围，能够使电磁波屏蔽特性更适当。并且，即使电磁波屏蔽部件具有多个贯穿孔的情况下，也能够具有充分的拉伸强度。
[0076] 并且，贯穿孔的平均开口率优选为2％～45％，更优选为2％～30％，进一步优选为2％～20％。
[0077] 通过将贯穿孔的平均开口率设为上述范围，能够使电磁波屏蔽特性更适当。并且，即使电磁波屏蔽部件具有多个贯穿孔的情况下，也能够具有充分的拉伸强度。
[0078] 〔金属箔〕
[0079] 关于金属箔，只要是相对于GHz频带的电磁波具有高屏蔽特性的箔则并无限定，但是，优选为由能够容易形成上述平均开口直径及平均开口率的贯穿孔的金属和/或金属化合物构成的箔，更优选为由金属构成的箔。并且，还优选为包含对在后述的贯穿孔形成工序2中使用的蚀刻剂进行溶解的金属原子的金属箔。
[0080] 作为金属箔，具体而言，例如可举出铝箔、铜箔、银箔、金箔、铂箔、不锈钢箔、钛箔、钽箔、钼箔、铌箔、锆箔、钨箔、铍铜箔、磷青铜箔、黄铜箔、锌白铜箔、锡箔、铅箔、锌箔、焊锡箔、铁箔、镍箔、坡莫合金箔、镍铬箔、42合金箔、可伐合金箔、蒙乃尔合金箔、英科乃尔合金箔及哈氏合金箔等。
[0081] 并且，金属箔可层叠有包含上述种类金属的2种以上不同的金属。
[0082] 金属箔的层叠方法并无特别限定，但优选为电镀或包层。电镀时使用的金属优选为包含对蚀刻剂进行溶解的金属原子的金属。作为电镀种类，例如，可举出镍、铬、钴、铁、锌、锡、铜、银、金、铂、钯及铝等。
[0084] 并且，对上述金属箔形成包层材料时使用的金属优选为包含对蚀刻剂进行溶解的金属原子的金属。作为金属种类，例如可举出用于上述金属箔的金属。
[0085] 金属箔的平均厚度优选为5μm～1000μm。从操作性的观点考虑，金属箔的平均厚度更优选为5μm～50μm，进一步优选为8μm～30μm。
[0086] 其中，金属箔的平均厚度是指使用接触式膜厚测定仪(数字电子测微仪)测定任意5点的厚度的平均值。
[0087] ＜铝＞
[0089] 作为这种铝合金，例如，能够使用下述第1表所示的合金编号的铝合金。
[0090] [表1]
[0091]
[0092] [电磁波屏蔽部件的制造方法]
[0093] 接着，对本发明的电磁波屏蔽部件的制造方法进行说明。
[0094] 电磁波屏蔽部件的制造方法并无特别限定，但作为金属箔使用铝基材时，例如举出具有如下工序的方法等，即覆膜形成工序，在铝基材的至少一表面形成氢氧化铝覆膜；贯穿孔形成工序1，在覆膜形成工序之后，进行贯穿孔形成处理而形成贯穿孔；覆膜去除工序，在贯穿孔形成工序1之后，去除氢氧化铝覆膜；及树脂层形成工序，在覆膜去除工序之后，在具有贯穿孔的铝基材的至少一表面形成树脂层。
[0095] 以下，利用图3～图6对作为金属箔使用铝基材时的电磁波屏蔽部件的制造方法(以下，还称作第1制造方法)的各工序进行说明之后，对各工序进行详细叙述。
[0096] 图3～图6是表示电磁波屏蔽部件的制造方法的优选的实施方式的一例的示意剖视图。
[0097] 如图3～图6所示，第1制造方法为具有如下工序的制造方法，即覆膜形成工序(图3及图4)，对铝基材1的两面实施覆膜形成处理，形成氢氧化铝覆膜2；贯穿孔形成工序1(图4及图5)，在覆膜形成工序之后实施电解溶解处理而形成贯穿孔5，制作具备具有贯穿孔的铝基材3及具有贯穿孔的氢氧化铝覆膜4的层叠体；及覆膜去除工序(图5及图6)，在贯穿孔形成工序1之后，去除具有贯穿孔的氢氧化铝覆膜4，制作具有贯穿孔的铝基材3。
[0098] 另外，图4所示的例子中，在覆膜形成工序中，在铝基材1的两个面形成氢氧化铝覆膜2，但并不限定于此，也可以仅在铝基材1的一个面形成氢氧化铝覆膜2。
[0099] 〔覆膜形成工序〕
[0100] 在本发明中，电磁波屏蔽部件的制造方法所具有的覆膜形成工序为在铝基材的表面实施覆膜形成处理而形成氢氧化铝覆膜的工序。
[0101] ＜覆膜形成处理＞
[0102] 上述覆膜形成处理并无特别限定，例如，能够实施与以往公知的氢氧化铝覆膜的形成处理相同的处理。
[0103] 作为覆膜形成处理，例如，能够适当采用日本特开2011-201123号公报的[0013]～[0026]段中记载的条件或装置。
[0104] 在本发明中，覆膜形成处理的条件根据使用的电解液发生各种变化，所以无法一概而论，但是，通常电解液浓度1～80质量％、液温5～70℃、电流密度0.5～60A/dm2、电压1～100V、电解时间1秒钟～20分钟是适当的，且可调整为所希望的覆膜量。
[0106] 在包含硝酸或盐酸的电解液中进行电化学处理时，在铝基材与对电极之间可施加直流，也可以施加交流。对铝基材施加直流时，电流密度优选为1～60A/dm2，更优选为5～50A/dm2。连续地进行电化学处理时，优选通过经由电解液对铝基材进行供电的液体供电方式来进行。
[0107] 在本发明中，通过覆膜形成处理形成的氢氧化铝覆膜的量优选为0.05～50g/m2，更优选为0.1～10g/m2。
[0108] 〔贯穿孔形成工序1〕
[0109] 贯穿孔形成工序1为在覆膜形成工序之后实施电解溶解处理，形成贯穿孔的工序。
[0110] ＜电解溶解处理＞
[0111] 上述电解溶解处理并无特别限定，能够使用直流或交流，将酸性溶液使用于电解液。其中，优选使用硝酸及盐酸中的至少1个酸进行电化学处理，更优选使用在这些酸中加入硫酸、磷酸及草酸中的至少1个以上的酸的混合酸进行电化学处理。
[0112] 在本发明中，关于作为电解液的酸性溶液，除上述酸之外，还能够使用美国专利第4,671,859号、美国专利第4,661,219号、美国专利第4,618,405号、美国专利第4,600,482号、美国专利第4,566,960号、美国专利第4,566,958号、美国专利第4,566,959号、美国专利第4,416,972号、美国专利第4,374,710号、美国专利第4,336,113号、美国专利第4,184,932号的各说明书等中记载的电解液。
[0113] 酸性溶液的浓度优选为0.1～2.5质量％，尤其优选为0.2～2.0质量％。并且，酸性溶液的液温优选为20～80℃，更优选为30～60℃。
[0114] 并且，以上述酸为主体的水溶液能够在浓度1～100g/L的酸的水溶液中以从1g/L到饱和为止的范围添加硝酸铝、硝酸钠和/或硝酸铵等具有硝酸离子的硝酸化合物或氯化铝、氯化钠和/或氯化铵等具有盐酸离子的盐酸化合物、硫酸铝、硫酸钠和/或硫酸铵等具有硫酸离子的硫酸化合物中的至少一个而使用。
[0115] 其中，“作为主体”是指在水溶液中成为主体的成分相对于添加到水溶液的总体成分为30质量％以上，优选包含50质量％以上。以下，在其他成分中也相同。
[0116] 并且，可以在将上述酸作为主体的水溶液中溶解铁、铜、锰、镍、钛、镁和/或二氧化硅等包含在铝合金中的金属。优选使用在酸的浓度0.1～2质量％的水溶液中以铝离子成为1～100g/L的方式添加氯化铝、硝酸铝和/或硫酸铝等而成的液体。
[0117] 在电化学溶解处理中主要使用直流电流，但使用交流电流时，其交流电源波并无特别限定，可使用正弦波、矩形波、梯形波和/或三角波等，其中，优选为矩形波或梯形波，尤其优选为梯形波。
[0118] (硝酸电解)
[0119] 在本发明中，通过使用将硝酸作为主体的电解液的电化学溶解处理(以下，还简称为“硝酸溶解处理”。)，能够容易形成平均开口直径成为1μm以上且100μm以下的贯穿孔。
[0120] 在此，硝酸溶解处理从容易控制贯穿孔形成的溶解点的理由考虑，优选为使用直流电流，在将平均电流密度设为5A/dm2以上，且将电量设为50C/dm2以上的条件下实施的电解处理。另外，平均电流密度优选为100A/dm2以下，电量优选为10000C/dm2以下。
[0121] 并且，硝酸电解中的电解液的浓度或温度并无特别限定，能够使用高浓度、例如使用硝酸浓度15～35质量％的硝酸电解液在30～60℃下进行电解，或使用硝酸浓度0.7～2质量％的硝酸电解液以高温例如以80℃以上进行电解。
[0122] 并且，能够在上述硝酸电解液中使用混合浓度0.1～50质量％的硫酸、草酸及磷酸中的至少1个的电解液来进行电解。
[0123] (盐酸电解)
[0124] 在本发明中，通过使用将盐酸作为主体的电解液的电化学溶解处理(以下，还简称为“盐酸溶解处理”。)，也能够容易形成平均开口直径成为1μm以上且100μm以下的贯穿孔。
[0125] 在此，盐酸溶解处理从容易控制贯穿孔形成的溶解点的理由考虑，优选为使用直流电流，在将平均电流密度设为5A/dm2以上，且将电量设为50C/dm2以上的条件下实施的电2 2
解处理。另外，平均电流密度优选为100A/dm以下，电量优选为10000C/dm以下。
解处理。另外，平均电流密度优选为100A/dm以下，电量优选为10000C/dm以下。
[0126] 并且，盐酸电解中的电解液的浓度或温度并无特别限定，能够使用高浓度、例如使用盐酸浓度10～35质量％的盐酸电解液在30～60℃下进行电解，或使用盐酸浓度0.7～2质量％的盐酸电解液以高温例如以80℃以上进行电解。
[0127] 并且，能够在上述盐酸电解液中使用混合浓度0.1～50质量％的硫酸、草酸及磷酸中的至少1个的电解液来进行电解。
[0128] 〔覆膜去除工序〕
[0129] 覆膜去除工序为进行化学溶解处理来去除氢氧化铝覆膜的工序。
[0131] ＜酸蚀刻处理＞
[0132] 上述溶解处理为使用比铝优先溶解氢氧化铝的溶液(以下，称作“氢氧化铝溶解液”。)溶解氢氧化铝覆膜的处理。
[0133] 其中，作为氢氧化铝溶解液，例如优选为含有选自由硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、草酸、铬化合物、锆系化合物、钛系化合物、锂盐、铈盐、镁盐、氟硅化钠、氟化锌、锰化合物、钼化合物、镁化合物、钡化合物及卤素单体组成的组中的至少1种的水溶液。
[0134] 具体而言，作为铬化合物，例如可举出氧化铬(III)及铬(VI)酸酐等。
[0135] 作为锆系化合物，例如可举出氟化锆铵、氟化锆及氯化锆。
[0136] 作为钛系化合物，例如可举出氧化钛及硫化钛。
[0137] 作为锂盐，例如可举出氟化锂及氯化锂。
[0138] 作为铈盐，例如可举出氟化铈及氯化铈。
[0139] 作为镁盐，例如可举出硫化镁。
[0140] 作为锰化合物，例如可举出高锰酸钠及高锰酸钙。
[0141] 作为钼化合物，例如可举出钼酸钠。
[0142] 作为镁化合物，例如可举出氟化镁五水合物。
[0143] 作为钡化合物，例如可举出氧化钡、乙酸钡、碳酸钡、氯酸钡、氯化钡、氟化钡、碘化钡、乳酸钡、草酸钡、高氯酸钡、硒酸钡、亚硒酸钡、硬脂酸钡、亚硫酸钡、钛酸钡、氢氧化钡及硝酸钡或这些的水合物等。
[0144] 上述钡化合物中，优选为氧化钡、乙酸钡及碳酸钡，尤其优选为氧化钡。
[0145] 作为卤素单体，例如可举出氯、氟及溴。
[0146] 其中，上述氢氧化铝溶解液优选为含有酸的水溶液，作为酸，可举出硝酸、盐酸、硫酸、磷酸及草酸等，可以为2种以上酸的混合物。其中，作为酸优选使用硝酸。
[0147] 作为酸浓度，优选为0.01mol/L以上，更优选为0.05mol/L以上，进一步优选为0.1mol/L以上。上限并无特别限定，但一般优选为10mol/L以下，更优选为5mol/L以下。
[0148] 溶解处理通过使形成有氢氧化铝覆膜的铝基材与上述的溶解液接触来进行。接触的方法并无特别限定，例如可举出浸渍法、喷涂法。其中，优选为浸渍法。
[0149] 浸渍法为使形成有氢氧化铝覆膜的铝基材浸渍于上述的溶解液的处理。若在浸渍处理时进行搅拌，则可进行均匀的处理，因此优选。
[0150] 浸渍处理的时间优选为10分钟以上，更优选为1小时以上，进一步优选为3小时以上、5小时以上。
[0151] ＜碱蚀刻处理＞
[0152] 碱蚀刻处理为通过使上述氢氧化铝覆膜与碱溶液接触来溶解表层的处理。
[0153] 作为使用于碱溶液的碱，例如可举出苛性碱、碱金属盐。具体而言，作为苛性碱，例如可举出氢氧化钠(苛性钠)、氢氧化钾。并且，作为碱金属盐，例如可举出：偏硅酸钠、硅酸钠、偏硅酸钾及硅酸钾等碱金属硅酸盐；碳酸钠及碳酸钾等碱金属碳酸盐；铝酸钠及铝酸钾等碱金属铝酸盐；葡糖酸钠及葡糖酸钾等碱金属醛糖酸盐；磷酸氢钠、磷酸氢钾、磷酸三钠及磷酸三钾等碱金属磷酸氢盐。其中，从蚀刻速度快及廉价的方面考虑，优选苛性碱的溶液及含有苛性碱和碱金属铝酸盐这两个的溶液。尤其优选氢氧化钠的水溶液。
[0154] 碱溶液的浓度优选为0.1～50质量％，更优选为0.2～10质量％。碱溶液中溶解有铝离子时，铝离子的浓度优选为0.01～10质量％，更优选为0.1～3质量％。碱溶液的温度优选为10～90℃。处理时间优选为1～120秒钟。
[0155] 作为使氢氧化铝覆膜与碱溶液接触的方法，例如可举出使形成有氢氧化铝覆膜的铝基材通过加入有碱溶液的槽内的方法，使形成有氢氧化铝覆膜的铝基材浸渍于加入有碱溶液的槽内的方法及使碱溶液喷涂于形成有氢氧化铝覆膜的铝基材的表面(氢氧化铝覆膜)的方法。
[0156] 并且，作为将除铝之外的金属用作金属箔的材料时的制造方法，例如可举出具有以下所示的树脂层形成工序、贯穿孔形成工序2及树脂层去除工序的制造方法(以下，还称作第2制造方法)。另外，将铝用作金属箔的材料时，也能够应用第2制造方法。
[0157] 树脂层形成工序为在金属箔的一个主表面使用含有多个金属粒子及聚合物成分的组合物而形成埋设有各个金属粒子的一部分的树脂层的工序。
[0158] 贯穿孔形成工序2为在树脂层形成工序之后使具有树脂层的金属箔与蚀刻剂接触来溶解金属粒子及金属箔的一部分，从而在金属箔形成贯穿孔的工序。
[0159] 树脂层去除工序为在贯穿孔形成工序2之后去除树脂层而制作具有贯穿孔的电磁波屏蔽部件的工序。
[0160] 并且，第2制造方法优选为在贯穿孔形成工序2之前，具有在金属箔的与形成树脂层的面相反的一侧的主表面使用含有聚合物成分的组合物形成保护层的保护层形成工序。
[0161] 在第2制造方法中，经过树脂层形成工序之后，进行溶解金属粒子及金属箔的一部分而形成贯穿孔的贯穿孔形成工序2，之后，通过去除树脂层，能够简单地制作具有多个微小贯穿孔的金属箔。
[0162] 接着，利用图7～图10对第2制造方法中的各工序的概要进行说明之后，对第2制造方法所具有的各处理工序进行详细叙述。
[0163] 如图7所示，第2制造方法中，通过使用了含有多个金属粒子及聚合物成分的组合物的树脂层形成工序，在金属箔12的一个主表面形成埋设有多个金属粒子16的各一部分的树脂层14。
[0164] 并且，优选如图8所示，第2制造方法中，通过使用了含有聚合物成分的组合物的任意保护层形成工序，在金属箔12的与形成树脂层14的面相反的一侧的主表面形成保护层18。
[0165] 并且，如图9所示，第2制造方法中，通过使具有树脂层的金属箔与蚀刻剂接触来溶解金属粒子及金属箔的一部分的贯穿孔形成工序2，在树脂层14及金属箔12形成贯穿孔5。
[0166] 并且，如图10所示，第2制造方法中，通过去除树脂层的树脂层去除工序，形成具备有具有多个贯穿孔5的金属箔3的电磁波屏蔽部件10。另外，如图10所示，具有保护层形成工序时，通过树脂层去除工序去除树脂层及保护层，由此形成具有多个贯穿孔5的电磁波屏蔽部件10。
[0167] [树脂层形成工序]
[0168] 第2制造方法所具有的树脂层形成工序为在金属箔的一个主表面使用含有多个金属粒子及聚合物成分的组合物形成埋设有各个金属粒子的一部分的树脂层的工序。
[0169] 〔组合物〕
[0170] 在树脂层形成工序中使用的组合物为至少包含多个金属粒子及聚合物成分的组合物。
[0171] ＜金属粒子＞
[0172] 上述组合物中所含的金属粒子只要是包含对在后述的贯穿孔形成工序2中使用的蚀刻剂进行溶解的金属原子的粒子则并无特别限定，但优选为由金属和/或金属化合物构成的粒子，更优选为由金属构成的粒子。
[0173] 作为构成金属粒子的金属，具体而言，例如可举出铝、镍、铁、铜、不锈钢、钛、钽、钼、铌、锆、钨、铍及这些的合金等，可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0174] 这些中，优选为铝、镍及铜，更优选为铝及铜。
[0175] 作为构成金属粒子的金属化合物，例如可举出氧化物、复合氧化物、氢氧化物、碳酸盐、硫酸盐、硅酸盐、磷酸盐、氮化物、碳化物、硫化物及这些中的至少2种以上的复合化物等。具体而言，可举出氧化铜、氧化铝、氮化铝及硼酸铝等。
[0176] 在第2制造方法中，从回收在后述的贯穿孔去除工序中使用的蚀刻剂，并实现再利用已溶解的金属等的观点考虑，优选金属粒子及上述的金属箔含有相同的金属原子。
[0177] 金属粒子的形状并无特别限定，但优选为球状，越接近圆球状越优选。
[0178] 并且，从组合物中的分散性等观点考虑，金属粒子的平均粒径优选为1μm～10μm，更优选为大于2μm且6μm以下。
[0179] 其中，金属粒子的平均粒径是指由激光衍射散射式粒径测定装置(Nikkiso Co.,Ltd.制Microtrac MT3000)测定的粒度分布的累积50％直径。
[0180] 并且，金属粒子的含量相对于组合物中所含的总固体成分优选0.05～95质量％，更优选为1～50质量％，进一步优选为3～25质量％。
[0181] ＜聚合物成分＞
[0182] 上述组合物中所含的聚合物成分并无特别限定，能够使用以往公知的聚合物成分。
[0183] 作为聚合物成分，具体而言，例如可举出环氧类树脂、硅酮类树脂、丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、酯类树脂、聚氨酯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸酯类树脂、环氧丙烯酸酯类树脂、酯丙烯酸酯类树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚碳酸酯类树脂及酚醛类树脂等，它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0184] 这些之中，从耐酸性优异，且作为在后述的贯穿孔形成工序2中使用的蚀刻剂使用酸性溶液时，也可轻松获得所希望的贯穿孔的理由考虑，聚合物成分优选为选自由酚醛类树脂、丙烯酸类树脂及聚酰亚胺类树脂组成的组中的树脂材料。
[0185] 在本发明中，从容易进行后述的树脂层去除工序中的去除的观点考虑，组合物中所含的聚合物成分优选为水不溶性且碱水溶性的高分子(以下，还简称为“碱水溶性高分子”。)、即高分子中的主链或侧链上含有酸性基团的均聚物、这些的共聚物或这些的混合物。
[0186] 作为碱水溶性高分子，就更容易进行后述的树脂层去除工序中的去除的观点而言，优选在高分子的主链和/或侧链中含有酸性基团的物质。
[0187] 作为酸性基团的具体例，可举出苯酚基(-Ar-OH)、磺酰胺基(-SO2NH-R)、取代磺酰胺类酸基(以下，称作“活性酰亚胺基”。)〔-SO2NHCOR、-SO2NHSO2R、-CONHSO2R〕、羧基(-CO2H)、磺基(-SO3H)及膦酸基(-OPO3H2)。
[0188] 另外，Ar表示可具有取代基的2价芳基连接基团，R表示可具有取代基的烃基。
[0189] 在具有上述酸性基团的碱水溶性高分子中，优选为具有苯酚基、羧基、磺酰胺基及活性酰亚胺基的碱水溶性高分子，尤其，从形成的树脂层的强度和后述的树脂层去除工序中的去除性的平衡的观点考虑，最优选为具有苯酚基或羧基的碱水溶性高分子。
[0190] 作为具有上述酸性基团的碱水溶性高分子，例如能够举出以下物质。
[0191] 作为具有苯酚基的碱水溶性高分子，例如能够举出由苯酚、邻甲酚、间甲酚、对甲酚及二甲酚等酚类中的1种或2种以上和甲醛及多聚甲醛等醛类制造的酚醛清漆树脂、以及邻苯三酚与丙酮的缩聚物。另外，还能够举出共聚具有苯酚基的化合物的共聚物。作为具有苯酚基的化合物，可举出具有苯酚基的丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或羟基苯乙烯等。
[0192] 具体而言，可举出N-(2-羟基苯基)丙烯酰胺、N-(3-羟基苯基)丙烯酰胺、N-(4-羟基苯基)丙烯酰胺、N-(2-羟基苯基)甲基丙烯酰胺、N-(3-羟基苯基)甲基丙烯酰胺、N-(4-羟基苯基)甲基丙烯酰胺、邻羟基苯基丙烯酸酯、间羟基苯基丙烯酸酯、对羟基苯基丙烯酸酯、邻羟基苯基甲基丙烯酸酯、间羟基苯基甲基丙烯酸酯、对羟基苯基甲基丙烯酸酯、邻羟基苯乙烯、间羟基苯乙烯、对羟基苯乙烯、2-(2-羟基苯基)丙烯酸乙酯、2-(3-羟基苯基)丙烯酸乙酯、2-(4-羟基苯基)丙烯酸乙酯、2-(2-羟基苯基)甲基丙烯酸乙酯、2-(3-羟基苯基)甲基丙烯酸乙酯及2-(4-羟基苯基)甲基丙烯酸乙酯等。
[0193] 其中，优选为酚醛清漆树脂或羟基苯乙烯的共聚物。作为羟基苯乙烯的共聚物的市售品，能够举出Maruzen chemicals Co.,Ltd.制、MARUKA LYNCUR M H-2、MARUKA LYNCUR M S-4、MARUKA LYNCUR M S-2、MARUKA LYNCUR M S-1、Nippon Soda Co.,Ltd.制VP-8000及VP-15000等。
[0194] 作为具有磺酰胺基的碱水溶性高分子，例如能够举出将源自具有磺酰胺基的化合物的最小构成单元作为主要构成成分而构成的聚合物。作为如上述的化合物，可举出在分子内分别具有1个以上的至少1个氢原子与氮原子键合的磺酰胺基及能够聚合的不饱和基团的化合物。其中，优选为在分子内具有丙烯酰基、烯丙基或乙烯氧基及取代或单取代氨基磺酰基或取代磺酰亚胺基的低分子化合物。
[0195] 尤其，能够适当地使用间氨磺酰苯基甲基丙烯酸酯、N-(对氨磺酰苯基)甲基丙烯酰胺和/或N-(对氨磺酰苯基)丙烯酰胺等。
[0196] 作为具有活性酰亚胺基的碱水溶性高分子，例如能够举出将源自具有活性酰亚胺基的化合物的最小构成单元作为主要构成成分而构成的聚合物。作为如上述的化合物，能够举出在分子内分别具有1个以上由下述结构式表示的活性酰亚胺基及能够聚合的不饱和基团的化合物。
[0197] [化学式1]
[0198]
[0199] 具体而言，能够适当地使用N-(对甲苯磺酰基)甲基丙烯酰胺及N-(对甲苯磺酰基)丙烯酰胺等。
[0200] 作为具有羧基的碱水溶性高分子，例如能够举出将源自在分子内分别含有1个以上的羧基及可聚合的不饱和基团的化合物的最小构成单位作为主要构成成分的聚合物。具体而言，可举出使用丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸酐及衣康酸等不饱和羧酸氧化合物的聚合物。
[0201] 作为具有磺基的碱水溶性高分子，例如能够举出将源自在分子内分别含有1个以上的磺基及可聚合的不饱和基团的化合物的最小构成单位作为主要构成成分的聚合物。
[0202] 作为具有膦酸基的碱水溶性高分子，例如能够举出将源自在分子内分别含有1个以上的膦酸基及可聚合的不饱和基团的化合物的最小构成单位作为主要构成成分的聚合物。
[0203] 构成碱水溶性高分子的、具有酸性基团的最小构成单元不必特别限于1种，也能够使用共聚2种以上具有相同酸性基团的最小构成单元的物质，或使用共聚2种以上具有不同的酸性基团的最小构成单元的物质。
[0204] 作为共聚的方法，能够使用以往已知的接枝共聚法、嵌段共聚法和/或无规共聚法等。
[0205] 上述共聚物优选为具有共聚的酸性基团的化合物在共聚物中含有10摩尔％以上，更优选为含有20摩尔％以上。
[0206] 本发明中，共聚化合物而形成共聚物时，作为该化合物，还能够使用不包含酸性基团的其他化合物。作为不包含酸性基团的其他化合物的例子，能够举出下述(m1)～(m11)中举出的化合物。
[0207] (m1)2-丙烯酸羟乙酯或2-甲基丙烯酸羟乙酯等具有脂肪族羟基的丙烯酸酯类及甲基丙烯酸酯类。
[0208] (m2)丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸戊酯、丙烯酸己酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸-2-氯乙基、丙烯酸缩水甘油酯及N-丙烯酸二甲氨基乙酯等丙烯酸烷基酯。
[0209] (m3)甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸-2-氯乙基、甲基丙烯酸缩水甘油酯及N-甲基丙烯酸二甲氨基乙酯等甲基丙烯酸烷基酯。
[0210] (m4)丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N-羟甲基丙烯酰胺、N-乙基丙烯酰胺、N-己基甲基丙烯酰胺、N-环己基丙烯酰胺、N-羟乙基丙烯酰胺、N-苯基丙烯酰胺、N-硝基苯基丙烯酰胺及N-乙基-N-苯基丙烯酰胺等丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺。
[0211] (m5)乙基乙烯基醚、2-氯乙基乙烯基醚、羟基乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、辛基乙烯基醚及苯基乙烯基醚等乙烯基醚类。
[0212] (m6)乙酸乙烯酯、氯乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯及苯甲酸乙烯酯等乙烯基酯类。
[0213] (m7)苯乙烯、α-甲基苯乙烯、甲基苯乙烯、氯甲基苯乙烯等苯乙烯类。
[0214] (m8)甲基乙烯基酮、乙基乙烯基酮、丙基乙烯基酮、苯基乙烯基酮等乙烯基酮类。
[0215] (m9)乙烯、丙烯、异丁烯、丁二烯及异戊二烯等烯烃类。
[0216] (m10)N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基咔唑、4-乙烯基吡啶、丙烯腈及甲基丙烯腈等。
[0217] (m11)马来酰亚胺、N-丙烯酰基丙烯酰胺、N-乙酰基甲基丙烯酰胺、N-丙酰基甲基丙烯酰胺及N-(对氯苯甲酰基)甲基丙烯酰胺等不饱和酰亚胺。
[0218] 作为聚合物成分，无论是均聚物还是共聚物，优选重量平均分子量在1.0×103～2.0×105，数均分子量在5.0×102～1.0×105的范围内的成分。并且，优选多分散度(重量平均分子量/数均分子量)为1.1～10的成分。
[0219] 作为聚合物成分使用共聚物时，构成其主链和/或侧链的、源自具有酸性基团的化合物的最小构成单元与构成主链的一部分和/或侧链的、不包含酸性基团的其他最小构成单元的配合重量比优选在50:50～5:95的范围内，更优选在40:60～10:90的范围内。
[0220] 上述聚合物成分可以分别仅使用1种，也可以组合2种以上而使用，相对于组合物中包含的总固体成分，优选在30～99质量％的范围内使用，更优选在40～95质量％的范围内使用，进而，尤其优选在50～90质量％的范围内使用。
[0221] 在第2制造方法中，从在后述的贯穿孔形成工序2中容易形成贯穿孔的理由考虑，关于上述的金属粒子及聚合物成分，优选为金属粒子的比重大于聚合物成分的比重。具体而言，金属粒子的比重为1.5以上，聚合物成分的比重更优选为0.9以上且小于1.5。
[0222] ＜表面活性剂＞
[0223] 从涂布性的观点考虑，上述组合物能够添加如日本特开昭62-251740号和/或日本特开平3-208514号中记载的非离子表面活性剂、如日本特开昭59-121044号和/或日本特开平4-013149号中记载的两性表面活性剂。
[0224] 作为非离子表面活性剂的具体例，可举出山梨醇酐三硬脂酸酯、山梨醇酐单棕榈酸酯、山梨醇酐三油酸酯、硬脂酸单甘油酯和/或聚氧乙烯壬基苯基醚等。
[0225] 作为两性表面活性剂的具体例，可以举出烷基二(氨基乙基)甘氨酸、烷基聚氨基乙基甘氨酸盐酸盐、2-烷基-N-羧基乙基-N-羟基乙基咪唑啉鎓甜菜碱和/或N-十四烷基-N,N-甜菜碱型(例如，商品名AMOGEN K、DKS Co.,Ltd.制)等。
[0226] 含有上述表面活性剂时的含量相对于组合物中所含的总固体成分，优选为0.01～10质量％，更优选为0.05～5质量％。
[0227] ＜溶剂＞
[0228] 从形成树脂层时的作业性的观点考虑，能够添加溶剂。
[0229] 作为溶剂，具体而言，例如可举出二氯乙烷、环己酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇单甲醚、1-甲氧基-2-丙醇、2-甲氧基乙酸乙酯、1-甲氧基-2-丙基乙酸酯、二甲氧基乙烷、乳酸甲酯、乳酸乙酯、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、四甲基脲、N-甲基吡络烷酮、二甲基亚砜、环丁砜、γ-丁内酯、甲苯及水等，它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0230] ＜形成方法＞
[0231] 使用上述组合物的树脂层的形成方法并无特别限定，但优选使用在金属箔上涂布组合物而形成树脂层的方法。
[0232] 对金属箔上的涂布方法并无特别限定，例如能够使用棒涂法、狭缝涂布法、喷墨法、喷涂法、辊涂法、旋转涂布法、流延涂布法、狭缝及旋转法及转印法等方法。
[0233] 在本发明中，从在后述的贯穿孔形成工序2中容易形成贯穿孔的理由考虑，优选以满足下述式(1)的方式形成树脂层。
[0234] n＜r……(1)
[0235] 其中，式(1)中，n表示所形成的树脂层的厚度，r表示组合物中所含的金属粒子的平均粒径，n及r的单位均由μm表示。
[0236] 并且，在第2制造方法中，从相对于在后述的贯穿孔形成工序2中使用的蚀刻剂的耐性或在后述的树脂层去除工序中的作业性的观点等考虑，通过树脂层形成工序形成的树脂层的厚度优选为0.5～4μm，更优选为1μm以上且2μm以下。
[0237] 其中，树脂层的平均厚度是指使用切片机进行切削，且用电子显微镜观察截面时测定的任意5点的厚度的平均值。
[0238] [保护层形成工序]
[0239] 另外，从后述的贯穿孔形成工序2中的作业性的观点考虑，在第2制造方法中，优选为在贯穿孔形成工序2之前，具有在金属箔的与形成树脂层的面相反的一侧的主表面使用含有聚合物成分的组合物形成保护层的保护层形成工序。
[0240] 其中，作为聚合物成分，可举出与在上述树脂层形成工序中使用的组合物中所含的聚合物成分相同的成分。即，在任意保护层形成工序中形成的保护层在除了埋设有上述金属粒子之外，为与上述树脂层相同的层，关于保护层的形成方法，除了不使用上述金属粒子之外，也能够由与上述树脂层相同的方法形成。
[0241] 另外，具有保护层形成工序时，只要是贯穿孔形成工序2之前的工序，则顺序并无特别限定，可以在上述树脂层形成工序前后或同时进行。
[0242] [贯穿孔形成工序2]
[0243] 第2制造方法所具有的贯穿孔形成工序2为在上述树脂层形成工序之后，使具有树脂层的金属箔与蚀刻剂接触来溶解金属粒子及金属箔的一部分，从而在金属箔形成贯穿孔的工序，且为通过所谓的化学蚀刻处理在金属箔形成贯穿孔的工序。
[0244] 〔蚀刻剂〕
[0245] 作为蚀刻剂，只要是适合金属粒子及金属箔的金属种类的蚀刻剂，则能够适当使用酸或碱的化学溶液等。
[0246] 作为酸的例子，可举出盐酸、硫酸、硝酸、氟酸、过氧化氢及乙酸等。
[0247] 并且，作为碱的例子，可举出苛性钠及苛性钾等。
[0248] 并且，作为碱金属盐，例如可举出：偏硅酸钠、硅酸钠、偏硅酸钾及硅酸钾等碱金属硅酸盐；碳酸钠及碳酸钾等碱金属碳酸盐；铝酸钠及铝酸钾等碱金属铝酸盐；葡糖酸钠及葡糖酸钾等碱金属醛糖酸盐；磷酸氢钠、磷酸氢钾、磷酸三钠及磷酸三钾等碱金属磷酸氢盐。
[0249] 并且，还能够使用氯化铁(III)及氯化铜(II)等无机盐。
[0250] 并且，它们可以分别仅使用1种，也可以混合2种以上而使用。
[0251] 〔处理方法〕
[0252] 形成贯穿孔的处理通过使具有树脂层的金属箔与上述蚀刻剂接触来进行。
[0253] 接触的方法并无特别限定，例如可举出浸渍法、喷涂法。其中，优选为浸渍法。
[0254] 浸渍处理的时间优选为15秒钟～10分钟，更优选为1分钟～6分钟。
[0255] 并且，浸渍时的蚀刻剂的液温优选为25～70℃，更优选为30～60℃。
[0256] [树脂层去除工序]
[0257] 本发明的制造方法所具有的树脂层去除工序为在上述的贯穿孔形成工序2之后去除树脂层而制作具有贯穿孔的电磁波屏蔽部件的工序。
[0258] 去除树脂层的方法并无特别限定，但作为聚合物成分使用上述碱水溶性高分子时，优选使用碱性水溶液溶解树脂层而去除的方法。
[0259] 〔碱性水溶液〕
[0260] 作为碱性水溶液，具体而言，例如可举出：氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸钠、硅酸钠、偏硅酸钠及氨水等无机碱类；乙基胺及正丙胺等伯胺类；二乙基胺及二正丁基胺等仲胺类；三乙基胺及甲基二乙基胺等叔胺类；二甲基乙醇胺及三乙醇胺等醇胺；四甲基氢氧化胺及四乙基氢氧化胺等季胺盐；吡咯及哌啶等环状胺类等，它们可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0261] 另外，在上述碱性水溶液中还能够添加适当量的醇类、表面活性剂。
[0262] 〔处理方法〕
[0263] 去除树脂层的处理例如通过使具有贯穿孔形成工序2之后的树脂层的金属箔与上述碱性水溶液接触来进行。
[0264] 接触的方法并无特别限定，例如可举出浸渍法及喷涂法等。其中，优选为浸渍法。
[0265] 浸渍处理的时间优选为5秒钟～5分钟，更优选为10秒钟～2分钟。
[0266] 并且，浸渍时的碱性水溶液的液温优选为25～60℃，更优选为30～50℃。
[0267] [防腐蚀处理]
[0268] 第2制造方法优选为具有实施防腐蚀处理的工序。
[0269] 并且，实施防腐蚀处理的时间并无特别限定，例如，可为对在树脂层形成工序中使用的金属箔实施的处理，在树脂层去除工序中对碱性水溶液添加后述的三唑类等的处理，也可以为在树脂层去除工序之后实施的处理。
[0270] 作为防腐蚀处理，例如可举出使金属箔浸渍于至少将三唑类溶解于溶剂的pH5～8.5的溶液中，形成有机电介质覆膜的处理。
[0271] 作为三唑类，例如可适当地举出苯并三唑(BTA)及甲苯并三唑(TTA)等。
[0272] 并且，还能够与三唑类一同使用各种有机防锈材料、噻唑类、咪唑类、硫醇类和/或三乙醇胺等。
[0273] 作为用于防腐蚀处理的溶剂，能够适当使用水或有机溶剂(尤其醇类)，但是，若考虑所形成的有机电介质覆膜的均匀性和容易进行批量生产时的厚度控制、且简单、以及对环境的影响等，优选为将脱离子水作为主体的水。
[0274] 三唑类的溶解浓度由与所形成的有机电介质覆膜的厚度或可处理时间的关系适当决定，但通常只要为0.005～1重量％左右即可。
[0275] 并且，溶液的温度只要为室温即可，可以根据需要进行加热来使用。
[0276] 金属箔在溶液中的浸渍时间由与三唑类的溶解浓度或所形成的有机电介质覆膜的厚度的关系适当决定，但通常只要为0.5～30秒钟左右即可。
[0277] 作为防腐蚀处理的其他具体例，可举出通过在将选自三氧化铬、铬酸盐、重铬酸盐的组中的至少1种溶解于水而成的水溶液中浸渍金属箔，形成将铬的水合氧化物作为主体的无机电介质覆膜的方法。
[0278] 其中，作为铬酸盐例如优选为铬酸钾或铬酸钠，并且作为重铬酸盐例如优选为重铬酸钾或重铬酸钠。而且，其溶解浓度通常设定为0.1～10质量％，并且，液温为室温～60℃左右即可。水溶液的pH值从酸性区域至碱性区域并无特别限定，但通常设为1～12。
[0279] 并且，金属箔的浸渍时间通过所形成的无机电介质覆膜的厚度等适当选择。
[0280] 在本发明中，优选为在结束上述各处理的工序之后进行水洗。水洗时能够使用纯水、井水和/或自来水等。为了防止处理液被带入下一工序，可使用密合(Nip)装置。
[0281] [基于辊对辊的处理]
[0282] 在本发明中，可使用切片状金属箔，以所谓的单片式实施各工序的处理，也可以进行一边以规定的输送路径沿长边方向输送长条的金属箔一边实施各工序的处理的、基于所谓的辊对辊(Roll to Roll)(以下，还称作“RtoR”。)的处理。
[0283] 本发明中的RtoR是指从卷绕长条的金属箔而成的辊送出金属箔，一边沿长边方向输送，一边通过配置在输送路径上的各处理装置，连续地依次进行上述树脂层形成工序、贯穿孔形成工序等处理，并再次将完成处理的金属箔(即电磁波屏蔽部件)卷绕成辊状的制造方法。
[0284] 实施例
[0285] 以下根据实施例进一步对本发明进行详细说明。关于以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容及处理顺序等，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行适当变更。因此，本发明的范围并不会因以下所示的实施例而被限定地解释。
[0286] [实施例1]
[0287] ＜电磁波屏蔽部件的制作＞
[0288] 对平均厚度20μm、大小200mm×300mm的铝基材(JIS H-4160、合金编号：1085-H、铝纯度：99.85％)的表面实施以下所示的处理，来制作电磁波屏蔽部件。
[0289] (a-1)氢氧化铝覆膜形成处理(覆膜形成工序)
[0290] 使用以50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将上述铝基材作为阴极实施电解处理，在铝基材形成了氢氧化铝覆膜。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为40A/dm2，并施加了30秒钟。
[0291] 在氢氧化铝覆膜形成之后，进行了基于喷射的水洗。
[0292] (b-1)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)
[0293] 接着，使用以50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将铝基材作为阳极，且在电量总和为780C/dm2的条件下实施电解处理，在铝基材及氢氧化2
铝覆膜形成了贯穿孔。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为25A/dm。
铝覆膜形成了贯穿孔。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为25A/dm。
[0294] 形成贯穿孔之后，进行基于喷射的水洗，并进行了干燥。
[0295] (c-1)氢氧化铝覆膜的去除处理(覆膜去除工序)
[0296] 接着，通过将电解溶解处理后的铝基材在氢氧化钠浓度5质量％、铝离子浓度0.5质量％的水溶液(液温35℃)中浸渍30秒钟之后，在硫酸浓度30％、铝离子浓度0.5质量％的水溶液(液温50℃)中浸渍20秒钟，从而溶解去除了氢氧化铝覆膜。
[0297] 去除铝覆膜之后，通过进行基于喷射的水洗并进行干燥，从而制作了具有多个贯穿孔的电磁波屏蔽部件。
[0298] [实施例2]
[0299] 除了代替上述(a-1)所示的氢氧化铝覆膜形成处理，实施下述(a-2)所示的氢氧化铝覆膜形成处理，且代替上述(b-1)所示的电解溶解处理，实施下述(b-2)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)之外，与实施例1同样地制作了电磁波屏蔽部件。
[0300] (a-2)氢氧化铝覆膜形成处理(覆膜形成工序)
[0301] 使用以50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将上述铝基材作为阴极实施电解处理，在铝基材形成了氢氧化铝覆膜。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为40A/dm2，并施加了40秒钟。
[0302] 在氢氧化铝覆膜形成之后，进行了基于喷射的水洗。
[0303] (b-2)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)
[0304] 接着，使用以50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将铝基材作为阳极，且在电量总和为300C/dm2的条件下实施电解处理，在铝基材及氢氧化铝覆膜形成了贯穿孔。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为5A/dm2。
[0305] 形成贯穿孔之后，进行基于喷射的水洗，并进行了干燥。
[0306] [实施例3]
[0307] 除了代替上述(b-1)所示的电解溶解处理，实施下述(b-3)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)之外，与实施例1同样地制作了电磁波屏蔽部件。
[0308] (b-3)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)
[0309] 接着，使用已50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将铝基材作为阳极，且在电量总和为1000C/dm2的条件下实施电解处理，在铝基材及氢氧化铝覆膜形成了贯穿孔。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为22A/dm2。
[0310] 形成贯穿孔之后，进行基于喷射的水洗，并进行了干燥。
[0311] [实施例4]
[0312] 作为金属箔，使用平均厚度9.0μm、大小200mm×300mm的铝基材(JIS H-4160、合金编号：1085-H、铝纯度：99.85％)，在铝基材的一个表面并利用日本特开2013-121673号公報中记载的方法将厚度125μm的PET作为树脂层进行了层合。之后，除了代替上述(a-1)所示的氢氧化铝覆膜形成处理，实施下述(a-3)所示的氢氧化铝覆膜形成处理，且代替上述(b-1)所示的电解溶解处理，实施下述(b-4)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)之外，与实施例1同样地制作了电磁波屏蔽部件。
[0313] (a-3)氢氧化铝覆膜形成处理(覆膜形成工序)
[0314] 使用以50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将上述铝基材作为阴极实施电解处理，在铝基材形成了氢氧化铝覆膜。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为55A/dm2，并施加了10秒钟。
[0315] (b-4)电解溶解处理(贯穿孔形成工序1)
[0316] 接着，使用以50℃保温的电解液(硝酸浓度1％、硫酸浓度0.2％、铝浓度0.5％)，并将铝基材作为阳极，且在电量总和为400C/dm2的条件下实施电解处理，在铝基材及氢氧化铝覆膜形成了贯穿孔。另外，电解处理利用直流电源进行。电流密度设为35A/dm2。
[0317] 形成贯穿孔之后，进行基于喷射的水洗，并进行了干燥。
[0318] [实施例5]
[0319] ＜电磁波屏蔽部件的制作＞
[0320] 作为金属箔，使用了平均厚度10μm、大小200mm×300mm的铜箔(JIS C1100-H、电解铜箔)。
[0321] (d-1)树脂层形成工序
[0322] 在铜箔上的一面涂布制备成下述组合的树脂层形成用组合物1，并进行干燥，而形成了厚度约1μm的树脂层A1。
[0323] 并且，在铜箔的相反侧的表面上，除了铜粒子之外，涂布以与下述树脂层形成用组合物1同样的比率制备的组合物，并进行干燥，而形成了厚度约1μm的保护层B1。
[0324]
[0325] (e-1)贯穿孔形成工序2
[0326] 接着，以40℃保温的蚀刻剂〔氯化铁(III)浓度：30质量％、盐酸浓度：3.65质量％〕中浸渍3分钟具有树脂层A1及保护层B1的铜箔，之后，通过进行基于喷射的水洗，并进行干燥，而形成了贯穿孔。
[0327] (f-1)树脂层去除工序
[0328] 接着，通过使贯穿孔形成之后的铜箔在液温50℃的碱性水溶液(氢氧化钠浓度：0.4质量％)中浸渍120秒钟，而溶解并去除了树脂层A1及保护层B1。
[0329] 之后，通过进行基于喷射的水洗，并进行干燥，制作了具有贯穿孔的电磁波屏蔽部件。
[0330] [比较例1]
[0331] 按照国际公开第2008/078777号中记载的方法，制作了铝基材。
[0332] 具体而言，相对于使晶体取向对齐的铝箔(厚度：20μm)，调整盐酸电解液的温度和电解处理的电量，制作了具有平均开口直径3μm的贯穿孔的铝基材。
[0333] [比较例2]
[0334] 按照国际公开第2008/078777号中记载的方法，制作了铝基材。
[0335] 具体而言，通过在硬质铝箔(厚度：20μm)的表面利用抗蚀剂印刷形成图案，并由碱处理液实施化学蚀刻处理，制作了具有平均开口直径110μm的贯穿孔的铝基材。
[0336] [比较例3]
[0337] 按照国际公开第2008/078777号中记载的方法，制作了铝基材。
[0338] 具体而言，相对于硬质铝箔(厚度：20μm)通过冲孔模机械地形成贯穿孔(平均开口直径：300μm)，制作了铝基材。
[0339] 通过上述方法测定了在实施例1～5及比较例1～3中制作的各电磁波屏蔽部件中的金属箔的厚度、贯穿孔的平均开口直径及平均开口率。
[0340] [评价]
[0341] 评价了在实施例1～5及比较例1～3中制作的各电磁波屏蔽部件的GHz频带的电磁波屏蔽特性、从紫外线区域至近红外线区域的电磁波的透射率及中红外线区域的电磁波的透射率。
[0342] ＜电磁波屏蔽特性＞
[0343] 如图11所示，使用附件将在实施例1～5及比较例1～3中制作的各电磁波屏蔽部件安装到2室屏蔽室的中间隔壁的480mm×480mm的开口。另外，所安装的电磁波屏蔽部件的露出部的大小为250mm×190mm。
[0344] 并且，如获得基于大致远场平面波的屏蔽效果，通过中间隔壁面以各1m的距离(天线间隔2m)配置了发送天线及接收天线。
[0345] 作为发送天线，30MHz～1000MHz的范围使用了宽频天线(BiLog antenna)(SCHAFFNER公司制CBL6140A)。并且，1GHz～18GHz的范围使用了喇叭天线(Horn antenna)(RAVEN公司制96001)。
[0346] 作为接收天线，30MHz～1000MHz的范围使用了双锥天线(FUJITSU GENERAL EMC LABORATORY LIMITED制)。并且，1GHz～18GHz的范围使用了喇叭天线(SCHWARZBECK公司制9120D)。
[0347] 作为功率放大器，30MHz～1000MHz的范围使用了NOISE LABORATORY CO.,LTD.制NA10MF3G2。并且，1GHz～18GHz的范围使用了Agilent公司制83017A。
[0348] 作为前置放大器，30MHz～1000MHz的范围使用了Stack Electronics Co，Ltd.制前置放大器。并且，1GHz～18GHz的范围使用了HP公司制8449B。
[0349] 作为网络分析仪(NA)使用了Advantest Corporation制R3770。
[0350] 为了在电波泄漏最大的部分(屏蔽最弱的部分)中规定电磁波屏蔽特性，在中心±240mm(480mm×480mm)的范围内对接收天线进行扫描，并通过Max Hold功能记录电场强度的最大水平。由通过电磁波屏蔽部件之前的电磁波的强度与通过电磁波屏蔽部件之后的电磁波的强度的最大水平求出了电磁波屏蔽特性。另外，将无电磁波屏蔽部件的状态设为基准，将电磁波屏蔽特性设为1GHz～18GHz的范围的平均值。
[0351] ＜从紫外线区域至可见光区域的透射率＞
[0352] 测定了在实施例1～5及比较例1～3中制作的各电磁波屏蔽部件的紫外线区域至可见光区域的透射率。
[0353] 透射率使用Shimadzu Corporation制SolidSpec-3700测定透射率，并求出平均值。
[0354] ＜近红外线区域的透射率＞
[0355] 测定了在实施例1～5及比较例1～3中制作的各电磁波屏蔽部件的近红外线区域的透射率。
[0356] 透射率使用JASCO Corporation制分光器V-7200测定透射率，并求出平均值。
[0357] ＜中红外线区域的透射率＞
[0358] 测定了在实施例1～5及比较例1～3中制作的各电磁波屏蔽部件的中红外线区域的透射率。
[0359] 在2500nm～18000nm的范围内，使用Bluker公司制FT-IR Vertex70测定透射率，并求出了从2500nm至平均开口直径的一半长度的波长为止的范围内的平均值。
[0360] 将结果示于表2。
[0361] [表2]
[0362]
[0363] 如表2所示，比较例1中，GHz频带的屏蔽特性高，但在从紫外线区域至近红外线区域及中红外线区域中不具有透射性。另一方面，比较例2及3中，从紫外线区域至可见光区域、近红外线区域及中红外线区域中具有透射性，但GHz频带的屏蔽特性变低。
[0364] 相对于此，可知本发明的实施例中，能够将GHz频带的屏蔽特性设为60dB以上，并且能够确保从紫外线区域至可见光区域的透射率、近红外线区域的透射率及中红外线区域的透射率。
[0365] 通过以上内容明确本发明的效果。
[0366] 符号说明
[0367] 1-铝基材，2-氢氧化铝覆膜，3-具有贯穿孔的金属箔，4-具有贯穿孔的氢氧化铝覆膜，5-贯穿孔，10-电磁波屏蔽部件，12-金属箔，14-树脂层，16-金属粒子，18-保护层。
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