基板处理装置是通过连接多个室而构成的。作为这种室，例如有 输送室，其被设置于在大气压状态下在输送室与外部之间进行被处理 基板(例如半导体晶片(下面简称为“晶片”))交换的输送单元上； 对晶片进行蚀刻或者成膜等规定的处理的真空处理室；连接在该真空 处理室和上述输送室之间的真空准备室(例如预载室)等。这些室之 间分别经由闸阀而连接成密封状态。
基板处理装置在这些室之间进行晶片的输送，并同时在真空处理 室内对晶片进行处理。作为在具有上述室的基板处理装置中的一般的 晶片的流程如下所述。例如，晶片从外部被输送到上述输送室。然后， 晶片经过真空准备室而被输送到真空处理室。然后，在真空处理室中 利用规定的处理气体对晶片进行处理，例如进行蚀刻或者成膜等处理。 当在真空处理室中的处理结束之后，使晶片通过真空准备室而返回到 输送室。在真空准备室和输送室之间进行的晶片的交换过程中，在使 真空准备室例如向大气开放等而形成规定的压力后，打开室之间的闸 阀来进行晶片在真空准备室和输送室之间的交换。此外，当在真空准 备室和真空处理室之间进行晶片的交换时，例如进行真空准备室的真 空抽空等而形成规定的压力，打开室之间的闸阀来进行晶片在真空准 备室和真空处理室之间的交换。换句话说，当如所述这样在各室之间 交换晶片时，为了减少室之间的压力差，对各室进行控制，使得其为 规定的压力。
然而，根据各室的压力状态，在打开室之间的闸阀时，会产生各 种各样的问题。例如，当打开闸阀时，残留在真空处理室中的处理气 体产生逆流，水分等的污染从输送室流入，在各室内卷起微粒(堆积 物、灰尘等)。因此，会产生晶片被微粒和污染物所污染的问题，或者 因腐蚀性处理气体向其他室逆流而产生该室的结构部件被腐蚀的问 题。
因此，现在在打开闸阀之前，采用各种方法和各种结构对室内的 压力进行控制。例如，当打开在输送室和真空准备室之间的闸阀而使 真空准备室向大气开放时，以预先除去真空准备室中的微粒为目的， 有一边向真空准备室提供N2气体等净化气体，一边进行排气的技术(例 如参照日本专利特开H3-87386号公报)。
此外，在使多个真空处理室连接在共用输送室上，在该共用输送 室上连接真空准备室(预载室)的所谓的组合台型的基板处理装置中， 还有一种技术(例如参照日本专利特开H7-211761号公报)，当在共 用输送室和真空处理室或者预载室之间打开闸阀时，通过向共同输送 室提供N2气体等的净化气体，以使共用输送室的压力比真空处理室或 者预载室稍高，从而形成向着真空处理室或者预载室的气流，通过这 样来防止处理气体和水分等的污染流向共用输送室。

然而，在上述现有技术中，在打开室之间的闸阀时，为了防止处 理气体和交叉污染的逆流以及为了除去微粒，在提供N2气体等的净化 气体的同时对各室之间的压力进行调整而在室之间产生压力差。
由于这样在室之间产生的压力差，而导致在打开闸阀时产生气流， 从而在室内随着该气流而卷起微粒的问题。特别是，若室之间的压力 差大，则会产生冲击波(压缩性流体在高速下流动时，超过声速传递 的非常强的压力波)，由于该冲击波的传递而成为在室内卷起微粒的主 要原因。
就该点而言，认为若能够稍稍降低室之间的压力差，则可以抑制 微粒的卷起。然而，近年来，随着密封技术的改进，各室的密封性能 比以往有所提高。因此，用现有的压力控制的顺序，例如利用导入净 化气体来使室内的压力上升到必要程度以上，存在有变成比实际需要 在室之间产生的压力差大的问题。
此外，例如也可以一边正确地检测所有室的压力，一边正确地控 制压力，使得室之间的压力差不会过大。但是，为了正确地进行压力 控制而需要价格昂贵的压力计和控制仪器，因此成本高，同时使压力 控制的顺序变得复杂，不实用。
而且，在日本专利特开H7-211761号公报中还记载有在各室之间 设置有可以开关的旁通路，通过在打开闸阀前打开该旁通路来减小室 之间的压力差，以防止在打开闸阀时产生气体的剧烈的流动(冲击波) 的结构。可是，在打开旁通路时，由于在室之间产生压力差的原因， 即使在闸阀被打开之前，因为在打开旁通路时产生冲击波，所以，该 冲击波也有可能在室中传播，从而成为卷起微粒的原因。
因此，本发明是鉴于这些问题而进行的发明，其目的在于提供一 种基基板处理装置及其运行程序和控制方法、以及用于存储该程序的 计算机可读存储介质，通过简单的结构就能够抑制在室之间打开闸门 时的冲击波和对流，通过这样而能够有效地防止在室内卷起微粒。
为了解决上述课题，如采用本发明中的一方面，可以提供一种计 算机可读取的存储介质，存储有用于进行基板处理装置的运行方法的 程序，其中，所述基板处理装置包括：在输送室与外部之间进行所述 被处理基板的交换的输送单元；和连接在该输送单元上的至少一个以 上的真空处理单元，其具有通过闸阀连接在所述输送单元上的真空准 备室、和通过该真空准备室使用腐蚀性气体作为处理气体对装入的被 处理基板进行处理的、至少一个以上的真空处理室，其特征在于，所 述运行方法包括下述工序：在所述真空处理单元的真空准备室和所述 输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，在打开所述闸阀之前， 向所述真空准备室内导入惰性气体；在所述真空准备室的内部压力变 成与大气压相同时，停止导入所述惰性气体，开始所述真空准备室的 腐蚀性气体的排气，然后，通过使所述真空准备室与大气连通来向大 气开放；在所述向大气开放工序后打开所述闸阀。
为了解决上述课题，如采用本发明中的另一方面，可以提供一种 计算机可读取的存储介质，存储有用于进行基板处理装置的控制方法 的程序，其中，所述基板处理装置包括：在输送室与外部之间进行所 述被处理基板的交换的输送单元；和连接在该输送单元上的至少一个 以上的真空处理单元，其具有通过闸阀连接在所述输送单元上的真空 准备室、和通过该真空准备室使用腐蚀性气体作为处理气体对装入的 被处理基板进行处理的、至少一个以上的真空处理室，其中，所述真 空准备室具有惰性气体导入单元、腐蚀性气体排气单元、大气开放单 元等，其特征在于，所述控制方法包括下述工序：当在所述真空处理 单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换 时，在打开所述闸阀之前，通过控制所述惰性气体导入单元的气体导 入阀门，向所述真空准备室内导入惰性气体；当设置在所述真空准备 室的大气压状态检测单元判断所述真空准备室的内部压力变成与大气 压相同时，通过控制所述惰性气体导入单元的阀门来停止导入所述惰 性气体，通过控制所述腐蚀性气体排气单元的排气阀门，开始所述真 空准备室的腐蚀性气体的排气，然后，控制所述大气开放单元的大气 开放阀门，通过使所述真空准备室与大气连通来向大气开放；在所述 向大气开放的工序之后，控制并打开所述闸阀。
为了解决上述课题，如采用本发明中的另一方面，可以提供一种 基板处理装置，其特征在于，包括：在输送室与外部之间进行所述被 处理基板的交换的输送单元；连接在所述输送单元上的至少一个以上 的真空处理单元；至少一个以上的真空准备室，被设置在所述真空处 理单元上，通过闸阀连接在所述输送单元上，具有惰性气体导入单元、 腐蚀性气体排气单元、大气开放单元等；至少一个以上的真空处理室， 被设置在所述真空处理单元上，通过所述真空准备室使用腐蚀性气体 作为处理气体对装入的被处理基板进行处理；和控制器，当在所述真 空处理单元的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的 交换时，在打开所述闸阀之前，通过控制所述惰性气体导入单元的气 体导入阀门，向所述真空准备室内导入惰性气体；在检测到所述真空 准备室的内部压力变成与大气压相同时，通过控制所述惰性气体导入 单元的气体导入阀门，停止导入所述惰性气体，通过控制所述腐蚀气 体排气单元的排气阀门，开始所述真空准备室的所述腐蚀性气体的排 气，然后，控制所述大气开放单元的大气开放阀门，通过使所述真空 准备室与大气连通来向大气开放，并且，在所述向大气开放的工序后 控制并打开所述闸阀。
为了解决上述课题，如采用本发明中一方面，可以提供一种用于 进行基板处理装置的控制方法的程序，其特征在于：具有在传输室与 外部之间进行所述被处理基板的交换的输送单元；和连接在该输送单 元上的至少一个以上的真空处理单元；该真空处理单元具有通过闸阀 连接在所述输送单元上的真空准备室和至少一个以上的通过该真空准 备室使用腐蚀性气体作为处理气体对装入的被处理基板进行处理的真 空处理室，该真空准备室具有惰性气体导入单元、腐蚀性气体排气单 元、大气开放单元等，所述方法包括下述工序：在所述真空处理单元 的真空准备室和所述输送单元之间进行所述被处理基板的交换时，打 开所述闸阀之前，打开所述惰性气体导入单元的气体导入阀门的工序； 当设置在所述真空准备室内的大气压状态检测单元，判断所述真空准 备室内成为大气压状态后，关闭所述惰性气体导入单元的气体导入阀 门，同时打开所述腐蚀性气体排气单元的排气阀门，此后通过打开所 述大气开放单元的大气开放阀门，进行向大气开放的工序；和打开所 述闸阀的工序。
如采用这样的本发明的计算机可读取的存储介质、装置和程序， 即使打开闸阀之前，在真空准备室中导入惰性气体，可以提前停止惰 性气体的导入。这样可以防止真空准备室的压力升高到需要的压力以 上。而且，由于也可以提前开始真空准备室的腐蚀性气体的排气，例 如可以预先使残留在真空准备室的腐蚀性气体等排气，而不用等待打 开闸阀，此后，即使打开向大气开放的闸阀，也可以防止腐蚀性气体 向输送室等流入，例如可以防止输送室内的机械部件被腐蚀。如这样 采用本发明，利用提前停止惰性气体的导入，同时开始真空准备室的 腐蚀性气体排气的简单结构，可以防止真空准备室的压力升高到需要 的压力以上，所以可以抑制在室之间在打开闸门时的冲击波和对流， 这样就可以有效地防止在室内的微粒被卷起。
此外，在计算机可读取的存储介质中，在上述向大气开放的工序 中的上述惰性气体导入的停止时刻和上述腐蚀性气体排气的开始时刻 是可以自由设定的，例如可以设定成与上述真空准备室内成为大气压 状态的同时。这样通过调整惰性气体导入的停止时刻和腐蚀性气体排 气的开始时刻，在真空准备室和输送单元之间即使存在压力差，也可 以调整到在打开闸阀时不卷起微粒的程度。如这样采用本发明，由于 利用调整惰性气体导入的停止时刻和腐蚀性气体排气的开始时刻这样 的简单结构，可以防止真空准备室的压力升高到需要的压力以上，所 以可以抑制在室之间(这里，是在真空准备室和传输单元之间)在打 开闸门时的冲击波和对流，这样就可以有效地防止在室内的微粒被卷 起。
此外，在上述计算机可读取的存储介质中，上述基板处理装置具 有检测腐蚀性气体排气的逆流的逆流检测单元，上述真空准备室的腐 蚀性气体排气开始后，在用上述逆流检测单元检测到排气的逆流的情 况下，即使在经过一定时间后逆流没有被控制的情况下，进行逆流时 的误差处理，在经过一定时间后逆流被控制的情况下，也可以不进行 上述的逆流时的误差处理。这样即使检测到瞬间的逆流，如在规定的 时间内结束，可以不进行误差处理，所以即使象本发明这样在打开闸 阀前提前打开排气阀，误差处理例如如产生逆流，即使在要关闭排气 阀的处理的情况下，由于仅仅是瞬间产生了逆流，可以避免要关闭排 气阀这样的不便的情况。
此外，在上述基板处理装置中，也可以在上述真空准备室和上述 输送单元之间设置冲击波抑制单元，用于抑制因上述真空准备室和上 述输送单元的压力差产生的冲击波，此外在上述真空准备室和上述真 空处理室之间设置冲击波抑制单元，用于抑制因上述真空准备室和上 述真空处理室的压力差产生的冲击波。此冲击波抑制单元由例如连通 上述真空准备室和上述输送单元或上述真空处理室之间的连通管；配 置在上述连通管上的防止冲击波传播单元；在上述防止冲击波传播单 元一侧，配置在压力高的真空准备室一侧的连通管开关阀构成。
在具有这样的冲击波抑制单元的基板处理装置中，例如打开连通 管开关阀后可以打开闸阀。这样即使在真空准备室和输送单元或真空 处理室之间存在压力差，由于连通管开关阀的打开产生的冲击波利用 防止冲击波传播单元的作用停留在连通管中，冲击波不传播，所以可 以防止因冲击波造成的微粒被卷起。此外由于在真空准备室和输送单 元或真空处理室之间，利用打开连通管开关阀降低压力差，此后即使 打开闸阀也不产生冲击波，所以可以防止因冲击波造成的微粒被卷起。
为了解决上述课题，如采用本发明中另一方面，可以提供一种基 板处理装置，这种基板处理装置是具有对被处理基板实施用处理气体 的处理的至少包括真空处理室的多个室，在各室之间可以交换上述被 处理基板的结构的基板处理装置，其特征在于，在上述多个室中，在 至少在产生压力差的室之间设置用于抑制因这些室之间的压力差产生 的冲击波的冲击波抑制单元。
此外，上述冲击波抑制单元例如由连通上述室之间的连通管；配 置在上述连通管上的防止冲击波传播单元；在上述防止冲击波传播单 元的一侧，配置在压力高的室一侧的连通管开关阀构成。此外，上述 处理气体是腐蚀性气体的情况下，还在连通管上在上述防止冲击波传 播单元的另一侧，在压力低的室的一侧也设置连通管开关阀，同时也 可以在上述防止冲击波传播单元和此防止冲击波传播单元的另一侧的 连通管开关阀之间设置用于把上述连通管抽成真空的的真空排气单 元。
为了解决上述课题，如采用本发明中另一方面，可以提供一种计 算机可读取的存储介质，存储有用于进行基板处理装置的控制方法的 程序，其特征在于，所述基板处理装置包括：至少包括使用处理气体 对被处理基板实施处理的真空处理室的多个室，在各室之间通过闸阀 可以交换所述被处理基板，具有连通所述室之间的连通管、配置在所 述连通管上的防止冲击波传播单元，和配置在所述防止冲击波传播单 元一侧的在压力高的真空准备室一侧的连通管开关阀门的所述冲击波 抑制单元，在打开所述连通管开关阀门，通过所述连通管使室之间连 通后，打开所述闸阀。
在具有这样的冲击波抑制单元的基板处理装置中，例如打开连通 管开关阀后打开闸阀，即使在室之间存在压力差，因打开连通管开关 阀造成的冲击波利用防止冲击波传播单元的作用停留在连通管中，冲 击波不传播。此外室之间由于利用打开连通管开关阀降低压力差，此 后即使打开闸阀也不产生冲击波。如采用这样的本发明，利用把连通 管设置在室之间，同时在此连通管内设置防止冲击波传播单元的简单 结构，可以抑制在室之间在打开闸门时的冲击波和对流，这样可以有 效地防止在室内卷起微粒。
为了解决上述课题，如采用本发明中另一，可以提供一种计算机 可读取的存储介质，存储有用于进行基板处理装置的控制方法的程序， 其特征在于，所述基板处理装置包括：至少包括使用处理气体对被处 理基板实施处理的真空处理室的多个室，在各室之间通过闸阀可以交 换所述被处理基板；所述冲击波抑制单元，设置具有连通室之间的连 通管、配置在所述连通管上的防止冲击波传播单元，配置在所述防止 冲击波传播单元两侧的连通管开关阀门，用于将配置在所述防止冲击 波传播单元和压力低的真空准备室的一侧的连通管开关阀门之间的所 述连通管抽成真空的真空排气单元，其中，打开所述闸阀之前，在关 闭两个所述连通管开关阀门时，用真空排气单元将所述连通管内抽成 真空，成为比压力低的室的压力更低的压力，在打开所述闸阀时，在 打开压力低的室一侧的连通管开关阀门后，通过打开压力高的室的一 侧的连通管开关阀门连通其室之间后，打开所述闸阀。
如采用这样的本发明，与上述相同，即使在室之间存在压力差， 在打开了连通管开关阀时，能够防止因冲击波造成卷起微粒。例如在 要打开压力低的室的一侧的连通管开关阀时，由于连通管内的压力比 压力低的室更低，在连通管内产生冲击波，由于此冲击波利用防止冲 击波传播单元的作用停留在连通管内，冲击波不传播，所以不产生卷 起微粒。此外，即使打开压力高的室的一侧的连通管开关阀，与上述 相同，在连通管内产生冲击波，由于此冲击波利用防止冲击波传播单 元的作用停留在连通管内，冲击波不传播，所以不产生卷起微粒。此 外由于室之间利用打开连通管开关阀降低压力差，此后即使打开闸阀 也不产生冲击波，所以可以防止因冲击波造成的卷起微粒。此外由于 连通管内可以排气，可以防止因腐蚀性气体造成连通管被污染。
在上述运计算机可读取的存储介质中，也可以利用上述大气开放 单元从使上述真空准备室与大气连通时开始，至少等待经过向大气开 放结束延迟时间，经过向大气开放结束延迟时间后，如有打开上述闸 阀的指示，根据此指示打开上述闸阀。
这种情况下，也可以进行利用上述大气开放单元从使上述真空准 备室与大气连通时开始，等待经过调整延迟时间后，等待经过向大气 开放结束延迟时间，此外在等待经过上述调整延迟时间期间，在有打 开上述闸阀的指示时，从此时开始等待经过上述向大气开放结束延迟 时间，在等待经过上述向大气开放结束延迟时间。这样可以不改变现 有的其他的输送顺序，可以适用于本发明的真空准备室的向大气开放 顺序。
本说明书中1Torr定为(101325/760)Pa，1mTorr定为(10-3× 101325/760)Pa。
如以上说明所示，若采用本发明，则可以提供利用简单的结构来 抑制室之间在打开闸门时的冲击波和对流，因此，可以有效地防止在 室内卷起微粒的基板处理装置及其运行程序和控制方法、以及用于存 储该程序的计算机可读存储介质。
附图说明
图1是表示适用于本发明实施方式的方法的基板处理装置的简要 结构图。
图2是表示图1所示的预载室的气体配管的简要结构图。
图3是表示第一大气开放处理的现有例的流程图。
图4是用折线表示在图3处理中的各阀的打开状态和关闭状态的 时序图。
图5是表示在第一大气开放处理中适用于本发明的情况下的控制 器在进行大气开放处理时的流程图。
图6是用折线表示在图5的处理中各阀打开状态或关闭状态的时 序图。
图7是表示第二大气开放处理的现有的例子的流程图。
图8是用折线表示在图7处理中的各阀的打开状态和关闭状态的 时序图。
图9是表示在第二大气开放处理中适用于本发明的情况下的控制 器在进行大气开放处理时的流程图。
图10是用折线表示在图9处理中的各阀的打开状态和关闭状态的 时序图。
图11是表示打开图2所示的酸排气阀时的逆流检测处理的流程 图。
图12是表示微粒量检测装置的构成例的示意图。
图13是表示室间的压力差和微粒飞溅概率之间关系的示意图。
图14是表示在预载室和处理室之间设置冲击波抑制单元的情况下 的构成例的示意图。
图15是说明作为防止冲击波传播单元的例子的拉瓦尔喷管(laval nozzle)的结构图。
图16是说明防止冲击波传播单元的其他具体例的结构简图。
图17是表示具有冲击波抑制单元的基板处理装置的变化例的结构 简图。
图18是表示真空处理单元由多室构成的基板处理装置的简要结构 图。
图19是表示在处理室的自检功能中的处理的一般例的流程图。
图20是具体表示不使用利用检测元件的真空计的自检处理的流程 图。

下面，参照附图对本发明的最优实施方式进行详细说明。在本说 明书和附图中，对实际上具有相同功能结构的要素标注相同的标号， 并省略重复的说明。
首先，对本发明的最优实施方式的基板处理装置的运行方法和控 制方法进行说明。作为处理被处理基板的基板处理装置，例如是在处 于大气压状态的输送室和成为真空状态的进行被处理基板的处理的真 空处理室之间连接有真空准备室(例如预载室)的结构。在这样的基 板处理装置中，例如在输送室和预载室之间送进取出被处理基板的情 况下，为了降低其压力差，而在打开位于输送室和预载室之间的闸阀 之前，进行使预载室内的压力接近于处于大气压状态的输送室的压力 的大气开放处理。下面，列举具体例对在这样的大气开放处理中有特 征的基板处理装置的运行方法和控制方法进行说明。
(基板处理装置的结构例)
参照附图对可以适用于本实施方式的基板处理装置的运行方法和 控制方法的基板处理装置的具体例进行说明。这里，以处于大气压氛 围的输送室上至少连接有一个以上的真空处理单元的基板处理装置为 例进行说明。图1是表示本实施方式的基板处理装置的简要结构的截 面图。该基板处理装置100具有一个或者二个以上、对被处理基板例 如半导体晶片(下面简称为“晶片”)W进行成膜处理或者蚀刻处理等 各种处理的真空处理单元110；和相对于该真空处理单元110送入或者 取出晶片W的输送单元120。输送单元120具有在输送晶片W时共用 的输送室130。
在图1中，表示的是在输送单元120的侧面例如配置有两个真空 处理单元110A(110B)的情况。各真空处理单元110A(110B)分别 具有处理室140A(140B)和预载室150A(150B)，其与处理室140A (140B)连接且可抽成真空。各真空处理单元110A(110B)在各处理 室140A(140B)内可以对晶片W实施例如相同种类的处理或者相互 不同种类的处理。在各处理室140A(140B)内，分别设置有用于放置 晶片W的载物台142A(142B)。其中，由该处理室140和预载室150 组成的真空单元110并不限定于两个，还可以进一步追加设置。
上述输送单元120的输送室130例如由可以使N2气体等的惰性气 体和清洁空气循环的截面大致呈矩形的箱体构成。在输送室130的长 边一侧上，并排设置多个盒式台132A、132B、132C。这些盒式台132A、 132B、132C起到作为放置盒式容器134A、134B、134C的被处理基片 待机通道的作用。在图1中，例如列举了可以在各盒式台132A、132B、 132C上分别对三台盒式容器134A、134B、134C各放置一个的例子， 但是盒式台和盒式容器的数量并不限定于此，例如可以设置一台或者 两台，也可以设置四台以上。
在各盒式容器134A～134C上，例如能够以等间距多层放置而容 纳最多25张晶片W，其内部形成为例如可以用N2气体充满的密闭结 构。而输送室130构成为通过闸阀136A～136C而能够向其内部送入 或者取出晶片W。
在输送室130内设置有沿着其长度方向(图1所示的箭头方向) 输送晶片W的共用输送装置(大气一侧输送装置)160。该共用输送 装置160例如被固定在基座162上，该基座162构成为例如通过线性 电动机驱动机构而能够在输送室130内的中心部分沿着长度方向设置 的图未示出的导轨上滑动。共同输送装置160既可以是具有例如图1 所示的两个拾取器的双臂机构，或者也可以是具有一个拾取器的单臂 机构。
在输送室的端部上，也就是构成截面大致呈矩形的短边的一个侧 面上，在内部设置有作为定位装置的定位器(予定位载物台)137，其 具有旋转载物台138和进行光学检测晶片W周边的光学传感器139。 该定位器137在检测晶片W的定位平面和缺口等后进行配置。
在输送室130的长边的另一个侧面上，分别通过可开闭构成的闸 阀(大气侧闸阀)152A、152B而与上述两个预载室150A(150B)的 基端连接。各预载室150A、150B的前端通过可开闭构成的闸阀(真 空侧闸阀)144A、144B而分别与上述处理室140A、140B连接。
在各预载室150A(150B)内分别设置有临时放置晶片W而使其 处于待机的一对缓冲用载物台154A、156A(154B、156B)。这里，将 输送室一侧的缓冲用载物台154A、154B作为第一缓冲用载物台，将 相反一侧的缓冲用载物台156A、156B作为第二缓冲用载物台。然后， 在两个缓冲用载物台154A、156A(154B、156B)之间设置有由可伸 屈、旋转以及升降的多关节臂构成的单独输送装置(真空一侧的输送 装置)170A(170B)。在这些单独输送装置170A(170B)的前端设置 有拾取器172A(172B)，使用该拾取器172A(172B)而能够在第一、 第二缓冲用载物台154A、156A(154B、156B)之间进行晶片W的交 换转移。其中，从预载室150A(150B)向处理室140A(140B)内送 入和取出晶片分别使用上述单独输送装置170A(170B)进行。
在上述基板处理装置100中设置有控制基板处理装置的全部动作 的控制器180，控制器180除了控制上述各输送装置160、170和各闸 阀136、144、156等的动作以外，还控制后述的向预载室150A(150B) 导入气体和排气管等的阀的动作。控制器180具有例如构成该控制器 180的主体的微机以及存储各种数据的存储器等。
(预载室的气体配管结构图)
下面，参照附图对上述真空处理单元中的预载室的气体配管结构 进行说明。图2是表示预载室150的气体配管的简要结构图。该气体 配管结构是各真空处理单元110A(110B)的预载室150A(150B)的 共同结构。
在预载室150的供气一侧(例如预载室150的上部和侧部)配置 有惰性气体导入单元。该惰性气体导入单元具有净化气体供给管181， 用于将惰性气体(例如Ar和N2气体)作为净化气体提供给预载室150。 在净化气体供给管181上，在中途设置有并排连接的作为气体导入阀 的控制阀(净化阀)V1、V2。控制阀V1、V2是控制净化气体流量的 装置。例如，控制阀V1是在后面叙述的进行大气开放处理时进行控制 的装置，控制阀V2是进行预载室内压力控制时进行控制的装置。净化 气体用的控制阀V1、V2也可以由一个控制阀而构成。
此外，在预载室150的供气一侧连接有检测大气压状态的大气压 状态检测单元。具体地说，通过大气压转换器用连接配管182而连接 有大气压转换器，压力计通过保护阀V3而与该大气压转换器用连接配 管182连接，同时，连接皮拉尼真空计(皮拉尼计)。上述大气压转换 器例如可以用晶体计等构成。上述压力计例如用电容式压力计构成。 例如也可以用对流式真空计代替上述皮拉尼计。
另一方面，在预载室150的排气一侧(例如在预载室150的底部) 配置有大气开放单元。该大气开放单元具有通过溢流阀(大气开放阀) V4而使预载室150与大气连通的溢流管(大气连通管)183。其中， 在溢流管(大气连通管)上，在预载室150和溢流阀V4之间连接有用 于提供空气净化用的气体(空气)的空气供给管184。在空气供给管 184上，在中途设置有用于控制空气流量的控制阀V5。
此外，在预载室150的排气一侧配置有真空排气单元。该真空排 气单元具有用于对预载室150内进行真空排气的真空排气管185。在真 空排气管185上，在中途设置有并排连接的主排气阀V6和慢排气阀 V7，同时，被连接在例如干燥泵等的真空泵190上。在一次进行大量 排气的情况下控制主排气阀V6，在对排气量进行微调的情况下控制慢 排气阀V7。
而且，在预载室150的排气一侧配置有腐蚀性气体排气单元。对 于该腐蚀性排气单元来说，具有在预载室150和排气阀V6、V7之间 经由作为排气阀的酸排气阀V8被连接的酸排气管186。上述酸排气阀 V8是在作为晶片的处理气体例如使用腐蚀气体(例如氯、氯化氢等) 的情况下，用于对进行预载室150的酸排气进行控制的装置。具体地 说，例如在将晶片W从处理室140取出时，对有可能进入的处理气体 进行排气，例如对腐蚀性气体等进行排气，或者对有可能从大气一侧 进入的水分等进行排气。酸排气管186例如被连接在设置真空处理单 元的工厂的排气设备上。在酸排气管186上连接作为逆流检测单元的 一个例子的流体(manostat)压力器192。
上述的各控制阀V1～V8例如通过控制器180来进行控制，进行 预载室150内的压力控制。在预载室150的闸阀152开放时的大气开 放处理中进行该压力控制。控制器180监视流体压力器192，进行检测 和报告逆流等的逆流检测处理。大气开放处理和逆流检测处理的详细 情况在后面叙述。
(基板处理装置的动作)
下面，参照附图对上述结构的基板处理装置的动作进行说明。首 先，通过共用输送装置160从各盒式容器134A、134B、134C取出要 进行处理的晶片W。由共用输送装置160取出的晶片W被输送到定位 器137，移到并放置在定位器137的旋转载物台138上，在这里而被定 位。然后，被定位的晶片W再次被上述共用输送装置160取起，并被 输送到要对该晶片W进行处理的真空处理单元110A或者110B的预载 室150A或者150B的前面。然后，在打开闸阀152A或者152B之后， 在共用输送装置160上的晶片W被从输送室130而送入到预载室150A 或者150B内。在将晶片W向预载室150A或者150B的送入结束之后， 关闭闸阀152A或者152B。
被送入到预载室150A或者150B内的晶片W在打开闸阀144A或 者144B后，通过单独输送装置170A或者170B而被送入到处理室140A 或者140B。在将晶片W向处理室140A或者140B的送入结束之后， 关闭闸阀144A或者144B，在处理室140A或140B中开始进行使用例 如把腐蚀气体作为处理气体的晶片W的处理。
然后，在处理室140A或者140B中的晶片W的处理结束之后，打 开闸阀144A或者144B，通过单独输送装置170A或者170B将晶片W 取出并送到预载室150A或者150B。在向预载室150A或者150B输送 晶片W结束之后，关闭闸阀144A或者144B，进行将晶片W向输送 室130的取出动作。也就是完成了向预载室150A或者150B的搬入处 理的晶片W，在打开闸阀152A或者152B之后，通过共用输送装置160 从预载室150A或者150B取出而送到输送室130，关闭闸阀152A或者 152B。
在上述动作中，当从预载室150A或者150B到处于大气压状态的 输送室130之间取出或者送入晶片W时，在打开闸阀152A或者152B 之前，进行预载室150A或者150B的大气开放处理。
(预载室的大气开放处理)
下面，与现有例进行对比并参照附图来对本实施方式的预载室 150A或者150B的大气开放处理进行详细说明。其中，对于本实施方 式的大气开放处理来说，由基于规定的程序而动作的控制器180通过 对各阀进行控制等来实施的。
有下述开放处理作为大气开放处理，即，以N2气体等惰性气体为 净化气体导入到预载室，在成为大气压状态之后打开溢流阀，然后， 在关闭净化气体阀之后打开输送室和预载室之间的闸阀的处理(第一 大气开放处理)；和更重视基板处理装置的生产量，能够在打开溢流阀 的时刻打开闸阀，在闸阀打开时关闭净化气体阀的处理(第二大气开 放处理)。本发明的大气开放处理由于可以适用于第一和第二大气开放 处理两个方面，因此下面分开各自的情况进行说明。
(第一大气开放处理)
首先，为了与本发明的情况进行对比，对第一大气开放处理的现 有例进行说明。图3是表示第一大气开放处理的现有例的流程图，图4 是在图3所示的处理中的各阀的控制状态图。在图4中是用折线图来 表示各阀打开状态或者关闭状态的时间，各折线图错开，以便容易看 到重叠的情况。
如图3和图4所示，在第一大气开放处理的现有例中，首先，在 步骤S110打开图2所示的控制阀(净化阀)V1，例如将N2气体等的 惰性气体作为净化气体导入到预载室150。然后，在步骤S120判断预 载室150是否成为大气压状态。关于是否成为大气压状态例如按照下 面的方式进行判断。例如，当图2所示的大气压转换器打开，同时皮 拉尼计为大气压(750mTorr)时，判断预载室150成为大气压状态。
当在步骤S120中判断预载室150成为大气压状态的情况下，在步 骤S130中，如图4所示，从成为大气压状态的时刻t11经过规定时间 T11后，打开溢流阀V4来使预载室150内与大气连通。
此后，在步骤S140中，从成为大气压状态的时刻t11经过规定时 间T12后，关闭控制阀(净化阀)V1，停止净化气体的导入。然后， 在步骤S150中，从关闭控制阀(净化阀)V1时刻t13经过等待向大气 开放结束延迟时间T13。在经过该大气开放结束延迟时间T13后，结束 向大气开放，从此时刻开始可以打开闸阀152。
当在步骤S150中判断经过了该大气开放结束延迟时间T13的情况 下，在步骤S160中等待打开闸阀152的指示。然后，当在步骤S160 中判断有打开闸阀152的指示的情况下，在步骤S170中接受打开闸阀 152的指示，并打开闸阀152。在打开闸阀152后，在S180步骤中打 开酸排气阀V8并进行排气，从而完成一系列的大气开放处理。例如， 是为了对在从处理室140取出晶片W时进入的气体进行排气(如对腐 蚀性气体(例如氯、氯化氢等)等进行排气)。实际上，在从处理室140 取出晶片W时，若预先使预载室150内的压力比处理室140稍高，则 因为从预载室150向处理室140稍稍产生对流，而能够防止腐蚀性气 体从处理室140进入预载室，但是，也应该考虑到附着在晶片W上而 进入的情况。
因此，在现有的第一大气开放处理中，在预载室150成为向大气 开放状态后，通过导入净化气体来使预载室150内的压力比输送室130 稍高一些，因此可以防止外面气体的流入。从而，由于例如可以防止 外面气体所含有的水分等的污染的流入，而能够防止对晶片的交叉污 染。
然而，近年来，例如通过对在预载室150中的维修盖等的密封部 的改进等，而使得预载室150内的密封性进一步得到提高。尽管这样， 如图4所示，现在由于到停止净化气体的时间T12是一定的，所以由于 导入净化气体而造成的预载室150的压力存在有远高于所需要的比输 送室130高的压力。因此，在打开预载室150和输送室130之间的闸 阀152时，存在产生冲击波和强烈对流的问题。若产生冲击波和强烈 的对流，则在预载室150内就会产生卷起微粒等的问题。
此外，在现有的第一大气开放处理中，由于在打开闸阀152之前， 酸排气阀V8还是关闭的，所以，因为在打开了溢流阀V4时与大气连 通，例如在溢流管183与输送室130连通等的情况下，流向预载室的 残留的腐蚀性气体有可能流入到输送室130内。当腐蚀性气体流入输 送室130内时，存在例如在输送室130内的机械部件被腐蚀的问题。
因此，在本发明中，在大气开放处理中，关闭控制阀(净化阀) V1的时刻和打开酸排气阀V8的时刻可以自由设定。因此，例如也可 以在预载室150成为大气压状态的时刻的同时，关闭控制阀(净化阀) V1而停止净化气体，并打开酸排气阀V8。这样可以防止预载室150 的压力升高到所需压力以上，而且可以预先排放在预载室150中残留 的腐蚀性气体，而无须等待打开闸阀152。
(在第一大气开放处理中使用本发明的情况的具体例)
下面，对在上述第一大气开放处理中使用本发明的情况的具体例 进行说明。这里，参照附图5和图6来说明在预载室150成为大气压 状态的时刻，关闭控制阀(净化阀)V1而停止净化气体，并打开酸排 气阀V8的情况。图5是在第一大气开放处理中使用本发明的情况下的 控制器进行大气开放处理的流程图，图6是表示在图5所示的处理中 的各阀的控制状态图。在图6中与图4的情况相同，是用折线图来表 示各阀打开状态或关闭状态的时间，各折线图错开，以便容易看到重 叠的情况。
本实施方式的大气开放处理是基于程序并通过控制器180而如下 进行的。也就是说，如图5和图6所示，首先，在步骤S210打开图2 所示的控制阀(净化阀)V1，例如将N2气体等惰性气体作为净化气体 而导入到预载室150。然后，在步骤S220判断预载室150是否成为大 气压状态。关于是否成为该大气压状态，与图3所示的步骤S120的情 况相同，例如，当如图2所示的大气压转换器打开，同时皮拉尼计成 为大气压(750mTorr)时，判断预载室150成为大气压状态。
当在步骤S220判断预载室150成为大气压状态的情况下，在预载 室150成为大气压状态的时刻t21，例如与此同时在步骤S230如图6所 示，关闭控制阀(净化阀)V1，停止净化气体的导入，同时在步骤S240 打开酸排气阀V8，提前开始进入预载室150的腐蚀性气体等的排气。
此后，如图6所示，在步骤S250从成为大气压状态的时刻t21经 过规定时间T21后，打开溢流阀V4，使预载室150内与大气连通。
然后，在步骤S260经过等待调整延迟时间T22。该调整延迟时间 用于能够与图3和图4所示的现有顺序同步来打开闸阀152。由于这样， 能够使从图6所示的预载室150成为向大气开放状态的时刻t21到打开 闸阀152的时刻的时间、与从图4所示的预载室150成为向大气开放 的状态的时刻t11到打开闸阀152的时刻的时间相同，所以，可以不改 变现有的其他输送顺序，而使用本发明的大气开放处理。其中，未必 需要该经过等待调整延迟时间的处理。通过省略该处理，也可以比现 在更快地打开闸阀152。因此，能够加快整个输送顺序。
当在步骤S260判断经过调整延迟时间T22的情况下，在步骤S270 成为经过等待大气开放结束延迟时间T23。经过该大气开放结束延迟时 间T23后，来结束大气开放，能够打开输送室130和预载室150之间的 闸阀152。
当在步骤S270判断经过大气开放结束延迟时间T23的情况下，在 步骤S280成为等待打开闸阀152的指示。然后，当在步骤S280判断 有打开闸阀152的指示的情况下，在步骤S290接受打开闸阀152的指 示，打开闸阀152，完成一系列大气开放处理。
这样，在将本发明用于第一大气开放处理的情况中，通过在预载 室150成为大气压状态的时刻变更成直接关闭控制阀(净化阀)V1的 简单顺序，而可以防止预载室150的压力升高到需要的压力以上。由 于这样，能够抑制打开闸阀152时产生的冲击波和强烈的对流，所以 可以防止卷起微粒等。
此外，无须等待打开闸阀152，通过提前打开酸排气阀V8，可以 预先对残留在预载室150中的腐蚀性气体进行排气，所以此后即使打 开溢流阀V4，也可以防止腐蚀性气体通过溢流阀V4而流入输送室130 等，这样例如可以防止输送室130内的机械部件被腐蚀。
(第二大气开放处理)
下面，为了与本发明的情况进行对比，对第二大气开放处理的现 有例进行说明。图7是表示第二大气开放处理的现有例的流程图，图8 是表示在图7所示的处理中的各阀的控制状态图。在图8中，与图4 的情况相同，是以折线的折线图来表示各阀处于打开状态或者关闭状 态，各折线的折线图错开，以便容易看到重叠的情况。
如图7和图8所示，在第二大气开放处理的现有例中，首先在步 骤S310打开图2所示的控制阀(净化阀)V1，例如将N2气体等惰性 气体作为净化气体而导入到预载室150。然后，在步骤S320判断预载 室150是否成为大气压状态。关于是否成为大气压状态，与图3所示 的步骤S120的情况相同。
当在步骤S320判断预载室150成为大气压状态的情况下，在步骤 S330如图8所示，从成为大气压状态的时刻t31经过规定时间T31后， 打开溢流阀V4，使预载室150内与大气连通。在第二大气开放处理中， 在打开溢流阀V4的时刻t32成为向大气开放结束，从此时开始可以接 受打开闸阀152的指示。此后，无论有无打开闸阀152的指示，在经 过规定时间T32后，关闭控制阀(净化阀)V1，停止净化气体的导入。
在步骤S340判断从打开溢流阀时刻t32是否经过了净化结束时间 T32。在步骤S340判断没有经过净化结束时间T32的情况下，在S410 步骤判断是否有打开闸阀152的指示。
在S410步骤判断还没有打开闸阀152的指示的情况下，返回到步 骤S340的处理，仍然没有打开闸阀152的指示，在步骤S340判断经 过净化结束时间T32的情况下，在步骤S350关闭控制阀(净化阀)V1， 停止净化气体的导入。
此后，在步骤S360判断有打开闸阀152的指示的情况下，在接受 该打开指示的基础上，在步骤S370成为经过等待大气开放结束延迟时 间T33。当在步骤S370判断经过大气开放结束延迟时间T33的情况下， 在步骤S380打开闸阀152。在打开闸阀152后，在步骤S390打开酸排 气阀V8，进行腐蚀性气体等的排气后，完成一系列大气开放处理。
与此相反，在没有经过净化结束时间T32的状态下，在S410步骤 判断有打开闸阀152的指示的情况下，在接受该打开指示的基础上， 在步骤S420关闭控制阀(净化阀)V1，停止净化气体的导入，转到步 骤S370的处理，当在S370步骤判断经过大气开放结束延迟时间T33 的情况下，在S380步骤打开闸阀152，在打开闸阀152后，在步骤S390 打开酸排气阀V8，进行腐蚀性气体等的排气后，完成一系列大气开放 处理。
这样，在现有的第二大气开放处理中，在净化结束时间T32的期间 没有打开闸阀152的指示的情况下，在经过净化结束时间T32后，关闭 控制阀(净化阀)V1，停止净化气体的导入。与此相反，在净化结束 时间T32的期间有打开闸阀152的指示的情况下，在此时关闭控制阀(净 化阀)V1，停止净化气体的导入。这样可以比第一大气开放处理更快 地打开闸阀152。
此外，在现有的第二大气开放处理中，与第一大气开放处理相同， 在预载室150成为大气压状态后，通过导入净化气体，使预载室150 内的压力比输送室130稍高，可以防止外面的气体流入。这样由于， 例如可以防止在外面气体中所含有的水分等的污染的流入，所以可以 防止对晶片的交叉污染。
可是，在现有第二大气开放处理中，与现有第一大气开放处理相 比，有时关闭控制阀(净化阀)V1的时间提前，如果不是从成为大气 压状态的时刻t31经过规定时间T31后打开溢流阀V4，由于不能接受打 开闸阀152的指示，在此后直到停止净化气体中，存在有预载室150 的压力与输送室130相比升高到需要的压力以上的倾向。因这个情况， 会在打开闸阀152时产生冲击波和强烈的对流，产生卷起微粒等这样 的与现有第一大气开放处理相同的问题。
此外，在现有第二大气开放处理中，也由于在打开闸阀152前还 关闭着酸排气阀V8，通过在打开溢流阀V4的时刻与大气连通，例如 在溢流管183与输送室130连通等的情况下，担心流向预载室的残留 的腐蚀性气体流入输送室130内。因这个情况也存在有例如会腐蚀输 送室130内的机械部件这样的与现有第一大气开放处理相同的问题。
所以，在本实施方式的大气开放处理中，在第二大气开放处理中， 也使关闭控制阀(净化阀)V1的时间和打开酸排气阀V8的时间可以 自由设定。因此，例如也可以当在预载室150成为大气压状态的时刻 关闭控制阀(净化阀)V1，停止净化气体，并打开酸排气阀V8。这样， 可以防止预载室150的压力升高到需要压力以上，而且可以预先对残 留在预载室150中的腐蚀性气体进行排气，而无须等待打开闸阀152。
(在第二大气开放处理中使用本发明的情况的具体例)
下面，对在上述第二大气开放处理中使用本发明的情况的具体例 进行说明。这里，参照附图9和图10来说明在预载室150成为大气压 状态的时刻，关闭控制阀(净化阀)V1而停止净化气体，并打开酸排 气阀V8的情况。图9是在第二大气开放处理中使用本发明情况下的控 制器进行大气开放处理的流程图，图10是表示在图9所示的处理中的 各阀的控制状态图。在图10中与图4的情况相同，是用折线的折线图 表示各阀的打开状态或者关闭状态，各折线的折线图错开，以便容易 看到重叠的情况。
本实施方式的大气开放处理是基于程序并通过控制器180而如下 进行的。也就是如图9和图10所示，首先，在步骤S510打开图2所 示的控制阀(净化阀)V1，例如将N2气体等的惰性气体作为净化气体 导入到预载室150。然后，在步骤S520判断预载室150是否成为大气 压状态。关于是否成为此大气压状态，与图3所示的步骤S120的情况 相同。
在S520步骤判断预载室150成为了大气压状态的情况下，在预载 室150成为了大气压状态的时刻t41，例如与此同时在S530步骤如图 10所示，关闭控制阀(净化阀)V1，停止净化气体的导入，同时在S540 步骤打开酸排气阀V8，提前开始进入预载室150的腐蚀性气体等的排 气。
此后，如图10所示，在步骤S550从成为大气压状态的时刻t41经 过规定时间T41后，打开溢流阀V4，使预载室150与大气连通。
然后，在步骤S560判断是否从打开溢流阀的时刻t42经过调整延 迟时间T42。该调整延迟时间是用于使与图7和图8所示的现有顺序可 以同步打开闸阀152。由于这样，可以使从图10所示的预载室150变 成向大气开放的状态的时刻t41到打开闸阀152的时刻的时间、与从图 8所示的预载室150变了向大气开放的状态的时刻t31到打开闸阀152 的时刻的时间相同，所以不改变现有的其他的输送顺序，可以使用本 发明的大气开放处理。此外，未必需要该经过等待调整延迟时间的处 理。通过省略此处理，也可以比现在更快地打开闸阀152。这样整个输 送顺序可以更快。
当在步骤S560判断没有经过整延迟时间t42的情况下，在步骤S600 判断是否有打开闸阀152的指示。当在步骤S600判断还没有打开闸阀 152的指示的情况下，返回步骤S560的处理，仍然没有打开闸阀152 的指示，当在步骤S560判断经过调整延迟时间T42的情况下，在步骤 S570判断是否有打开闸阀152的指示。
此后，在步骤S570判断有打开闸阀152的指示的情况下，在接受 该打开指示的基础上，在步骤S580成为经过等待大气开放结束延迟时 间T43。在步骤S580判断经过了向大气开放结束延迟时间T43的情况下， 在步骤S590打开闸阀152。在打开闸阀152后，完成一系列大气开放 处理。
与此相反，在没有经过调整延迟时间T42的状态下，当在步骤S600 判断有打开闸阀152的指示的情况下，在接受该打开指示的基础上， 转到步骤S580，当在步骤S580判断经过了大气开放结束延迟时间T43 的情况下，在步骤S590打开闸阀152，完成一系列的大气开放处理。
这样，在将本发明用于第二大气开放处理的情况中，通过在预载 室150成为大气压状态的时刻变更成直接关闭控制阀(净化阀)V1的 简单顺序，可以防止预载室的压力升高到需要压力以上。由于这样可 以抑制在打开闸阀152时产生的冲击波和强烈的对流，所以可以防止 卷起微粒等。
而且，由于无须等待打开闸阀152，通过提前打开酸排气阀V8， 而能够预先对残留在预载室150中的腐蚀性气体进行排气，此后，即 使打开溢流阀V4，也可以防止腐蚀性气体通过溢流阀V4而流入输送 室130等中，因此，例如可以防止输送室130内的机械部件被腐蚀。
在本发明的图5和图9所示的大气开放处理中，在例子中列举了 在预载室150成为大气压状态时刻，同时关闭控制阀(净化阀)V1， 停止净化气体，打开酸排气阀V8的情况，但是未必限定于此。在本发 明中，由于可以自由地对关闭控制阀(净化阀)V1的时刻和打开酸排 气阀V8的时刻进行设定，利用对这些时刻的设定，也可以实现在关闭 控制阀(净化阀)V1后错开一定时间再打开酸排气阀V8，此外，也 可以在预载室150成为大气压状态时刻后，错开一定时间关闭控制阀 (净化阀)V1，打开酸排气阀V8。优选的是这些时刻被设定成利用净 化气体的导入和排气的时刻，预载室150内的压力与大气压相比不过 分高，以便在打开闸阀152时不产生卷起微粒。
(打开酸排气阀时的逆流检测处理)
下面，参照附图对在本发明的大气开放处理中，在进行打开酸排 气阀时进行的逆流检测处理进行说明。在本发明中，如图5和图9所 示，在预载室150成为大气压状态时刻，也就是说在还没有打开溢流 阀V4和闸阀152的早期阶段，进行关闭控制阀(净化阀)V1，打开 酸排气阀V8。因此，也担心在酸排气管186中瞬时产生逆流，但这样 的逆流经过一定时间后会被控制。
然而，如果用逆流检测单元，例如用流体压力器192在酸排气管 186中检测逆流，则用蜂鸣器通报。此外，也担心通过产生逆流时的误 差处理而强行关闭酸排气阀V8。
所以，在本发明中，在打开酸排气阀V8时，进行如图11所示的 逆流检测处理，即使在酸排气管186中瞬时检测到逆流，若在规定时 间内被控制，则也不进行误差处理。
在如图11所示的逆流检测处理中，在打开酸排气阀V8时，在步 骤S710判断是否通过逆流检测单元、例如通过流体压力器192在酸排 气管186中检测了逆流。当在步骤S710判断没有检测逆流的情况下， 在步骤S720判断是否经过了规定的时间，例如三秒，在判断没有经过 规定时间的情况下，返回到步骤S710，在规定时间没有检测逆流，在 步骤S720判断经过了规定时间的情况下，完成逆流检测处理。该规定 时间可以预先试验在酸排气管186中即使瞬时产生逆流的情况下被控 制的时间，以此试验的结果为基础来进行设定。但是，由于因基板处 理装置的不同会产生偏差，所以检测该逆流的规定时间也可以自由设 定。具体地说例如可以设定成在0～10秒之间所希望的时间。
与此相反，当在步骤S710判断检测了逆流的情况下，在步骤S730 判断是否经过了规定时间，当在步骤S730判断没有经过规定时间的情 况下，返回到步骤S710，直到经过规定时间检测逆流。然后，当在步 骤S730判断经过了规定时间的情况下，在步骤S740判断逆流是否被 控制。例如，在经过规定时间没有检测到逆流的情况下，判断逆流已 被控制。与此相反，在经过规定时间还检测到逆流的情况下，判断逆 流没有被控制。
当在步骤S740判断逆流被控制的情况下完成逆流检测处理，在判 断逆流没有被控制的情况下，在步骤S750进行误差处理。作为该误差 处理，例如通过蜂鸣器等进行报告处理，同时进行强制关闭酸排气阀 V8的处理。
通过这样进行逆流检测处理，即使在酸排气管186中瞬时检测到 逆流，如果在规定时间内被控制，则不进行误差处理，所以即使如本 发明这样在打开闸阀152之前打开酸排气阀V8，可以避免仅仅在酸排 气管186中瞬时产生逆流就关闭酸排气阀V8的实施中不适宜的情况。
(卷起微粒现象的检查和验证)
如上所述，如将本实施方式的预载室的大气开放处理使用于基板 处理装置中，则通过调整净化阀和酸排气阀的开关时间，而能够将预 载室和输送室之间的压力差调整到打开闸阀时不卷起微粒的程度。
这种卷起微粒的现象的主要原因是，在打开各室之间、例如输送 室和预载室之间以及处理室和预载室之间这样的有压力差的室之间的 闸阀时，产生的冲击波造成的剧烈的流动和还没有达到冲击波程度的 对流。例如，如产生冲击波，则由于此冲击波瞬时传播到室内，产生 剧烈的流动，所以例如附着在室内壁上的微粒掉下来，产生卷起微粒。
此冲击波是满足在各室之间的压力差的大小等一定条件后产生 的。因此，因各室之间的压力差使产生冲击波造成的卷起微粒的可能 性增加。
下面，参照附图对室之间的压力差如何影响卷起微粒进行试验的 情况下的结果进行说明。这里，在图1所示的处理室140和预载室150 之间给予各种压力差，进行在打开闸阀144时检测在处理室140卷起 的微粒的量的试验。
首先，对在本试验中使用的微粒量检测装置进行说明。图12表示 设置在处理室140上的微粒量检测装置的结构的例子，图12A为立体 图，图12B为截面图。如图12A所示，微粒量检测装置具有例如激光 照射装置等的激光源210、狭缝220、230、使激光源210的激光消光 的消光装置240、例如CCD摄象机等的受光装置250。在处理室140 的一部分壁上设置有安装石英等构成可以透光的窗口部148。该窗口部 148如图12B所示，设置在来自激光源210的机关可以透过处理室140 内的相面对的位置上，同时受光装置250设置在可以接受处理室140 内的因微粒造成的散射光的位置上。
来自激光源210的激光通过狭缝220而从一个窗口部148入射到 处理室140，透过处理室140内，通过相面对的窗口部148和狭缝230 而入射到消光装置240。利用受光装置250通过另一个窗口148观察此 时产生的微粒造成的散射光。
用这样的试验使微粒粉末附着在处理室140内的气体供给部146 的下面，使预载室150和处理室140压力进行各种各样的变化，通过 受光装置250观察在打开闸阀144时有无微粒飞溅，反复进行多次尝 试，研究了微粒飞溅概率。图13表示该试验的结果。在图13中，横 轴采用预载室150的压力，纵轴采用微粒的飞溅概率，在预载室150 的每个压力上分别绘制设定处理室140的压力在图13右上方栏目中记 载的压力范围得到的微粒飞溅概率的结果。
根据图13所示的试验结果，设右上栏目中的处理室140的压力为 P1，横轴的预载室的压力为P2，例如在P1为0.1mTorr的情况下，从 P2为125mTorr开始产生微粒飞溅，随P1的压力升高，飞溅概率增加， 在大体为175mTorr以上以100％的概率产生微粒飞溅。在P1为14mTorr 的情况下，从P2为100mTorr开始产生微粒飞溅，随P1的压力升高， 飞溅概率增加，在大体为275mTorr以上以100％的概率产生微粒飞溅。
例如，在P1为100mTorr的情况下，从P2为225mTorr开始产生 微粒飞溅，随P1的压力升高，飞溅概率增加，在大体为450mTorr以 上以100％的概率产生微粒飞溅。在P1为200mTorr的情况下，从P2 为400mTorr开始产生微粒飞溅，随P1的压力升高，飞溅概率增加， 在大体为525mTorr以上以100％的概率产生微粒飞溅。
如这样来观察各室之间的压力差和飞溅概率和各压力的关系，可 以看出若P1、P2的压力比(P2/P1)在两倍以上的话，则产生微粒飞 溅，压力比越大微粒飞溅也越大。另一方面，可以看出P1、P2都是越 小越难飞溅，此外，若P1、P2都在100mTorr以下，则例如即使压力 比在两倍以上，也不产生微粒的飞溅。
这样的室之间的压力差和微粒飞溅的关系并不限于是处理室140 和预载室150的情况，例如象预载室150和输送室130的情况，可以 说在室之间存在压力差的情况下，都有相同的关系。
如上所述，可以看出如室之间的压力比在两倍以上时打开闸阀， 产生冲击波，由于此冲击波在室内传播，在室内的微粒飞溅。冲击波 在压力比为两倍时产生，与此冲击波的大小与压力比有关的理论一致。 与此相反，室之间的压力差都在大约100mTorr以下的话，例如即使压 力比为两倍以上，微粒也不飞溅。
因此，在本实施方式的预载室150的大气开放处理中，如控制净 化阀和酸排气阀的开关时间，使预载室150和输送室130的压力差都 在100mTorr以下的话，可以防止在打开闸阀时的微粒被卷起。此外， 即使预载室150和输送室130的压力差都在100mTorr以上，如控制净 化阀和酸排气阀的开关时间，使其压力比不在两倍以上的话，由于能 防止冲击波的产生，所以可以防止因冲击波造成的卷起微粒。
在上述实施方式中，对控制预载室150的向大气开放时的净化阀 的开关时间而适用于本发明的情况进行了说明，但是并不限定于上述 预载室，如是在打开闸阀前导入N2气体等的净化气体，进行压力调整 的室，也可以适用本发明的净化阀开关时间的控制。
此外对于打开室之间的闸阀时产生的冲击波，通过在室之间设置 用后面叙述的拉瓦尔喷管构成的冲击波抑制单元，也可以抑制冲击波。
(具有冲击波抑制单元的基板处理装置的具体例)
下面，参照附图对具有这样的冲击波抑制单元的基板处理装置的 具体例进行说明。图14表示在图1所示的基板处理装置的预载室150 和处理室140之间设置构成冲击波抑制单元情况的例子。
具体地说，图14所示的冲击波抑制单元构成如下。在预载室150 和处理室140之间连接连通各自内部的连通管(旁通线)340。在连通 管340的中间设置有开关此连通管340的控制阀350和形成规定节流 阀的防止冲击波传播单元360。防止冲击波传播单元360是用于防止在 用控制阀350打开连通管340时产生冲击波的传播的装置，例如有规 定的节流阀，可以考虑使冲击波充当稳定波防止传播的装置。
此情况下连通管340的控制阀350设在压力高的室一侧，防止冲 击波传播单元360设在压力低的室一侧。这是因为冲击波在压力低的 室产生，可以更有效地防止冲击波的传播。在图14所示的例子中，作 为处理气体例如使用HCl等的腐蚀气体的情况下，由于大多使预载室 150的压力比处理室140高，使此腐蚀气体氛围不进入预载室150，所 以连通管340的控制阀350设在预载室150一侧，例如设在构成连通 管340的配管342上，防止冲击波传播单元360设在处理室140一侧， 例如设在构成连通管340的配管342、344之间。
作为防止冲击波传播单元360，如果是可以防止冲击波传播的装置 的话，可以使用有节流阀的喷管等各种各样的装置。这样的防止冲击 波传播单元360例如可以用图15所示的拉瓦尔喷管(De Laval Nozzle) 构成。如图15所示，拉瓦尔喷管是有节流阀的喷管，具体说由收缩部 分362、咽喉部分364、扩张部分366构成。此外如图16所示，防止 冲击波传播单元360也可以用在节流阀两侧由扩大的部分构成的喷管 构成。除此以外，防止冲击波传播单元360只要是能防止冲击波传播， 不限定为上述的结构，例如也可以在连通管340上设置阻尼孔和多孔 陶瓷、多孔碳等的过滤片来构成。
如图14所示，在设置防止冲击波传播单元360的基板处理装置中， 在打开闸阀144时，打开闸阀144之前，用控制阀350使连通管340 开放。此时因处理室140和预载室150之间的压力差，在连通管340 内产生冲击波。可是冲击波被用防止冲击波传播单元停留在连通管340 内，例如被用拉瓦尔喷管停留在连通管340内。这样可以防止冲击波 向处理室140传播，可以防止在处理室140内卷起微粒。
可是，通过打开连通管340，处理室140和预载室150通过连通管 340连通，所以使处理室140和预载室150之间的压力差充分减小。而 处理室140和预载室150之间的压力差即使变成不产生冲击波程度的 压力差，也要打开闸阀144。这样由于即使打开闸阀144也不产生冲击 波，可以可靠地防止因冲击波造成的卷起微粒。
这样在室之间设置连通管340，用在此连通管340内设置防止冲击 波传播单元360这样的简单结构，由于即使在连通管340内产生冲击 波，可以使此冲击波成为驻波，不仅打开闸阀144时，即使打开连通 管340也能有效地防止因冲击波造成的卷起微粒。此外如采用图14所 示的基板处理装置，由于可以防止冲击波向容易被微粒污染的处理室 140传播，可以有效地防止微粒对基板的污染。
(具有冲击波抑制单元的基板处理装置的变化例)
下面，参照附图对具有冲击波抑制单元的基板处理装置的变化的 例子进行说明。图17为表示具有冲击波抑制单元的基板处理装置的变 化的例子的结构的简图。在此对把腐蚀气体作为处理气体使用的基板 处理装置中使用抑制冲击波机构的情况进行说明。
在处理室140中将腐蚀气体作为处理气体使用的情况下，为了保 护连通管340来自腐蚀气体的腐蚀，例如象图17所示那样构成。也就 是说，在连通管340上增加设在配管342上的控制阀350，用防止冲击 波传播单元360也在处理室140一侧的配管344上设置控制阀430。此 外此连通管340的配管344中，在防止冲击波传播单元360和控制阀 430之间连接排气管420。而在此排气管420上设置控制阀440，排气 管420连接到对连通管340抽成真空的干燥泵等的真空泵410。
在图17所示的基板处理装置中，打开闸阀144时在其打开之前进 行如下处理。首先在连通管340两侧的控制阀350、430都关闭时，用 真空泵410对连通管340抽成真空。这样对残留在连通管340中的处 理气体进行排气。此时使连通管340的压力比处理室140的压力低。
然后，两侧的室中压力低的室(图17所示的情况下为处理室140) 一侧的控制阀430被打开。此时因连通管340和处理室140的压力差 产生冲击波。可是由于连通管340已经被抽成真空，压力比处理室140 低，冲击波在连通管340中产生，在处理室140内不产生因冲击波造 成的卷起微粒，所以基板也不会被污染。此外由于预载室150一侧的 控制阀350关闭，所以打开控制阀430时产生的冲击波也没有传播到 预载室150。这样即使打开连通管340的控制阀430，在预载室150也 没有产生因冲击波造成的卷起微粒。
随后打开预载室150一侧的控制阀350。此时因预载室150和处理 室140的压力差，在压力低的预载室150一侧的连通管340中产生冲 击波。可是由于冲击波被用防止冲击波传播单元停留在连通管340内， 例如被用拉瓦尔喷管停留在连通管340内，不向处理室140传播。这 样在处理室140内没有产生因冲击波造成的卷起微粒，所以基板也不 被污染。
鉴于冲击波的大小与室之间的压力比成比例，这样的处理优选的 是在判断两个室的压力的基础上实施，使室之间的压力比不变得过大。
此外，连通管340的抽成真空可以从处理室140取出基板结束在 关闭了闸阀144之后，与处理室140内抽成真空时同时进行。也就是 说，在处理室140内抽成真空时，如打开处理室140一侧的控制阀430， 利用对处理室140抽成真空的真空泵的作用，可以不仅对处理室140 内，而且对连通管340内进行抽成真空。这样可以不要对连通管340 内抽成真空的排气管420和真空泵410。
此外，在图14和图17所示的例子中，对于将在处理室140和预 载室150作为有压力差的室之间设置抑制冲击波机构的情况进行了说 明，但并不限于此，也可以在各个室之间设置抑制冲击波机构。例如 也可以在预载室150和输送室130之间设置抑制冲击波机构。
(基板处理装置的其他结构例)
下面，对可以使用本发明的基板处理装置的其他结构的例子进行 说明。例如本发明不限于图1所示的基板处理装置，可以适用于各种 各样的基板处理装置。在图18中表示真空单元用多室构成的基板处理 装置的简要结构。
图18所示的基板处理装置500具有真空处理单元510，它具有对 被处理基板例如半导体晶片W进行成膜处理、蚀刻处理等的各种处理 的多个处理室540；输送单元120，它相对此真空处理单元510把晶片 W送入和取出。输送单元120的结构由于与图1大体相同，对于实际 有相同功能结构的构成要素采用相同标号，省略了重复的说明。图18 所示的输送单元120是配置在输送室130内的、用具有一个拾取器的 单臂机构构成共用输送装置(大气一侧输送装置)160的例子。固定共 用输送装置160的基座162被支承在沿长度方向设置的导轨164上， 可以在输送室130内。在此基座162和导轨164上分别设置有线性电 动机线性电动机的可动部件和固定部件。在导轨164的端部设置有用 于驱动线性电动机的线性电动机驱动机构166。在线性电动机驱动机构 166上连接控制器180。这样以从控制器180的控制信号为基础，驱动 线性电动机驱动机构166，共用输送装置160和基座162都沿导轨164 向箭头方向移动。
图18是表示例如把有六个处理室540A、540B、540C、540D、540E、 540F的真空处理单元510配置在输送单元520的侧面的图。真空处理 单元510具有把晶片送入或取出六个处理室540A～540F的共用输送室 550，各处理室540A～540F分别通过闸阀512A、512B、512C、512D、 512E、512F配置在此共用输送室520的周围。此外构成可以抽成真空 第一、第二预载室560M、560N分别通过闸阀564M、564N配置在共 用输送室520上。此第一、第二预载室560M、560N分别通过闸阀562M、 562N连接在输送室130的侧面。
这样在上述共用输送室550和上述六个各处理室540A～540F之间 和上述共用输送室550和上述各预载室560M、560N之间，构成可以 开关的气密结构，被作成组合台，根据需要可以连通共用输送室550。 此外上述第一和第二的各预载室560M、560N和上述输送室130之间 也分别构成可以开关的气密结构。
上述各处理室540A～540F对晶片W进行例如相同种类的处理或 相互不同种类的处理。在各处理室540A、540B内分别设置用于放置 晶片W的载物台542A、542B、542C、542D、542E、542F。此外处理 室540并不限定为六个，也可以增加设置。
上述各预载室560M、560N具有暂时保持晶片W，在调整压力后 使其通向下一段的功能。上述预载室560M、560N也可以以具有冷却 装置和加热装置的方式构成。此外，预载室560M、560N的气体配管 结构分别与图2所示的情况相同。
在共用输送室550内设置例如由形成可以弯曲、升降、旋转的多 关节臂组成的输送装置(真空侧的输送装置)570。该输送装置570被 支承在基座572上可以自由旋转。基座572构成例如利用杠杆机构576 在从共用输送室550内基端到前端配置的导轨574上可以自由滑动。 如采用这样构成的输送装置570，通过使输送装置570沿导轨574滑动， 可以到达各预载室560M、560N和各处理室540A～540F。例如在要到 达上述各预载室560M、560N和相面对设置的处理室540A、540F时， 要使输送装置570沿导轨574位于靠近共同输送室550的基端一侧。 此外要到达上述六个处理室540B～540E时，要使输送装置570沿导轨 574位于靠近共同输送室550的前端一侧。这样用一个输送装置570可 以到达连接共用输送室550的所有的预载室560M、560N和各处理室 540A～540F。输送装置570有两个拾取器，可以一次处理二块晶片。
输送装置570的结构不限定于上述的结构，可以用二个输送装置 构成。例如也可以在靠近共用输送室550的基端设置由形成可以弯曲、 升降、旋转的多关节臂组成的第一输送装置，同时在靠近共用输送室 550的前端设置由形成可以弯曲、升降、旋转的多关节臂组成的第二输 送装置。此外上述输送装置570的拾取器数不限定为二个的情况，例 如也可以是只有一个拾取器的结构。
在如图18所示的基板处理装置500中，在输送单元120的输送室 130和预载室560M、560N之间，要打开闸阀562M、562N时也是在 它打开之前，与图1所示的基板处理装置相同，一边向预载室560M、 560N导入净化气体，一边进行向大气开放的大气开放处理。因此在这 样的预载室560M、560N的大气开放处理中，也与本发明的情况相同， 关闭控制阀(净化阀)V1的时间和打开酸排气阀V8的时间可以自由 设定，例如可以使用图5或图9所示的大气开放处理。
由于这样可以防止预载室560M、560N的压力升高到需要的压力 以上，所以可以防止微粒被卷起，而且可以预先排放在预载室560M、 560N中残留的处理气体、例如腐蚀性气体，而无须等待打开闸阀562M、 562N。
在共用输送室550和各处理室540A～540F之间，在要打开闸阀 544A～544F时，因目的是防止腐蚀性气体等的处理气体从各处理室 540A～540F流入共用输送室550，大多利用向共用输送室550导入净 化气体，使共用输送室550的压力稍高于各处理室540A～540F的压力。 因此，由于在共用输送室550和各处理室540A～540F之间也产生压力 差，根据此压力差的大小会产生冲击波，造成微粒被卷起。因此，通 过在共通搬送室550和各处理室540A～540F之间设置例如图14或图 17所示的冲击波抑制单元，与图1所示的基板处理装置100的情况相 同，可以可靠地防止因冲击波造成的微粒被卷起。
(室的自检处理)
在上述的图1或图18中所示的处理室140、540和预载室150、560 等的各室中，主要是以提高定期维护的操作效率、缩短操作的时间为 目的，有时对用真空泵抽成真空(排气)的真空系统、提供处理气体 和净化气体等的规定气体的气体系统进行检查的自检处理。
参照附图对这样的自检处理的具体例进行说明。图19是表示在处 理室140、540中的自检功能中进行这样处理的一般例子的流程图。首 先在S810步骤用真空系统进行抽成真空。例如使真空泵等动作，打开 真空排气阀，对处理室140、540抽成真空，在S820步骤等待配置在 气体系统上、例如配置在处理气体导入管等上的质量流量控制器 (MFC)稳定。
在S820判断经过了等待MFC稳定时间的情况下，在S830步骤导 入规定的气体(例如在处理室140、540自检的情况下导入处理气体)， 一边用设置在处理室140、540中的膜式压力计、例如电容式压力计监 视压力，一边使压力上升到规定压力(提升)。导入处理气体时，是用 在很宽范围可以检测压力的膜式压力计，一般可以在10-4Torr～102Torr 左右的范围检测压力。膜式压力计例如在真空计容器内用薄的金属膜 分隔，安装成金属膜的一侧密封成真空状态，金属膜的另一侧与处理 室连通。
然后，在S840步骤利用设在真空系统、例如设在真空排气管上的 检测元件的真空计、例如对流式真空计监视压力，同时利用真空系统 进行抽成真空。其中由于进行抽成真空，所以用配置在真空排气管上 的真空计进行压力检测。利用检测元件的真空计，除了上述的对流式 真空计以外可以列举的还有皮拉尼真空计、水晶摩擦真空计等。对流 式真空计和皮拉尼真空计例如是把用白金细丝构成的检测元件的温度 变化变成电阻的变化来检测压力的仪器，一般可以在10-3Torr～1Torr 左右的范围检测压力。此外水晶摩擦真空计是用音叉形水晶振子组成 的检测元件的共振状态的变化检测压力的仪器，一般可以在10-2Torr～ 103Torr左右的范围检测压力。作为水晶摩擦真空计可以列举的有兼有 水晶摩擦真空计功能和B-A形电离真空计功能的复合真空计的例如 晶体计。利用这样的检测元件的真空计具有把检测元件暴露在气体中 进行检测压力的特征。
然后，按S850、S860、S870步骤的顺序分别反复进行与S820、 S830、S840步骤的处理相同的处理，完成一系列的自检处理。
这样在图19所示的自检处理中，在提升(增加)导入的处理气体 时(S830、S860步骤)，与使用膜式压力计监视压力的情况相反，在抽 成真空时(S840、S870步骤)，由于使用真空系统，使用配置在真空管 等上的检测元件的真空计监视压力。
利用这样的检测元件的真空计与膜式压力计不同，由于将检测元 件直接暴露在真空排气管中流动的处理气体中来检测压力，暴露在处 理气体中的时间越长，比膜式压力计越容易产生故障和随时间的变化。 因此象图19所示的处理那样，如直到与实际的基板处理不同的自检处 理时，使用利用检测元件的真空计，容易产生真空计的故障等，存在 有寿命变短的问题。
而且，采用利用检测元件的真空计可以检测的压力范围包括在可 以用膜式压力计检测的范围内。也就是由于利用检测元件的真空计、 例如对流式真空计和皮拉尼真空计可以检测的压力范围为10-3Torr～ 1Torr，用水晶摩擦真空计可以检测的压力范围为10-2Torr～103Torr，对 于这些都包括在用膜式压力计、例如用电容式压力计可以检测的范围 10-4Torr～102Torr内。因此也可以用膜式压力计替代利用检测元件的真 空计来检测压力。
所以，在自检处理中使用膜式压力计、例如使用电容式压力计来 替代利用检测元件的真空计，如不使用利用检测元件的真空计，可以 防止利用检测元件的真空计的故障和随时间的变化。
其中，图20表示不使用利用检测元件的真空计进行自检处理的具 体例。在图20所示的自检处理中，首先，在S910步骤用真空系统进 行抽成真空，在S920步骤等待配置在气体系统上、例如配置在处理气 体导入管等上的质量流量控制器(MFC)稳定。然后在S920步骤判断 经过了等待MFC稳定时间的情况下，在S930步骤一边用设置在处理 室140、540中的膜式压力计、例如电容式压力计监视压力，一边使压 力上升到规定压力(提升)。到此为止与图19所示的到S810～S830步 骤的处理相同。
然后，在S940步骤一边用膜式压力计(例如电容式压力计)监视 压力，一边用真空系统进行抽成真空。此时在设置用检测元件的真空 计(例如对流式真空计、皮拉尼真空计、晶体计等)的情况下，关闭 其保护阀，使腐蚀性气体等的处理气体不进入到真空计内。
然后，按S950、S960、S970步骤的顺序分别反复进行与S920、 S930、S940步骤的处理相同的处理，完成一系列的自检处理。
这样，在图20所示的自检处理中，不仅在提升的导入处理气体时 (S930、S960步骤)使用膜式压力计(例如电容式压力计)监视压力， 在抽成真空时(S940、S970步骤)也使用膜式压力计(例如电容式压 力计)监视压力。这样由于不使用利用检测元件的真空计(例如对流 式真空计、皮拉尼真空计、晶体计等)进行自检处理，所以可以降低 利用检测元件的真空计的故障等的概率，可以延长寿命。
上面参照附图对本发明适合的实施方式进行了说明，但不用说并 不限定为这样的例子。是本领域技术人员就可以想到，在权利要求范 围中所述的范畴内各种变化的例子或修正的例子，对于这些能够理解 为当然属于本发明的技术的范围。