技术领域
本发明涉及离子辅助沉积镀膜技术,特别是一种用于离子源的离子束流 密度和能量的同步测量装置,也可用于离子注入、改性以及溅射中离子源所 发射离子能量和束流密度的测量。
背景技术
离子束技术已被证实可有效改善
薄膜质量并广泛应用于薄膜沉积技术 中,其关键设备离子源的性能也成为影响沉积质量的重要因素。
离子源发射出一定离子能量和束流密度的离子束,使其在
真空室中运行 一定距离后作用到薄膜分子或
原子上,发生动量和能量交换作用,从而改变 了生长中的薄膜性质,这就是离子辅助沉积的过程。
离子辅助沉积的优点是可以通过控制离子的参数来控制薄膜的属性,因 此要考察离子束辅助效果,必须考察离子束的参数,包括离子的束流密度、 能量、离子束发散
角、离子种类等,其中离子的能量和束流密度是最重要的 又最难确定的参数,因此离子束辅助沉积需要一种探测离子束流密度和能量 的装置。
离子束流密度和能量的同步测量存在以下难点:
阳离子和
电子的分离。离子源所发射的离子束一般为阳离子和电子共同 存在的
等离子体,它们之间互相干扰影响了测量的准确性,因此需要在探测 时进行分离。
束流密度和能量测量的同步性。对同一种离子进行空间分布和能量分布 的测量是很不现实的,因此两个参数需要针对两种粒子进行测量。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服上述难点,提供一种离子源的离子束 流密度和能量的同步测量装置,该装置应具有结构简单和操作方便的特点。
本发明的原理是:
通过
磁场偏转进行阳离子和电子的分离:电子通过电子接收器进行采集, 其数量反映了束流密度,即通过的
电流与该装置对应捕获面积的比值;而阳 离子通过阳离子接收器进行采集,通过对阳离子运行轨迹的分析,获得离子 能量的分布情况。
本发明的技术解决方案如下:
一种用于离子源的
离子束流密度和能量的同步测量装置,其特征在于包 括:采用磁屏蔽材料制成一圆柱形采集筒,在圆柱形采集筒内设置一筒形结 构的离子
过滤器,其截面为一半圆形及一等腰直角三角形的一直角边和 斜边围合而成,在该采集筒的
侧壁上及所述的离子过滤器的半圆形和三角 形的斜边连接处采用磁屏蔽材料设一引流孔,在离子过滤器的半圆形
位置 设置碗形电子接收器,在离子过滤器的等腰直角三角形的直角边和斜边位 置处设置一片状阳离子接收器,该离子过滤器接地,但与所述的阳离子接收 器和电子接收器绝缘,在该采集筒内两个端面分别设置电磁线圈,该两电磁 线圈与该采集筒外的一可调恒压直流电源相连,以在该采集筒中离子过滤器 内建立恒定的可调的匀强磁场,所说的阳离子接收器经第一
电阻和第一毫安 表接地,所说的电子接收器经第二电阻和第二毫安表接地。
所述的阳离子接收器的金属片的尺寸与所述的引流孔的尺寸相当,分别 位于离子过滤器的斜边的两侧对称放置,并互相垂直。
所述的两个电磁线圈的中心同轴,二者之间的距离与线圈直径相等。
本发明的优点
本发明能够同时对离子能量和束流密度进行测量。可以同时获得束流密 度和离子能量的分布规律。本装置不但可以用于离子辅助沉积离子束流密度 和能量的测量,还可用于离子注入、离子改性和离子溅射中束流密度和能量 的测量。本发明装置使用简单,操作方便,实用性强。
附图说明
图1是本发明离子源的离子能量和束流密度的同步测量装置的结构剖视 示意图
图2是使用本发明测量Ar离子源的Ar离子相对束流与离子能量的关系 曲线。离子源
阳极电压为120V情况下Ar离子相对束流与离子能量的关系曲 线,代表了离子能量的分布情况,中心线处横坐标代表离子束的平均能量。
图3是使用本发明测量离子源阳极电压为120V情况下束流密度的分布情 况
图4是使用本发明测量离子平均能量随阳极电压的变化曲线。
具体实施方式
下面结合
实施例和附图对本发明作进一步说明,但不应以此限制本发明 的保护范围。
请参阅图1,图1是本发明离子源的离子能量和束流密度的同步测量装置 的结构剖视示意图,由图可见,本发明离子束流密度和能量的同步测量装置, 其特征在于包括:采用磁屏蔽材料制成一圆柱形采集筒2,在圆柱形采集筒2 内设置一筒形结构的离子过滤器4,其截面为一半圆形及一等腰直角三角 形的一直角边和斜边围合而成,在该采集筒2的侧壁上及所述的离子过滤 器4的半圆形和三角形的斜边连接处采用磁屏蔽材料设一引流孔1,在离 子过滤器4的半圆形位置设置碗形电子接收器7,在离子过滤器4的等腰 直角三角形的直角边和斜边位置处设置一片状阳离子接收器6,该离子过 滤器4接地,但与所述的阳离子接收器和电子接收器绝缘,在该采集筒2内 两个端面分别设置电磁线圈5,该两电磁线圈5与该采集筒2外的一可调恒压 直流电源相连,以在该采集筒2中离子过滤器4内建立恒定的可调的匀强磁 场3,所说的阳离子接收器6经第一电阻8和第一毫安表9接地,所说的电子 接收器7经第二电阻9和第二毫安表11接地。
本实施例中各部分的元件的主要性能参数和作用:
引流孔1:位于装置下方的直径为2mm的小孔,孔壁采用磁屏蔽材料制 成,用于引入离子流。
采集筒2:为圆柱形的封闭装置,其
外壳采用磁屏蔽材料制成,用来避免 磁场对离子束的干扰,保证正常测量。
磁场3:由装置前后两个面的电磁线圈产生,用以改变粒子运动方向,使 阳离子和电子分别向左右两个方向运动,分离后分别由接收器捕捉。
离子过滤器4:由金属片围绕而成,完全环绕着阳离子接收器,电子接收 器及全部的入射粒子。该器件与地相连,用来滤除不需要的阳离子。
电磁线圈5:由装置前后两个面的电磁线圈构成亥姆霍兹线圈,外接直流 电源,通过调节该
电源电压,产生可调的恒定的匀强磁场3。
阳离子接收器6由直径2mm的金属片制成,与离子过滤器4的外壳绝缘, 外接第一电阻8和第一毫安表9,用以采集一定运行轨迹的阳离子。
电子接收器7为一碗形金属片,可以
覆盖该装置的右半部分,与离子过 滤器的外壳绝缘,电子接收器7经第二电阻10和第二毫安表11接地,用以 采集绝大多数的电子。
第一电阻8用以在测量时进行分压,起到保护
电路的作用。
第一毫安表9通过测量电路中的电流,得出经流的阳离子数量。
第二电阻10:用以在测量时进行分压,起到保护电路的作用。
第二毫安表11,通过测量电路中的电流,得出经流的电子数量。
本发明装置的测量流程是:
将本发明装置的引流孔1正对着待测离子源的离子发射方向,由离子源 发射的等离子体束正入射至引流孔1后,在磁场3的作用下,在采集筒2内 的阳离子和电子分别获得两个方向相反的运动速度,如图1所示,电子向右 被电子接收器7所捕获,电子流经第二电阻10和第二毫安表11,由第二毫安 表11记录该电子流的大小,将第二毫安表11所示读数除以入射的引流孔1 的截面积即为电子流密度,由于所发射的为等离子体,因此电子流密度即为 离子源的束流密度;而阳离子向左运动,其中一部分被离子过滤器4过滤掉, 只有满足一定运行轨道半径的阳离子才能被阳离子接收器6所捕获,通过对 运动轨迹的分析,得出该条件下离子的能量。第一毫安表9所代表的即为该 能量下的阳离子流密度,我们将两表示数值相比定义为相对束流,亦即该能 量下的束流的分布概率。
设入射离子质量m,速度v,能量E,电量q,运行轨迹半径r,可变磁 场的磁感应强度B,根据公式
l = mv 2 qB = 2 E qB 即可求出入射离子能量。调节磁场3,使第一毫安表9的示数,经过由小 到大然后又变小的过程,即可捕捉到全部能量范围情况,最后通过积分我们 就可以获得离子源的能量情况。
利用本发明装置对离子源进行了测量,其结果如图2、图3和图4所示。 试验表明本发明的优点是:能够同时对离子能量和束流密度进行测量。可以 同时获得离子束流密度和能量的分布规律。本发明不但可以用于离子辅助沉 积离子束流密度和能量的测量,还可用于离子注入、离子改性和离子溅射中 束流密度和能量的测量。本发明装置使用简单,操作方便,实用性强。