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一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受方法

阅读:149发布:2020-06-04

专利汇可以提供一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝 接触 端口受 力 方法,包括以下步骤:建立地线预绞丝 几何模型 ,使用有限元仿真计算接触点预压力;根据预压力确定导电桥初始半径;在导电桥初始半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的安培力和Holm力;通过预压力、安培力、Holm力的合力对导电桥初始半径进行校正;在导电桥校正半径下,计算校正安培力和校正Holm力;将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力比较,进行差值判断,若差值在 精度 要求则获得最终结果;若差值不在精度要求内则重新校正导电桥半径;本发明能够精确地仿真计算出地线预绞丝接触端面的受力,可以用于架空地线事故防范中。,下面是一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受方法专利的具体信息内容。

1.一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、建立地线预绞丝几何模型,使用有限元仿真计算接触端口接触点的预压力FK;
S2、根据获得的预压力确定导电桥初始半径;
S3、在导电桥的初始半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的安培力FL,计算接触端口接触点由于电流收缩产生的Holm力FH;
S4、通过预压力、安培力、Holm力的合力对导电桥的初始半径进行校正,得到导电桥校正半径;
S5、在导电桥校正半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的校正安培力,计算接触端口接触点由于电流收缩产生的校正Holm力;
S6、将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力进行比较,判断差值是否在精度要求范围内;若差值在精度要求内,则获得最终结果;若差值不在精度要求内,回到步骤S4。
2.根据权利要求1所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述步骤S1具体为:建立地线预绞丝几何模型,所述地线预绞丝几何模型分为内层和外层;所述内层为地线,有K股,K≥7,其中中心股为圆柱,其他股为螺旋,其他股围绕中心股围成圆圈;所述外层为预绞丝,有L股,L≥12,外层围绕内层围成圆圈,内层和外层螺旋方向相同;对建立的地线预绞丝几何模型运用有限元仿真的固体力学部分进行求解,即使用comsol进行求解,得到接触端口接触点的预压力。
3.根据权利要求1所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述步骤S2具体为:接触点在电学方面的计算以导电桥进行模拟,设导电桥高度为0.15mm,导电桥初始半径r则有:
其中,Fk为预压力,ξ为地线预绞丝间的接触情况,H为材料的布氏硬度。
4.根据权利要求3所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述ξ=0.45。
5.根据权利要求1所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述步骤S3具体为:设定待研究电流,对地线预绞丝几何模型进行有限元仿真的电学部分求解,即使用comsol进行求解,得到分布安培力,将得到的分布安培力输入到固体力学进行有限元求解,得到安培力在接触点作用;
对接触点处由于电流收缩产生的Holm力FH进行计算,则有:
其中,R为导体半径,r为导电桥初始半径,i为待研究电流强度,μ0为真空磁导率。
6.根据权利要求5所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述R=1.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述步骤S4具体为:使用求解出的预压力、安培力、Holm力计算出接触点所受的合力F:
F=FH+FL+FK,
再运用合力对导电桥半径进行修正,得到导电桥校正半径r':
其中,ξ为地线预绞丝间的接触情况,H为材料的布氏硬度。
8.根据权利要求1所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述步骤S5具体为:设定待研究电流,在导电桥校正半径下,对地线预绞丝几何模型进行有限元仿真的电学部分求解,即使用comsol进行求解,得到校正分布安培力FL',将得到的校正分布安培力输入到固体力学进行有限元求解,得到校正安培力在接触点作用;
对接触点处由于电流收缩产生的校正Holm力FH进行计算,则有:
其中,R为导体半径,r'为导电桥初始半径,i为待研究电流强度,μ0为真空磁导率。
9.根据权利要求1所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述步骤S6具体为:将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力进行比较,得到差值σ:
其中,FH'为校正Holm力,FH为Holm力,FL'为校正安培力,FL为安培力;
判断差值σ是否在精度要求范围内,即差值σ与需求最小误差σ0进行比较,若:
σ≤σ0,
即差值在精度要求内,校正安培力和校正Holm力为最终获得的精确结果;若:σ小于σ0,即差值不在精度要求内,回到步骤S4继续迭代
10.根据权利要求9所述的一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,其特征在于,所述需求最小误差σ0为5%。

说明书全文

一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受方法

技术领域

[0001] 本发明涉及高电压工程仿真的研究领域,特别涉及一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法。

背景技术

[0002] 架空地线意外事故的发生严重的影响了电网的稳定运行,而架空地线意外事故多会发生在地线与预绞丝接触端口处。因此对地线预绞丝接触端口进行精确的仿真分析对预防事故的发生具有重要的作用。而对于接触端口受力的分析更是其中的一个重点。对于接触端口的分析现今有采用电桥等效地线预绞丝接触点的方法来进行分析,但是现今采用的方法都是直接确定导电桥半径后对接触点所受的Holm力、安培力进行计算;而导电桥的半径却又是跟接触点的受力相关联的,这无疑会使得仿真计算出现误差。

发明内容

[0003] 本发明的主要目的在于克服现有技术的缺点与不足,提供一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,将受力情况反馈回到导电桥半径的确定上,提高了最终计算结果的精度
[0004] 本发明的目的通过以下的技术方案实现:
[0005] 一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,包括以下步骤:
[0006] S1、建立地线预绞丝几何模型,使用有限元仿真计算接触端口接触点的预压力FK;
[0007] S2、根据获得的预压力确定导电桥初始半径;
[0008] S3、在导电桥的初始半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的安培力FL,计算接触端口接触点由于电流收缩产生的Holm力FH;
[0009] S4、通过预压力、安培力、Holm力的合力对导电桥的初始半径进行校正,得到导电桥校正半径;
[0010] S5、在导电桥校正半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的校正安培力,计算接触端口接触点由于电流收缩产生的校正Holm力;
[0011] S6、将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力进行比较,判断差值是否在精度要求范围内;若差值在精度要求内,则获得最终结果;若差值不在精度要求内,回到步骤S4。
[0012] 进一步地,其特征在于,所述步骤S1具体为:建立地线预绞丝几何模型,所述地线预绞丝几何模型分为内层和外层;所述内层为地线,有K股,K≥7,其中中心股为圆柱,其他股为螺旋,半径均为1.5mm,螺旋的螺距为80mm,其他股围绕中心股围成圆圈;所述外层为预绞丝,有L股,L≥12,半径为1.5mm,螺距为130mm,外层围绕内层围成圆圈,内层和外层螺旋方向相同;导电桥设置于地线与预绞丝螺旋接触处,其轴线与地线预绞丝侧面切面垂直,高度设置为1.5mm;
[0013] 对建立的地线预绞丝几何模型运用有限元仿真的固体力学部分进行求解,即使用comsol进行求解,得到接触端口接触点的预压力。
[0014] 进一步地,所述步骤S2具体为:接触点在电学方面的计算以导电桥进行模拟,设导电桥高度为0.15mm,导电桥初始半径r则有:
[0015]
[0016] 其中,Fk为预压力,ξ为地线预绞丝间的接触情况,H为材料的布氏硬度;
[0017] 进一步地,所述ξ=0.45;
[0018] 进一步地,所述步骤S3具体为:设定待研究电流,对地线预绞丝几何模型进行有限元仿真的电学部分求解,即使用comsol进行求解,得到分布安培力,将得到的分布安培力输入到固体力学进行有限元求解,得到安培力在接触点作用;
[0019] 对接触点处由于电流收缩产生的Holm力FH进行计算,则有:
[0020]
[0021] 其中,R为导体半径,r为导电桥初始半径,i为待研究电流强度,μ0为真空磁导率;
[0022] 进一步地,所述R=1.5mm;
[0023] 进一步地,所述步骤S4具体为:使用求解出的预压力、安培力、Holm力计算出接触点所受的合力F:
[0024] F=FH+FL+FK,
[0025] 再运用合力对导电桥半径进行修正,得到导电桥校正半径r':
[0026]
[0027] 其中,ξ为地线预绞丝间的接触情况,H为材料的布氏硬度;
[0028] 进一步地,所述步骤S5具体为:设定待研究电流,对地线预绞丝几何模型进行有限元仿真的电学部分求解,即使用comsol进行求解,得到校正分布安培力FL',将得到的校正分布安培力输入到固体力学进行有限元求解,得到校正安培力在接触点作用;
[0029] 对接触点处由于电流收缩产生的校正Holm力FH进行计算,则有:
[0030]
[0031] 其中,R为导体半径,r'为导电桥初始半径,i为待研究电流强度,μ0为真空磁导率;
[0032] 进一步地,所述步骤S6具体为:将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力进行比较,得到差值σ:
[0033]
[0034] 其中,FH'为校正Holm力,FH为Holm力,FL'为校正安培力,FL为安培力;
[0035] 判断差值σ是否在精度要求范围内,即差值σ与需求最小误差σ0进行比较,若:
[0036] σ≤σ0,
[0037] 即差值在精度要求内,校正安培力和校正Holm力为最终获得的精确结果;若:σ小于σ0,即差值不在精度要求内,回到步骤S4继续迭代
[0038] 进一步地,所述需求最小误差σ0为5%。
[0039] 本发明与现有技术相比,具有如下优点和有益效果:
[0040] 1、本发明将计算结果反馈回导电桥的半径计算中,并不断迭代进行计算,提高精确度;
[0041] 2、本发明采用的有限元仿真为较少的物理场强耦合,大大缩减计算量,且根据不同的精度要求,调整迭代次数和迭代时间,更加灵活。附图说明
[0042] 图1是本发明所述一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法的方法流程图
[0043] 图2是本发明所述实施例中预压力的地线预绞丝几何模型在电线预绞丝接触端面处的示意图;
[0044] 图3是本发明所述实施例中安培力的地线预绞丝几何模型在地线预绞丝接触端面处的示意图;
[0045] 图4是图3虚线框导电处局部放大图。
[0046] 图中,1-预绞丝,2-地线,3-导电桥,r-导电桥半径,h-导电桥高度。

具体实施方式

[0047] 下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
[0048] 实施例
[0049] 一种结合仿真精确计算架空地线预绞丝接触端口受力方法,如图1所示,包含以下步骤:
[0050] 第一步、建立地线预绞丝几何模型,使用有限元仿真计算接触端口接触点的预压力FK;具体为:建立地线预绞丝几何模型,图2为预压力的地线预绞丝几何模型在电线预绞丝接触端面处的示意图,即地线预绞丝几何模型在电线预绞丝接触端面处的示意图,所述地线预绞丝几何模型分为内层和外层;所述内层为地线,有7股,其中中心股为圆柱,其他6股为螺旋,半径均为1.5mm,螺旋的螺距为80mm,其他股围绕中心股围成圆圈;所述外层为预绞丝,有12股,半径为1.5mm,螺距为130mm,外层围绕内层围成圆圈,内层和外层螺旋方向相同;
[0051] 对建立的地线预绞丝几何模型运用有限元仿真的固体力学部分进行求解,即使用comsol进行求解,得到接触端口接触点的预压力。
[0052] 第二步、根据获得的预压力确定导电桥初始半径;具体为:接触点在电学方面的计算以导电桥进行模拟,设导电桥高度为0.15mm,导电桥初始半径r则有:
[0053]
[0054] 其中,Fk为预压力,ξ为地线预绞丝间的接触情况,ξ=0.45,即工程上对地线与预绞丝之间的接触情况描述,H为材料的布氏硬度;
[0055] 第三步、设置导电桥于地线与预绞丝螺旋接触处,其轴线与地线预绞丝侧面切面垂直,高度设置为1.5mm,图3为安培力的地线预绞丝几何模型在地线预绞丝接触端面处的示意图,即将接触点的电特性用导电桥等效代替后进行计算的模型图,图4是图3虚线框导电处局部放大图;在导电桥的初始半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的安培力FL,计算接触端口接触点由于电流收缩产生的Holm力FH;具体为:设定待研究电流,对地线预绞丝几何模型进行有限元仿真的电学部分求解,即使用comsol进行求解,得到分布安培力,将得到的分布安培力输入到固体力学进行有限元求解麦克斯韦方程,得到安培力在接触点作用;
[0056] 对接触点处由于电流收缩产生的Holm力FH进行计算,则有:
[0057]
[0058] 其中,R为导体半径,R=1.5mm,r为导电桥初始半径,i为待研究电流强度,μ0为真空磁导率;
[0059] 第四步、通过预压力、安培力、Holm力的合力对导电桥的初始半径进行校正,得到导电桥校正半径;具体为:使用求解出的预压力、安培力、Holm力计算出接触点所受的合力F:
[0060] F=FH+FL+FK,
[0061] 再运用合力对导电桥半径进行修正,得到导电桥校正半径r':
[0062]
[0063] 其中,ξ为地线预绞丝间的接触情况,H为材料的布氏硬度;
[0064] 第五步、在导电桥校正半径下,使用有限元仿真计算接触端口接触点所受的校正安培力,计算接触端口接触点由于电流收缩产生的校正Holm力;具体为:设定待研究电流,对地线预绞丝几何模型进行有限元仿真的电学部分求解,即使用comsol进行求解,得到校正分布安培力FL',将得到的校正分布安培力输入到固体力学进行有限元求解,得到校正安培力在接触点作用;
[0065] 对接触点处由于电流收缩产生的校正Holm力FH进行计算,则有:
[0066]
[0067] 其中,R为导体半径,r'为导电桥校正半径,i为待研究电流强度,μ0为真空磁导率;
[0068] 第六步、将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力进行比较,判断差值是否在精度要求范围内;若差值在精度要求内,则获得最终结果;若差值不在精度要求内,回到第四步;一般两次迭代的电流或力差别在5%以内就可以视为收敛。
[0069] 具体为:将校正安培力和校正Holm力与安培力和Holm力进行比较,得到差值σ:
[0070]
[0071] 其中,FH'为校正Holm力,FH为Holm力,FL'为校正安培力,FL为安培力;
[0072] 判断差值σ是否在精度要求范围内,即差值σ与需求最小误差σ0进行比较,若:
[0073] σ≤σ0,
[0074] 即差值在精度要求内,校正安培力和校正Holm力为最终获得的精确结果;若:σ小于σ0,即差值不在精度要求内,回到第四步继续迭代;
[0075] 进一步地,所述需求最小误差σ0为5%。
[0076] 上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
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