封装对准结构
专利汇可以提供封装对准结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种封装对准结构，包括：一第一 基板 ；多个导电引脚位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相对处；多个导电 凸 块 位于上述第二基板上且位于上述导电引脚相对处；以及至少两个隔离块位于上述第一基板上且位于上述导电引脚的两侧，且与该些导电引脚相距一固定距离，使该些导电凸块与该些隔离块间的距离小于等于一失准对准时所能允许的最大偏移值，且该些隔离块的高度高于对准压合后该些导电凸块的底部，且低于对准压合后该些导电凸块的顶端。，下面是封装对准结构专利的具体信息内容。
1.一种封装对准结构，包括：
一第一基板；
多个导电引脚位于上述第一基板上；
一第二基板位于上述第一基板相对处；
多个导电凸块位于上述第二基板上且位于上述导电引脚相对处；以及
至少两个隔离块位于上述第一基板上且位于上述导电引脚的两侧，且与 该些导电引脚相距一固定距离，使该些导电凸块与该些隔离块间的距离小于 等于一失准对准时所能允许的最大偏移值，且该些隔离块的高度高于对准压 合后该些导电凸块的底部，且低于对准压合后该些导电凸块的顶端。
2.如权利要求1所述的封装对准结构，其中于第一基板与第二基板间 还包含一各向异性导电胶膜，且该各向异性导电胶膜包括多个导电颗粒。
3.如权利要求1所述的封装对准结构，其中于第一基板与第二基板间 还包含一无导电颗粒胶。
4.如权利要求1所述的封装对准结构，其中该些隔离块位于全部导电 引脚的两侧。
5.如权利要求1所述的封装对准结构，其中该隔离块为绝缘材质。
6.如权利要求1所述的封装对准结构，其中该隔离块为树脂。
7.一种封装对准结构，包括：
一第一基板；
多个导电引脚位于上述第一基板上；
一第二基板位于上述第一基板相对处；
多个导电凸块位于上述第二基板上且位于上述导电引脚相对处；以及
至少一第一隔离块与至少一第二隔离块位于该第一基板上且分别位于 该些导电引脚的一侧和另一侧，且与该些导电引脚分别相隔一第一距离和一 第二距离，该第一距离与该第二距离分别小于等于一失准对准时所能允许的 最大偏移值，且位于该些导电凸块的一侧和另一侧，且该些隔离块的高度高 于对准压合后该些导电凸块的底部，且低于对准压合后该些导电凸块的顶 端。
8.如权利要求7所述的封装对准结构，其中于第一基板与第二基板间 还包含一各向异性导电胶膜，且该各向异性导电胶膜包括多个导电颗粒。
9.如权利要求7所述的封装对准结构，其中于第一基板与第二基板间 还包含一无导电颗粒胶。
10.如权利要求7所述的封装对准结构，其中该隔离块为绝缘材质。
11.如权利要求10所述的封装对准结构，其中该隔离块为树脂。
技术领域
本发明有关一种封装结构，且特别有关一种封装对准结构，此封装对准 结构用以提高对准不合格产品检出率，其利用一隔离块使对准不合格产品无 法压合，使此对准不合格产品于检测时可更明显地与对准合格产品做区别， 以提高对准不合格产品的检出率。
背景技术
目前封装所常用的技术有载带自动焊(Tape Automated Bonding；简称 TAB)、玻璃覆晶(Chip On Glass；简称COG)、电路板覆晶(Chip On Board； 简称COB)、薄膜覆晶(Chip On Film；简称COF)等。
而封装中最常见的黏着材料为各向异性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，简称ACF)，主要成分为树脂(resin)与导电颗粒(conductive particles)，其中树脂为非导电材料，而导电颗粒则分散于树脂中，其直径约 为3～5μm；其中导电颗粒的剖面图如图1所示，包含一金属膜2与一聚合 物颗粒1，其中金属膜2包覆聚合物颗粒1，形成一具有弹性的导电颗粒3， 其中金属膜2可为金、镍或锡等金属材料。
各向异性导电胶膜应用在各式封装技术中的方式皆类似，以各向异性导 电胶膜应用在玻璃覆晶封装技术中为例，其作用方式如图2A所示，于一第 一基板10表面上形成一导电引脚(lead)11，如金引脚，并于一第二基板 20上形成一导电凸块(bump)21，如金凸块，且导电引脚11与导电凸块21 相互对准，于第一基板10与第二基板20间涂布一各向异性导电胶膜5，其 中各向异性导电胶膜5包含树脂4与导电颗粒3，而分散在树脂4中的部分 导电颗粒3’与第一基板10的导电引脚11与第二基板20的导电凸块21接触， 形成垂直方向导通，并控制导电颗粒3于树脂4中的浓度使平行方向无法导 通，此即为各向异性导电胶膜的名称由来与作用方式。
相对于完全对准的图2A所示，图2B为对准失准的情况，虽然对准已 失准，但因第二基板20的导电凸块21与第一基板10的导电引脚11依然可 以藉由各向异性导电胶膜的部分导电颗粒3’形成导电通路，故虽对准失准产 品却依然可以测出电性值，若对准失准值已超过可容许的最大偏移值时，有 时依然可导通，换句话说，对准不合格产品已无法藉由电性量测检出，使不 合格产品的检出率下降。
另外，也有不使用导电颗粒的黏着材料，称为无导电颗粒 (Non-Conductive Particle，简称NCP)胶，如图3A所示，其导电方式是第 一基板10的导电引脚11与第二基板20的导电凸块21直接接触，不经导电 颗粒形成电路耦接，但依然也会发生上述对准失准值已超过可容许的最大偏 移值时依然可导通的缺点，如图3B所示，第一基板10的导电引脚11与第 二基板20的导电凸块21在对准失准的情况中仍然会形成电接触。
所以研发出一种在对准失准且其偏移值已超过可容许的最大偏移值时 可使电路不导通的结构，以使对准不合格产品可检测出，此为一相当重要的 课题。
发明内容
为达上述目的，本发明提供一种封装对准结构，包括：一第一基板；多 个导电引脚位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相对处；多 个导电凸块位于上述第二基板上且位于上述导电引脚相对处；以及至少两个 隔离块位于上述第一基板上且位于上述导电引脚的两侧，且与该些导电引脚 相距一固定距离，使该些导电凸块与该些隔离块间的距离小于等于一失准对 准时所能允许的最大偏移值，且该些隔离块的高度高于对准压合后该些导电 凸块的底部，且低于对准压合后该些导电凸块的顶端。
为达上述目的，本发明提供尚另一种封装对准结构，包括：一第一基板； 多个导电引脚位于上述第一基板上；一第二基板位于上述第一基板相对处； 多个导电凸块位于上述第二基板上且位于上述导电引脚相对处；以及至少一 第一隔离块与至少一第二隔离块位于该第一基板上且分别位于该些导电引 脚的一侧和另一侧，且与该些导电引脚分别相隔一第一距离和一第二距离， 该第一距离与该第二距离分别小于等于一失准对准时所能允许的最大偏移 值，且位于该些导电凸块的一侧和另一侧，且该些隔离块的高度高于对准压 合后该些导电凸块的底部，且低于对准压合后该些导电凸块的顶端。
当对准失准值已超过对准失准所能容许的最大偏移值时，此时隔离块会 挡住导电凸块，使导电凸块与导电引脚无法压合而无法形成导电耦接。此时 利用电性量测方式即可获知产品已对准失准且失准程度已超过所能容许的 最大偏移值，提高对准不合格产品的检出率。
此外，本发明的封装对准结构可应用在载带自动焊(Tape Automated Bonding；简称TAB)、玻璃覆晶(Chip On Glass；简称COG)、电路板覆晶(Chip On Board；简称COB)与薄膜覆晶(Chip On Film；简称COF)等封装技术中， 是一种应用范围广泛的发明。
附图说明
图1为一各向异性导电胶膜的导电颗粒的剖面图；
图2A～2B为一系列剖面图，用以说明现有技术中以各向异性导电胶膜 作为黏着材料的封装对准与失准；
图3A～3B为一系列剖面图，用以说明现有技术中以无导电颗粒胶作为 黏着材料的封装对准与失准；
图4A～4C为一系列剖面图，用以说明本发明一优选实施例中以各向异 性导电胶膜作为黏着材料的封装对准与失准；
图5A～5C为一系列剖面图，用以说明本发明一优选实施例中以无导电 颗粒胶作为黏着材料的封装对准与失准。
附图标记说明
1～聚合物颗粒 2～金属膜
3～导电颗粒 3’～被压缩的导电颗粒
4～树脂 5～各向异性导电胶膜
10～第一基板 11～导电引脚
20～第二基板 21～导电凸块
22～导电凸块顶端 23～导电凸块底部
50～隔离块
X～失准对准时所能容许的最大偏移值
具体实施方式
本发明的封装对准结构可应用在载带自动焊(Tape Automated Bonding； 简称TAB)、玻璃覆晶(Chip On Glass；简称COG)、电路板覆晶(Chip On Board； 简称COB)与薄膜覆晶(Chip On Film；简称COF)等封装技术中。下列以实施 例1与实施例2分别说明黏着材料为各向异性导电胶膜与无导电颗粒胶的情 况。
实施例1
请参阅图4A～4C，此封装为以各向异性导电胶膜作为黏着材料的封装 结构，包含一第一基板10；多个导电引脚11位于第一基板10上；一第二基 板20位于第一基板10相对处；多个导电凸块21位于第二基板20上且位于 导电引脚11相对处；一各向异性导电胶膜5位于第一基板10与第二基板20 间。
其中该第一基板10为胶带(tape)、玻璃基板、薄膜、印刷电路板或半 导体基板；而导电引脚为金属，如金、镍或锡等；第二基板20为胶带(tape)、 玻璃基板、薄膜、印刷电路板或半导体基板；而导电凸块为金属，如金、镍 或锡等；且隔离块为绝缘材质，如树脂等。
该各向异性导电胶膜5包括一树脂4、多个导电颗粒3与被导电引脚11 及导电凸块21压缩的导电颗粒3’，这些被压缩的导电颗粒3’会使导电引脚 11及导电凸块21形成电耦接；以及至少二个隔离块50位于第一基板10上， 该些隔离块50的高度高于对准压合后导电凸块底部23，且低于对准压合后 导电凸块顶端22，且与该些导电凸块21相距一失准对准时所能容许的最大 偏移值X，意即在完全对准时偏移值为0，而在对准不完全时，偏移值小于 或等于X时是可容许的范围，但若偏移值超过X时，则为对准失准的不合 格产品。
图4A为完全对准时的剖面图；图4B为对准失准，但依然在可容许的 偏移值X内时的剖面图；图4C为对准失准且超过可容许的偏移值X时的剖 面图。
在图4B中显示第一基板10与第二基板20对准失准，且其对准失准值 小于或等于X，表示对准失准值依然在可容许的偏移值X内时，此时，隔离 块50并不会挡住导电凸块21，第一基板10与第二基板20依然可正常压合， 故导电凸块21与导电引脚11依然可藉由导电颗粒3’形成导电耦接。
在图4C中显示第一基板10与第二基板20对准失准，且其对准失准值 大于X，表示对准失准值已超过可容许的偏移值X，此时，隔离块50会挡 住导电凸块21，使第一基板10与第二基板20无法正常压合，故导电凸块 21与导电引脚11无法藉由导电颗粒3’形成导电耦接。此时利用电性量测方 式即可获知产品已对准失准且已超过可容许的偏移值X，进而提高不合格产 品的检出率。
实施例2
请参阅图5A～5C，此封装以无导电颗粒胶作为黏着材料的封装结构， 包含一第一基板10；多个导电引脚11位于第一基板10上；一第二基板20 位于第一基板10相对处；多个导电凸块21位于第二基板20上且位于导电 引脚11相对处；以及至少二个隔离块50位于第一基板10上。
其中该第一基板10为胶带(tape)、玻璃基板、薄膜、印刷电路板或半 导体基板；而导电引脚为金属，如金、镍或锡等；第二基板20为胶带(tape)、 玻璃基板、薄膜、印刷电路板或半导体基板；而导电凸块为金属，如金、镍 或锡等；且隔离块为绝缘材质，如树脂等。
该些隔离块50的高度高于对准压合后导电凸块底部23，且低于对准压 合后导电凸块顶端22，且该些导电凸块21相距一失准对准时所能容许的最 大偏移值X，意即在完全对准时偏移值为0，而在对准不完全时，偏移值小 于或等于X时是可容许的范围，但若偏移值超过X时，则为对准失准的不 合格产品。
图5A为完全对准时的剖面图；图5B为对准失准，但依然在可容许的 偏移值X内时的剖面图；图5C为对准失准且超过可容许的偏移值X时的剖 面图。
在图5B中显示第一基板10与第二基板20对准失准，且其对准失准值 小于或等于X，表示对准失准值依然在可容许的偏移值X内时，此时，隔离 块50并不会挡住导电凸块21，第一基板10与第二基板20依然可正常压合， 故导电凸块21与导电引脚11依然可形成导电耦接。
在图5C中显示第一基板10与第二基板20对准失准，且其对准失准值 大于X，表示对准失准值已超过可容许的偏移值X，此时，隔离块50会挡 住导电凸块21，使第一基板10与第二基板20无法正常压合，故导电凸块 21与导电引脚11无法形成导电耦接。此时利用电性量测方式即可获知产品 已对准失准且已超过可容许的偏移值X，进而提高不合格产品的检出率。
虽然本发明已揭露优选实施例如上，但是其并非用以限定本发明，本领 域技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可作些许的更动与润 饰，因此本发明的保护范围当以所附权利要求所确定的为准。
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