专利汇可以提供多叠层多芯片封装在柔性电路基板上的方法及封装芯片组专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种采用Flexible ultra-thin chip package(FUTCP)柔性载体超薄芯片三维封装的多叠层多芯片封装在柔性 电路 基板 上的方法及封装 芯片组 ,是将两个封装芯片邦定于 中间层 (底部)柔性线路 端子 上,将上层(顶部)柔性线路端子邦定对称相同 位置 的两个封装芯片,用ACAF互连,芯片与芯片堆叠用NCP(不导电浆)互连封装,芯片堆叠组件封装采用高频LCP( 液晶 聚合物 )芯片键合多层芯片同时 固化 。封装时把上层(顶部)柔性线路连接每个封装芯片的边缘弯曲连接中间层(底部)两个封装芯片形成堆叠层,四个芯片封装在柔性电路基板上。,下面是多叠层多芯片封装在柔性电路基板上的方法及封装芯片组专利的具体信息内容。
1.一种多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:所述多叠层多芯片封装在多层封装电路基板,包括第一芯片(1)、第一NCP连接部(2)、第一柔性封装基板(3)、第二芯片(4)、第二柔性封装基板(5)、ACAF连接部(6)、第三芯片(7)、第三柔性封装基板(8)、第二NCP连接部(9)、第四芯片(10);先用ACAF连接部(6)将第二芯片(4)和第三芯片(7)连接于第二柔性封装基板(5)上,然后分别通过第一NCP连接部(2)和第二NCP连接部(9)将第一芯片(1)和第四芯片(10)连接于第一柔性封装基板(3)和第三柔性封装基板(8)上,所述第一芯片(1)和第二芯片(4)连接,所述第三芯片(7)和第四芯片(10)连接;其中NCP表示不导电浆,ACAF表示各向异性导电胶膜。
2.如权利要求1所述的多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:
所述多层柔性线路基板焊盘相应凸点排列成矩阵,引线凸点排列在封装之内,在柔性线路基板上高密度封装排列,上层柔性线路基板两个封装芯片与中间层两个封装芯片通过在封装芯片的边缘引出导线基板而弯曲连接。
3.如权利要求1或2所述的多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:上层下层两个芯片封装都是一个芯片堆叠在另一个之上,表示为芯片级封装,是将上层下层每个封装都连接到柔性电路基板上,图形线焊盘凸点与接触件都连接柔性线路基板,借助电路图线使电信号从芯片中通过导电性线路基板通孔传送到两层封装芯片。
4.如权利要求1或2所述的多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:所述上层和下层两个芯片封装在柔性电路基板上按相同取向排列上下层,每个封装的下部都面向柔性电路基板,板面线宽线距均匀性大于98%实际线宽线距,偏差小于±5%。
5.如权利要求1或2所述的多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:中间层芯片是由先上后下在柔性电路基板上相向排列,由ACAF功能性异方向导电膜来将芯片邦定,ACAF结构是多层式,导电粒子直径2μm-3μm,芯片与基板接触面含有热塑性粘胶剂层,固化温度在140℃以下,下面芯片封装是倒装取向,其上表面直接连接到隐藏在柔性电路后面的接触件矩阵,和柔性基板上表面的导电图形焊点采用ACAF连接。
6.如权利要求1或2所述的多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:本实施例上层芯片与芯片与下层芯片与芯片双重堆叠芯片封装,它有两对芯片封装,相对取向,是通过NCP连接,彼此呈镜像;四个芯片堆叠,每一面都有两个柔性电路,每个一个柔性电路有两个电接触矩阵,接触矩阵连接焊点与柔性电路基板相连接,第一柔性电路围绕第二集成电路芯片封装的边缘弯曲,而第二柔性电路围绕着第一集成电路芯片弯曲封装,第二集成电路芯片封装、第四集成电路芯片封装的边缘弯曲连接。
7.如权利要求1或2所述的多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的方法,其特征是:还将微电子元件则通过液晶聚合物LCP连接柔性电路基板。
8.一种多叠层多芯片封装在多层封装电路基板上的封装芯片组,其特征是:采用如权利要求1至7中任一权利要求所述的方法制作。
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