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黑体 辐射源及黑体辐射源的制备方法

阅读：65发布：2020-05-12

专利汇可以提供黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面，所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，所述黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面；在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。，下面是黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种黑体辐射源，该黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面，所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。
2.如权利要求1所述的黑体辐射源，其特征在于，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微形槽。
3.如权利要求2所述的黑体辐射源，其特征在于，所述微形槽为环形槽、条形槽、点状槽或沿所述黑体辐射腔的轴向螺旋延伸的螺旋形槽。
4.如权利要求2所述的黑体辐射源，其特征在于，所述微形槽的横截面形状为倒三角形、矩形、梯形或半圆形。
5.如权利要求1所述的黑体辐射源，其特征在于，所述黑体辐射腔的内表面的一部分区域设置有所述多个碳纳米管，所述黑体辐射腔的内表面的另一部分区域设置有黑色涂层，所述黑色涂层为黑漆、掺杂有碳纳米管的黑漆或碳纳米管层状结构。
6.如权利要求5所述黑体辐射源，其特征在于，所述黑体辐射腔的内表面设置有所述多个碳纳米管的区域的面积与设置有黑色涂层的区域的面积之比为1:9～9:1。
7.如权利要求1所述的黑体辐射源，其特征在于，所述黑体辐射源包括一加热元件，该加热元件包括一碳纳米管结构及间隔设置在该碳纳米管结构表面的第一电极和第二电极，所述碳纳米管结构包裹或缠绕在所述黑体辐射腔的外表面。
8.如权利要求7所述的黑体辐射源，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管，该碳纳米管结构中的多个碳纳米管沿着第一电极向第二电极的方向延伸。
9.一种如权利要求1～8任意一项所述的黑体辐射源的制备方法，其包括以下步骤：
提供一黑体辐射腔，所述黑体辐射腔具有一内表面；
在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面；
在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。
10.如权利要求9所述的黑体辐射源的制备方法，其特征在于，所述在所述多个碳纳米管远离所述内表面的顶表面形成多个微结构的具体方法为：采用一激光束照射所述多个碳纳米管的顶表面，在所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。

说明书全文

黑体 辐射源及黑体辐射源的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法，尤其涉及一种腔式黑体辐射源及腔式黑体辐射源的制备方法。

背景技术

[0002] 随着红外遥感技术的快速发展，红外遥感被广泛应用于军事领域和地球勘探、天气预报、环境监测等民用领域。然而所有的红外探测仪器都需要经过黑体标定后方可使用，黑体作为标准辐射源，其作用日益突出，黑体的发射率越高，其标定红外探测仪器的精度越高。其中，腔式黑体的有效发射率主要取决于黑体腔的开口大小、黑体腔的形状、黑体腔内表面材料的发射率及腔内的等温程度等诸多条件。因此，选择高发射率的腔内表面材料，对获得高性能的黑体辐射源具有重要的意义。

发明内容

[0003] 确有必要提供一种高发射率的腔式黑体辐射源及腔式黑体辐射源的制备方法。

[0004] 一种黑体辐射源，其包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面，所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端形成所述多个碳纳米管的顶表面，所述多个碳纳米管的顶表面形成多个微结构。

[0005] 一种黑体辐射源的制备方法，其具体包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，所述黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面；在所述多个碳纳米管远离所述黑体辐射腔的内表面的顶表面形成多个微结构。

[0006] 与现有技术相比，本发明提供的黑体辐射源的黑体辐射腔内表面设置有多个碳纳米管，多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于黑体辐射腔的内表面，碳纳米管之间的微小间隙能够阻止入射进来的光从多个碳纳米管表面反射出去，碳纳米管的发射率高达99.6％，以碳纳米管材料为标准辐射源材料，该黑体辐射源具有较高的发射率；本发明采用碳纳米管材料为黑体辐射腔内表面材料，在同样的空腔有效发射率要求条件下，将大大缩小黑体辐射腔的深度，有利于实现黑体辐射源的小型化，适用范围广。而且，本发明提供的黑体辐射源的制备方法简单、易行。附图说明

[0007] 图1为本发明实施例一提供的黑体辐射源的剖面结构示意图。

[0008] 图2为本发明实施例二提供的黑体辐射源的剖面结构示意图。

[0009] 图3为本发明实施例三提供的黑体辐射源的剖面结构示意图。

[0010] 如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本发明。

[0011] 主要元件符号说明

[0012] 黑体辐射源 10，20，30

[0013] 黑体辐射腔 101，201，301

[0014] 内表面 102，202，302

[0015] 碳纳米管 103，203，303

[0016] 黑漆 304

[0017] 空洞 105，205，305

具体实施方式

[0018] 以下将结合附图及具体实施例详细说明本技术方案所提供的黑体辐射源以及该黑体辐射源的制备方法。

[0019] 本发明提供一种黑体辐射源，该黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置有多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。

[0020] 所述黑体辐射腔的内表面可以设置有一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。优选地，该多个碳纳米管远离所述内表面的一端开口。优选地，所述多个碳纳米管在所述内表面的分布形成一图案，即所述黑体辐射腔的内表面的部分区域设置有多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述内表面，未设置有多个碳纳米管的区域可以形成黑色涂层。所述图案的形状和位置不限。将所述设置有多个碳纳米管的区域的面积与未设置有多个碳纳米管的区域的面积之比定义为占空比，所述占空比可以为1:9～9:1。

[0021] 所述黑色涂层可以为高发射率的黑漆、掺杂有碳纳米管的黑漆或碳纳米管层状结构。所述黑漆选用高发射率的黑漆，如Pyromark 1200黑漆(发射率为0.92)、Nextel Velvet 811-21黑漆(发射率为0.95)等。所述掺杂有碳纳米管的黑漆中碳纳米管的含量为1％～
50％。所述碳纳米管层状结构包括多个碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本平行于所述碳纳米管层状结构的表面，该碳纳米管层状结构包括至少一碳纳米管膜、至少一碳纳米管线或两者的组合，进一步地，该碳纳米管层状结构包括多个微孔。

[0022] 所述黑体辐射腔由耐高温、并具有较高发射率的材料制成，具体地，所述黑体辐射腔可以由硬铝材料、铝合金材料或无氧铜制成。

[0023] 所述黑体辐射腔包括一黑体腔体和一黑体腔底，所述黑体腔体和所述黑体腔底的材料可以相同，也可以不同。所述黑体腔体和所述黑体腔底可以为一体成型的结构；所述黑体腔体和所述黑体腔底也可以为两个独立的结构，所述黑体腔底从所述黑体腔体的一端开口被压入或旋入到所述黑体腔体中。

[0024] 具体地，所述黑体腔体具有一空洞，该空洞的横截面可以为圆形、椭圆形、三角形、四边形，或者其它规则或不规则的多边形。当然，所述空洞的底面形状不限，可以为平面、锥形面以及其他规则或不规则的表面。

[0025] 所述黑体辐射腔的内表面光滑，或所述黑体辐射腔的内表面形成有多个微结构，具体地，所述黑体辐射腔的内表面上形成有多个相互间隔的凹槽，所述凹槽可以是环形凹槽、条形凹槽、点状凹槽或沿黑体辐射腔的轴向螺旋延伸的凹槽。所述多个相互间隔的凹槽将所述黑体辐射腔的内表面划分为第一内表面和第二内表面，所述第一内表面为凹槽与相邻凹槽之间的区域，所述第二内表面为所述凹槽的底表面。所述第一内表面和所述第二内表面均设置有多个碳纳米管，所述多个第二碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。

[0026] 进一步地，该黑体辐射源还包括一加热元件，该加热元件包括一碳纳米管结构及间隔设置在该碳纳米管结构表面的第一电极和第二电极，其中，所述碳纳米管结构包裹或缠绕在所述黑体辐射腔的外表面，所述碳纳米管结构包括至少一碳纳米管膜或至少一碳纳米管长线，所述碳纳米管结构包括多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管，该碳纳米管结构中的多个碳纳米管沿着第一电极向第二电极的方向延伸。

[0027] 采用一碳纳米管结构为加热元件，该加热元件缠绕或包裹在黑体辐射腔的外表面，可对黑体辐射腔进行整体加热，使得所述黑体辐射腔内部的温场均匀分布，可提高黑体辐射源的温度稳定性和均匀性；碳纳米管材料密度小、重量轻，采用碳纳米管结构为加热元件，可使黑体辐射源具有更轻的重量，使用方便；所述碳纳米管结构具有较低的电阻，且碳纳米管的电热转换效率高，热阻率低，采用碳纳米管结构加热黑体辐射腔具有升温迅速、热滞后小、热交换速度快的特点；碳纳米管材料具有较好的韧性，采用一碳纳米管结构为加热元件的黑体辐射源具有较长的使用寿命。

[0028] 本发明提供的黑体辐射源，具有以下优点：其一，碳纳米管是目前世界上最黑的材料，碳纳米管阵列中的碳纳米管之间的微小间隙能够阻止入射进来的光从阵列表面反射出去，经测量，碳纳米管阵列的发射率高达99.6％，远远大于目前黑体空腔内壁表面材料(如Nextel Velvet 81-21黑漆的发射率为96％)的发射率；其二，现有技术中的黑体辐射源为获得较高的发射率，除了采用高发射率的涂层材料外，往往增大黑体辐射腔的深度，缩小口径，而本发明采用碳纳米管阵列为黑体辐射腔内表面材料，在同样的空腔有效发射率要求条件下，将大大缩小黑体辐射腔的深度，有利于实现黑体辐射源的小型化，适用范围广；其三，碳纳米管可由高温条件下碳源气化学气相沉积制备，原材料价廉易得；其四，碳纳米管具有优异的热传导性能，采用碳纳米管阵列为黑体辐射腔内表面材料，可以提高黑体辐射源的温度均匀性和稳定性；其五，碳纳米管具有优异的力学性能，利用碳纳米管材料制备黑体辐射源将会增加黑体辐射源的稳定性，使得星载黑体在恶劣的环境下不易损坏。

[0029] 请参阅图1，本发明第一实施例提供一种黑体辐射源10，所述黑体辐射源10包括一黑体辐射腔101，该黑体辐射腔101具有一内表面102，其中，所述黑体辐射腔101的内表面102设置有多个碳纳米管103，且所述多个碳纳米管103的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔101的内表面102。

[0030] 所述黑体辐射腔101由铝合金材料制成。所述黑体辐射腔101包括一黑体腔体和一黑体腔底，所述黑体腔体和所述黑体腔底为两个独立的结构，所述黑体腔体和所述黑体腔底通过螺纹连接，且所述黑体腔底旋入到所述黑体腔体中。所述黑体辐射腔101具有一空洞105，所述空洞105的横截面为圆形，所述空洞的底面为锥形面。所述黑体辐射腔101的内表面102光滑。

[0031] 所述多个碳纳米管103远离所述内表面102的一端开口。

[0032] 本发明实施例一还提供一种所述黑体辐射源10的制备方法，其具体包括以下步骤：

[0033] S11，提供一黑体辐射腔101，该黑体辐射腔101具有一内表面102；

[0034] S12，在所述黑体辐射腔101的内表面102形成多个碳纳米管103，该多个碳纳米管103的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔101的内表面102。

[0035] 步骤S11中，提供一黑体辐射腔101，该黑体辐射腔101包括一黑体腔体和一黑体腔底，所述黑体腔底通过螺纹旋入所述黑体腔体中。所述黑体辐射腔具有一内表面102，该内表面为光滑的表面。所述黑体腔体和黑体腔底的材料为铝合金材料。该黑体辐射腔101具有一个圆柱形的空洞105，该空洞105的底面为锥形面。

[0036] 步骤S12中，可以通过直接生长法和转移法在所述黑体辐射腔101的内表面102形成多个碳纳米管103。分别在所述黑体腔体和所述黑体腔底的内表面形成多个碳纳米管，然后将所述黑体腔底旋入所述黑体腔体中，形成黑体辐射源10。下面以在所述黑体腔体的内表面形成多个碳纳米管103为例详细阐述这两种方法。

[0037] 所述直接生长法，即在所述黑体腔体的内表面直接生长一碳纳米管阵列，其具体包括以下步骤：

[0038] 步骤一，在所述黑体腔体的内表面沉积一层催化剂；

[0039] 步骤二，在保护气体的环境下，加热所述黑体腔体的温度至碳纳米管阵列的生长温度，然后通入碳源气，在所述黑体腔体的内表面生长一碳纳米管阵列。

[0040] 在步骤一中，可以通过蒸镀、溅镀或化学沉积的方法在所述黑体腔体的内表面形成一层催化剂，所述催化剂可以是铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或其任意组合的合金之一，所述催化剂的厚度为1～10纳米。

[0041] 优选地，可先在所述黑体腔体的内表面上形成一具有预定图案的掩膜，该掩膜使内表面的部分区域暴露，并在该暴露的区域沉积催化剂，得到一具有预定图案的催化剂薄膜，可使碳纳米管阵列中的碳纳米管按该预定图案分布。

[0042] 在步骤二中，保护气体的环境下，加热所述黑体腔体至500～900℃，优选为620～700℃，然后通入碳源气与保护气体的混合气体，所述碳源气可以是乙炔、乙烯、甲烷、乙烷等，所述保护气体为惰性气体或氮气，反应10～40分钟。

[0043] 优选地，待碳纳米管阵列生长结束后，可进一步处理所述碳纳米管阵列，使所述碳纳米管阵列中的多个碳纳米管远离所述内表面的一端均开口，处理方法为采用激光束切割所述多个碳纳米管，使所述多个碳纳米管远离所述内表面的一端开口。

[0044] 所述转移法，即预先在一基底表面生长一碳纳米管阵列，然后将该碳纳米管阵列转移至所述黑体腔体的内表面，其具体包括以下步骤：

[0045] 步骤A，提供一基底，该基底表面生长有一碳纳米管阵列；

[0046] 步骤B，提供一薄膜，将所述碳纳米管阵列转移至所述薄膜表面；

[0047] 步骤C，将所述薄膜卷成筒状结构，并使具有所述碳纳米管阵列的表面朝外；

[0048] 步骤D，将上述形成的筒状结构插入所述黑体腔体内，使所述碳纳米管阵列远离所述薄膜的表面与所述黑体腔体的内表面接触，并去除所述薄膜。

[0049] 在步骤A中，所述碳纳米管阵列靠近所述基底的一端为所述碳纳米管阵列的生长端，所述碳纳米管阵列远离所述基底的一端为所述碳纳米管阵列的顶端。

[0050] 在步骤B中，所述薄膜柔韧性好，可以是PET薄膜、PDMS薄膜，将所述薄膜覆盖于所述碳纳米管阵列的顶端，稍用力按压薄膜，可保证所述薄膜与所述碳纳米管阵列中的所有碳纳米管的顶端充分接触，然后轻轻移动薄膜，所述碳纳米管阵列随所述薄膜移动而移动，且所述碳纳米管阵列的生长端与基底分离而开口，使所述碳纳米管阵列转移至薄膜上。所述碳纳米管阵列的顶端与所述薄膜表面接触，所述碳纳米管阵列的生长端远离所述薄膜表面，其中，所述薄膜与所述碳纳米管阵列可以仅通过范德华力结合。

[0051] 在步骤C中，根据所述所述黑体腔体的尺寸调整所述筒状结构的尺寸，保证所述筒状结构能够插入所述黑体腔体内。

[0052] 在步骤D中，所述碳纳米管阵列远离所述薄膜的表面与所述黑体腔体的内表面接触并结合，进一步地，为保证所述碳纳米管阵列紧密固定在所述黑体腔体的内表面，可以预先在所述黑体腔体的内表面形成一黏胶。

[0053] 可以理解，也可将所述碳纳米管阵列经两次转移后，再将所述碳纳米管阵列转移至所述黑体腔体的内表面上，可保证所述碳纳米管阵列的顶端与所述黑体腔体的内表面接触，所述碳纳米管阵列的生长端远离所述黑体腔体的内表面且开口。

[0054] 请参见图2，本发明第二实施例提供了一种黑体辐射源20，该黑体辐射源20包括一黑体辐射腔201，该黑体辐射腔201具有一内表面202，其中，所述黑体辐射腔201的内表面202设置有多个碳纳米管203，所述多个碳纳米管203的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔201的内表面202，所述多个碳纳米管203远离所述内表面202的一端形成所述多个碳纳米管203的顶表面，所述多个碳纳米管203的顶表面形成多个微结构。

[0055] 所述黑体辐射腔201为一体成型的圆柱体结构，其材料为铝合金材料。该黑体辐射腔201具有一空洞205，该空洞205为一圆柱形，该空洞205的底面为平面。

[0056] 所述微结构指所述多个碳纳米管203的顶表面形成有多个微形槽，所述微形槽可以是环形槽、条形槽、点状槽或沿所述黑体辐射腔的轴向螺旋延伸的螺旋形槽，所述微形槽的横截面形状不限，可以为倒三角形、矩形、梯形或半圆形。

[0057] 本发明第二实施例还提供一种所述黑体辐射源20的制备方法，其具体包括以下步骤：

[0058] S21，提供一黑体辐射腔201，所述黑体辐射腔201具有一内表面202；

[0059] S22，在所述黑体辐射腔201的内表面202形成多个碳纳米管203，所述多个碳纳米管203的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔201的内表面202；

[0060] S23，在所述多个碳纳米管203远离所述黑体辐射腔201的内表面202的顶表面形成多个微结构。

[0061] 步骤S21中，所述黑体辐射腔201为一体成型的圆柱体结构，其材料为铝合金材料。该黑体辐射腔201具有一空洞205，该空洞205为一圆柱形，该空洞205的底面为平面。

[0062] 步骤S22中，可以采用直接生长法或转移法在所述黑体辐射腔201的内表面202形成多个碳纳米管203，其具体操作方法与S12相同，在此不作详述。

[0063] 步骤S23中，提供一激光器，利用激光束照射所述多个碳纳米管203的顶表面，在所述多个碳纳米管203的顶表面形成多个微结构。

[0064] 激光照射过程中，由于激光束所具有的高能量被碳纳米管吸收，产生的高温将处于激光照射路径处的碳纳米管全部或部分烧蚀，从而在所述多个碳纳米管的顶表面形成预定尺寸的微结构。该激光束的扫描路线可预先由电脑设定，从而得到精确控制，在所述多个碳纳米管的顶表面形成复杂的刻蚀图案。所述激光束入射的方向可以与所述多个碳纳米管的顶表面垂直，也可以与所述多个碳纳米管的顶表面成一定的角度，优选地，所述激光束入射的方向与所述多个碳纳米管的顶表面形成的角度为55度～90度。

[0065] 现有研究表明，在其它条件(如黑体辐射腔的材质、黑体辐射腔内表面材料、黑体辐射腔口径)相同的情况下，黑体辐射腔的内表面积越大，该黑体辐射腔的发射率越高，本发明第二实施例提供的黑体辐射源20中，多个碳纳米管203远离所述内表面202的一面形成一图案，该图案包括多个微结构，相当于增加了所述黑体辐射腔201的内表面积，进一步增大了所述黑体辐射源20的发射率。

[0066] 请参见图3，本发明第三实施例提供一种黑体辐射源30，该黑体辐射源30包括一黑体辐射腔301，该黑体辐射腔301具有一内表面302，其中，所述黑体辐射腔301的内表面302设置有一层黑漆304和多个碳纳米管303，该多个碳纳米管303的一端浸没在所述黑漆304中，另一端远离所述黑漆304，且所述多个碳纳米管303的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔301的内表面302。

[0067] 所述黑体辐射腔301由无氧铜材料制成。所述黑体辐射腔301包括一黑体腔体和一黑体腔底，所述黑体腔体和所述黑体腔底为两个独立的结构，所述黑体腔体和所述黑体腔底通过螺纹连接。所述黑体腔体具有一空洞305，所述空洞305的横截面为圆形，底面为锥形面。

[0068] 所述黑漆304选用高发射率的黑漆，如Pyromark 1200黑漆(发射率为0.92)、Nextel Velvet 811-21黑漆(发射率为0.95)等，本实施例选用Nextel Velvet 811-21黑漆。所述黑漆的厚度不可太小亦不可过大，可以理解，所述黑漆304的厚度太小时，所述多个碳纳米管303设置在所述黑漆304的一端不能浸没在所述黑漆304中，所述多个碳纳米管303与所述黑漆304之间的结合力较弱，所述多个碳纳米管304不能牢固地固定于所述黑漆304的表面；所述黑漆304的厚度过大时，所述多个碳纳米管303被包埋在所述黑漆304中，从而破坏所述多个碳纳米管303的结构，不能发挥碳纳米管材料高发射率的优良性能。所述黑漆304的厚度只需保证所述多个碳纳米管303的一端能够浸没在所述黑漆304中且所述多个碳纳米管303的另一端远离所述黑漆304即可，优选地，所述黑漆304的厚度为1微米～300微米。

[0069] 所述多个碳纳米管303远离所述黑漆的一端开口。所述多个碳纳米管303在所述黑体辐射腔301内表面302上的分布形成一图案。

[0070] 本发明第三实施例还提供一种所述黑体辐射源30的制备方法，其具体包括以下步骤：

[0071] S31，提供一黑体辐射腔301，该黑体辐射腔301具有一内表面302；

[0072] S32，在所述黑体辐射腔301的内表面302涂覆一层黑漆304；

[0073] S33，在所述黑体辐射腔301的内表面202形成多个碳纳米管303，该多个碳纳米管303的一端浸没在所述黑漆304中，另一端远离所述黑漆304，且所述多个碳纳米管303的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔301的内表面302。

[0074] 步骤S31中，所述黑体辐射腔301由无氧铜材料制成。所述黑体辐射腔301包括一黑体腔体和一黑体腔底，所述黑体腔体和所述黑体腔底为两个独立的结构，所述黑体腔体和所述黑体腔底通过螺纹连接。所述黑体辐射腔301具有一空洞305，所述空洞305的横截面为圆形，底面为锥形面。

[0075] 步骤S32中，所述黑漆选用高发射率的黑漆，本实施例选用Nextel Velvet811-21黑漆，所述黑漆的厚度不能太厚亦不能太薄，所述黑漆的厚度优选为1微米～300微米。

[0076] 步骤S33中，可以采用转移法在所述黑体辐射腔301的内表面302形成多个碳纳米管303，其具体操作方法与步骤S12相同，在此不作详述。

[0077] 所述多个碳纳米管303的一端与所述黑体辐射腔301的内表面302接触并浸没在所述黑漆304中，另一端远离所述黑漆304。待所述黑体辐射腔301的内表面302形成有多个碳纳米管303后，可以采用自然晾干的方法使所述黑漆304固化，所述黑漆304具有一定的粘性，可以将所述多个碳纳米管303紧紧地固定在所述黑体辐射腔301的内表面302，使所述多个碳纳米管303不易脱落。

[0078] 本发明第三实施例提供的黑体辐射源30，所述黑体辐射腔301的内表面302先涂覆一层黑漆304，然后在所述黑漆304的表面形成多个碳纳米管303，所述黑漆304既是一种高发射率的材料，又可以充当黏胶将所述多个碳纳米管303固定在所述黑体辐射腔301的内表面302，可增强所述黑体辐射源的稳定性，延长所述黑体辐射源30的使用寿命，提高所述黑体辐射源30的发射率。另，当所述黑体辐射腔301的内表面302的一部分区域设置有多个碳纳米管303时，则设置有多个碳纳米管的区域与未设置有碳纳米管的区域具有一定的高度差，就相当于形成有多个微结构，可进一步提高所述黑体辐射源30的发射率。

[0079] 另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

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