晶体硅异质结太阳能电池的制备方法
专利汇可以提供晶体硅异质结太阳能电池的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种晶体 硅 异质结 太阳能 电池 的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗、 腐蚀 制绒；(2)将 硅片 的 正面 进行Si离子和B 离子注入 ，在正面形成本征非晶硅 薄膜 ；在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成本征非晶硅薄膜；(3)对硅片正 反面 的本征非晶硅薄膜进行回刻；(4)在硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；(5)在硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；(6)在硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；(7)丝网印刷、 烧结 在硅片表面制备金属 电极 。本发明获得了高 质量 的晶体硅异质结 太阳能电池 ，形成了高质量的非晶硅薄膜层和极少 缺陷 的一体化的晶硅、非晶硅异质结 叠加 界面，提高了 钝化 效果并有效地降低了漏 电流 。，下面是晶体硅异质结太阳能电池的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将N型单晶硅硅片进行表面化学清洗、腐蚀制绒；
(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；
在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；
(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；
(4) 在上述硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；
(5) 在上述硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；
(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；
(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的离子注入的深度为20~30 nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中硅片正面沉积的p型掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~8 nm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中硅片背面沉积的n型重掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
6.一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 将P型单晶硅硅片进行表面化学清洗、腐蚀制绒；
(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和P离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；
在硅片的背面进行Si离子和P离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；
(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；
(4) 在上述硅片正面沉积n型掺杂的非晶硅薄膜层；
(5) 在上述硅片反面沉积p型重掺杂的非晶硅薄膜层；
(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；
(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的离子注入的深度为20~30 nm。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，回刻后的本征非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中硅片正面沉积的n型掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~8 nm。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中硅片背面沉积的p型重掺杂的非晶硅薄膜层的厚度为2~6 nm。
晶体硅异质结太阳能电池的制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和B离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；
在硅片的背面进行Si离子和B离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；
(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；
(4) 在上述硅片正面沉积p型掺杂的非晶硅薄膜层；
(5) 在上述硅片反面沉积n型重掺杂的非晶硅薄膜层；
(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；
(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
(2) 将上述硅片的正面进行Si离子和P离子注入，在正面形成一层本征非晶硅薄膜；
在硅片的背面进行Si离子和P离子注入，在背面形成一层本征非晶硅薄膜；
(3) 对上述硅片正反面的本征非晶硅薄膜进行回刻；
(4) 在上述硅片正面沉积n型掺杂的非晶硅薄膜层；
(5) 在上述硅片反面沉积p型重掺杂的非晶硅薄膜层；
(6) 在上述硅片的正反两面设置透明导电薄膜层；
(7) 丝网印刷、烧结在硅片表面制备金属电极，即可得到晶体硅异质结太阳能电池。
具体实施方式
一种晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
第一步，将N型单晶硅硅片进行化学表面清洗；
第二步，对上述硅片进行腐蚀制绒，在其正面和背面形成微米级金字塔绒面结构；
形成所述金字塔绒面结构时通常会使用碱性腐蚀等绒面处理手段进行光滑圆整处理，以达到去除毛刺和尖顶的目的；
第三步，采用离子注入法，在上述硅片的正面和背面先后注入Si离子和B离子，从而在硅片上下表面各形成20~30 nm厚的本征非晶硅薄膜；
第四步，采用等离子回刻工艺，对硅片正反两面的本征非晶硅薄膜进行回刻，从而形成厚度为2~6 nm的本征非晶硅薄膜层；
第五步，采用PECVD法在硅片正面形成厚度为2~8 nm的p型掺杂非晶硅薄膜层厚度；
至此在上述硅片的背面形成了P/i/N结构的异质结；
第六步，采用PECVD法在硅片背面形成厚度为2~6 nm的n型重掺杂非晶硅薄膜层厚度；
至此在上述硅片的背面形成了N/i/N+结构的异质结；
第七步，利用反应等离子体沉积或磁控溅射的方法在上述硅片的表面制备50~200 nm
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