专利汇可以提供太阳能电池装置的柱状结构薄膜材料专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 太阳能 电池 装置的 薄膜 材料结构,所述薄膜材料结构包括具有多种单晶结构的材料层,每种单晶结构配置为柱状物。所述柱状物的尺寸范围为大约0.01微米到大约10微米且具有第一端与第二端的特征。所述材料层具有光吸收系数的特征,所述光吸收系数在大约400纳米到大约750纳米的 波长 范围内对光的吸收大于104cm-1。,下面是太阳能电池装置的柱状结构薄膜材料专利的具体信息内容。
1.一种太阳能电池装置的薄膜材料结构,所述薄膜材料结构包括:
具有多种单晶结构的材料层,每种单晶结构配置成柱状物;所述柱状 物的特征在于具有尺寸范围为大约0.01微米到大约10微米的第一端与第 二端;所述材料层的特征在于对于波长范围在大约400纳米到大约750纳 米的光的光吸收系数大于104cm-1。
2.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中所述材料层包括金属氧化物。
3.权利要求2所述的薄膜材料,其中所述金属氧化物包括铜的氧化物、氧 化锌、氧化铁等。
4.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中所述材料层包括金属硫化物。
5.权利要求4所述的薄膜材料结构,其中所述金属硫化物可为Cu2S、 FeS、FeS、或SnS。
6.权利要求4所述的薄膜材料结构,其中所述材料层具有范围为大约0.8 eV到大约1.3eV的第一带隙。
7.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中所述第一端与第二端的形状不规 则并且基本为圆形。
8.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中所述多个单晶结构基本相互平行。
9.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中所述材料层为结晶状。
10.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中每一个所述的单晶结构都为二 极管装置区域留有安装位置。
11.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中所述柱状物均为多个单晶结构 提供一晶界区域。
12.权利要求1所述的薄膜材料结构,其中材料层在空间上处于第一电极 与第二电极之间。
13.一种太阳能电池用太阳能电池装置结构,所述太阳能电池装置结构包 括:
具有表面区域的基板构件;
覆盖在基板构件表面区域上的第一电极结构;
具有P-类杂质特征的材料层,其覆盖在所述第一电板结构上,所述材 料层包括多种单晶结构,每一个单晶结构被配置成柱状物;所述柱状物的 特征在于具有尺寸范围为大约0.01微米到大约10微米的第一端与第二端; 所述材料层的特征在于对于波长范围在大约400纳米到大约750纳米的光 的光吸收系数大于104em-1;
具有N+层杂质特征的半导体材料,覆盖在材料层上;
覆盖在所述半导体材料上的高阻缓冲层;
覆盖在所述缓冲层上的第二电极结构。
14.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述基板构件为一半导体, 例如,硅、锗,以及III-V族的砷化镓、锗、硅锗等复合半导体材料。
15.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述基板构件为玻璃、熔 融石英、石英等透明基板。
16.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述基板构件包含镍、铝、 不锈钢等金属。
17.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述基板构件包括有机材 料,例如聚碳酸酯,丙烯酸材料等。
18.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第一电极结构包括透 明导电材料,如铟锡氧化物、氟掺杂的氧化锡、铝掺杂的氧化锌等。
19.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第一电极包括如金、 银、白金、镍、铝等金属材料,以及金属合金等复合材料,等等。
20.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第一电极包括有机材 料,如导电聚合物材料。
21.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第一电极包括碳基材 料,如石墨。
22.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第二电极包括透明 导电材料,如铟锡氧化物、氟掺杂的氧化锡、铝掺杂的氧化锌等。
23.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第二电极包括如金、 银、白金、镍、铝等金属材料,以及金属合金等复合材料,等等。
24.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述第二电极包括有机材 料,如导电聚合物等。
25.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中第二电极包括碳基材料, 如石墨。
26.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述材料层具有范围为大 约0.8eV到大约1.3eV的第一带隙。
27.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述材料层包括金属氧化 物材料,如氧化铜等。
28.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述材料层包括金属硫化 物材料,例如硫化铁及硫化锌等。
29.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述材料层具有P-类杂 质特征。
30.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述半导体材料具有N+ 杂质特征。
31.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述柱状结构的第一端与 第二端的形状不规则并且基本为圆形。
32.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中每个单晶结构都为二极管 装置区域留有安装位置。
33.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述柱状结构均为多个单 晶结构提供晶界区域。
34.权利要求13所述太阳能电池装置结构,其中所述太阳能电池装置的转 换效率为大约10%到20%。
35.一种形成太阳能电池装置用薄膜金属结构的方法,所述方法包括:
提供具有表面区域的基板;
制作覆盖在所述表面区域上的第一电极结构;
制作包括多个单晶结构的材料层,所述材料层覆盖在第一电极结构 上,每一单晶结构配置成柱状物,所述柱状物的特征在于具有尺寸范围为 大约0.01微米到大约10微米的第一端与第二端;所述材料层的特征在于 对于波长范围在大约400纳米到大约750纳米的光的光吸收系数大于104 cm-1;
制作覆盖在所述材料层上的第二电极结构。
本申请在美国申请了优先权,临时专利申请号为No.60/976,392,申请 日为2007年9月28日;发明专利申请号为No.12/237,371,申请日为2008 年9月24日。本申请通常是指这两份申请,并为所有目的共同引用。
联邦政府资助研究或开发下发明权的声明 不适用
参考“序列表”,表格,或光盘提交的计算机程序列表附件 不适用
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