技术领域
[0001] 本
申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种显示屏、应用该显示屏的电子设备及电子设备的控制方法。
背景技术
[0002] 传统电子设备的指纹识别组件占据着电子设备非显示区的空间，使得电子设备的屏占比提高受限。而随着用户对电子设备的屏占比需求越来越高，如何减少指纹识别组件占据电子设备的非显示区的面积，以提高电子设备的屏占比成为需要解决的问题。
发明内容
[0003] 本申请提供一种屏占比较高的显示屏、应用所述显示屏的电子设备及电子设备的控制方法。
[0005] 一方面，提供一种显示屏，包括多条栅极线、多条数据线及多条驱动线，所述多条栅极线与所述多条数据线交叉绝缘排布并形成阵列排布的多个子
像素，各所述子像素中设有第一
薄膜晶体管和像素电容，部分或全部所述子像素中设有光电
传感器以形成识别子像素；
[0006] 在同一个所述识别子像素中，所述第一
薄膜晶体管包括栅极、第一端及第二端，所述第一薄膜晶体管的栅极电连接至所述栅极线，所述第一薄膜晶体管的第一端电连接至所述数据线，所述第一薄膜晶体管的第二端电连接至所述像素电容，所述
光电传感器的输入端电连接所述驱动线，所述光电传感器的输出端电连接至所述第一薄膜晶体管的第二端，所述光电传感器用于识别携带用户指纹信息的目标光线。
[0007] 另一方面，还提供一种电子设备，包括
控制器和上述显示屏，所述控制器电连接所述显示屏。
[0008] 再一方面，还提供一种电子设备的控制方法，所述电子设备包括控制器和显示屏，所述显示屏多条栅极线、多条数据线及多条驱动线，所述多条栅极线与所述多条数据线交叉绝缘排布并形成阵列排布的多个子像素，各所述子像素中设有第一薄膜晶体管和像素电容，部分或全部所述子像素中设有光电传感器以形成识别子像素；
[0009] 在同一个所述识别子像素中，所述第一薄膜晶体管包括栅极、第一端及第二端，所述第一薄膜晶体管的栅极电连接至所述栅极线，所述第一薄膜晶体管的第一端电连接至所述数据线，所述第一薄膜晶体管的第二端电连接至所述像素电容，所述光电传感器的输入端电连接所述驱动线，所述光电传感器的输出端电连接至所述第一薄膜晶体管的第二端，所述光电传感器用于识别携带用户指纹信息的目标光线；
[0010] 所述显示屏的一
帧时间包括显示时段和识别时段；
[0011] 所述电子设备的控制方法包括：
[0012] 在所述显示屏的显示时段中，所述控制器在所述栅极线上加载第一
信号以打开所述第一薄膜晶体管，所述控制器在所述数据线上加载灰阶
电压并传输至所述像素电容，以使所述识别子像素进行显示；
[0013] 在所述显示屏的识别时段中，所述控制器在所述栅极线上加载第二信号以打开所述第一薄膜晶体管，所述控制器在所述驱动线上加载驱动信号并传输至所述光电传感器，以使所述光电传感器依据所述目标光线形成
电信号并通过所述数据线输出。
[0014] 在本申请中，由于所述光电传感器设于所述识别子像素中，所述识别子像素位于所述显示屏的显示区中，因此由一个或多个所述光电传感器所形成的指纹识别模组能够设于所述显示区中，所述指纹识别模组无需占用所述显示屏的非显示区空间，所述显示屏的非显示区相较于传统显示屏能够减小，所述显示屏的显示区相较于传统显示屏能够增加，从而提高了所述显示屏及应用所述显示屏的所述电子设备的屏占比。所述识别子像素在显示
电路部分和识别电路部分复用所述栅极线、所述第一薄膜晶体管及所述数据线，以简化所述识别子像素的电路，使得所述识别子像素的电路结构较为简单，成本较低。
附图说明
[0015] 为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。
[0016] 图1是本申请提供的一种电子设备的结构示意图；
[0017] 图2是图1所示电子设备的显示屏的正视图；
[0018] 图3是图2所示显示屏的部分电路的示意图；
[0019] 图4是图3所示电路中识别子像素的部分电路在一种实施方式中的示意图；
[0020] 图5是图4所示识别子像素的电路在一种使用状态中的驱动时序图；
[0021] 图6是图3所示电路中识别子像素的部分电路在另一种实施方式中的示意图；
[0022] 图7是图6所示识别子像素的电路在一种使用状态中的驱动时序图；
[0023] 图8是本申请提供的显示屏在第一实施方式中的结构示意图；
[0024] 图9是图8所示显示屏的阵列
基板的部分结构在一种实施例中的示意图；
[0025] 图10是图9所示结构的分解结构示意图；
[0026] 图11是图8所示显示屏的阵列基板的部分结构在另一种实施例中的示意图；
[0027] 图12是图8所示显示屏的阵列基板的另一部分结构的示意图；
[0028] 图13是图8所示显示屏的彩膜基板的部分结构的示意图；
[0029] 图14是本申请提供的显示屏在第二实施方式中的结构示意图；
[0030] 图15是图14所示显示屏的部分结构在一种实施例中的结构示意图；
[0031] 图16是图15所示结构的分解结构示意图；
[0032] 图17是图14所示显示屏的部分结构在另一种实施例中的结构示意图；
[0033] 图18是图14所示显示屏的部分结构在再一种实施例中的结构示意图；
[0034] 图19是图14所示显示屏的另一部分结构的示意图；
[0035] 图20是本申请提供的一种电子设备的控制方法的
流程图。
具体实施方式
[0036] 请参阅图1，图1是本申请提供的一种电子设备1000的结构示意图。
[0037] 本申请电子设备1000可以是任何具备通信和存储功能的设备，例如：
平板电脑、手机、电子阅读器、遥控器、个人计算机(Personal Computer，PC)、
笔记本电脑、车载设备、网络电视、可穿戴设备等设备。
[0038] 所述电子设备1000包括显示屏100和控制器200。所述控制器200电连接所述显示屏100。本申请中电连接包括电源连接和信号连接。所述电子设备1000还包括壳体300，所述显示屏100安装于所述壳体300，所述控制器200收容于所述壳体300内部。
[0039] 请一并参阅图2和图3，图2是图1所示电子设备1000的显示屏100的正视图，图3是图2所示显示屏100的部分电路的示意图。
[0040] 所述显示屏100包括显示区1001和围绕所述显示区1001设置的非显示区1002。所述显示屏100包括多条栅极线10和多条数据线20。“多条”的含义是两条或两条以上。所述多条栅极线10与所述多条数据线20交叉绝缘排布并形成阵列排布的多个子像素1003。“多个”的含义是两个或两个以上。相邻的两条所述栅极线10及与其交叉的相邻两条所述数据线20共同限定出一个用于设置一个所述子像素1003的区域。
[0041] 所述显示屏100还包括栅极驱动电路30和数据驱动电路40。所述栅极驱动电路30和所述数据驱动电路40电连接所述控制器200。所述多条栅极线10电连接所述栅极驱动电路30。所述多条数据线20电连接所述数据驱动电路40。
[0042] 所述子像素1003位于所述显示屏100的显示区1001内。所述子像素1003能够用于显示画面。多个所述子像素1003构成一个像素单元。例如，一个所述像素单元包括三个所述子像素1003，三个所述子像素1003分别用于显示红色(R)、绿色(G)及蓝色(B)画面。另一种实施例中，一个所述像素单元包括四个所述子像素1003，四个所述子像素1003分别用于显示红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)及白色(W)画面，或者四个所述子像素1003分别用于显示红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)及黄色(Y)画面。
[0043] 各所述子像素1003中设有第一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)50和像素电容60。部分或全部所述子像素1003中设有光电传感器70以形成识别子像素1004。所述光电传感器70用于识别携带用户指纹信息的目标光线。当光线被用户
手指反射后形成所述目标光线时，由于手指指纹纹路中的脊与谷的反射情况不同，因此通过分析所述目标光线的分布及光强，能够获得用户手指的指纹纹路，故而所述目标光线中携带有用户的指纹信息。所述识别子像素1004能够用于识别用户手指的指纹信息。
[0044] 在一种实施例中，全部的所述子像素1003均设置有所述光电传感器70，也即所有所述子像素1003均为识别子像素1004，所述显示屏100的整个显示区1001均能够进行目标光线识别。在另一种实施例中，部分所述子像素1003设置有所述光电传感器70以形成所述识别子像素1004，所述显示屏100的所述显示区1001中设置所述识别子像素1004的区域能够进行目标光线识别。
[0045] 在本申请中，由于所述光电传感器70设于所述识别子像素1004中，所述识别子像素1004位于所述显示屏100的显示区1001中，因此由一个或多个所述光电传感器70所形成的指纹识别模组能够设于所述显示区1001中，所述指纹识别模组无需占用所述显示屏100的非显示区1002空间，所述显示屏100的非显示区1002相较于传统显示屏能够减小，所述显示屏100的显示区1001相较于传统显示屏能够增加，从而提高了所述显示屏100及应用所述显示屏100的所述电子设备1000的屏占比。如图1和图2所示，所述电子设备1000和所述显示屏100的屏占比较大，甚至能够实现全屏显示。
[0046] 如图2所示，在所述识别子像素1004中，所述第一薄膜晶体管50和所述光电传感器70的
位置有多种排布方式。例如，所述第一薄膜晶体管50排布在所述识别子像素1004的左下
角，所述光电传感器70位于所述识别子像素1004的右下角、左上角或右上角。
[0047] 可以理解的是，在其他实施例中，光线被用户手掌或虹膜反射后也可形成光线信号，此时的光线信号携带有用户的掌纹纹路信息或虹膜纹路信息。此时，多个光电传感器用于感应用户的手掌纹路或虹膜纹路，以使电子设备获取手掌纹路或虹膜纹路图像，从而实现掌纹识别或
虹膜识别。
[0048] 请一并参阅图3和图4，图4是图3所示电路中识别子像素1004的部分电路在一种实施方式中的示意图。
[0049] 所述第一薄膜晶体管50包括栅极51(Gate，G，也叫做
门极)、第一端52及第二端53。一种实施例中，所述第一薄膜晶体管50的第一端52为源极(Source，S)，所述第一薄膜晶体管50的第二端53为漏极(Drain，D)。另一种实施例中，所述第一薄膜晶体管50的第一端52为漏极，所述第一薄膜晶体管50的第二端53为源极。
[0050] 所述光电传感器70包括输入端71和输出端72。所述光电传感器70为单向器件，
电流在所述输入端71向所述输出端72的方向上传输。所述光电传感器70感应到所述目标光线时，将所述目标光线转换成电信号，所述电信号由所述输出端72输出。
[0051] 在同一个所述识别子像素1004中：所述第一薄膜晶体管50的栅极51电连接至所述栅极线10，所述栅极线10对应于该识别子像素1004。所述栅极线10上可以加载用于打开所述第一薄膜晶体管50的信号，以导通所述第一薄膜晶体管50的第一端52与第二端53。所述栅极线10上可以加载用于关闭所述第一薄膜晶体管50的信号，以断开所述第一薄膜晶体管50的第一端52与第二端53。
[0052] 所述第一薄膜晶体管50的第一端52电连接至所述数据线20，所述数据线20对应于该识别子像素1004。所述第一薄膜晶体管50的第二端53电连接至所述像素电容60。所述像素电容60带电时，所述识别子像素1004进行显示。如图4中实线箭头所示，当所述第一薄膜晶体管50打开时，所述数据线20上加载的灰阶信号经所述第一薄膜晶体管50进入所述像素电容60，所述像素电容60带电，所述识别子像素1004进行显示。所述识别子像素1004的显示电路部分包括所述栅极线10、所述第一薄膜晶体管50、所述数据线20及所述像素电容60。其中，所述像素电容60包括像素
电极61、公共电极62及位于所述像素电极61与所述公共电极62之间的介质(也即
液晶层63)。所述像素电极61连接至所述第一薄膜晶体管50的第二端
53。所述公共电极62连接至所述显示屏100的公共电极线(未示出)。所述数据线20上加载灰阶信号，所述公共电极线上加载公共电压时，所述像素电容60的两端形成压差，所述像素电容60充电并进行显示。
[0053] 所述显示屏100还包括多条驱动线80。所述多条驱动线80电连接所述栅极驱动电路30或所述数据驱动电路40。图3中以所述多条驱动线80电连接所述数据驱动电路40为例进行示意。其中，多条所述驱动线80可以汇总至一条总线后连接至所述数据驱动电路40，以实现同时驱动。其他实施例中，多条所述驱动线80也可以分别连接至所述数据驱动电路40，以实现分开驱动，例如逐行驱动。
[0054] 所述光电传感器70的输入端71电连接所述驱动线80。所述光电传感器70的输出端72电连接至所述第一薄膜晶体管50的第二端53。如图4中虚线箭头所示，当所述驱动线80上加载驱动信号，且所述第一薄膜晶体管50打开时，所述光电传感器70会依据接收到的目标光线转换成电信号，并且所述电信号由所述数据线20输出。所述显示屏100通过所述电信号识别用户的手指指纹。所述识别子像素1004的识别电路部分包括所述栅极线10、所述第一薄膜晶体管50、所述驱动线80、所述光电传感器70及所述数据线20。
[0055] 在本申请中，所述识别子像素1004在显示电路部分和识别电路部分复用所述栅极线10、所述第一薄膜晶体管50及所述数据线20，以简化所述识别子像素1004的电路，使得所述识别子像素1004的电路结构较为简单，成本较低。
[0056] 请一并参阅图4和图5，图5是图4所示识别子像素1004的电路在一种使用状态中的驱动时序图。其中，图5中示意出了其中一个识别子像素1004所对应的栅极线10中信号的变化情况、驱动线80中信号的变化情况、数据线20中由数据驱动电路40输出的信号的变化情况(如201所示)、以及数据线20中由所述光电传感器70所形成的电信号的变化情况(如202所示)。
[0057] 所述显示屏100的一帧时间包括显示时段和识别时段。所述显示时段和所述识别时段的长度可以依据需求进行设置。
[0058] 在所述显示时段中，所述栅极线10用于加载第一信号以打开所述第一薄膜晶体管50，所述数据线20用于加载灰阶电压并传输至所述像素电容60，以使所述识别子像素1004进行显示。所述第一薄膜晶体管50可以为N型或P型。本申请以所述第一薄膜晶体管50为N型为例进行说明，则打开所述第一薄膜晶体管50的所述第一信号为
高电平信号。
[0059] 在所述识别时段中，所述栅极线10用于加载第二信号(例如高电平信号)以打开所述第一薄膜晶体管50，所述驱动线80用于加载驱动信号并传输至所述光电传感器70，以使所述光电传感器70依据所述目标光线形成电信号并通过所述数据线20输出。
[0060] 一种实施例中，在所述识别时段中的所述驱动信号为脉冲信号。所述电信号的脉冲幅值的变化反馈出所述目标光线的变化。所述控制器200接收所述电信号，并依据所述电信号获取所述
光信号所携带的用户指纹信息，从而形成用户的指纹图像。
[0061] 在本申请中，在所述栅极线10上分时加载驱动信号，在所述显示时段中使所述识别子像素1004进行显示，在所述识别时段中使所述识别子像素1004进行指纹识别，因此所述显示屏100能够兼顾显示功能与识别功能，从而提高用户的使用体验。
[0062] 请一并参阅图6和图7，图6是图3所示电路中识别子像素1004的部分电路在另一种实施方式中的示意图，图7是图6所示识别子像素1004的电路在一种使用状态中的驱动时序图。其中，图7中示意出了其中一个识别子像素1004所对应的栅极线10、控制线110、数据线20及驱动线80中的信号变化情况。
[0063] 所述识别子像素1004中还设有第二薄膜晶体管90。所述第二薄膜晶体管90包括栅极91、第一端92和第二端93。所述第二薄膜晶体管90的第一端92连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述第二薄膜晶体管90的第二端93连接所述像素电容60。所述第二薄膜晶体管90的栅极91用于通过控制线110接收
控制信号。所述控制线110电连接所述栅极驱动电路30或所述数据驱动电路40。本申请所述控制线110电连接所述数据驱动电路40为例进行说明。在所述显示时段中，所述控制信号打开所述第二薄膜晶体管90。在所述识别时段中，所述控制信号关闭所述第二薄膜晶体管90。例如，所述第二薄膜晶体管90为N型，所述控制信号在所述显示时段为高电平信号，在所述识别时段为低电平信号。
[0064] 在本实施方式中，所述显示屏100通过所述控制信号控制所述第二薄膜晶体管90的
开关状态，从而使所述像素电容60在所述显示时段中连接所述第一薄膜晶体管50，在所述识别时段中相对所述第一薄膜晶体管50断开，使得所述识别子像素1004在所述显示屏100的一帧时间内实现显示。
[0065] 可以理解的是，当所述显示屏100中包括非识别子像素1004的所述子像素1003时，所述子像素1003在显示时段的驱动方式可以参考所述识别子像素1004的显示时段进行设计；所述子像素1003在识别时段可不驱动。
[0066] 在本申请中，所述显示屏100的结构具有多种实施方式中，例如：
[0067] 在第一实施方式中：
[0068] 请一并参阅图8至图10，图8是本申请提供的显示屏100在第一实施方式中的结构示意图，图9是图8所示显示屏100的阵列基板1的部分结构在一种实施例中的示意图，图10是图9所示结构的分解结构示意图。
[0069] 为了简化说明，本实施例省略了可能存在的共享配线、存储电容等组件，然而本领域技术人员应能够依据
现有技术水平判断该些被省略的组件的位置与存在的必要性，因此不再赘述。
[0070] 所述显示屏100包括阵列基板1、彩膜基板2、液晶层63及
背光模组3。所述阵列基板1与所述彩膜基板2相对设置。所述液晶层63位于所述彩膜基板2与所述阵列基板1之间。所述背光模组3位于所述阵列基板1远离所述彩膜基板2的一侧，所述背光模组3用于为所述显示屏100提供
背光源。同时，用户手指触碰所述识别子像素1004(参阅图2)或位于所述识别子像素1004上方时，所述背光模组3射出的背光光线被用户手指反射后形成所述目标光线，所述目标光线携带用户的指纹信息，所述目标光线能够进入所述识别子像素1004，使得所述识别子像素1004中的所述光电传感器70依据所述目标光线形成对应的电信号，所述电子设备1000得以依据所述电信号识别用户指纹。所述显示屏100还可包括盖板4，所述盖板4位于所述彩膜基板2远离所述阵列基板1的一侧。所述盖板4可以为玻璃盖板。
[0071] 可以理解的是，本申请中，所述显示屏100具有一显示面，相邻的两条所述栅极线10及与其交叉的相邻两条所述数据线20在所述显示面上的投影共同限定出一个子像素投影区域，所述显示屏100的各个部件在所述显示面上的投影落入所述子像素投影区域中的部分共同形成所述子像素1003。所述显示屏100的各所述子像素1003均包括位于对应区域内的部分所述阵列基板1、部分所述彩膜基板2及部分所述液晶层63。
[0072] 所述阵列基板1设有所述第一薄膜晶体管50和所述光电传感器70。所述第一薄膜晶体管50和所述光电传感器70同层设置。由于所述第一薄膜晶体管50与所述光电传感器70同层设置，因此所述第一薄膜晶体管50和所述光电传感器70能够复用所述阵列基板1的厚度空间，从而降低所述显示屏100的整体厚度。
[0073] 请参阅图9，所述阵列基板1包括第一基材11、所述第一薄膜晶体管50的栅极51、栅极绝缘层12、所述第一薄膜晶体管50的
半导体层54、所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53、所述光电传感器70的输出端72、层间介电层13、所述光电传感器70的光敏层73及所述光电传感器70的输入端71。
[0074] 所述第一薄膜晶体管50的栅极51位于所述第一基材11的第一表面111上。所述栅极绝缘层12位于所述第一表面111上且
覆盖所述第一薄膜晶体管50的栅极51。所述第一薄膜晶体管50的半导体层54位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上。所述第一薄膜晶体管50的半导体层54在所述第一表面111上的投影可以覆盖所述第一薄膜晶体管50的栅极51在所述第一表面111上的投影。所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上，且所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53分别连接所述第一薄膜晶体管50的半导体层54的两端。所述光电传感器70的输出端72位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上，且所述光电传感器70的输出端72连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述层间介电层13位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的一侧，且覆盖所述第一薄膜晶体管50的半导体层54、第一端52、第二端53以及所述光电传感器70的输出端72。所述层间介电层13为绝缘层。所述层间介电层13设有第一通孔131，所述第一通孔131正对所述光电传感器70的输出端72。换言之，所述第一通孔131暴露出所述光电传感器70的输出端72。所述光电传感器70的光敏层73部分或全部填充于所述第一通孔131并连接所述光电传感器70的输出端72。所述光电传感器70的输入端71位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132且覆盖所述光电传感器70的光敏层73。
[0075] 在本实施方式中，所述第一薄膜晶体管50中的部分层结构与所述光电传感器70的部分层结构能够共用同一道制备工艺，以简化所述阵列基板1的制作工艺，提高所述阵列基板1的制作效率。
[0076] 可选的，所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53及所述光电传感器70的输出端72通过同一道蚀刻工艺成形。换言之，所述第一薄膜晶体管50的第二端53与所述光电传感器70的输出端72一体成型。制作时，可先在所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的一侧铺设完整的导电材料层，而后对所述导电材料层进行蚀刻，以一次形成所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53及所述光电传感器70的输出端72。
[0077] 可选的，所述光电传感器70所识别的所述目标光线可以为可见光或不可见光。所述目标光线可以为可见光时，所述背光模组3发出的背光光线为可见光。所述目标光线可以为不可见光时，所述背光模组3发出的背光光线包括可见光和不可见光。
[0078] 例如，所述目标光线为可见光，所述光电传感器70的光敏层73感应到可见光时发生
光电效应。例如，所述光电传感器70的光敏层73可采用富
硅化合物，包括但不限于富硅
氧化硅(SiOx)、富硅氮化硅(SiNy)、富硅氮氧化硅(SiOxNy)等。所述光电传感器70的输入端71采用透明导电材料。透明导电材料可以为但不限于氧化铟
锡(Indium tin oxide，ITO)。目标光线穿过所述光电传感器70的输入端71进入所述光电传感器70的光敏层73。
[0079] 其中，在所述光电传感器70的光敏层73的朝向所述背光模组3的一侧需要设置遮光层。遮光层的设置有多种实现方式，例如：
[0080] 请一并参阅图9和图10，所述光电传感器70的输出端72采用遮光导电材料。所述光电传感器70的输出端72在所述第一表面111上的投影覆盖所述光电传感器70的光敏层73在所述第一表面111上的投影。此时，所述光电传感器70的输出端72可以作为遮光层，所述光电传感器70的输出端72能够防止所述背光模组3射出的背光光线对所述光电传感器70的识别造成干扰。
[0081] 或者，请参阅图11，图11是图8所示显示屏100的阵列基板1的部分结构在另一种实施例中的示意图。所述阵列基板1还包括
导线17。所述导线17位于所述第一基材11的所述第一表面111上。所述导线17采用遮光材料。所述导线17在所述第一表面111上的投影覆盖所述光电传感器70的光敏层73在所述第一表面111上的投影。所述导线17能够防止所述背光模组3射出的背光光线对所述光电传感器70的识别造成干扰。此时，所述导线17可以作为遮光层，所述光电传感器70的输出端72可以采用透明导电材料或不透明导电材料制成。所述导线17可以是用于传输其他信号的走线。所述导线17可以与所述栅极51位于同一层，由同一道蚀刻制程所形成。
[0082] 在其他实施方式中，所述目标光线为不可见光，所述光电传感器70的光敏层73感应到不可见光时发生光电效应。例如，所述目标光线可以为红外光、
近红外光、紫外光或进紫外光。所述光电传感器70的光敏层73的材料可以为硫化铅(PbS)等对红外线或近红外线具有特殊相应的材料，也可以为铟锡锌氧化物(ITZO)或铟镓锌氧化物(IGZO)等对紫外线或近紫外线具有响应的半导体材料。
[0083] 请一并参阅图9和图10，一种实施例中，所述层间介电层13上还设有第二通孔133。所述第二通孔133正对所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述第二通孔133暴露出部分所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述阵列基板1还包括第一电极14。所述第一电极14位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且通过所述第二通孔133连接所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述第一电极14连接至所述数据线20。所述第一电极14与所述光电传感器70的输入端71可以通过同一道蚀刻工艺成形。可选的，所述数据线20可以与所述第一电极14同层设置，并通过同一道蚀刻工艺成形。
[0084] 在其他实施例中，所述数据线20可以与所述第一薄膜晶体管50的第一端52同层设置。所述数据线20直接连接所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述数据线20可以与所述第一薄膜晶体管50的第一端52通过同一道蚀刻工艺成形。相较于前述实施例，在本实施例中，所述阵列基板1无需设置所述第一电极14和所述第二通孔133，简化了所述阵列基板1的结构。
[0085] 请一并参阅图9和图10，一种实施例中，所述层间介电层13上还设有第三通孔134。所述第三通孔134正对所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述第三通孔134暴露出部分所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述阵列基板1还包括第二电极15，所述第二电极15位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且通过所述第三通孔134连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述第二电极15与所述光电传感器70的输入端71可以通过同一道蚀刻工艺成形。所述第二电极15连接至所述像素电容60。
[0086] 请参阅图12，图12是图8所示显示屏100的阵列基板1在一种实施例中的另一部分结构的示意图。图12所示结构能够与图8所示结构相结合，也能够与图11所示结构相结合。
[0087] 所述阵列基板1上还设有第二薄膜晶体管90，具体的：所述阵列基板1还包括第二薄膜晶体管90的栅极91、所述第二薄膜晶体管90的半导体层94、所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93及像素电极61。
[0088] 所述第二薄膜晶体管90的栅极91位于所述第一基材11的第一表面111上。所述第二薄膜晶体管90的栅极91与所述第一薄膜晶体管50的栅极51同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。所述栅极绝缘层12还覆盖所述第二薄膜晶体管90的栅极91。所述第二薄膜晶体管90的半导体层94位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上。所述第二薄膜晶体管90的半导体层94在所述第一表面111上的投影可以覆盖所述第二薄膜晶体管90的栅极91在所述第一表面111上的投影。所述第二薄膜晶体管90的半导体层94与所述第一薄膜晶体管50的半导体层54同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上，且所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93分别连接所述第二薄膜晶体管90的半导体层94的两端。所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端53和所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。
[0089] 所述层间介电层13还覆盖所述第二薄膜晶体管90的半导体层94、第一端92及第二端93。所述层间介电层13设有第五通孔136，所述第五通孔136正对所述第二薄膜晶体管90的第一端92。所述第二电极15还通过所述第五通孔136连接至所述第二薄膜晶体管90的第一端92。所述层间介电层13还设有第六通孔137，所述第六通孔137正对所述第二薄膜晶体管90的第二端93。所述像素电极61位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且通过所述第六通孔137连接所述第二薄膜晶体管90的第二端93。所述像素电极61与所述第二电极15同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。
[0090] 在其他实施例中，所述第二薄膜晶体管90的第一端92直接连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。相较于前述实施例，在本实施例中，所述阵列基板1无需设置所述第二电极154和所述第五通孔136，简化了所述阵列基板1的结构。
[0091] 在其他实施例中，当所述显示屏100未设置所述第二薄膜晶体管90时，所述像素电极61直接连接所述第二电极15(或所述第一薄膜晶体管50的第二端53)。
[0092] 请一并参阅图12和图13，图13是图8所示显示屏100的彩膜基板2的部分结构的示意图。图13所示彩膜基板2的结构能够与图12所示阵列基板1的结构相结合。
[0093] 所述彩膜基板2包括第二基材21、色阻层22及公共电极层23。所述色阻层22层叠在所述第二基材21上，所述公共电极层23位于所述色阻层22远离所述第二基材21的一侧。所述公共电极62、所述像素电极61及位于所述公共电极62与所述像素电极61之间的所述液晶层63(参阅图8)共同形成所述像素电容60。
[0094] 其中，所述色阻层22包括彩色色阻
块和黑色矩阵。所述彩色色阻块能够透过可见光。所述黑色矩阵遮挡可见光。当所述目标光线为可见光时，所述光电传感器70的光敏层73在所述第二基材21上的投影落入所述彩色色阻块在所述第二基材21上的投影范围内。当所述目标光线为不可见光时，所述光电传感器70的光敏层73在所述第二基材21上的投影可落入所述彩色色阻块在所述第二基材21上的投影范围内，也可落入所述黑色矩阵在所述第二基材21上的投影范围内。
[0095] 在第二实施方式中：
[0096] 请一并参阅图14至图16，图14是本申请提供的显示屏100在第二实施方式中的结构示意图，图15是图14所示显示屏100的部分结构在一种实施例中的结构示意图，图16是图15所示结构的分解结构示意图。
[0097] 本实施方式所述显示屏100与第一实施方式所述显示屏100不同的是：所述光电传感器70设于所述彩膜基板2上。为了简化说明，本实施例省略了可能存在的共享配线、存储电容等组件，然而本领域技术人员应能够依据现有技术水平判断该些被省略的组件的位置与存在的必要性，因此不再赘述。
[0098] 所述显示屏100包括相对设置的阵列基板1和彩膜基板2。所述阵列基板1设有所述第一薄膜晶体管50。所述彩膜基板2设有所述光电传感器70。此时，所述光电传感器70和所述第一薄膜晶体管50可以发生部分重叠或全部重叠，以复用所述显示屏100的长度和宽度上的空间，从而提高所述显示屏100的
开口率。其中，所述显示屏100还包括液晶层63、背光模组3及盖板4。
[0099] 所述阵列基板1包括第一基材11、所述第一薄膜晶体管50的栅极51、栅极绝缘层12、所述第一薄膜晶体管50的半导体层54、所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53、层间介电层13及第三电极16。
[0100] 所述第一薄膜晶体管50的栅极51位于所述第一基材11的第一表面111上。所述栅极绝缘层12位于所述第一表面111上且覆盖所述第一薄膜晶体管50的栅极51。所述第一薄膜晶体管50的半导体层54位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上。所述第一薄膜晶体管50的半导体层54在所述第一表面111上的投影可以覆盖所述第一薄膜晶体管50的栅极51在所述第一表面111上的投影。所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上，且所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53分别连接所述第一薄膜晶体管50的半导体层54的两端。所述层间介电层13位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的一侧且覆盖所述第一薄膜晶体管50的半导体层54、第一端52及第二端53。所述层间介电层13设有第四通孔135，所述第四通孔135正对所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述第三电极16位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且经所述第四通孔135连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。
[0101] 所述彩膜基板2包括第二基材21、所述光电传感器70的输入端71、所述光电传感器70的光敏层73、
支撑柱24及所述光电传感器70的输出端72。
[0102] 所述光电传感器70的输入端71位于所述第二基材21朝向所述第一基材11的一侧。所述光电传感器70的光敏层73位于所述光电传感器70的输入端71远离所述第二基材21的表面711上。所述支撑柱24位于所述第二基材21朝向所述第一基材11的一侧，且所述支撑柱
24正对所述第三电极16。所述光电传感器70的输出端72位于所述光电传感器70的光敏层73远离所述第二基材21的表面731上，且所述光电传感器70的输出端72部分搭设在所述支撑柱24上，以抵持所述第三电极16。此时，所述光电传感器70电连接至所述第一薄膜晶体管50的第二端53。
[0103] 在本实施方式中，用户识别指纹时，用户指纹与所述光电传感器70之间的间距更小，使得携带用户指纹信息的所述目标光线在传输过程中的损耗小，从而提高识别
精度和成像
质量。
[0104] 其中，所述目标光线为可见光时，所述光电传感器70的输入端71采用透明导电材料。所述光电传感器70的输出端72采用遮光导电材料。所述光电传感器70的输出端72在所述第二基材21上的投影覆盖所述光电传感器70的光敏层73在所述第二基材21上的投影。或者，所述光电传感器70的输出端72采用透明导电材料，在所述光电传感器70的输出端72远离所述光电传感器70的光敏层73的一侧设置一遮光件，以遮挡可见光。
[0105] 所述目标光线为不可见光时，所述光电传感器70的输入端71可以为透明导电材料或不透明导电材料，所述光电传感器70的输出端72的材料可以为透明导电材料或不透明导电材料。
[0106] 本实施方式所述光电传感器70的光敏层73的材料设置参阅前述第一实施方式中所述光电传感器70的光敏层73的材料设置。
[0107] 请一并参阅图15和图16，一种实施例中，所述层间介电层13上还设有第二通孔133。所述第二通孔133正对所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述阵列基板1还包括第一电极14。所述第一电极14位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且通过所述第二通孔133连接所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述第一电极14连接至所述数据线20。所述第一电极14与所述第三电极16可以通过同一道蚀刻工艺成形。可选的，所述数据线20可以与所述第一电极14同层设置，并通过同一道蚀刻工艺成形。
[0108] 在其他实施例中，所述数据线20可以与所述第一薄膜晶体管50的第一端52同层设置。所述数据线20直接连接所述第一薄膜晶体管50的第一端52。所述数据线20可以与所述第一薄膜晶体管50的第一端52通过同一道蚀刻工艺成形。相较于前述实施例，在本实施例中，所述阵列基板1无需设置所述第一电极14和所述第二通孔133，简化了所述阵列基板1的结构。
[0109] 请一并参阅图15和图16，一种实施例中，所述层间介电层13上还设有第三通孔134。所述第三通孔134正对所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述阵列基板1还包括第二电极15。所述第二电极15位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且通过所述第三通孔134连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述第二电极15连接至所述像素电容60。所述第二电极15与所述第三电极16可以通过同一道蚀刻工艺成形。
[0110] 一种实施例中，请一并参阅图15和图16，所述彩膜基板2还包括色阻层22。所述色阻层22位于所述第二基材21朝向所述第一基材11的第二表面211上。所述色阻层22包括黑色矩阵和彩色色阻块。
[0111] 所述色阻层22设有第一孔221。所述第一孔221延伸至所述第二表面211，所述光电传感器70部分位于所述第一孔221中。此时，所述光电传感器70与用户指纹之间的距离更近，有利于提高用户指纹的识别准确度。并且，所述色阻层22不会对所述目标光线进行遮挡，所述目标光线可以为可见光或不可见光。
[0112] 其中，所述彩膜基板2还包括平坦层25。所述平坦层25位于所述色阻层22远离所述第一基材11的一侧。所述平坦层25设有第二孔251。所述第二孔251连通所述第一孔221。所述光电传感器70部分位于所述第二孔251中。
[0113] 所述支撑柱24和所述平坦层25可通过同一道蚀刻工艺成形。此时，所述阵列基板1的制备工艺较为简单，有利于降低所述阵列基板1的成本。
[0114] 所述光电传感器70的输入端71位于所述第一孔221中。所述光电传感器70的光敏层73位于所述第二孔251中。所述光电传感器70的输出端72位于所述平坦层25远离所述色阻层22的一侧。
[0115] 另一种实施例中，请参阅图17，图17是图14所示显示屏100的部分结构在另一种实施例中的结构示意图。本实施例与前述实施例不同的是：所述光电传感器70的输入端71和光敏层73位于所述第一孔221中。所述光电传感器70的输出端72部分位于所述第二孔251中。其中，所述第二孔251的孔壁可与所述支撑柱24的侧面大致平齐，以使所述光电传感器70的输出端72在成形时不易断裂，提高所述显示屏100的良品率。
[0116] 再一种实施例中，请参阅图18，图18是图14所示显示屏100的部分结构在再一种实施例中的结构示意图。所述彩膜基板2还包括色阻层22。所述色阻层22位于所述第二基材21朝向所述第一基材11的第二表面211上。所述色阻层22包括黑色矩阵222和彩色色阻块223。本实施例与前述实施例不同的是：所述光电传感器70位于所述色阻层22远离所述第二基材
21的一侧。所述目标光线为可见光时，所述光电传感器70的光敏层73正对所述彩色色阻块
223设置。换言之，所述光电传感器70的光敏层73在所述第二表面211上的投影落入所述彩色色阻块223在所述第二表面211上的投影范围内。所述目标光线为不可见光时，则对所述光电传感器70与所述彩色色阻块223及所述黑色矩阵222之间的相对位置关系不作严格限定。
[0117] 请一并参阅图19，图19是图14所示显示屏100的另一部分结构的示意图。图19所示结构能够与图15所示结构、图17所示结构及图18所示结构相结合。
[0118] 所述阵列基板1还包括第二薄膜晶体管90，具体的：所述阵列基板1还包括第二薄膜晶体管90的栅极91、所述第二薄膜晶体管90的半导体层94、所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93及像素电极61。
[0119] 所述第二薄膜晶体管90的栅极91位于所述第一基材11的第一表面111上。所述第二薄膜晶体管90的栅极91与所述第一薄膜晶体管50的栅极51同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。所述栅极绝缘层12还覆盖所述第二薄膜晶体管90的栅极91。所述第二薄膜晶体管90的半导体层94位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上。所述第二薄膜晶体管90的半导体层94在所述第一表面111上的投影可以覆盖所述第二薄膜晶体管90的栅极91在所述第一表面111上的投影。所述第二薄膜晶体管90的半导体层94与所述第一薄膜晶体管50的半导体层54同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93位于所述栅极绝缘层12远离所述第一基材11的表面121上，且所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93分别连接所述第二薄膜晶体管90的半导体层94的两端。所述第二薄膜晶体管90的第一端92和第二端93和所述第一薄膜晶体管50的第一端52和第二端53同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。
[0120] 所述层间介电层13还覆盖所述第二薄膜晶体管90的半导体层94、第一端92及第二端93。所述层间介电层13设有第五通孔136，所述第五通孔136正对所述第二薄膜晶体管90的第一端92。所述第二电极15还通过所述第五通孔136连接至所述第二薄膜晶体管90的第一端92。所述层间介电层13还设有第六通孔137，所述第六通孔137正对所述第二薄膜晶体管90的第二端93。所述像素电极61位于所述层间介电层13远离所述栅极绝缘层12的表面132，且通过所述第六通孔137连接所述第二薄膜晶体管90的第二端93。所述像素电极61与所述第二电极15同层设置，可通过同一道蚀刻工艺成形。
[0121] 所述彩膜基板2还包括公共电极层23。所述公共电极层23位于所述色阻层22远离所述第二基材21的一侧。所述公共电极62、所述像素电极61及位于所述公共电极62与所述像素电极61之间的所述液晶层63共同形成所述像素电容60。
[0122] 在其他实施例中，所述第二薄膜晶体管90的第一端92直接连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。相较于前述实施例，在本实施例中，所述阵列基板1无需设置所述第二电极154和所述第五通孔136，简化了所述阵列基板1的结构。
[0123] 请参阅图20，图20是本申请提供的一种电子设备的控制方法的流程图。
[0124] 所述电子设备的控制方法应用于前文所述电子设备1000(请参阅图1至图19)。
[0125] 所述电子设备1000包括控制器200和显示屏100，所述显示屏100多条栅极线10、多条数据线20及多条驱动线80。所述多条栅极线10与所述多条数据线20交叉绝缘排布并形成阵列排布的多个子像素1003。各所述子像素1003中设有第一薄膜晶体管50和像素电容60。部分或全部所述子像素1003中设有光电传感器70以形成识别子像素1004。
[0126] 在同一个所述识别子像素1004中，所述第一薄膜晶体管50包括栅极51、第一端52及第二端53，所述第一薄膜晶体管50的栅极51电连接至所述栅极线10，所述第一薄膜晶体管50的第一端52电连接至所述数据线20，所述第一薄膜晶体管50的第二端53电连接至所述像素电容60，所述光电传感器70的输入端71电连接所述驱动线80，所述光电传感器70的输出端72电连接至所述第一薄膜晶体管50的第二端53，所述光电传感器70用于识别携带用户指纹信息的目标光线。
[0127] 所述显示屏100的一帧时间包括显示时段和识别时段。
[0128] 所述电子设备的控制方法包括：
[0129] 001：在所述显示屏100的显示时段中，所述控制器200在所述栅极线10上加载第一信号以打开所述第一薄膜晶体管50，所述控制器200在所述数据线20上加载灰阶电压并传输至所述像素电容60，以使所述识别子像素1004进行显示；
[0130] 003：在所述显示屏100的识别时段中，所述控制器200在所述栅极线10上加载第二信号以打开所述第一薄膜晶体管50，所述控制器200在所述驱动线80上加载驱动信号并传输至所述光电传感器70，以使所述光电传感器70依据所述目标光线形成电信号并通过所述数据线20输出。
[0131] 在本申请中，在所述栅极线10上分时加载驱动信号，在所述显示时段中使所述识别子像素1004进行显示，在所述识别时段中使所述识别子像素1004进行指纹识别，因此所述显示屏100能够兼顾显示功能与识别功能，从而提高用户的使用体验。
[0132] 可选的，所述识别子像素1004中还设有第二薄膜晶体管90。所述第二薄膜晶体管90包括栅极91、第一端92和第二端93。所述第二薄膜晶体管90的第一端92连接所述第一薄膜晶体管50的第二端53。所述第二薄膜晶体管90的第二端93连接所述像素电容60。所述第二薄膜晶体管90的栅极91电连接至控制线110。
[0133] 所述电子设备的控制方法还包括：
[0134] 在所述显示屏100的显示时段，在所述控制线110上加载能够打开所述第二薄膜晶体管90的控制信号，以使所述灰阶电压经所述第二薄膜晶体管90传输至所述像素电容60；
[0135] 在所述显示屏100的识别时段，在所述控制线110上加载能够关闭所述第二薄膜晶体管90的控制信号，以断开所述像素电容60与所述第一薄膜晶体管50。
[0136] 在本实施方式中，所述显示屏100通过所述控制信号控制所述第二晶体管的开关状态，从而使所述像素电容60在所述显示时段中连接所述第一薄膜晶体管50，在所述识别时段中相对所述第一薄膜晶体管50断开，使得所述识别子像素1004在所述显示屏100的一帧时间内实现显示。
[0137] 以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本
说明书内容不应理解为对本申请的限制。
