1.一种图案化光刻衬底的方法，所述方法包括使用自由电子激光器以产生EUV辐射并且输送所述EUV辐射至将所述EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备，其中所述方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路以监测所述自由电子激光器并相应地调整所述自由电子激光器的操作而减少输送至所述光刻衬底的EUV辐射的功率的波动。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于反馈的控制回路监测由所述自由电子激光器输出的所述EUV辐射的功率。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述基于反馈的控制回路监测与由所述自由电子激光器输出的EUV辐射的功率相关的参数。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述基于反馈的控制回路监测所述自由电子激光器中的电子的电流。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述基于反馈的控制回路监测用于产生由所述自由电子激光器使用的电子的激光器的功率。
6.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述基于反馈的控制回路操作于10kHz或更高的频率。
7.根据任一前述权利要求所述的方法，进一步包括施加可变衰减至已经由所述自由电子激光器输出的EUV辐射以便于进一步控制输送至所述光刻设备的EUV辐射的功率。
8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述光刻设备是接收所述EUV辐射的多个光刻设备中的一个。
9.根据权利要求7和8所述的方法，其中，所述EUV辐射的所述可变衰减对于每个所述光刻设备是独立可控的。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中，由第二基于反馈的控制回路控制所述可变衰减。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路操作于1kHz或更低的频率。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路使用由位于所述光刻设备中的传感器所测量的EUV辐射强度，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之前。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路使用由位于所述光刻设备中的传感器所测量的EUV辐射强度，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之后。
14.一种控制在由自由电子激光器产生之后、由光刻设备输送至光刻衬底上的目标位置的EUV辐射的剂量的方法，所述方法包括使用第一基于反馈的控制回路和第二基于反馈的控制回路以调整入射在所述目标位置处的EUV辐射的强度，所述第一基于反馈的控制回路具有比所述第二基于反馈的控制回路更快的响应。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二基于反馈的控制回路与所述光刻设备相关联。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中，所述第一基于反馈的控制回路与所述自由电子激光器相关联。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，其中，使用位于衬底支撑台处的传感器监测由所述光刻设备输送的EUV辐射的强度。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，由所述光刻设备在目标位置的曝光之间测量所述强度。
19.一种控制使用自由电子激光器产生EUV的方法，所述方法包括监测由所述自由电子激光器输出的EUV辐射的功率并且使用基于反馈的控制回路控制所述EUV辐射的功率，其中执行对所述EUV辐射的功率的调整而同时维持基本上恒定的EUV辐射波长。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述EUV辐射由多个光刻设备使用以图案化光刻衬底。
21.一种光刻系统，包括配置用于产生EUV辐射的自由电子激光器、以及配置用于将所述EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备，其中所述设备进一步包括基于反馈的控制回路，所述基于反馈的控制回路包括配置用于监测由所述自由电子激光器输出的所述EUV辐射的传感器、以及配置用于从所述传感器接收输出并相应地调整所述自由电子激光器的操作的控制器。
22.根据权利要求21所述的光刻系统，其中，所述传感器配置用于监测由所述自由电子激光器输出的所述EUV辐射的功率。
23.根据权利要求21所述的光刻系统，其中，所述传感器配置用于监测与由所述自由电子激光器输出的所述EUV辐射的功率相关的参数。
24.根据权利要求23所述的光刻系统，其中，所述传感器配置用于监测所述自由电子激光器中的电子的电流。
25.根据权利要求23所述的光刻系统，其中，所述传感器配置用于监测用于产生由所述自由电子激光器使用的电子的激光器的功率。
26.根据权利要求21至25中任一项所述的光刻系统，其中，所述基于反馈的控制回路配置用于操作于10kHz或更高的频率。
27.根据权利要求21至26中任一项所述的光刻系统，进一步包括衰减器，所述衰减器配置用于施加可变衰减至已经由所述自由电子激光器输出的EUV辐射以便于进一步控制输送至所述光刻设备的所述EUV辐射的功率。
28.根据权利要求21至27中任一项所述的光刻系统，其中，所述光刻设备是接收所述EUV辐射的多个光刻设备中的一个。
29.根据权利要求27和28所述的光刻系统，其中，对于每个光刻设备提供衰减器，所述衰减器对于每个所述光刻设备是独立可控的。
30.根据权利要求21至29中任一项所述的光刻系统，其中，由第二基于反馈的控制回路控制所述可变衰减。
31.根据权利要求30所述的光刻系统，其中，所述第二基于反馈的控制回路操作于
1kHz或更低的频率。
32.根据权利要求30或31所述的光刻系统，其中，所述第二基于反馈的控制回路包括配置用于测量所述光刻设备中的EUV辐射强度的传感器。
33.根据权利要求32所述的光刻系统，其中，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之前。
34.根据权利要求32所述的光刻系统，其中，所述传感器位于所述光刻设备的投影系统之后。
35.一种用于控制在由自由电子激光器产生之后、由光刻设备输送至光刻衬底上的目标位置的EUV辐射的剂量的设备，所述设备包括可操作用于调整入射在所述目标位置处的所述EUV辐射的强度的第一基于反馈的控制回路和第二基于反馈的控制回路，所述第一基于反馈的控制回路具有比所述第二基于反馈的控制回路更快的响应。
36.根据权利要求35所述的设备，其中，所述第二基于反馈的控制回路与所述光刻设备相关联。
37.根据权利要求35或36所述的设备，其中，所述第一基于反馈的控制回路与所述自由电子激光器相关联。
38.根据权利要求35至37中任一项所述的设备，其中，所述光刻设备包括位于衬底支撑台处的传感器，所述传感器配置用于监测由所述光刻设备输送的所述EUV辐射的强度。
39.根据权利要求38所述的设备，其中，由所述光刻设备在目标位置的曝光之间测量所述强度。
40.根据权利要求35至39中任一项所述的设备，其中，所述EUV辐射由多个光刻设备使用以图案化光刻衬底。
41.一种用于自由电子激光器的喷射器，包括：
光阴极；
辐射源，可操作用于发出脉冲辐射束并且引导所述脉冲辐射束入射在所述光阴极上，由此使得所述光阴极发出由所述喷射器输出的电子束团的束，每个电子束团对应于所述辐射束的脉冲；以及
控制设备，可操作用于中断所述电子束以便于使得所述辐射束的至少一个脉冲在从所述喷射器输出的所述电子束中基本上不具有相关联的电子束团。
42.根据权利要求41所述的喷射器，其中，所述控制设备可操作用于以周期性方式中断所述电子束。
43.根据权利要求41或42所述的喷射器，其中，所述控制设备可操作用于中断所述电子束以便于使得所述辐射束的单个脉冲在从所述喷射器输出的所述电子束中基本上不具有相关联电子束团。
44.根据权利要求41至43中任一项所述的喷射器，其中，所述控制设备可操作用于基本上阻止所述辐射束的至少一个脉冲入射在所述光阴极上，由此中断从所述光阴极发出电子束团。
45.根据权利要求44所述的喷射器，其中，所述控制设备包括：
普克尔斯盒，在所述辐射束入射在所述光阴极之前布置在所述辐射束的路径中，并且其中所述普克尔斯盒在第一操作模式和第二操作模式之间可切换，在所述第一操作模式中所述普克尔斯盒配置用于透射所述辐射束而并不改变其偏振状态，在所述第二操作模式中所述普克尔斯盒配置用于透射所述辐射束并且旋转所述普克尔斯盒的偏振状态；以及偏振器，布置在所述普克尔斯盒和所述光阴极之间并且在所述辐射束的路径中，其中所述偏振器配置用于仅透射具有给定偏振状态的辐射。
46.根据权利要求45所述的喷射器，其中，所述普克尔斯盒包括电光晶体、电极对以及电压源，并且其中所述电压源可操作用于在电极之间产生电势差由此将所述普克尔斯盒从所述第一操作模式切换至所述第二操作模式。
47.根据权利要求46所述的喷射器，其中，所述普克尔斯盒包括多个电极对和多个电压源，并且其中多个电压源中的每一个可操作用于在多个电极对中的一个电极对之间产生电势差，由此将所述普克尔斯盒从所述第一操作模式切换至所述第二操作模式。
48.根据权利要求45至47中任一项所述的喷射器，其中，所述普克尔斯盒配置用于当处于所述第二操作模式时以90°旋转所述辐射束的偏振状态。
49.根据权利要求45至47中任一项所述的喷射器，其中，所述控制设备包括在所述辐射束入射在所述光阴极上之前布置在所述辐射束的路径中的多个普克尔斯盒，并且其中所述多个普克尔斯盒中的每一个在第一操作模式和第二操作模式之间可切换，在所述第一操作模式中所述普克尔斯盒配置用于透射所述辐射束而并不改变其偏振状态，在所述第二操作模式中所述普克尔斯盒配置用于透射所述辐射束并且以小于90°旋转所述普克尔斯盒的偏振状态，并且其中所述多个普克尔斯盒配置用于当所述多个普克尔斯盒中的每一个处于所述第二操作模式时施加辐射束的偏振状态的90°的组合旋转。
50.根据权利要求45至49中任一项所述的喷射器，其中，所述偏振器配置用于仅透射具有在所述辐射束入射在所述普克尔斯盒上之前所述辐射束的偏振状态的辐射。
51.根据权利要求48所述的喷射器，进一步包括第二普克尔斯盒，所述第二普克尔斯盒配置用于当处于所述第二操作模式时以90°旋转所述辐射束的偏振状态。
52.根据权利要求51所述的喷射器，其中，所述偏振器配置用于仅透射具有与在所述辐射束入射在所述普克尔斯盒上之前所述辐射束的偏振状态正交的偏振状态的辐射。
53.根据任一前述权利要求所述的喷射器，其中，所述控制设备可操作用于将至少一个电子束团偏转出所述电子束，由此中断从所述喷射器输出的所述电子束。
54.根据权利要求53所述的喷射器，其中，所述控制设备包括：
导电极板对，布置在所述电子束的轨迹的任一侧；以及
电压源，可操作用于在导电极板之间产生电势差，由此在所述导电极板之间产生电场，所述电场足以将电子束团偏转出所述电子束。
55.根据权利要求54所述的喷射器，进一步包括束流收集器，所述束流收集器设置用于接收偏转出所述电子束的电子束团。
56.一种自由电子激光器，包括：
根据权利要求41至55中任一项所述的喷射器；
粒子加速器，可操作用于加速从喷射器输出的电子束；
波荡器，可操作用于沿着周期性路径引导已加速的电子束以便于激发自由电子激光辐射束的发射，其中所述自由电子激光辐射束包括一系列脉冲，每个脉冲对应于所述电子束的电子束团。
57.根据权利要求56所述的自由电子激光器，其中，所述喷射器的所述控制设备可操作用于中断从所述喷射器输出的所述电子束，由此中断所述自由电子激光辐射束的脉冲。
58.根据权利要求57所述的自由电子激光器，进一步包括控制器，可操作用于控制所述喷射器的所述控制设备以便于控制在给定时间段中发生的所述自由电子激光辐射束的脉冲数目。
59.根据权利要求56至58中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述波荡器可操作用于激发EUV自由电子激光辐射束的发射。
60.根据权利要求59所述的自由电子激光器，进一步包括传感器，配置用于监测所述辐射束的强度并且输出信号至所述控制器，由此提供基于反馈的控制回路。
61.一种光刻系统，包括：
辐射源，包括根据权利要求56至519中任一项所述的自由电子激光器；以及光刻设备。
62.根据权利要求61所述的光刻设备，其中，所述光刻设备设置用于接收辐射束，所述辐射束包括从所述辐射源的自由电子激光器输出的所述自由电子激光辐射束的至少一部分，所述光刻设备包括：
照明系统，配置用于调节从所述辐射源接收的所述辐射束；
支撑结构，构造用于支撑图案形成装置，图案形成装置能够在其截面中给予辐射束以图案以形成图案化辐射束；
衬底台，构造用于固定衬底；以及
投影系统，配置用于将所述图案化辐射束投影至所述衬底的目标位置上。
63.根据权利要求62所述的光刻系统，其中，所述喷射器的所述控制设备可操作用于中断从所述喷射器输出的电子束，由此中断所述自由电子激光辐射束的脉冲，由此中断由所述光刻设备接收的所述辐射束的脉冲，由此中断投影至所述衬底的目标位置上的所述图案化辐射束的脉冲。
64.根据权利要求63所述的光刻系统，进一步包括控制器，其中所述控制器可操作用于控制所述喷射器的所述控制设备以便于控制在曝光时间段中由所述衬底的所述目标位置所接收的所述图案化辐射的脉冲数目，由此控制在所述曝光时间段中由所述衬底的所述目标位置接收的辐射的剂量。
65.一种自由电子激光器，包括：
波荡器，包括多个磁体，可操作用于产生周期性磁场并且设置以便于围绕波荡器的中心轴线沿着周期性路径引导相对论性电子以使得它们与所述波荡器中的辐射相互作用，激发相干辐射的发射；以及
调整机构，配置用于响应于接收到的信号而改变所述波荡器的参数以使得改变所述辐射的辐照度和/或偏振。
66.根据权利要求65所述的自由电子激光器，进一步包括辐射传感器，配置用于确定发射的辐射的辐照度以及用于将指示所述辐照度的信号发送至所述调整机构。
67.根据权利要求65或66所述的自由电子激光器，其中，所述波荡器是锥形的。
68.根据权利要求65至67中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述调整机构配置用于改变在所述波荡器的中心轴线上或靠近所述中心轴线的磁场强度。
69.根据权利要求68所述的自由电子激光器，其中，通过朝向或远离所述波荡器的所述中心轴线移动所述磁体中的一个或者多个而改变在所述波荡器的所述中心轴线上或靠近所述中心轴线的磁场强度。
70.根据权利要求69所述的自由电子激光器，其中，以使得所述辐射的偏振保持不变的方式相对于所述波荡器的所述中心轴线移动所述一个或多个磁体。
71.根据权利要求68至70中任一项所述的自由电子激光器，其中，通过改变由所述磁体产生的磁场而改变在所述波荡器的中心轴线上或靠近所述中心轴线的磁场强度。
72.根据权利要求65至71中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述调整机构配置用于改变所述波荡器的周期。
73.根据权利要求65至72中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述周期性路径包括螺旋形区段。
74.根据权利要求73所述的自由电子激光器，进一步包括第一偏转磁体，所述第一偏转磁体布置在所述相对论性电子的源和所述波荡器之间，所述第一偏置磁体能够处于：关闭状态，其中由所述波荡器沿着所述周期性路径引导电子以使得所述电子与所述波荡器中的辐射相互作用，激发相干辐射的发射；或开通状态，其中通过所述波荡器沿着不同路径引导所述电子以使得所述电子与所述波荡器中的辐射去耦合并且基本上不激发相干辐射的发射。
75.根据权利要求74所述的自由电子激光器，进一步包括第二偏转磁体，所述第二偏转磁体布置在所述波荡器的下游，并且设置用于补偿所述第一偏转磁体的动作以使得当所述第一偏转磁体处于所述开通状态时离开所述第二偏转磁体的电子遵循与当所述第一偏转磁体处于所述关闭状态时离开所述第二偏转磁体的电子基本上相同的轨迹。
76.根据权利要求65至75中任一项所述的自由电子激光器，进一步包括配置用于减速电子的减速机构、以及配置用于吸收电子的束流收集器，所述减速机构可操作用于在已经离开所述波荡器的电子进入所述束流收集器之前减少所述电子的能量。
77.根据权利要求76所述的自由电子激光器，进一步包括所述相对论性电子的源，所述源包括线性加速器，并且所述减速机构使用所述线性加速器以减速已经离开所述波荡器的电子。
78.根据权利要求76或77所述的自由电子激光器，其中，所述减速机构的至少一部分与所述相对论性电子的源分离。
79.根据权利要求78所述的自由电子激光器，其中，所述减速机构包括诸如同步加速器或回旋加速器的有源减速机构。
80.根据权利要求78或79所述的自由电子激光器，其中，所述减速机构包括诸如所述电子穿过其中的具有粗糙内表面的导电管道的无源减速机构。
81.根据权利要求65至80中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述波荡器被配置为使得根据布置在所述自由电子激光器和图案形成装置之间的反射镜而选择发射的辐射的偏振，以使得入射在所述图案形成装置上的辐射具有所需的偏振。
82.根据权利要求65至81中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述调整机构配置用于通过以下方式改变所述辐射的偏振：将所述辐射分割为至少两个分量；沿着不同光学路径引导所述至少两个分量；以及组合所述至少两个分量，其中所述光学路径中的一个包括多个反射以使得遵循该光学路径的分量的偏振矢量被旋转。
83.根据权利要求65至82中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述波荡器包括螺旋形波荡器并且所述调整机构配置用于通过调整螺旋形波荡器的至少一个部分相对于另一部分的周期性磁体结构而改变所述辐射的偏振。
84.根据权利要求65至83中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述波荡器包括平面波荡器，以及所述调整机构配置用于通过改变所述波荡器的至少一个区段的锥形以使得改变第一线偏振分量和第二线偏振分量的比例从而改变所述辐射的偏振。
85.根据权利要求65至84中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述调整机构配置用于通过将平面波荡器区段的至少一个区段引入所述波荡器中以便于放大所需偏振状态从而改变所述辐射的偏振。
86.根据权利要求65至85中任一项所述的自由电子激光器，进一步包括电子源，可操作用于产生所述相对论性电子。
87.一种包括自由电子激光器的辐射系统，所述自由电子激光器包括：
电子源，可操作用于产生相对论性电子；以及
波荡器，包括多个磁体，可操作用于产生周期性磁场并且设置以便于围绕所述波荡器的中心轴线沿着周期性路径引导所述相对论性电子以使得所述相对论性电子与所述波荡器中的辐射相互作用，从而激发相干辐射的发射；
其中所述波荡器包括调整机构，所述调整机构可操作用于响应于接收到的信号而改变所述辐射系统的参数以使得所述辐射的辐照度和/或偏振被改变。
88.根据权利要求87所述的辐射系统，其中，所述参数是所述自由电子激光器的参数。
89.一种光刻系统，包括：
根据权利要求87或88所述的辐射系统和/或根据权利要求65至86中任一项所述的自由电子激光器；以及
光刻设备。
90.一种产生辐射的方法，所述方法包括：
使用波荡器以沿着周期性改变的路径引导相对论性电子的束以使其发射辐射束；以及响应于接收到的信号改变所述波荡器的参数，以便于改变所述周期性磁场和所述辐射束的辐照度。
91.一种自由电子激光器，包括：
电子源，用于产生包括相对论性电子的多个束团的电子束；
波荡器，设置用于接收所述电子束并且沿着周期性路径引导所述电子束以使得所述电子束与所述波荡器内的辐射相互作用，从而激发辐射的发射并且提供辐射束；以及可调压缩器，可操作用于控制以下各项中的至少一个：(i)所述多个电子束团中的一个或多个在其进入所述波荡器之前沿着电子束的传播方向的电荷密度分布；或者(ii)所述多个电子束团中的一个或多个在其进入所述波荡器之前的平均能量。
92.根据权利要求91所述的自由电子激光器，其中，所述可调压缩器包括调整机构，所述调整机构设置用于控制以下各项中的至少一个：(a)所述多个电子束团中的一个或多个的啁啾；或(b)所述多个电子束团中的一个或多个中的电子的平均能量。
93.根据权利要求92所述的自由电子激光器，其中，所述调整机构包括谐振腔。
94.根据权利要求93所述的自由电子激光器，其中，所述谐振腔被设置为使得所述谐振腔相对于所述电子束的相位保持基本上恒定并且所述相位使得所述腔内的电场对于在穿过所述谐振腔的所述电子束的每个束团的中心处的电子基本上为零。
95.根据权利要求93所述的自由电子激光器，其中，所述谐振腔被设置为使得所述谐振腔相对于所述电子束的相位保持基本上恒定并且所述相位使得所述腔内的电场对于在穿过所述谐振腔的所述电子束的每个束团的中心处的电子基本上处于其最大值或最小值。
96.根据权利要求93至95中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述谐振腔是常导谐振腔。
97.根据权利要求91所述的自由电子激光器，其中，所述可调压缩器进一步包括磁性压缩器，所述磁性压缩器布置在所述调整机构的下游并且设置用于沿着电子束的传播方向压缩所述多个电子束团中的一个或多个，所述压缩取决于当所述电子束进入所述磁性压缩器时所述电子束的啁啾。
98.根据权利要求91至97中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述电子源包括用于产生聚束的电子束的机构以及可操作用于加速所述聚束的电子束的线性加速器，所述线性加速器包括多个射频腔，其中所述可调压缩器与所述线性加速器分离。
99.根据当直接或间接从属于权利要求92时的权利要求98所述的自由电子激光器，其中，所述调整机构布置在用于产生聚束的电子束的所述机构的下游并且在所述线性加速器的上游。
100.根据任一前述权利要求所述的自由电子激光器，进一步包括：
控制器；以及
传感器，用于确定指示所述辐射束的功率、或者指示由所述辐射束输送至目标位置的辐射的剂量的数值，并且将指示所述数值的信号输出至所述控制器，
其中所述控制器可操作用于响应于由所述传感器输出的所述信号而改变所述多个电子束团中的一个或多个的电荷密度分布和/或所述多个电子束团中的每一个内的电子的平均能量。
101.一种光刻系统，包括：
根据权利要求91至100中任一项所述的自由电子激光器；以及
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备中的每一个设置用于接收由所述自由电子激光器产生的至少一个辐射束的至少一部分。
102.一种设备，包括：
辐射源，用于产生辐射，所述辐射源包括可操作用于控制所述辐射的波长的调整机构；
目标位置，用于接收所述辐射；
光学系统，设置用于从所述辐射源至所述目标位置引导所述辐射，所述光学系统具有波长相关的透射率或反射率；
控制器；以及
传感器，用于确定指示所述辐射的功率、或者指示由所述辐射输送至所述目标位置的辐射的剂量的数值，并且将指示所述数值的信号输出至所述控制器；
其中所述控制器可操作用于响应于由所述传感器输出的所述信号使用所述调整机构改变所述辐射的波长。
103.根据权利要求102所述的设备，其中，所述辐射源包括自由电子激光器，所述自由电子激光器包括：
电子源，用于产生包括相对论性电子的多个束团的电子束；以及
波荡器，设置用于接收所述电子束并且沿着周期性路径引导所述电子束以使得所述电子束与所述波荡器内的辐射相互作用，从而激发辐射的发射并且提供辐射束；
其中所述调整机构可操作用于在多个电子束团中的一个或多个进入所述波荡器之前改变所述多个电子束团的一个或多个中的电子的平均能量。
104.根据权利要求102或103所述的设备，其中，所述调整机构包括谐振腔。
105.根据权利要求104所述的设备，其中，所述谐振腔是常导谐振腔。
106.根据权利要求104或105所述的设备，其中，所述谐振腔被设置为使得所述谐振腔相对于所述电子束的相位保持基本上恒定并且所述相位使得腔内的电场对于在穿过所述谐振腔的所述电子束的所述多个电子束团中的一个或多个的中心处的电子基本上处于其最大值或最小值。
107.根据权利要求103至106任一项所述的设备，其中，所述电子源包括用于产生聚束的电子束的机构以及可操作用于加速所述聚束的电子束的线性加速器，所述线性加速器包括多个射频腔，其中所述调整机构与所述线性加速器分离。
108.一种自由电子激光器，包括：
电子源，用于产生包括相对论性电子的多个束团的电子束，所述电子束具有第一频率；
波荡器，设置用于接收所述电子束并且沿着周期性路径引导所述电子束以使得所述电子束与所述波荡器内的辐射相互作用，从而激发辐射的发射并且提供辐射束；以及可调谐振腔，设置在所述电子源和所述波荡器之间并且设置用于操作于第二频率以使得所述多个电子束团的啁啾和/或电子束团中的电子平均能量随着时间改变。
109.根据权利要求108所述的自由电子激光器，进一步包括磁性压缩器，设置用于沿着所述电子束的传播方向压缩所述电子束团，所述压缩取决于当所述电子束团进入所述磁性压缩器时所述电子束团的啁啾。
110.根据权利要求108或109所述的自由电子激光器，其中，所述谐振腔是常导谐振腔。
111.根据权利要求108至110中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述电子源包括用于产生聚束的电子束的机构以及可操作用于加速所述聚束的电子束的线性加速器，所述线性加速器包括多个射频腔，其中所述可调压缩器与所述线性加速器分离。
112.根据权利要求108至111中任一项所述的自由电子激光器，进一步包括：
控制器；以及
传感器，用于确定指示所述辐射束的功率或者由所述辐射束输送至目标位置的辐射的剂量的数值，并且将指示所述数值的信号输出至所述控制器，
其中所述控制器可操作用于响应于由所述传感器输出的所述信号而控制所述谐振腔的一个或多个参数。
113.根据权利要求112所述的自由电子激光器，其中，响应于由所述传感器输出的所述信号控制的所述谐振腔的所述一个或多个参数包括所述谐振腔内的电场的幅度和/或相位。
114.根据权利要求112所述的自由电子激光器，其中，响应于由所述传感器输出的所述信号而控制的所述谐振腔的所述一个或多个参数包括所述谐振腔以其进行操作的所述第二频率。
115.一种光刻系统，包括：
根据权利要求108至114中任一项所述的自由电子激光器；
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备中的每一个设置用于接收由所述自由电子激光器产生的至少一个辐射束的至少一部分；
控制器；以及
传感器，用于确定指示辐射的功率或指示由所述辐射输送至所述至少一个光刻设备内的目标位置的辐射的剂量的数值，并且将指示所述数值的信号输出至所述控制器，其中所述控制器可操作用于响应于由所述传感器输出的所述信号而改变所述谐振腔的一个或多个参数。
116.根据权利要求115所述的光刻系统，其中，响应于由所述传感器输出的所述信号而控制的所述谐振腔的所述一个或多个参数包括所述谐振腔内的电场的幅度和/或相位。
117.根据权利要求115所述的光刻系统，其中，响应于由所述传感器输出的所述信号而控制的所述谐振腔的所述一个或多个参数包括所述谐振腔以其进行操作的所述第二频率。
118.一种控制由目标位置接收的辐射的剂量的方法，包括：
确定由目标位置接收的辐射的剂量与辐射束的波长和/或功率的相关性；
使用可操作用于产生多个不同波长的辐射的可调辐射源产生辐射；
经由波长相关的光学系统引导所述辐射至目标位置；
确定指示所述辐射的功率或指示由所述辐射输送至目标位置的辐射的剂量的数值；以及
响应于所确定的数值改变所述辐射的波长以便于控制由所述目标位置接收的辐射的剂量。
119.一种自由电子激光器，包括喷射器、加速器和波荡器，所述自由电子激光器配置用于产生EUV辐射束，其中所述波荡器包括波荡器模块和一个或多个动态移相器，所述动态移相器可操作用于改变由所述自由电子激光器产生的所述EUV辐射束的功率和/或带宽和/或空间功率分布。
120.根据权利要求119所述的自由电子激光器，其中，所述一个或多个动态移相器包括电磁体，所述电磁体配置用于当它们被激活时改变电子轨迹的长度。
121.根据权利要求120所述的自由电子激光器，其中，所述一个或多个动态移相器包括三个电磁体对，每个对提供在所述电子轨迹的相对侧上。
122.根据权利要求120或121所述的自由电子激光器，其中，所述控制器可操作用于选择性提供电流至所述电磁体以激活和关闭所述电磁体。
123.根据权利要求122所述的自由电子激光器，其中，所述控制器可操作用于控制提供至所述电磁体的所述电流的大小并且由此控制由所述一个或多个动态移相器施加的相移的大小。
124.根据任一前述权利要求所述的自由电子激光器，其中，由导电材料形成的保护性管道提供在束轨迹周围。
125.根据权利要求124所述的自由电子激光器，其中，至少部分地由电介质填充的开口提供在所述保护性管道中。
126.根据权利要求125所述的自由电子激光器，其中，所述开口具有锥形端部。
127.根据权利要求124至126中任一项所述的自由电子激光器，其中，所述保护性管道的至少一部分由具有大于10微米但是小于1mm的趋肤深度的导电材料形成。
128.根据权利要求119所述的自由电子激光器，其中，所述一个或多个动态移相器包括横向冲击器，所述横向冲击器配置用于当它们被激活时改变电子轨迹的长度。
129.根据权利要求128所述的自由电子激光器，其中，由控制器控制所述一个或多个动态移相器。
130.根据权利要求122或129所述的自由电子激光器，其中，所述控制器被配置用于采用10kHz或更高频率控制所述动态移相器。
131.一种自由电子激光器，包括喷射器、加速器和波荡器，所述自由电子激光器配置用于产生EUV辐射束，其中所述波荡器包括波荡器模块和两个或多个动态移相器，所述动态移相器可操作用于改变由所述自由电子激光器产生的所述EUV辐射束的带宽和/或空间功率分布而并不明显改变由所述自由电子激光器产生的所述EUV辐射束的功率。
132.一种使用自由电子激光器产生EUV辐射束的方法，所述方法包括使用一个或多个动态移相器以修改在电子运动和所述EUV辐射之间的相对相位，并且由此改变由所述自由电子激光器产生的所述EUV辐射束的功率和/或带宽和/或空间功率分布。
133.根据权利要求132所述的方法，其中，所述一个或多个动态移相器包括电磁体，所述电磁体配置用于当它们被激活时改变电子轨迹的长度。
134.根据权利要求133所述的方法，其中，所述一个或多个动态移相器包括三个电磁体对，每个对提供在所述电子轨迹的相对侧上。
135.根据权利要求133或134所述的方法，其中，选择性提供电流至所述电磁体以激活和关闭所述电磁体。
136.根据权利要求135所述的方法，其中，控制提供至所述电磁体的电流大小，由此控制由所述一个或多个动态移相器所施加的相移的大小。
137.根据权利要求132所述的方法，其中，所述一个或多个动态移相器包括横向冲击器，所述横向冲击器配置用于当它们被激活时改变电子轨迹的长度。
138.根据权利要求132至137中任一项所述的方法，其中，采用10kHz或更高频率控制所述动态移相器。
139.一种使用自由电子激光器产生EUV辐射束的方法，所述方法包括使用两个或更多个动态移相器以修改由所述自由电子激光器产生的所述EUV辐射束的带宽和/或空间功率分布而并不明显改变由所述自由电子激光器产生的所述EUV辐射束的功率。
140.一种用于确定指示辐射束的功率的数值的测量设备，包括：
传感器；以及
光学元件，用于接收所述辐射束，所述光学元件包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置用于接收所述辐射束的第一部分，所述第二区域设置用于接收所述辐射束的第二部分，所述第一区域和所述第二区域形成了所述光学元件的表面的空间不同的区域；
其中所述第一区域进一步设置用于从所述第一部分形成第一分支辐射束，并且引导所述第一分支辐射束至设置用于确定所述第一分支辐射束的功率的传感器，以及其中所述第二区域进一步设置用于从所述第二部分形成并不被引导至所述传感器的第二分支辐射束。
141.根据权利要求140所述的测量设备，其中，所述第一区域包括多个空间分离的子区域。
142.根据权利要求141所述的测量设备，其中，所述多个空间分离的子区域分布在所述光学元件之上。
143.根据权利要求141或142所述的测量设备，其中，所述多个空间分离的子区域在所述光学元件的表面之上形成了凹陷或突起的矩形二维点阵。
144.根据权利要求141或142所述的测量设备，其中，所述光学元件包括光栅，并且所述光栅的多个面形成了所述多个空间分离的子区域。
145.根据权利要求140至144中任一项所述的测量设备，其中，所述第一分支辐射束通过所述第一部分从所述第一区域反射而形成。
146.根据权利要求140至144中任一项所述的测量设备，其中，所述光学元件的所述第一区域包括荧光材料，并且通过所述荧光材料吸收所述辐射束的所述第一部分并随后发出形成所述第一分支辐射束的不同波长的辐射而形成所述第一分支辐射束。
147.根据权利要求140至144中任一项所述的测量设备，其中，所述第一分支辐射束通过所述第一部分从所述第一区域散射而形成。
148.根据权利要求140至147中任一项所述的测量设备，其中，所述光学元件包括掠入射反射镜。
149.根据权利要求140至148中任一项所述的测量设备，其中，所述传感器包括感测元件的阵列。
150.根据权利要求140至149中任一项所述的测量设备，其中，所述传感器包括用于在确定所述第一分支辐射束的功率之前将所述第一分支辐射束的波长转换为更长波长的机构。
151.根据权利要求140至150中任一项所述的测量设备，其中，所述传感器包括用于改变所述第一分支辐射束的脉冲持续时间的机构。
152.根据权利要求141至151中任一项所述的测量设备，其中，所述多个空间分离的子区域中的每一个的尺寸在100μm或更小的量级。
153.根据权利要求141至152中任一项所述的测量设备，其中，所述多个空间分离的子区域中的每一个的尺寸足够小以使得在远场中所述第二分支辐射束的强度分布基本上与所述辐射束的强度分布相同。
154.根据权利要求141至153中任一项所述的测量设备，其中，所述多个空间分离的子区域中的每一个的尺寸足够小以使得由于所述多个空间分离的子区域附近的热膨胀变形所致的所述光学元件的反射表面的形状的扰动可忽略。
155.根据权利要求141至154中任一项所述的测量设备，其中，所述多个空间分离的子区域中的每一个的尺寸足够小以使得由单个标记发射或散射的总功率占所述辐射束的相对较小比例。
156.一种用于确定指示辐射束的功率的数值的测量设备，包括：
传感器；以及
光学元件，用于接收所述辐射束，所述光学元件是光栅并且包括多个面，每个面设置用于接收所述辐射束的一部分并且形成辐射子束，其中
来自所述多个面的所述辐射子束干涉以形成：(i)第一分支辐射束，其被引导至所述传感器，所述传感器设置用于确定所述第一分支辐射束的功率，以及(ii)第二分支辐射束，其并不被引导至所述传感器。
157.一种辐射束控向单元，包括：
根据任一前述权利要求所述的测量设备；
一个或多个辐射束控向机构；以及
控制单元，设置用于从所述传感器接收指示功率的信号，并且响应于该信号而控制所述一个或多个辐射束控向机构以改变辐射束的位置。
158.一种辐射源，包括：
设置用于输出辐射束的机构；以及
根据权利要求140至156中任一项所述的测量设备，所述测量设备的所述光学元件设置用于接收所述辐射束。
159.一种光刻系统，包括：
辐射源，用于产生辐射束；
一个或多个光刻设备；以及
根据权利要求140至156中任一项所述的测量设备，设置用于确定指示所述辐射束或者由所述辐射束形成的二级辐射束的功率的数值。
160.一种光刻系统，包括：
辐射源，用于产生辐射束；
一个或多个光刻设备；以及
根据权利要求156所述的辐射束控向单元，设置用于控向所述辐射束或由其形成的二级辐射束。
161.一种用于确定指示辐射束的功率的数值的测量设备，包括：
传感器，用于确定所述辐射束的功率；以及
用于在由所述传感器确定所述功率之前改变所述辐射束的脉冲持续时间的机构。
162.根据权利要求161的测量设备，其中，用于改变所述辐射束的脉冲持续时间的所述机构进一步可操作用于在由所述传感器确定所述功率之前将所述辐射束的波长转换为更长波长。
163.根据权利要求161或162所述的测量设备，其中，用于改变所述辐射束的脉冲持续时间的所述机构包括设置用于吸收所述辐射束并随后发射更长波长的辐射的荧光材料。
164.一种确定指示辐射束的功率的数值的方法，包括：
朝向包括第一区域和第二区域的光学元件引导所述辐射束，所述第一区域设置用于接收所述辐射束的第一部分以及所述第二区域设置用于接收所述辐射束的第二部分，所述第一区域和所述第二区域形成了所述光学元件的表面的空间不同区域，
从所述第一部分形成第一分支辐射束；
从所述第二部分形成第二分支辐射束；
引导所述第一分支辐射束和所述第二分支辐射束至不同位置；以及
确定所述第一分支辐射束的功率。
165.根据权利要求164所述的方法，其中，所述第一区域包括多个空间分离的子区域。
166.根据权利要求165所述的方法，其中，所述多个空间分离的子区域分布在所述光学元件之上。
167.根据权利要求165或166所述的方法，其中，所述多个空间分离的子区域在所述光学元件的表面之上形成了凹陷或突起的矩形二维点阵。
168.根据权利要求165或166所述的方法，其中，所述光学元件包括光栅，并且所述光栅的多个面形成了所述多个空间分离的子区域。
169.根据权利要求164至168中任一项所述的方法，其中，所述第一分支辐射束由所述第一部分从所述第一区域反射而形成。
170.根据权利要求164至169中任一项所述的方法，其中，所述光学元件的所述第一区域包括荧光材料，并且所述第一分支辐射束通过所述荧光材料吸收所述辐射束的所述第一部分并随后发射形成所述第一分支辐射束的不同波长的辐射而形成。
171.根据权利要求164至169中任一项所述的方法，其中，通过所述第一部分从所述第一区域散射而形成所述第一分支辐射束。
172.根据权利要求164至171中任一项所述的方法，其中，在确定所述第一分支辐射束的功率之前，将所述第一分支辐射束的波长转换为更长波长。
173.根据权利要求164至172中任一项所述的方法，其中，在确定所述第一分支辐射束的功率之前，改变所述第一分支辐射束的脉冲持续时间。
174.一种确定指示辐射束的功率的数值的方法，包括：
引导辐射束朝向包括多个面的光学元件，每个面设置用于接收所述辐射束的一部分并且形成辐射子束；
通过来自所述多个面的所述辐射子束之间的干涉而形成第一分支辐射束和第二分支辐射束；
引导所述第一分支辐射束和所述第二分支辐射束至不同位置；以及
确定所述第一分支辐射束的功率。
175.一种控向辐射束的方法，包括：
使用根据权利要求164至174中任一项所述的方法确定指示辐射束的功率的数值；以及
响应于所确定的数值，控制所述辐射束的位置。
176.一种用于调整在光刻工艺中使用的辐射的强度的设备，包括第一衰减设备，所述第一衰减设备包括：
第一元件，用于接收第一辐射束并且设置用于以朝向第二元件的第二辐射束的形式反射所述第一辐射束的一部分，所述第二元件设置用于以远离所述第二元件的第三辐射束的形式反射所述第二辐射束的一部分；
调整装置，设置用于调制所述第一辐射束与所述第一元件以及所述第二辐射束与所述第二元件中的至少一个之间的入射角以便于改变所述第三辐射束的强度。
177.根据权利要求176所述的设备，其中，所述第一辐射在所述第一元件处的入射角与所述第二辐射束在第二元件处的入射角相同。
178.根据权利要求176或177所述的设备，其中，所述调整装置适用于在大约1度和大约10度之间调整所述第一辐射束和所述第二辐射束的入射角。
179.根据权利要求176至178中任一项所述的设备，其中，所述第一元件设置用于围绕第一点旋转和/或所述第二元件设置用于围绕第二点旋转；
其中所述调整装置设置用于选择性旋转所述第一元件和所述第二元件中的至少一个以调整所述第一辐射束或所述第二辐射束相对于所述第一元件和所述第二元件的入射角。
180.根据权利要求179所述的设备，其中，所述第一元件设置用于通过大约9度的角度而围绕所述第一点旋转和/或所述第二元件设置用于通过大约9度的角度而围绕所述第二点旋转。
181.根据权利要求176至180中任一项所述的设备，进一步包括，
第三元件，用于接收所述第三辐射束并用于以第四辐射束的形式反射所述第三辐射束的一部分；以及
第四元件，用于接收所述第四辐射束并且用于以远离所述第四元件的第五辐射的方式反射所述第四辐射的一部分。
182.根据权利要求181所述的设备，其中，所述调整装置适用于调整在所述第三辐射束与所述第三元件以及所述第四辐射束与所述第四元件中的至少一个之间的入射角。
183.根据权利要求182所述的设备，其中，所述调整装置适用于在大约1度和大约5度之间调整所述第一辐射束、所述第二辐射束、所述第三辐射束和所述第四辐射束相对于所述第一元件、所述第二元件、所述第三元件和所述第四元件的入射角。
184.根据权利要求181或183所述的设备，其中，所述第一元件设置用于围绕第一点旋转，所述第二元件设置用于围绕第二点旋转，所述第三元件设置用于围绕第三点旋转，以及所述第四元件设置用于围绕第四点旋转；以及
其中所述调整装置设置用于选择性旋转所述第一元件、所述第二元件、所述第三元件和所述第四元件中的至少一个以调整所述第一辐射束、所述第二辐射束、所述第三辐射束或所述第四辐射束相对于相应的所述第一元件、所述第二元件、所述第三元件或所述第四元件的入射角。
185.根据权利要求184所述的设备，其中，所述第一元件、所述第二元件、所述第三元件和所述第四元件中的每一个设置用于通过大约4度的角度围绕相应的所述第一点、所述第二点、所述第三点或所述第四点而旋转。
186.根据权利要求185所述的设备，进一步包括设置用于控制所述调整装置的控制器。
187.根据权利要求186所述的设备，其中，所述控制器设置用于从传感器接收辐射强度的指示并且响应于所述指示而控制所述调整装置。
188.根据权利要求176至187中任一项所述的设备，进一步包括其他衰减设备。
189.根据权利要求188所述的设备，其中，所述其他衰减设备包括固定衰减设备。
190.根据权利要求188所述的设备，其中，所述其他衰减设备包括可调衰减设备。
191.根据权利要求188至190中任一项所述的设备，其中，所述其他衰减设备包括包含EUV吸收介质的腔室，所述腔室设置在辐射束的路径中。
192.根据权利要求191所述的设备，其中，所述其他衰减设备包括可操作用于监测所述腔室内的压力的压力传感器。
193.根据权利要求191或192所述的设备，其中，所述其他衰减设备包括气体入口和气体出口。
194.根据权利要求193所述的设备，进一步包括第二控制器，其中所述第二控制器与所述压力监测器通信并且设置用于控制所述气体入口和所述气体出口以将所述腔室内的压力维持在预定范围内。
195.根据权利要求176至194中任一项所述的设备，进一步包括反射隔膜，布置在相对于所述辐射束中的一个辐射束的传播方向的非法线角度处；其中
所述反射隔膜设置用于透射所述辐射束中的所述一个辐射束的一部分并且反射所述辐射束中的所述一个辐射束的一部分。
196.根据权利要求176至195中任一项所述的设备，进一步包括定位装置，所述定位装置设置用于沿垂直于所述第一辐射束的传播方向的方向平移所述第一元件和/或所述第二元件。
197.一种光刻系统，包括：
辐射源，可操作用于产生辐射束；
根据权利要求176至196中任一项所述的衰减设备，设置用于接收所述辐射束的至少一部分；以及
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备设置用于从所述衰减设备接收已衰减的辐射束。
198.根据权利要求197所述的光刻系统，进一步包括分束设备，设置用于接收辐射束并且输出至少一个分支辐射束；
其中所述衰减设备设置用于接收所述至少一个分支辐射束。
199.根据权利要求198所述的光刻系统，其中，所述分束设备设置用于输出多个分支辐射束；
所述光刻系统包括对于所述多个分支辐射束中的每一个的相应的衰减设备，每个衰减设备设置用于接收所述多个分支辐射束中的相应的一个。
200.根据权利要求197至199中任一项所述的光刻系统，其中，所述辐射源包括一个或多个自由电子激光器。
201.根据权利要求197至200中任一项所述的光刻系统，其中，所述至少一个光刻设备包括一个或多个掩模检查设备。
202.根据权利要求197至201中任一项所述的光刻系统，其中，所述辐射束包括EUV辐射。