相变存储器
专利汇可以提供相变存储器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 相变 存储器 ，其中包括：一相变存储单元、一 电流 调节晶体管、以及一控制 电路 。电流调节晶体管具有一第一端耦接一 电压 源、一第二端耦接该相变存储单元、以及一控制端接收控制电路所输出的一控制 信号 。控制电路将以该 控制信号 操作该电流调节晶体管于一线性区间。，下面是相变存储器专利的具体信息内容。
1.一种相变存储器，包括：
一相变存储单元；
一晶体管，具有一第一端耦接一电压源、一第二端耦接该相变存储单元、以及一控制端接收一控制信号；以及
一控制电路，用以向晶体管产生上述控制信号操作该晶体管于一线性区间以调节提供给相变存储单元的电流，
其中，在相变存储单元的相变期间，晶体管渐进增加提供给相变存储单元的电流，然后渐进减小提供给相变存储单元的电流。
2.如权利要求1所述的相变存储器，其中上述晶体管为一P型金属氧化物半导体晶体管，该晶体管的上述第一端、第二端以及控制端分别为该P型金属氧化物半导体晶体管的源极、漏极以及栅极。
3.如权利要求2所述的相变存储器，其中上述控制电路包括：
一电容，耦接该晶体管的上述控制端；以及
一充放电电路，用以充放电该电容，令该控制信号在一第一特定电平与该电压源的电平间变动，
其中，该第一特定电平高于一地线电平。
4.如权利要求3所述的相变存储器，其中该充放电电路包括：
一充电电流镜，具有一电源端耦接该电压源、一参考电流端供一充电参考电流流通、以及一负载端输出一充电电流；
一放电电流镜，具有一电源端偏压于上述第一特定电平、一参考电流端接收一放电参考电流、以及一负载端提供一放电电流；以及
一开关，用以在充放电之间切换，用以耦接该电容至该充电电流镜的上述负载端、或该放电电流镜的上述负载端。
5.如权利要求4所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第一数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第一组数字信号据以输出该充电参考电流。
6.如权利要求4所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第二数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第二组数字信号据以输出该放电参考电流。
7.如权利要求2所述的相变存储器，其中上述控制电路包括：
一充放电电路，用以充放电该P型金属氧化物半导体晶体管的上述栅极的寄生电容，令该控制信号在一第一特定电平与该电压源的电平间变动，
其中，该第一特定电平高于一地线电平。
8.如权利要求7所述的相变存储器，其中该充放电电路包括：
一充电电流镜，具有一电源端耦接该电压源、一参考电流端供一充电参考电流流通、以及一负载端输出一充电电流；
一放电电流镜，具有一电源端偏压于上述第一特定电平、一参考电流端接收一放电参考电流、以及一负载端提供一放电电流；以及
一开关，用以在充放电之间切换，用以耦接该P型金属氧化物半导体晶体管的上述栅极的寄生电容至该充电电流镜的上述负载端、或该放电电流镜的上述负载端。
9.如权利要求8所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第一数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第一组数字信号据以输出该充电参考电流。
10.如权利要求8所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第二数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第二组数字信号据以输出该放电参考电流。
11.如权利要求1所述的相变存储器，其中上述晶体管为一N型金属氧化物半导体晶体管，该晶体管的上述第一端、第二端以及控制端分别为该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极、源极以及栅极。
12.如权利要求11所述的相变存储器，其中上述控制电路包括：
一电容，耦接该晶体管的上述控制端；以及
一充放电电路，用以充放电该电容，令该控制信号在一地线电平与一第二特定电平间变动，
其中，该第二特定电平低于该电压源的电平。
13.如权利要求12所述的相变存储器，其中该充放电电路包括：
一充电电流镜，具有一电源端偏压于该第二特定电平、一参考电流端供一充电参考电流流通、以及一负载端输出一充电电流；
一放电电流镜，具有一电源端偏压于该地线电平、一参考电流端接收一放电参考电流、以及一负载端提供一放电电流；以及
一开关，用以在充放电之间切换，用以耦接该电容至该充电电流镜的上述负载端、或该放电电流镜的上述负载端。
14.如权利要求13所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第一数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第一组数字信号据以输出该充电参考电流。
15.如权利要求13所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第二数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第二组数字信号据以输出该放电参考电流。
16.如权利要求11所述的相变存储器，其中上述控制电路包括：
一充放电电路，用以充放电该N型金属氧化物半导体晶体管的上述栅极的寄生电容，令该控制信号在一地线电平与一第二特定电平间变动，
其中，该第二特定电平低于该电压源的电平。
17.如权利要求16所述的相变存储器，其中该充放电电路包括：
一充电电流镜，具有一电源端偏压于该第二特定电平、一参考电流端供一充电参考电流流通、以及一负载端输出一充电电流；
一放电电流镜，具有一电源端偏压于该地线电平、一参考电流端接收一放电参考电流、以及一负载端提供一放电电流；以及
一开关，用以在充放电之间切换，用以耦接该N型金属氧化物半导体晶体管的上述栅极的寄生电容至该充电电流镜的上述负载端、或该放电电流镜的上述负载端。
18.如权利要求17所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第一数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第一组数字信号据以输出该充电参考电流。
19.如权利要求17所述的相变存储器，其中该充放电电路还包括：
一偏压电路；以及
一第二数字模拟转换器，由该偏压电路偏压，并且接收第二组数字信号据以输出该放电参考电流。
相变存储器
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
电流供应电路108可有多种型式。图1A所示的电流供应电路108乃根据一参考电流Iref动作。电流供应电路108耦接于一电压源VDD与电流调节晶体管110之间，用以提供电流路径自电压源VDD至电流调节晶体管110。图1A所示的实施方式以P型金属氧化物半导体晶体管(PMOS)实现电流调节晶体管110，其源极、漏极以与栅极分别为电流调节晶体管110的第一端、第二端以及控制端。如图所示，电流调节晶体管110(PMOS)的第一端(源极)经电流供应电路108耦接电压源VDD、第二端(漏极)耦接相变存储单元102、控制端(栅极)由一控制电路112所输出的控制信号Vc控制。控制电路112的设计将令电流调节晶体管110操作在线性区间(linear region)而非饱和区间(saturation region)。随着控制信号Vc渐进下降，作用电流Iw将渐进上升；随着控制信号Vc渐进上升，作用电流Iw将渐进下降。
因此得图2B的作用电流Iw的渐进上升、渐进下降波形。
110的控制端电压，操作电流调节晶体管110于线性区间。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 相变喷墨 | 2020-05-12 | 739 |
| 一种相变传热的导热致冷介质 | 2020-05-11 | 163 |
| 一种三水醋酸钠相变蓄能材料组合物 | 2020-05-11 | 239 |
| 一种用于太阳能蓄热的相变储能材料 | 2020-05-11 | 863 |
| 相变存储器 | 2020-05-13 | 581 |
| 相变存储器 | 2020-05-13 | 111 |
| 一种真空相变散热器制造方法 | 2020-05-11 | 947 |
| 相变油墨 | 2020-05-12 | 773 |
| 一种承压相变储能单元 | 2020-05-13 | 351 |
| 一种相变储能热水器 | 2020-05-13 | 500 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
