专利汇可以提供倍频激光器专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种倍频 激光器 ,该倍频激光器包括 半导体 激光器、耦合透镜、激光晶体、倍频晶体、 热电制冷 器以及装有激光晶体的球槽支座和装有倍频晶体的球状热沉,所述半导体激光器、耦合透镜、激光晶体和倍频晶体同轴设置,激光晶体和倍频晶体的外端面 镀 有合适的激光膜系构成激光 谐振腔 ,所述半导体激光器作为 泵 浦源,其输出的泵浦光经过耦合透镜后进入激光晶体,激发激光晶体后再经过谐振腔的反馈作用,经腔内的倍频晶体倍频输出倍频光。本发明的倍频激光器具有易于调节、体积小、 散热 性能好、易于装配、内部结构简单、功率高及适合批量生产等一系列优点。,下面是倍频激光器专利的具体信息内容。
1.一种倍频激光器,包括半导体激光器、耦合透镜、激光晶体、倍频晶体以及热电制冷器,所述半导体激光器、耦合透镜、激光晶体和倍频晶体同轴设置,其特征在于,所述倍频激光器还包括装有激光晶体的球槽支座和装有倍频晶体的球状热沉,其中,所述激光晶体和倍频晶体的外端面镀有合适的激光膜系构成激光谐振腔,所述半导体激光器作为泵浦源,其输出的泵浦光经过耦合透镜后进入激光晶体,激发激光晶体后再经过谐振腔的反馈作用,经腔内的倍频晶体倍频输出倍频光。
2.如权利要求1所述的倍频激光器,其特征在于:所述半导体激光器可激发激光晶体,为倍频激光器提供泵浦源,包括但不限于单模半导体激光器、多模半导体激光器、锁波长半导体激光器等,波长包括但不限于808nm、940nm等。
3.如权利要求1所述的倍频激光器,其特征在于:所述耦合透镜用于将半导体激光器的光成像或聚焦到激光晶体中,该耦合透镜可以是光纤透镜、自聚焦透镜、非球面透镜、球透镜、或者是这几种透镜的组合等。
4.如权利要求1所述的倍频激光器,其特征在于:所述激光晶体包括并不限于Nd:YAG、Nd:YVO4等激光工作物质,倍频晶体为KTP、BBO、PPMgOLN或其他具有倍频特性的非线性频率变换晶体。
5.如权利要求1所述的倍频激光器,其特征在于:所述激光晶体在靠近耦合透镜的一端面镀有激光高反和泵浦光高透膜系,远离耦合透镜的一端面镀有激光基频光增透和倍频光高反或者激光基频光增透倍频光高反泵浦光高反的膜系。
6.如权利要求5所述的倍频激光器,其特征在于:所述倍频晶体靠近激光晶体的一端面镀有基频光增透和倍频光高反或者基频光增透的膜系,远离激光晶体的一端面镀有基频光高反和倍频光高透的膜系,其中倍频晶体的基频光高反膜系和激光晶体靠近半导体激光器一端的激光高反和泵浦光高透膜系形成谐振腔。
7.如权利要求1所述的倍频激光器,其特征在于:所述球槽支座为凹球形结构,可以在平面一侧挖凹槽设置激光晶体或者将激光晶体直接贴在平面一侧。
8.如权利要求7所述的倍频激光器,其特征在于:所述球状热沉用于将倍频晶体固定于球槽支座的凹槽内,球状热沉的半径与球槽支座的半径相等,因而两个界面完全吻合形成良好的散热面,在球状热沉的内部挖槽用于装配倍频晶体,因此调试过程倍频晶体的温度与整个倍频激光器的控制温度保持一致。
9.如权利要求1所述的倍频激光器,其特征在于:所述热电制冷器用于对半导体激光器、激光晶体和倍频晶体进行整体控温。
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