技术领域
[0001] 本
发明是关于一种记忆体系统，特别是关于一种采用差动式架构的非挥发性记忆体装置及其运作方法。
背景技术
[0002] 随着数字技术的快速发展以及各种
电子产品的推陈出新，针对记忆体元件于性能上的要求(如，高
密度与快速储存)变得愈加严格。依据目前的集成芯片系统的制程趋势，记忆体通常须与集成芯片系统透过单芯片化技术整合为单一芯片以进行芯片系统的微缩。因此，记忆体元件相应地采用单一复晶
硅栅极的方式以符合对于芯片系统微缩的需求。然而，随着芯片系统的微缩，记忆体元件的栅极
氧化层的厚度也随之缩小，当栅极氧化层厚度过小时，记忆体元件将可能产生漏电(current leakage)现象。
[0003] 另外，传统上为了判读记忆体元件的存取状态，通常会透过比较器进行记忆体元件的电位与参考电位的比较，从而判读记忆体的存取状态。然而，在芯片系统微缩而导致漏电增加的状态下，上述方式很可能会导致对于记忆体元件的存取状态错误地判读。再者，为了制造一个精准的参考电位，通常会需要额外的周边
电路从而大幅地增加芯片系统的面积与制造成本。
[0004] 因此，如何在兼顾记忆体元件的存取状态的精准判读与制造成本降低的前提下，进行记忆体元件的设计是一大挑战。
发明内容
[0005] 本发明揭示的一方面是关于一种非挥发性记忆体装置包含第一浮动栅极元件、第二浮动栅极元件、选择栅极元件以及比较器。第一浮动栅极元件用以依据第一位元
信号与控制电位而产生第一
电流。第二浮动栅极元件与第一浮动栅极元件并联，并用以依据第二位元信号与控制电位而产生第二电流。选择栅极元件连接至第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件，并用以依据源极信号与字元信号而产生控制电位。比较器电性连接至第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件，用以比较第一电流与第二电流，据以产生数据存取状态信号。
[0006] 在一个或多个实施方式中，非挥发性记忆体装置还包含抹除栅极元件，抹除栅极元件连接至第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件，并用以依据抹除信号而抹除第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件中的电性状态。
[0007] 在一个或多个实施方式中，比较器依据第一电流与第二电流之间的差值，从而判断第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件中分别对应的电性状态，据以产生数据存取状态信号。
[0008] 在一个或多个实施方式中，当第一电流小于第二电流时，判定第一浮动栅极元件被触发；当第一电流大于第二电流时，判定第二浮动栅极元件被触发；当第一电流等于第二电流时，判定第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件均未被触发。
[0009] 在一个或多个实施方式中，选择栅极元件的第一端用以接收源极信号，选择栅极元件的第二端用以接收字元信号，选择栅极元件的第三端电性连接至第一浮动栅极元件的一端与第二浮动栅极元件的一端并用以传送控制电位。
[0010] 在一个或多个实施方式中，第一浮动栅极元件的另一端用以接收第一位元信号并电性连接至比较器，第二浮动栅极元件的另一端用以接收第二位元信号并电性连接至比较器。
[0011] 本发明揭示的另一方面是关于一种用于非挥发性记忆体装置的运作方法，非挥发性记忆体装置包含第一浮动栅极元件、第二浮动栅极元件、选择栅极元件以及比较器。运作方法包含：由选择栅极元件依据源极信号与字元信号，而产生控制电位；由第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件分别依据控制电位、第一位元信号以及第二位元信号，而产生第一电流与第二电流；由比较器比较第一电流与第二电流以产生数据存取状态信号。
[0012] 在一个或多个实施方式中，非挥发性记忆体装置还包含抹除栅极元件，且运作方法还包含透过抹除栅极元件依据抹除信号以抹除第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件中的电性状态。
[0013] 在一个或多个实施方式中，由比较器比较第一电流与第二电流以产生数据存取状态信号的步骤包含依据第一电流与第二电流之间的差值，从而判定第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件中分别对应的电性状态，据以产生数据存取状态信号。
[0014] 在一个或多个实施方式中，依据第一电流与第二电流之间的差值，从而判定第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件中分别对应的电性状态的步骤包含：当第一电流小于第二电流时，判定第一浮动栅极元件被触发；当第一电流大于第二电流时，判定第二浮动栅极元件被触发；当第一电流等于第二电流时，判定第一浮动栅极元件与第二浮动栅极元件均未被触发。
[0015] 综上所述，本发明的技术方案与
现有技术相比具有明显的优点和有益效果。通过上述技术方案，可达到相当的技术进步，并具有产业上的广泛利用价值，本发明以差动式架构实施非挥发性记忆体装置，如此，非挥发性记忆体装置即可仅依据自身所产生的电流进行比较，据以判断数据存取状态。因此，传统上用以制造参考电位供非挥发性记忆体装置判断数据存取状态所需要的周边电路即可省略，从而大幅地减小非挥发性记忆体装置的面积与降低制造成本。另一方面，透过减少浮动栅极元件的边缘
覆盖于抹除栅极元件的耦合比例(coupling ratio)，浮动栅极元件与抹除栅极元件之间的
电压差得以加大，从而提升抹除栅极元件的抹除效果。
附图说明
[0016] 图1为依据本发明揭示的
实施例所绘制的非挥发性记忆体装置的电路示意图；
[0017] 图2为依据本发明揭示的实施例所绘制的非挥发性记忆体装置的示意图；以及[0018] 图3为依据本发明揭示的实施例所绘制用于非挥发性记忆体装置的运作方法的
流程图。
具体实施方式
[0019] 下文是举实施例配合所附附图作详细说明，以更好地理解本发明的态样，但所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围，而结构操作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。此外，根据业界的标准及惯常做法，附图仅以辅助说明为目的，并未依照原尺寸作图，实际上各种特征的尺寸可任意地增加或减少以便于说明。下述说明中相同元件将以相同的符号标示来进行说明以便于理解。
[0020] 图1为依据本发明揭示的实施例所绘制的非挥发性记忆体装置100的电路示意图。如图1所示，非挥发性记忆体装置100包含第一浮动栅极元件102、第二浮动栅极元件104、选择栅极元件106以及比较器108。选择栅极元件106连接至第一浮动栅极元件102的一端与第二浮动栅极元件104的一端，且第一浮动栅极元件102并联于第二浮动栅极元件104。比较器
108电性连接至第一浮动栅极元件102的另一端与第二浮动栅极元件104的另一端。
[0021] 选择栅极元件106用以接收并依据源极信号SL与字元信号WL的电压值而产生控制电位。第一浮动栅极元件102用以接收并依据第一位元信号BL1与选择栅极元件106所产生的控制电位的电压值而产生第一电流I1。第二浮动栅极元件104用以接收并依据第二位元信号BL2与选择栅极元件106所产生的控制电位的电压值而产生第二电流I2。当第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104分别产生第一电流I1与第二电流I2后，比较器108用以比较第一电流I1与第二电流I2，再依据比较结果而产生数据存取状态信号S1。
[0022] 在此实施例中，于同一时间内，第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104之间其中的一者可以被触发。于一实施例中，若第一浮动栅极元件102被触发，则判断数据存取状态信号S1为非挥发性记忆体装置100用以存取二进制位元1；若第二浮动栅极元件104被触发，则判断数据存取状态信号S1为非挥发性记忆体装置100用以存取二进制位元0；若第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104均未被触发，则判断数据存取状态信号S1为非挥发性记忆体装置100未用以存取数据。应了解到，上述关于数据存取状态信号S1与第一浮动栅极元件102、第二浮动栅极元件104的关系仅用以示范，并非用以限制本发明的实施方式。
[0023] 于一实施例中，非挥发性记忆体装置100还包含抹除栅极元件112。抹除栅极元件112连接至第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104。抹除栅极元件112接收并依据抹除信号EG的电压值而抹除第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104中的电性状态。举例而言，当非挥发性记忆体装置100进行数据存取时，会先以抹除信号EG启动抹除栅极元件
112，从而对第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104中的电性状态进行抹除，以确保第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104均未被触发。于另一实施例中，抹除栅极元件112可作为写入栅极使用，从而用以触发第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104而产生第一电流I1与第二电流I2。
[0024] 举例而言，非挥发性记忆体装置100可以依据下表一所记述的电压值进行运作，其中Float表示浮动电压。
[0025] 表一、信号的电压值与对应的非挥发性记忆体装置的操作模式
[0026]
[0027] 如表一所述，当非挥发性记忆体装置100未被
选定用以存取数据时，字元信号WL的电压值为0V；当非挥发性记忆体装置100被选定用以存取数据时，依据非挥发性记忆体装置100的操作模式，字元信号WL、源极信号SL、第一位元信号BL1、第二位元信号BL2以及抹除信号EG分别具有对应的电压值。举例而言，当非挥发性记忆体装置100选择触发第一浮动栅极元件102时，字元信号WL的电压值为3.3V，源极信号SL的电压值为0V，第一位元信号BL1的电压值为7V，第二位元信号BL2的电压值为0V，以及抹除信号EG的电压值为浮动电压。当非挥发性记忆体装置100选择抹除第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104的电性状态时，字元信号WL、源极信号SL、第一位元信号BL1、第二位元信号BL2的电压值均为0V，而抹除信号EG的电压值为9.5V。当非挥发性记忆体装置100选择触发第二浮动栅极元件104时，其对应的信号电压值分析是相似于上述所示范，故于此不重复赘述。
[0028] 于一实施例中，比较器108依据第一电流I1与第二电流I2之间的差值，从而判断第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104中的电性状态。举例而言，当第一电流I1小于该第二电流I2时，判定第一浮动栅极元件102被触发；当第一电流I1大于第二电流I2时，判定第二浮动栅极元件104被触发；当第一电流I1等于第二电流I2时，判定第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104均未被触发。应了解到，上述关于第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104的触发判定仅用以示范，并非用以限制本发明的实施方式。
[0029] 图2为依据本发明揭示的实施例所绘制的非挥发性记忆体装置100的示意图。如图2所示，第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104的边缘于布局(layout)时覆盖于抹除栅极元件212之上。于一实施例中，透过减少第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件
104的边缘与抹除栅极元件212之间的覆盖比例，即可加大第一浮动栅极元件102、第二浮动栅极元件104与抹除栅极元件212之间的电压差，让抹除栅极元件212可以更有效率地抹除第一浮动栅极元件102、第二浮动栅极元件104的电性状态。
[0030] 于另一实施例中，透过缩小第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104的尺寸而增加其所对应的通道
电阻，再透过加大选择栅极元件106的尺寸而减少其所对应的通道电阻，如此，可以有效地提升非挥发性记忆体装置100的运作效率。于又一实施例中，不同的非挥发性记忆体装置100之间具有隔离部214。隔离部214用以阻隔不同的非挥发性记忆体装置100之间的电流影响，从而维持非挥发性记忆体装置100的正常运作。
[0031] 图3为依据本发明揭示的实施例所绘制用于非挥发性记忆体装置的运作方法的流程图300。于一实施例中，此运作方法可由上述非挥发性记忆体装置100执行，但本发明并不以此为限。为了易于理解流程图300，下述将以非挥发性记忆体装置100作为实施流程图300的示范标的。如图3所示，于步骤S301中，首先，由选择栅极元件106接收并依据源极信号SL与字元信号WL的电压值而产生控制电位。于步骤S302中，由第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104分别接收并依据控制电位、第一位元信号BL1以及第二位元信号BL2的电压值，而产生第一电流I1与第二电流I2。最后，于步骤S303中，当第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104产生第一电流I1与第二电流I2后，由比较器108比较第一电流I1与第二电流I2以产生数据存取状态信号S1。
[0032] 于一实施例中，于执行步骤S301前，会以抹除信号EG启动抹除栅极元件112，从而对第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104中的电性状态进行抹除，以确保第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104均未被触发。
[0033] 于一实施例中，于步骤S303中，依据第一电流I1与第二电流I2之间的差值以判断第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104中的电性状态，从而产生数据存取状态信号S1。举例而言，当第一电流I1小于第二电流I2时，判定第一浮动栅极元件102被触发；当第一电流I1大于第二电流I2时，判定第二浮动栅极元件104被触发；当第一电流I1等于第二电流I2时，判定第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104均未被触发。应了解到，上述关于第一浮动栅极元件102与第二浮动栅极元件104的触发判定仅用以示范，并非用以限制本发明的实施方式。
[0034] 于上述实施例中，本发明以差动式架构实施非挥发性记忆体装置，如此，非挥发性记忆体装置即可仅依据自身所产生的电流进行比较，据以判断数据存取状态。因此，传统上用以制造参考电位供非挥发性记忆体装置判断数据存取状态所需要的周边电路即可省略，从而大幅地减小非挥发性记忆体装置的面积与降低制造成本。另一方面，透过减少浮动栅极元件的边缘覆盖于抹除栅极元件的耦合比例，浮动栅极元件与抹除栅极元件之间的电压差得以加大，从而提升抹除栅极元件的抹除效果。
[0035] 技术领域通常知识者可以容易理解到揭示的实施例实现一或多个前述举例的优点。阅读前述
说明书之后，技术领域通常知识者将有能
力对如同此处揭示内容作多种类的更动、置换、等效物以及多种其他实施例。因此本发明的保护范围当视
权利要求书所界定的范围与其均等范围为主。
