专利汇可以提供可编程互连单元开关电路结构和用于现场可编程门阵列的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 包括一种可编程互连单元 开关 电路 结构(10),所述结构具有:一控制栅极电位 节点 ;一第一浮动栅极闪存晶体管(20),其具有一漏极、一源极、一浮动栅极及一连接至所述控制栅极电位节点的控制栅极;及一第二浮动栅极闪存晶体管(30),其具有一连接至一第一编程节点的漏极、一连接至一第二编程节点的漏极、一连接至所述第一浮动栅极闪存晶体管(20)的所述浮动栅极的浮动栅极及一连接至所述控制栅极电位节点的控制栅极,由此,在所述编程操作期间,所述第一浮动栅极闪存晶体管(20)的所述源极或所述漏极需要连接到所述单元外面来接地。,下面是可编程互连单元开关电路结构和用于现场可编程门阵列的方法专利的具体信息内容。
1、一种可编程开关电路结构,其包括:
一控制栅极电位节点;
一具有一漏极、一浮动栅极、一控制栅极、及一源极的第一浮动 栅极闪存晶体管,所述控制栅极连接至所述控制栅极电位节点,且所 述源极连接至一接地电位;
一具有一源极、一漏极、一浮动栅极、及一控制栅极的第二浮动 栅极闪存晶体管,所述源极电连接至一第一路由轨道,所述漏极连接 至一第二路由轨道,所述浮动栅极连接至所述第一浮动栅极闪存晶体 管的所述浮动栅极,所述控制栅极连接至所述控制栅极电位节点,所 述第二浮动栅极闪存晶体管用于将所述第一路由轨道连接至所述第 二路由轨道;及
其中所述第一和第二浮动栅极闪存晶体管设置于一三重p阱中。
2、根据权利要求1所述的可编程开关电路结构,其中所述第一 浮动栅极闪存晶体管的所述漏极浮动。
3、根据权利要求1所述的可编程开关电路结构,其中所述第一 浮动栅极闪存晶体管的所述源极通过一晶体管连接至所述接地电位。
4、根据权利要求1所述的可编程开关电路结构,其中所述第一 浮动栅极闪存晶体管的所述漏极通过一晶体管连接至所述接地电位。
5、一种编程布置成一行和列阵列的一可编程开关电路结构中的 所选择行的方法,其包括:
提供包括一控制栅极电位节点、一第一浮动栅极闪存晶体管及一 第二浮动闪存晶体管的所述编程开关结构,
其中所述第一浮动栅极闪存晶体管具有一漏极、一浮动栅极、一 连接至所述控制栅极电位节点的控制栅极及一连接至一接地电位的 源极,及
其中所述第二浮动栅极闪存晶体管具有一电连接至一第一路由 轨道的源极、一连接至一第二路由轨道的漏极、一连接至所述第一浮 动栅极闪存晶体管的所述浮动栅极的浮动栅极、及一连接至所述控制 栅极电位节点的控制栅极;
将一接地电位施加至所述第一浮动栅极闪存晶体管的所述源极 及漏极中的每一个;
将一编程电压施加至所述第二浮动栅极闪存晶体管的所述源极 及所述漏极中的每一个;及
将一编程电压电位施加至所述控制栅极电位节点,所述第二浮动 栅极闪存晶体管用于将所述第一路由轨道连接至所述第二路由轨道; 及
其中所述第一和第二浮动栅极闪存晶体管设置于一三重p阱中。
6、一种擦除布置成一行和列阵列的一可编程开关电路结构中的 所选择行的方法,其包括:
提供包括一控制栅极电位节点、一第一浮动栅极闪存晶体管及一 第二浮动栅极闪存晶体管的所述编程开关结构:
其中所述第一浮动栅极闪存晶体管具有一漏极、一浮动栅极、一 连接至所述控制栅极电位节点的控制栅极及一连接至一接地电位的 源极;及
其中所述第二浮动栅极闪存晶体管具有一电连接至一第一路由 轨道的源极、一连接至一第二路由轨道的漏极、一连接至所述第一浮 动栅极闪存晶体管的所述浮动栅极的浮动栅极、及一连接至所述控制 栅极电位节点的控制栅极,所述第二浮动栅极闪存晶体管用于将所述 第一路由轨道连接至所述第二路由轨道;及
其中所述第一和第二浮动栅极闪存晶体管设置于一三重p阱中;
将一接地电位施加至所述第一浮动栅极闪存晶体管的所述源极 及所述漏极的每一个;
将一接地电位施加至所述第二浮动栅极闪存晶体管的所述源极 及所述漏极的每一个;及
将一擦除电位施加至所述控制栅极电位节点。
7、一种读取布置成一行和列阵列的一可编程开关电路结构中的 所选择行的方法,其包括:
提供包括一控制栅极电位节点、一第一浮动栅极闪存晶体管及一 第二浮动栅极闪存晶体管的所述编程开关结构;
其中所述第一浮动栅极闪存晶体管具有一漏极、一浮动栅极、一 连接至所述控制栅极电位节点的控制栅极及一连接至一接地电位的 源极;
其中所述第二浮动栅极闪存晶体管具有一电连接至一第一路由 轨道的源极、一连接至一第二路由轨道的漏极、一连接至所述第一浮 动栅极闪存晶体管的所述浮动栅极的浮动栅极、及一连接至所述控制 栅极电位节点的控制栅极,所述第二浮动栅极闪存晶体管用于将所述 第一路由轨道连接至所述第二路由轨道;及
其中所述第一和第二浮动栅极闪存晶体管设置于一三重p阱中;
将一接地电位施加至所述第一浮动栅极闪存晶体管的所述源极 及所述漏极的每一个;
将一接地电位施加至所述第二浮动栅极闪存晶体管的所述源极;
将一接地电位施加至所述第二浮动栅极闪存晶体管的所述漏极; 及
将一读取电位施加至所述控制栅极电位节点。
8、一种操作布置成一行和列阵列的一可编程开关电路结构中的 所选择行的方法,其包括:
提供包括一控制栅极电位节点、一第一浮动栅极闪存晶体管及一 第二浮动栅极闪存晶体管的所述编程开关结构:
其中所述第一浮动栅极闪存晶体管具有一漏极、一浮动栅极、一 连接至所述控制栅极电位节点的控制栅极及一连接至一接地电位的 源极;
其中所述第二浮动栅极闪存晶体管具有一电连接至一第一路由 轨道的源极、一连接至一第二路由轨道的漏极、一连接至所述第一浮 动栅极闪存晶体管的所述浮动栅极的浮动栅极及一连接至所述控制 栅极电位节点的控制栅极,所述第二浮动栅极闪存晶体管用于将所述 第一路由轨道连接至所述第二路由轨道;及
其中所述第一和第二浮动栅极闪存晶体管设置于一三重p阱中;
将一接地电位及一操作电位中的至少一个施加至所述第一浮动 栅极闪存晶体管的所述源极及所述漏极的每一个;
将一操作电位施加至所述第二浮动栅极闪存晶体管的所述源极;
将一操作电位施加至所述第二浮动栅极闪存晶体管的所述漏极; 及
将一操作电位施加至所述控制栅极电位节点。
本发明涉及现场可编程门阵列(FPGA)集成电路。更具体而言,本发明 涉及可再编程FPGA装置及用于在一可再编程FPGA装置中配置一用户电路的 可编程互连单元装置。
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