等离子体刻蚀炉
阅读：1032发布：2020-10-27
专利汇可以提供等离子体刻蚀炉专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 等离子体 刻蚀 炉，包括圆柱状的炉体；所述炉体的一端的上侧开放有气体进入通道；所述炉体下侧开放有 真空 排气通道；所述炉体中固定有 晶圆 放置台；所述晶圆放置台为倾斜状，由炉体的气体进入通道一端到炉体的另一端，晶圆放置台的 位置 越来越高；晶圆放置于晶圆放置台之上；晶圆垂直于晶圆放置台的上表面，且面向圆柱状炉体的地面；炉体周围包围有两个相对的弧状射频 电极 ；射频发生器连接于其中一个射频电极之上。本发明通过改变晶圆放置台的 角 度，使得当晶圆放置台上放置有多个晶圆的时候，位于后方的晶圆也可以均匀 接触 产生等离子体的气体，使得反应更加均匀。本发明尤其适用于炉体较长的等离子体反应炉。，下面是等离子体刻蚀炉专利的具体信息内容。
等离子体刻蚀炉
技术领域
背景技术
[0002] 现有的等离子体刻蚀炉，有的也可以放置多片晶圆，以便同时对多片晶圆进行刻蚀过程，但是现有的等离子体刻蚀炉中，多片晶圆一般都层叠放置，而反应气体的通入孔只能是偏置在炉体的一端，则如果刻蚀过程中有气体通入后，则处于后方的晶圆对气体的接触面较少，会造成反应不均匀。
发明内容
[0003] 针对现有技术的不足，本发明公开了一种等离子体刻蚀炉。
[0004] 本发明的技术方案如下：
[0005] 一种等离子体刻蚀炉，包括圆柱状的炉体；所述炉体的一端的上侧开放有气体进入通道；所述炉体下侧开放有真空排气通道；所述炉体中固定有晶圆放置台；所述晶圆放置台为倾斜状，由炉体的气体进入通道一端到炉体的另一端，晶圆放置台的位置越来越高；晶圆放置于晶圆放置台之上；晶圆垂直于晶圆放置台的上表面，且面向圆柱状炉体的地面；炉体周围包围有两个相对的弧状射频电极；射频发生器连接于其中一个射频电极之上。
[0006] 本发明的有益技术效果是：
[0007] 本发明通过改变晶圆放置台的角度，使得当晶圆放置台上放置有多个晶圆的时候，位于后方的晶圆也可以均匀接触产生等离子体的气体，使得反应更加均匀。本发明尤其适用于炉体较长的等离子体反应炉。附图说明
[0008] 图1是本发明的侧视图。
[0009] 图2是本发明的正视图。
具体实施方式
[0010] 图1是本发明的侧视图。图2是本发明的正视图。如图1、图2所示，本发明包括圆柱状的炉体1。炉体1的一端的上侧开放有气体进入通道3。炉体1下侧开放有真空排气通道2。炉体1中固定有晶圆放置台4。晶圆放置台4为倾斜状，由炉体1的气体进入通道3一端到炉体
1的另一端，晶圆放置台4的位置越来越高。晶圆5放置于晶圆放置台4之上。晶圆5垂直于晶圆放置台4的上表面，且面向圆柱状炉体1的地面。炉体1周围包围有两个相对的弧状射频电极6。射频发生器7连接于其中一个射频电极6之上。
1的另一端，晶圆放置台4的位置越来越高。晶圆5放置于晶圆放置台4之上。晶圆5垂直于晶圆放置台4的上表面，且面向圆柱状炉体1的地面。炉体1周围包围有两个相对的弧状射频电极6。射频发生器7连接于其中一个射频电极6之上。
[0011] 在反应时，用于产生等离子体的气体由气体进入通道3进入炉体1，射频发生器7开始工作，两个相对的弧状射频电极6使得位于炉体1中的气体被激发为等离子体，对位于晶圆放置台4之上的晶圆5进行影响。
[0012] 在本发明中，晶圆放置台4呈倾斜状，离气体进入通道3较近的的地方位置较低，而离气体进入通道3较远的地方位置较高，那么相对于现有技术来说，处于位置较高地方的晶圆5所接触的用于产生等离子体的气体面积更大一些，反应更加均匀。
[0013] 以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。
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