一种高电容密度的MIS芯片电容
专利汇可以提供一种高电容密度的MIS芯片电容专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提出的是一种高电容 密度 的MIS芯片电容，包括重掺杂衬底，在重掺杂衬底下方设有背面多层金属，在重掺杂衬底上表面部分区域设有深沟槽阵列，深沟槽阵列上表面和重掺杂衬底上表面部分区域设有绝缘层，绝缘层上表面部分区域设有填充层，绝缘层上方部分区域和填充层上方边缘区域设有 钝化 层，填充层上方部分区域和 钝化层 上方部分区域设有 缓冲层 ，缓冲层上方设有 正面 多层金属。本发明采用深沟槽阵列的结构极大提升电容的有效 电极 面积，同时保留MIS电容低 温度 系数的优势，可通过改变深孔槽排布密度准确设计电容密度，其制备工艺简单，与普通 半导体 薄膜 工艺兼容，成本低廉， 稳定性 和重复性较好，适合批量化生产。，下面是一种高电容密度的MIS芯片电容专利的具体信息内容。
1.一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是包括重掺杂衬底（1）、背面多层金属（2）、深沟槽阵列（3）、绝缘层（4）、填充层（5）、钝化层（6）、缓冲层（7）、正面多层金属（8）；其中背面多层金属（2）覆盖于重掺杂衬底（1）的下表面，深沟槽阵列（3）设于重掺杂衬底（1）的上表面；绝缘层（4）整体覆盖于重掺杂衬底（1）与深沟槽阵列（3）上表面；填充层（5）设于绝缘层（4）的上表面，其上表面为扁平状，其下表面设有若干凸起，与深沟槽阵列（3）的各个孔槽位置一一对应，并充分填满各个孔槽；钝化层（6）设于绝缘层（4）的上表面，并覆盖填充层（5）与绝缘层（4）的相接处设置，钝化层（6）的中央留有部分裸露的填充层（5）；缓冲层（7）设于被钝化层（6）环绕的部分裸露的填充层（5）的上表面，并覆盖钝化层（6）与填充层（5）的相接处；正面多层金属（8）设于缓冲层（7）的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是所述的重掺杂衬底（1）为N型或者P型，通过高掺杂磷、砷或者硼元素来实现，掺杂浓度为1018 1020。
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3.根据权利要求1所述的一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是所述的深沟槽阵列（3）为多孔槽阵列，每个孔槽为圆形开口，每相邻的三个孔槽的圆心构成正三角型排布。
4.根据权利要求1所述的一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是所述的绝缘层（4）为氧化硅/氮化硅复合介质层，氧化硅采用高温热氧化、低压力化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积法形成，氮化硅采用低压力化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或者原子层沉积法形成。
5.根据权利要求1所述的一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是所述的填充层（5）通过原位生长掺杂多晶硅形成，或者采用先生长多晶硅再进行磷掺杂完成。
6.根据权利要求1所述的一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是所述的钝化层（6）通过低压力化学气相沉积法、或者等离子体增强化学气相沉积法生长氧化硅得到；或通过低压力化学气相沉积法、或者等离子体增强化学气相沉积法生长氧化硅/氮化硅复合介质层得到。
7.根据权利要求1所述的一种高电容密度的MIS芯片电容，其特征是所述的缓冲层（7）通过溅射Al-Si合金得到。
一种高电容密度的MIS芯片电容
技术领域
背景技术
发明内容
（2）电容温度系数极低，小于50ppm/℃；
（3）在不改变耐压的情况下，可通过改变深孔槽排布对电容密度进行准确设计；
（4）在填充层与正面多层金属之间采用溅射的Al-Si进行缓冲，一方面可以改善沟槽填充之后的表面平坦度，另一方面可以改善填充层与正面多层金属之间的应力匹配问题；
（5）结构简单易实施，能够与普通半导体薄膜工艺兼容，成本低廉，稳定性和重复性较好，适合批量化生产。
附图说明
具体实施方式
2）进行硅片常规清洗；
3）第一次光刻孔槽阵列后刻蚀，然后去胶；
4）高温热氧化生成SiO（2 或采用LPCVD、PECVD、ALD方式生成），紧接着通过LPCVD生成Si3N（4 或采用PECVD、ALD方式生成）；
5）通过原位生长掺杂多晶硅进行孔槽填充（或采用先生长多晶硅再进行磷掺杂的方式完成掺杂多晶硅的填充）；
6）第二次光刻并通过刻蚀去除非电极区域的多晶硅，然后去胶；
7）通过LPCVD或者PECVD生长SiO2，形成钝化层（或者通过LPCVD或者PECVD生长SiO2/Si3N4复合介质层形成钝化层）；
8）第三次光刻并通过湿法腐蚀去除电极区域的钝化层，然后去胶；
9）溅射Al-Si合金形成缓冲层；
10）第四次光刻，湿法腐蚀去除非电极区域的缓冲层，然后去胶；
11）进行高温退火；
12）溅射正面多层金属；
13）第五次光刻，去除非电极区域的正面多层金属，然后去胶；
14）减薄并溅射背面多层金属，完成高电容密度的MIS芯片电容的制造。
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