电子装置外壳及其制备方法
专利汇可以提供电子装置外壳及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 电子 装置 外壳 及其制备方法。该电子装置外壳包括一基体及形成于该基体上的一不导电的 真空 镀 膜 层，该 真空镀膜 层上形成有皮革纹路，使该电子装置外壳具有皮革效果。上述电子装置外壳的制备方法包括：在真空条件下，使用 等离子体 源轰击经成型的基体，以对基体表面进行清洁；对基体进行真空镀膜处理，以在基体表面形成一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层具有皮革纹路；镀膜完成后，在真空环境下使用等离子体源轰击该真空镀膜层。，下面是电子装置外壳及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种电子装置外壳，包括一基体及形成于该基体上的一不导电的真空镀膜层，其特征在于：该真空镀膜层上形成有皮革纹路。
2.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于：该皮革纹路由分布于真空镀膜层上的若干交织的线形凹痕形成。
3.如权利要求1所述的电子装置外壳，其特征在于：该真空镀膜层为氧化铝或氧化锆。
4.如权利要求3所述的电子装置外壳，其特征在于：该真空镀膜层的厚度为10～
200nm。
5.如权利要求3所述的电子装置外壳，其特征在于：该电子装置外壳还包括一形成于该真空镀膜层上的透明面漆层。
6.如权利要求3所述的电子装置外壳，其特征在于：所述基体为塑料、玻璃及陶瓷中的一种。
7.一种电子装置外壳的制备方法，包括如下步骤：
(1)提供经成型的基体，并使用离子风或超声波对基体表面进行清洁处理；
(2)在真空条件下，使用等离子体源轰击基体，以对基体表面进一步清洁；
(3)对基体进行真空镀膜处理，以在基体表面形成一不导电的真空镀膜层，该真空镀膜层具有皮革纹路；
(4)镀膜完成后，在真空环境下使用等离子体源轰击该真空镀膜层。
8.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：所述真空镀膜层为氧化铝。
9.如权利要求8所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：所述真空镀膜处理是-3 -2
指在温度为50～70℃、真空度为5×10 ～1×10 Pa的真空环境下，使用电子束蒸发方式以2.0～4.5埃每秒的速率蒸发氧化铝晶体材料，并同时通入高纯度的氧气，以及使用等离子体源对基体进行辅助轰击。
10.如权利要求9所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：所述等离子体源的电-3 -3
压为140～160V，电流为4.5～5.5A；所述氧气的分压为1.5×10 ～9.5×10 Pa。
11.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)是在-3 -2
如下条件下进行：温度为50～70℃，真空度为5×10 ～5×10 Pa；等离子体源的电压为
110～130V，电流为2.5～3.5A；轰击时间为50～90s。
12.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)是在如下条件下进行：温度为50～70℃，等离子体源的电压为140～160V，电流为3.5～4.5A，轰击时间为3～10分钟。
13.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：该电子装置外壳的制备方法还包括在所述真空镀膜层上形成一面漆层。
14.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：该真空镀膜层的厚度为10～200nm。
15.如权利要求7所述的电子装置外壳的制备方法，其特征在于：所述基体为塑料、玻璃及陶瓷中的一种。
电子装置外壳及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
13的附着力，另一方面可以通过等离子体源轰击突显加深真空镀膜层13的皮革纹路133。
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