专利汇可以提供腐蚀半导体晶片的方法和装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种使用物理 腐蚀 和化学腐蚀工艺两步骤的腐蚀 半导体 晶片 (40)以便产生高 密度 DRAM和FRAM要求的垂直 侧壁 (20)的方法和装置(6)。,下面是腐蚀半导体晶片的方法和装置专利的具体信息内容。
1.一种腐蚀晶片的方法,包括步骤:
物理地腐蚀然后化学地腐蚀晶片,以便得到带有至少基本上垂直的侧 壁外形的晶片结构。
2.根据权利要求1的方法,包括步骤:
其中物理地腐蚀然后化学地腐蚀的所述步骤提供了最少残留物的基本 上垂直的侧壁外形。
3.根据权利要求1的方法,其中物理地腐蚀晶片的步骤使用约 10SCCM到约50SCCM的氩气和约2SCCM到约50SCCM的氯气。
4.根据权利要求1的方法,其中物理地腐蚀晶片的步骤发生在约2 毫乇到约10毫乇。
5.根据权利要求1的方法,其中物理地腐蚀的所述步骤发生在晶片 设置在靠近电极的室内,电极提供有约450KHz和约13.56MHZ的功率。
6.根据权利要求1的方法,其中物理地腐蚀的所述步骤发生在晶片 设置在靠近电极的室内,电极提供有约或500KHz以下的第一电源和约一个 MHZ或以上的第二电源。
7.根据权利要求1的方法,其中物理地腐蚀的所述步骤发生在晶片 设置在靠近电极的室内,电极提供有在千赫范围内工作的第一电源和在兆 赫范围内工作的第二电源。
8.根据权利要求7的方法,其中所述第一电源提供了在约50瓦到约 200瓦的范围内的功率,所述第二电源提供了在约500瓦到约1100瓦的范 围内的功率。
9.根据权利要求7的方法,其中所述电极是下电极,所述方法在同 样有与下电极的边缘靠近设置的侧面外围电极,和在上电极上面并隔开的 上电极,其中所述侧面外围电极为电接地或电浮置中的一个,所述上电极 为电接地或电浮置中的一个的室中进行。
10.根据权利要求1的方法,其中所述物理的腐蚀步骤在约80℃下 进行。
11.根据权利要求1的方法,其中所述物理的腐蚀步骤在约终点检测 时间的三分之二和约终点检测时间之间进行。
12.根据权利要求3的方法,其中腐蚀晶片的步骤使用约零SCCM到 约50SCCM的氩气和约5SCCM到约100SCCM范围内的氯气。
13.根据权利要求4的方法,其中化学地腐蚀晶片的步骤发生在约2 毫乇到约10毫乇。
14.根据权利要求7的方法,其中发生化学腐蚀的步骤的电极由工作 在千赫范围内的第一电源提供从约没有功率到约50瓦的功率和工作在兆赫 范围内的第二电源的功率。
15.根据权利要求14的方法,其中化学腐蚀步骤期间,第二电源提供 有从约500瓦到约1100瓦范围内的功率。
16.根据权利要求7的方法,其中化学腐蚀步骤期间关断在千赫范围 内工作的第一电源以便减少来自物理腐蚀的影响。
17.根据权利要求1的方法,其中对于约1000埃厚的铂层,物理腐蚀 步骤需要约70秒,化学腐蚀步骤需要约60秒到约120秒,对于约2000埃 厚的铂层,物理腐蚀步骤需要约150秒,化学腐蚀步骤需要约60秒到约120 秒。
18.根据权利要求1的方法,其中对于金属层,物理腐蚀和化学腐蚀 使用(1)氩气和氯气、(2)氩气、氯气和溴化氢(HBr)、或(3)氩气、氯气和羰基 气体、(4)以上任何化学物质和氧气(O2)、(5)SF6自己或与以上任何化学物 质、(6)NF3自己或与以上任何化学物质、(7)碳氟化合物(CxFy)自己或与其它 化学物质中的一个。
19.根据权利要求1的方法,其中对于介质层,物理腐蚀和化学腐蚀 使用(1)氩气和CF4、(2)氩气、CF4和氯气、(3)氩气、CHF3和氯气、(4)以 上任何组合与溴化氢(HBr)、(5)SF6自己或与以上任何化学物质、(6)NF3自 己或与以上任何化学物质、(7)碳氟化合物(CxFy)自己或与其它化学物质的化 学物质和(8)氩气和氯气中的一个。
20.根据权利要求1的方法,其中在物理腐蚀期间提供电极的有在千 赫范围内的第一电源和兆赫范围内的第二电源,在化学腐蚀期间提供有在 兆赫范围内的电源。
21.一种腐蚀晶片的方法,包括步骤:
使用离子研磨在晶片的结构上产生遮盖物;以及
用化学腐蚀除去遮盖物。
22.根据权利要求23的方法,包括在铂、铱、二氧化铱、锆钛酸铅、 钌、二氧化钌、钛酸锶钡、钛酸锶钽中至少一个材料上进行产生和除去的 步骤。
23.根据权利要求23的方法,包括在高介质材料上进行产生和除去的 步骤。
24.根据权利要求23的方法,包括在介电常数超过200的材料上进行 产生的步骤和除去步骤。
25.一种腐蚀晶片的方法,包括步骤:
在晶片的结构和侧壁遮盖物上产生基本上垂直的侧壁外形;以及
除去遮盖物同时留下基本上垂直的侧壁外形。
26.根据权利要求27的方法,其中所述步骤是产生约等于和大于70° 的基本上垂直的侧壁外形。
27.根据权利要求27的方法,其中
以物理腐蚀为主完成所述产生步骤;以及
以化学腐蚀为主完成所述除去步骤。
28.一种腐蚀晶片的方法,包括步骤:
对晶片进行组合的物理腐蚀和化学腐蚀,该步骤主要为物理腐蚀步 骤;以及
随后对晶片进行组合的物理腐蚀和化学腐蚀,随后的步骤主要为化学 腐蚀步骤。
29.在节距在约2.0微米或以下优选小于0.5微米的半导体晶片上进行 权利要求1的方法。
30.在节距在约2.0微米或以下优选小于0.5微米的精细线几何图形的 半导体器件上进行权利要求1的方法。
31.一种腐蚀半导体晶片的装置,包括:
腐蚀室;
第一电极;
在千赫范围内工作的第一电源,可选择地连接到第一电极;
在兆赫范围内工作的第二电源,可选择地连接到第一电极;
与第一电极隔开的第二电极;
所述晶片紧邻第一电极放置;以及
控制器,在物理腐蚀操作期间,选择性地使第一和第二电源向第一电 极提供电源,在随后的化学腐蚀操作期间,选择性地使在兆赫范围内工作 的第二电源向第一电板提供电源,同时降低了来自千赫范围内工作的第一 电源的功率输出。
32.根据权利要求33的装置,其中所述第二电极为接地或允许电浮置 中的一个。
33.根据权利要求32的装置,包括:
位于第一和第二电极之间第一电极的周边附近的侧面外围电极;以及
其中所述侧面外围电极为接地或电漂浮置中的一个。
34.根据权利要求3的方法,其中物理腐蚀晶片的步骤使用优选约 20SCCM的氩气和约5SCCM到约10SCCM范围内的氯气。
35.根据权利要求3的方法,其中物理腐蚀晶片的步骤优选在约5毫 乇发生。
36.根据权利要求8的方法,其中第一电源优选提供在约100瓦到约 200瓦范围内的功率,第二电源提供在约500瓦到约700瓦范围内的功率。
37.根据权利要求1的方法,其中化学腐蚀晶片的步骤使用在约零 SCCM到约50SCCM的氩气和约5SCCM到约100SCCM范围内的氯气。
38.根据权利要求3的方法,其中化学腐蚀晶片的步骤使用优选约 20SCCM的氩气和约10SCCM到约15SCCM范围内的氯气。
39.根据权利要求37的方法,其中化学腐蚀晶片的步骤使用优选约 20SCCM的氩气和约10SCCM到约15SCCM范围内的氯气。
40.根据权利要求13的方法,其中化学腐蚀晶片的步骤优选在约2 毫乇发生。
41.根据权利要求14的方法,其中发生化学腐蚀晶片的步骤电极由工 作在千赫范围内的第一电源提供从约没有功率的电极提供。
42.根据权利要求1的方法,其中物理腐蚀步骤进行终点偏离时间的 百分数。
43.根据权利要求1的方法,其中物理腐蚀步骤进行腐蚀穿过膜需要 的时间周期的百分数。
44.权利要求1的方法使用在(1)感性耦合的等离子体源反应器、(2) 电子回旋共振反应器、和(3)高和低频率电源耦合到一个电极的三电极反应 器中之一。
45.权利要求1的方法使用在感性耦合和容性耦合的反应器中。
46.权利要求1的方法使用在(1)感性耦合的等离子体源反应器和(2) 容性耦合的反应器中之一。
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