质谱仪
专利汇可以提供质谱仪专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了一种离子引导器或 质量 分析器(2)，其包括具有孔的多个 电极 (2a)，在使用时离子穿过所述孔。在离子引导器或质量分析器(2)的出口处产生伪势垒。伪势垒的幅度或深度与离子的质荷比成反比例。向离子引导器或质量分析器(2)的电极(2a)施加一个或多个瞬态直流 电压 (4)，以便沿着离子引导器或质量分析器(2)的长度驱策离子。施加于电极(2a)的瞬态直流电压(4)的幅度可随时间增大，从而使得离子以它们的质荷比的逆序从离子引导器或质量分析器(2)发射。，下面是质谱仪专利的具体信息内容。
1.一种质量分析器，包括：
包括多个电极的离子引导器；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极、 以使得在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有 第一幅度的多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置； 以及
用于沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分驱动或驱策离子 的装置；
所述质量分析器还包括：
用于将第二交流或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多个电 极、以使得在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具 有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱 的装置，其中所述第二幅度不同于所述第一幅度。
2.如权利要求1所述的质量分析器，其中在一工作模式下，质荷比 ≥M1的离子退出所述离子引导器，而质荷比
4.如权利要求2或3所述的质量分析器，其中M2落在选自于以下 范围的第二范围内：(i)<100；(ii)100-200；(iii)200-300；(iv)300-400； (v)400-500；(vi)500-600；(vii)600-700；(viii)700-800；(ix)800-900； (x)900-1000；以及(xi)>1000。
5.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在一工作模式下， 离子以它们的质荷比的顺序或以它们的质荷比的逆序从所述质量分析器 依次喷出。
6.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述离子引导器包 括n个轴向段，其中n选自于：(i)1-10；(ii)11-20；(iii)21-30；(iv) 31-40；(v)41-50；(vi)51-60；(vii)61-70；(viii)71-80；(ix)81-90； (x)91-100；以及(xi)>100。
7.如权利要求6所述的质量分析器，其中每个轴向段包括1、2、3、 4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20或 >20个电极。
8.如权利要求6或7所述的质量分析器，其中所述轴向段中的至少 1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、 95％或100％轴向段的轴向长度选自于：(i)<1mm；(ii)1-2mm；(iii) 2-3mm；(iv)3-4mm；(v)4-5mm；(vi)5-6mm；(vii)6-7mm；(viii) 7-8mm；(ix)8-9mm；(x)9-10mm；以及(xi)>10mm。
9.如权利要求6、7或8所述的质量分析器，其中所述轴向段中的至 少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90 ％、95％或100％轴向段之间的间距选自于：(i)<1mm；(ii)1-2mm；(iii) 2-3mm；(iv)3-4mm；(v)4-5mm；(vi)5-6mm；(vii)6-7mm；(viii) 7-8mm；(ix)8-9mm；(x)9-10mm；以及(xi)>10mm。
10.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述离子引导器具 有选自于以下长度的长度：(i)<20mm；(ii)20-40mm；(iii)40-60mm； (iv)60-80mm；(v)80-100mm；(vi)100-120mm；(vii)120-140mm； (viii)140-160mm；(ix)160-180mm；(x)180-200mm；以及(xi)>200mm。
11.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述离子引导器至 少包括：(i)10-20个电极；(ii)20-30个电极；(iii)30-40个电极；(iv) 40-50个电极；(v)50-60个电极；(vi)60-70个电极；(vii)70-80个电 极；(viii)80-90个电极；(ix)90-100个电极；(x)100-110个电极；(xi) 110-120个电极；(xii)120-130个电极；(xiii)130-140个电极；(xiv)140-150 个电极；或(xv)>150个电极。
12.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述多个电极包括 具有孔的电极，其中在使用时离子穿过所述孔。
13.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述电极中的至少 1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、 95％或100％电极具有基本上圆形、矩形、正方形或椭圆形的孔。
14.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述电极中的至少 1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、 95％或100％电极具有尺寸基本上相同或面积基本上相同的孔。
15.如权利要求1-13中任一权利要求所述的质量分析器，其中所述 电极中的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、 80％、90％、95％或100％电极具有在沿着所述离子引导器的轴的方向上 尺寸或面积逐渐变大和/或变小的孔。
16.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述电极中的至少 1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、 95％或100％电极具有其内直径或尺度选自于以下内直径或尺度的孔：(i) ≤1.0mm；(ii)≤2.0mm；(iii)≤3.0mm；(iv)≤4.0mm；(v)≤5.0mm；(vi) ≤6.0mm；(vii)≤7.0mm；(viii)≤8.0mm；(ix)≤9.0mm；(x)≤10.0mm； 以及(xi)>10.0mm。
17.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述电极中的至少 1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、 95％或100％电极相互间隔开选自于以下轴向距离的轴向距离：(i)小于 或等于5mm；(ii)小于或等于4.5mm；(iii)小于或等于4mm；(iv)小 于或等于3.5mm；(v)小于或等于3mm；(vi)小于或等于2.5mm；(vii) 小于或等于2mm；(viii)小于或等于1.5mm；(ix)小于或等于1mm；(x) 小于或等于0.8mm；(xi)小于或等于0.6mm；(xii)小于或等于0.4mm； (xiii)小于或等于0.2mm；(xiv)小于或等于0.1mm；以及(xv)小于 或等于0.25mm。
18.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述多个电极中的 至少一些电极包括孔，并且其中所述孔的内直径或尺度与相邻电极之间的 中心到中心轴向间距之比选自于：(i)<1.0；(ii)1.0-1.2；(iii)1.2-1.4； (iv)1.4-1.6；(v)1.6-1.8；(vi)1.8-2.0；(vii)2.0-2.2；(viii)2.2-2.4； (ix)2.4-2.6；(x)2.6-2.8；(xi)2.8-3.0；(xii)3.0-3.2；(xiii)3.2-3.4； (xiv)3.4-3.6；(xv)3.6-3.8；(xvi)3.8-4.0；(xvii)4.0-4.2；(xviii)4.2-4.4； (xix)4.4-4.6；(xx)4.6-4.8；(xxi)4.8-5.0；以及(xxii)>5.0。
19.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述电极中的至少 1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、 95％或100％电极具有选自于以下厚度或轴向长度的厚度或轴向长度：(i) 小于或等于5mm；(ii)小于或等于4.5mm；(iii)小于或等于4mm；(iv) 小于或等于3.5mm；(v)小于或等于3mm；(vi)小于或等于2.5mm；(vii) 小于或等于2mm；(viii)小于或等于1.5mm；(ix)小于或等于1mm；(x) 小于或等于0.8mm；(xi)小于或等于0.6mm；(xii)小于或等于0.4mm； (xiii)小于或等于0.2mm；(xiv)小于或等于0.1mm；以及(xv)小于 或等于0.25mm。
20.如权利要求1-11中任一权利要求所述的质量分析器，其中所述 离子引导器包括分段杆集离子引导器。
21.如权利要求20所述的质量分析器，其中所述离子引导器包括分 段四极、六极或八极离子引导器或含有八个以上分段杆集的离子引导器。
22.如权利要求20或21所述的质量分析器，其中所述离子引导器包 括具有选自于以下横截面的横截面的多个电极：(i)近似或基本上圆形的 横截面；(ii)近似或基本上双曲形的面；(iii)弓形或部分圆形的横截面； (iv)近似或基本上矩形的横截面；以及(v)近似或基本上正方形的横 截面。
23.如权利要求1-11中任一权利要求所述的质量分析器，其中所述 离子引导器包括多个板电极，其中沿着所述离子引导器的轴向长度布置多 组板电极。
24.如权利要求23所述的质量分析器，其中每组板电极包括第一板 电极和第二板电极，其中所述第一板电极与第二板电极基本上布置于同一 平面上并且布置于所述离子引导器的中心纵轴的任一侧。
25.如权利要求24所述的质量分析器，还包括用于将直流电压或电 势施加于所述第一板电极和第二板电极以便在第一径向方向上限制离子 于所述离子引导器内的装置。
26.如权利要求24或25所述的质量分析器，其中每组电极还包括第 三板电极和第四板电极，其中所述第三板电极与第四板电极基本上布置于 同一平面上并且以与所述第一板电极和第二板电极不同的取向布置于所 述离子引导器的中心纵轴的任一侧。
27.如权利要求26所述的质量分析器，其中所述用于施加交流或射 频电压的装置被布置成将所述交流或射频电压施加于所述第三板电极和 第四板电极以便在第二径向方向上限制离子于所述离子引导器内。
28.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述用于驱动或驱 策离子的装置包括用于将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个 直流电压或电势波形施加于所述电极中的至少1％、5％、10％、20％、 30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％电极的装置。
29.如权利要求28所述的质量分析器，其中所述一个或多个瞬态直 流电压或电势或所述一个或多个直流电压或电势波形产生：(i)位垒或势 垒；(ii)势阱；(iii)多个位垒或势垒；(iv)多个势阱；(v)位垒或势垒 与势阱的组合；或(vi)多个位垒或势垒与多个势阱的组合。
30.如权利要求28或29所述的质量分析器，其中所述一个或多个瞬 态直流电压或电势波形包括重复波形或方波。
31.如权利要求28、29或30所述的质量分析器，其中在使用时多个 轴向直流势阱沿着所述离子引导器的长度平移，或者多个瞬态直流电势或 电压沿着所述离子引导器的轴向长度累进地施加于电极。
32.如权利要求28-31中任一权利要求所述的质量分析器，还包括第 一装置，所述第一装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、 累进或其它方式减小所述一个或多个瞬态直流电压或电势或所述一个或 多个直流电压或电势波形的幅度、高度或深度。
33.如权利要求32所述的质量分析器，其中所述第一装置被布置成 和适于在时间段t1内将所述一个或多个瞬态直流电压或电势或所述一个 或多个直流电压或电势波形的幅度、高度或深度逐渐增大、逐渐减小、逐 渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者 以阶跃、累进或其它方式减小x1伏。
34.如权利要求33所述的质量分析器，其中x1选自于：(i)<0.1V； (ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V； (vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V； (xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi) 3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V； (xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv) 8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及 (xxix)>10.0V。
35.如权利要求33或34所述的质量分析器，其中t1选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
36.如权利要求28-35中任一权利要求所述的质量分析器，还包括第 二装置，所述第二装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、 累进或其它方式减小向所述电极施加所述一个或多个瞬态直流电压或电 势或所述一个或多个直流电势或电压波形的速度或速率。
37.如权利要求36所述的质量分析器，其中所述第二装置被布置成 和适于在时间段t2内将向所述电极施加所述一个或多个瞬态直流电压或 电势或所述一个或多个直流电压或电势波形的速度或速率逐渐增大、逐渐 减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式 增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x2m/s。
38.如权利要求37所述的质量分析器，其中x2选自于：(i)<1；(ii) 1-2；(iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7；(viii)7-8；(ix) 8-9；(x)9-10；(xi)10-11；(xii)11-12；(xiii)12-13；(xiv)13-14；(xv) 14-15；(xvi)15-16；(xvii)16-17；(xviii)17-18；(xix)18-19；(xx)19-20； (xxi)20-30；(xxii)30-40；(xxiii)40-50；(xxiv)50-60；(xxv)60-70； (xxvi)70-80；(xxvii)80-90；(xxviii)90-100；(xxix)100-150；(xxx) 150-200；(xxxi)200-250；(xxxii)250-300；(xxxiii)300-350；(xxxiv) 350-400；(xxxv)400-450；(xxxvi)450-500；以及(xxxvii)>500。
39.如权利要求37或38所述的质量分析器，其中t2选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
40.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述第一交流或射 频电压具有选自于以下幅度的幅度：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V 峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V 峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值； (xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰 -峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及 (xxxi)>1000V峰-峰值。
41.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述第一交流或射 频电压具有选自于以下频率的频率：(i)<100kHz；(ii)100-200kHz；(iii) 200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii) 1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi) 3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz； (xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz；(xviii) 6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz； (xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv) >10.0MHz。
42.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述用于施加所述 第一交流或射频电压的装置被布置成将所述第一交流或射频电压施加于 所述多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35 ％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、 90％、95％或100％电极。
43.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述用于施加所述 第一交流或射频电压的装置被布置成向轴向相邻电极或轴向相邻电极组 供应所述第一交流或射频电压的相反相。
44.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在使用时沿着所述 离子引导器的轴向长度的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50 ％、60％、70％、80％、90％或95％产生所述第一轴向时间平均的或伪 的势垒、势波纹或势阱。
45.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中沿着所述离子引导 器的中心纵轴的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、 70％、80％、90％或95％产生或提供所述多个第一轴向时间平均的或伪 的势垒、势波纹或势阱。
46.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在所述离子引导器 的上游部分和/或中间部分和/或下游部分产生或提供所述多个第一轴向时 间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
47.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述离子引导器具 有长度L，且在沿着所述离子引导器的长度具有选自于以下位移的位移的 一个或多个区或位置产生或提供所述多个第一轴向时间平均的或伪的势 垒、势波纹或势阱：(i)0-0.1L；(ii)0.1-0.2L；(iii)0.2-0.3L；(iv)0.3-0.4L； (v)0.4-0.5L；(vi)0.5-0.6L；(vii)0.6-0.7L；(viii)0.7-0.8L；(ix)0.8-0.9L； 以及(x)0.9-1.0L。
48.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述多个第一轴向 时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱在径向方向上远离所述离子引导器 的中心纵轴而延伸至少r mm，其中r选自于：(i)<1；(ii)1-2；(iii)2-3； (iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7；(viii)7-8；(ix)8-9；(x)9-10； 以及(xi)>10。
49.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中对于质荷比落在范 围1-100、100-200、200-300、300-400、400-500、500-600、600-700、700-800、 800-900或900-1000内的离子，至少1％、5％、10％、20％、30％、40 ％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％的所述第一轴向时间 平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的幅度、高度或深度选自于：(i)<0.1V； (ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V； (vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V； (xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi) 3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V； (xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv) 8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及 (xxix)>10.0V。
50.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在使用时沿着所述 离子引导器的轴向长度的至少一部分每厘米提供或产生至少1、2、3、4、 5、6、7、8、9或10个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
51.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述多个第一轴向 时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有沿着所述离子引导器的轴向长 度的、与所述多个电极的轴向位置对应的最小值。
52.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述多个第一轴向 时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有沿着所述离子引导器的轴向长 度的、位于与毗邻电极之间的轴向距离或间隔的基本上50％对应的轴向 位置的最大值。
53.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述多个第一轴向 时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有对于特定质荷比的离子而言为 基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最大值，并且其中所述最 小值和/或最大值具有与所述多个电极的轴向位移或间隔基本上相同或者 是所述多个电极的轴向位移或间隔的倍数的周期性。
54.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括第三装置，所述 第三装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增 大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方 式减小施加于所述电极的所述第一交流或射频电压的幅度。
55.如权利要求54所述的质量分析器，其中所述第三装置被布置成 和适于在时间段t3内将所述第一交流或射频电压的幅度逐渐增大、逐渐减 小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增 大或者以阶跃、累进或其它方式减小x3伏。
56.如权利要求55所述的质量分析器，其中x3选自于：(i)<50V峰 -峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V 峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰- 峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰- 峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。
57.如权利要求55或56所述的质量分析器，其中t3选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
58.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括第四装置，所述 第四装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增 大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方 式减小施加于所述电极的所述第一射频或交流电压的频率。
59.如权利要求58所述的质量分析器，其中所述第四装置被布置成 和适于在时间段t4内将施加于所述电极的所述第一射频或交流电压的频 率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、 累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x4MHz。
60.如权利要求59所述的质量分析器，其中x4选自于：(i)<100kHz； (ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz； (vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz； (x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz； (xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz； (xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi) 8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz； 以及(xxv)>10.0MHz。
61.如权利要求59或60所述的质量分析器，其中t4选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
62.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述第二交流或射 频电压具有选自于以下幅度的幅度：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V 峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V 峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值； (xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰 -峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及 (xxxi)>1000V峰-峰值。
63.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述第二交流或射 频电压具有选自于以下频率的频率：(i)<100kHz；(ii)100-200kHz；(iii) 200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii) 1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi) 3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz； (xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz；(xviii) 6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz； (xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv) >10.0MHz。
64.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述用于施加所述 第二交流或射频电压的装置被布置成将所述第二交流或射频电压施加于 所述多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35 ％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、 90％、95％或100％电极和/或所述多个电极中的至少1、2、3、4、5、6、 7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、 24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39、 40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50或>50个电极。
65.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述用于施加所述 第二交流或射频电压的装置被布置成向轴向相邻电极或轴向相邻电极组 供应所述第二交流或射频电压的相反相。
66.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在使用时沿着所述 离子引导器的轴向长度的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50 ％、60％、70％、80％、90％或95％产生所述一个或多个第二轴向时间 平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
67.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中沿着所述离子引导 器的中心纵轴的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、 70％、80％、90％或95％产生或提供所述一个或多个第二轴向时间平均 的或伪的势垒、势波纹或势阱。
68.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在所述离子引导器 的上游部分和/或中间部分和/或下游部分产生或提供所述多个第二轴向时 间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
69.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述离子引导器具 有长度L，且在沿着所述离子引导器的长度具有选自于以下位移的位移的 一个或多个区或位置产生或提供所述多个第二轴向时间平均的或伪的势 垒、势波纹或势阱：(i)0-0.1L；(ii)0.1-0.2L；(iii)0.2-0.3L；(iv)0.3-0.4L； (v)0.4-0.5L；(vi)0.5-0.6L；(vii)0.6-0.7L；(viii)0.7-0.8L；(ix)0.8-0.9L； 以及(x)0.9-1.0L。
70.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述一个或多个第 二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱在径向方向上远离所述离子 引导器的中心纵轴而延伸至少r mm，其中r选自于：(i)<1；(ii)1-2； (iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7；(viii)7-8；(ix)8-9； (x)9-10；以及(xi)>10。
71.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中对于质荷比落在范 围1-100、100-200、200-300、300-400、400-500、500-600、600-700、700-800、 800-900或900-1000内的离子，至少1％、5％、10％、20％、30％、40 ％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％的所述一个或多个第 二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的幅度、高度或深度选自于： (i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V； (vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V； (xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv) 3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V； (xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv) 7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii) 9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。
72.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在使用时沿着所述 离子引导器的轴向长度每厘米提供或产生至少1、2、3、4、5、6、7、8、 9或10个所述第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
73.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述一个或多个第 二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有沿着所述离子引导器的 轴向长度的、与所述多个电极的轴向位置对应的最小值。
74.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述一个或多个第 二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有沿着所述离子引导器的 轴向长度的、位于与毗邻电极之间的轴向距离或间隔的基本上50％对应 的轴向位置的最大值。
75.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述一个或多个第 二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有对于特定质荷比的离子 而言为基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最大值，并且其中 所述最小值和/或最大值具有与所述多个电极的轴向位移或间隔基本上相 同或者是所述多个电极的轴向位移或间隔的倍数的周期性。
76.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中所述第二幅度小于 或大于所述第一幅度。
77.如权利要求76所述的质量分析器，其中所述第二幅度与所述第 一幅度之比选自于：(i)<1；(ii)>1；(iii)1-2；(iv)2-3；(v)3-4；(vi) 4-5；(vii)5-6；(viii)6-7；(ix)7-8；(x)8-9；(xi)9-10；(xii)10-11； (xiii)11-12；(xiv)12-13；(xv)13-14；(xvi)14-15；(xvii)15-16；(xviii) 16-17；(xix)17-18；(xx)18-19；(xxi)19-20；(xxii)20-25；(xxiii)25-30； (xxiv)30-35；(xxv)35-40；(xxvi)40-45；(xxvii)45-50；(xxviii)50-60； (xxix)60-70；(xxx)70-80；(xxxi)80-90；(xxxii)90-100；以及(xxxiii) >100。
78.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括第五装置，所述 第五装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增 大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方 式减小施加于所述多个电极中的一个或多个电极的所述第二交流或射频 电压的幅度。
79.如权利要求78所述的质量分析器，其中所述第五装置被布置成 和适于在时间段t5内将所述第二交流或射频电压的幅度逐渐增大、逐渐减 小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增 大或者以阶跃、累进或其它方式减小x5伏。
80.如权利要求79所述的质量分析器，其中x5选自于：(i)<50V峰 -峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V 峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰- 峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰- 峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。
81.如权利要求79或80所述的质量分析器，其中t5选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
82.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括第六装置，所述 第六装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增 大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方 式减小施加于所述多个电极中的一个或多个电极的所述第二射频或交流 电压的频率。
83.如权利要求82所述的质量分析器，其中所述第六装置被布置成 和适于在时间段t6内将施加于所述电极的所述第二射频或交流电压的频 率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、 累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x6MHz。
84.如权利要求83所述的质量分析器，其中x6选自于：(i)<100kHz； (ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz； (vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz； (x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz； (xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz； (xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi) 8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz； 以及(xxv)>10.0MHz。
85.如权利要求83或84所述的质量分析器，其中t6选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
86.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括用于将第一直流 电压施加于所述多个电极中的一个或多个电极、以使得在使用时所述一个 或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱包括与轴向时间平 均的或伪的势垒或势阱相组合的直流轴向势垒或势阱的装置。
87.如权利要求86所述的质量分析器，还包括第七装置，所述第七 装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、 线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减 小施加于所述多个电极中的一个或多个电极的所述第一直流电压的幅度。
88.如权利要求87所述的质量分析器，其中所述第七装置被布置成 和适于在时间段t7内将所述第一直流电压的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐 渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者 以阶跃、累进或其它方式减小x7伏。
89.如权利要求88所述的质量分析器，其中x7选自于：(i)<0.1V； (ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V； (vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V； (xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi) 3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V； (xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv) 8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及 (xxix)>10.0V。
90.如权利要求88或89所述的质量分析器，其中t7选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
91.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括用于将第三交流 或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多个电极、以使得在使用时沿 着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第三幅度的一个或 多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置，其中所述第 三幅度不同于所述第一幅度和/或所述第二幅度。
92.如权利要求91所述的质量分析器，其中所述第三交流或射频电 压具有选自于以下幅度的幅度：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰- 峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V 峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii) 350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值； (xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V 峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi) 750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰 -峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及 (xxxi)>1000V峰-峰值。
93.如权利要求91或92所述的质量分析器，其中所述第三交流或射 频电压具有选自于以下频率的频率：(i)<100kHz；(ii)100-200kHz；(iii) 200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii) 1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi) 3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz； (xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz；(xviii) 6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz； (xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv) >10.0MHz。
94.如权利要求91、92或93中任一权利要求所述的质量分析器，其 中所述用于施加所述第三交流或射频电压的装置被布置成将所述第三交 流或射频电压施加于所述多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20 ％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、 75％、80％、85％、90％、95％或100％电极。
95.如权利要求91-94中任一权利要求所述的质量分析器，其中所述 用于施加所述第三交流或射频电压的装置被布置成向轴向相邻电极或轴 向相邻电极组供应所述第三交流或射频电压的相反相。
96.如权利要求91-95中任一权利要求所述的质量分析器，其中在使 用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少1％、5％、10％、20％、30 ％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生所述一个或多个 第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
97.如权利要求91-96中任一权利要求所述的质量分析器，其中沿着 所述离子引导器的中心纵轴的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、 50％、60％、70％、80％、90％或95％产生或提供所述一个或多个第三 轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
98.如权利要求91-97中任一权利要求所述的质量分析器，其中在所 述离子引导器的上游部分和/或中间部分和/或下游部分产生或提供所述一 个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
99.如权利要求91-98中任一权利要求所述的质量分析器，其中所述 离子引导器具有长度L，且在沿着所述离子引导器的长度具有选自于以下 位移的位移的一个或多个区或位置产生或提供所述一个或多个第三轴向 时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱：(i)0-0.1L；(ii)0.1-0.2L；(iii) 0.2-0.3L；(iv)0.3-0.4L；(v)0.4-0.5L；(vi)0.5-0.6L；(vii)0.6-0.7L； (viii)0.7-0.8L；(ix)0.8-0.9L；以及(x)0.9-1.0L。
100.如权利要求91-99中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱在径向方向 上远离所述离子引导器的中心纵轴而延伸至少rmm，其中r选自于：(i) <1；(ii)1-2；(iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7；(viii) 7-8；(ix)8-9；(x)9-10；以及(xi)>10。
101.如权利要求91-100中任一权利要求所述的质量分析器，其中对 于质荷比落在范围1-100、100-200、200-300、300-400、400-500、500-600、 600-700、700-800、800-900或900-1000内的离子，至少1％、5％、10％、 20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％的所 述第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的幅度、高度或深度选 自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V； (vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V； (xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv) 3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V； (xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv) 7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii) 9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。
102.如权利要求91-101中任一权利要求所述的质量分析器，其中在 使用时沿着所述离子引导器的轴向长度每厘米提供或产生至少1、2、3、 4、5、6、7、8、9或10个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势 阱。
103.如权利要求91-102中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有沿着所 述离子引导器的轴向长度的、与所述多个电极的轴向位置对应的最小值。
104.如权利要求91-103中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有沿着所 述离子引导器的轴向长度的、位于与毗邻电极之间的轴向距离或间隔的基 本上50％对应的轴向位置的最大值。
105.如权利要求91-104中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱具有对于特 定质荷比的离子而言为基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或最 大值，并且其中所述最小值和/或最大值具有与所述多个电极的轴向位移 或间隔基本上相同或者是所述多个电极的轴向位移或间隔的倍数的周期 性。
106.如权利要求91-105中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述第三幅度小于或大于所述第一幅度和/或所述第二幅度。
107.如权利要求91-106中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述第三幅度与所述第一幅度之比选自于：(i)<1；(ii)>1；(iii)1-2；(iv) 2-3；(v)3-4；(vi)4-5；(vii)5-6；(viii)6-7；(ix)7-8；(x)8-9；(xi) 9-10；(xii)10-11；(xiii)11-12；(xiv)12-13；(xv)13-14；(xvi)14-15； (xvii)15-16；(xviii)16-17；(xix)17-18；(xx)18-19；(xxi)19-20； (xxii)20-25；(xxiii)25-30；(xxiv)30-35；(xxv)35-40；(xxvi)40-45； (xxvii)45-50；(xxviii)50-60；(xxix)60-70；(xxx)70-80；(xxxi)80-90； (xxxii)90-100；以及(xxxiii)>100。
108.如权利要求91-107中任一权利要求所述的质量分析器，其中所 述第三幅度与所述第二幅度之比选自于：(i)<1；(ii)>1；(iii)1-2；(iv) 2-3；(v)3-4；(vi)4-5；(vii)5-6；(viii)6-7；(ix)7-8；(x)8-9；(xi) 9-10；(xii)10-11；(xiii)11-12；(xiv)12-13；(xv)13-14；(xvi)14-15； (xvii)15-16；(xviii)16-17；(xix)17-18；(xx)18-19；(xxi)19-20； (xxii)20-25；(xxiii)25-30；(xxiv)30-35；(xxv)35-40；(xxvi)40-45； (xxvii)45-50；(xxviii)50-60；(xxix)60-70；(xxx)70-80；(xxxi)80-90； (xxxii)90-100；以及(xxxiii)>100。
109.如权利要求91-108中任一权利要求所述的质量分析器，还包括 第八装置，所述第八装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、 累进或其它方式减小施加于所述多个电极中的所述一个或多个电极的所 述第三交流或射频电压的幅度。
110.如权利要求109所述的质量分析器，其中所述第八装置被布置 成和适于在时间段t8内将所述第三交流或射频电压的幅度逐渐增大、逐渐 减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式 增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x8伏。
111.如权利要求110所述的质量分析器，其中x8选自于：(i)<50V 峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V 峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V 峰-峰值；以及(xi)>500V峰-峰值。
112.如权利要求110或111所述的质量分析器，其中t8选自于：(i) <1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi) 40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms； (xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms； (xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms； (xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii) 3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
113.如权利要求91-112中任一权利要求所述的质量分析器，还包括 第九装置，所述第九装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、 累进或其它方式减小施加于所述多个电极中的所述一个或多个电极的所 述第三射频或交流电压的频率。
114.如权利要求113所述的质量分析器，其中所述第九装置被布置 成和适于在时间段t9内将施加于所述多个电极中的一个或多个电极的所 述第三射频或交流电压的频率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线 性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其 它方式减小x9MHz。
115.如权利要求114所述的质量分析器，其中x9选自于：(i)<100kHz； (ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz； (vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz； (x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz； (xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz； (xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi) 8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz； 以及(xxv)>10.0MHz。
116.如权利要求114或115所述的质量分析器，其中t9选自于：(i) <1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi) 40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms； (xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms； (xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms； (xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii) 3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
117.如权利要求91-116中任一权利要求所述的质量分析器，还包括 用于将第二直流电压施加于所述多个电极中的一个或多个电极、以使得在 使用时所述一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱包 括与轴向时间平均的或伪的势垒或势阱相组合的直流轴向势垒或势阱的 装置。
118.如权利要求117所述的质量分析器，还包括第十装置，所述第 十装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、 线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减 小施加于所述多个电极中的一个或多个电极的所述第二直流电压的幅度。
119.如权利要求118所述的质量分析器，其中所述第十装置被布置 成和适于在时间段t10内将所述第二直流电压的幅度逐渐增大、逐渐减小、 逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或 者以阶跃、累进或其它方式减小x10伏。
120.如权利要求119所述的质量分析器，其中x10选自于：(i)<0.1V； (ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V； (vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V； (xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi) 3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V； (xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv) 8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及 (xxix)>10.0V。
121.如权利要求119或120所述的质量分析器，其中t10选自于：(i) <1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi) 40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms； (xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms； (xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms； (xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii) 3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
122.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括第十一装置， 所述第十一装置被布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、 线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或 其它方式减小施加于所述离子引导器的所述电极中的至少一些电极的、并 且用以在径向方向上限制离子于所述离子引导器内的直流电压或电势的 幅度。
123.如权利要求122所述的质量分析器，其中所述第十一装置被布 置成和适于在时间段t11内将施加于所述至少一些电极的所述直流电压或 电势的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x11伏。
124.如权利要求123所述的质量分析器，其中x11选自于：(i)<0.1V； (ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V； (vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V； (xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi) 3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V； (xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv) 8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及 (xxix)>10.0V。
125.如权利要求123或124所述的质量分析器，其中t11选自于：(i) <1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi) 40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms； (xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms； (xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms； (xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii) 3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
126.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括用于在一工作 模式下将所述离子引导器维持于选自于以下压力的压力的装置：(i) <1.0×10-1mbar；(ii)<1.0×10-2mbar；(iii)<1.0×10-3mbar；以及(iv) <1.0×10-4mbar。
127.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括用于在一工作 模式下将所述离子引导器维持于选自于以下压力的压力的装置：(i) >1.0×10-3mbar；(ii)>1.0×10-2mbar；(iii)>1.0×10-1mbar；(iv)>1mbar； (v)>10mbar；(vi)>100mbar；(vii)>5.0×10-3mbar；(viii)>5.0×10-2mbar； (ix)10-4-10-3mbar；(x)10-3-10-2mbar；以及(xi)10-2-10-1mbar。
128.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括布置成和适于 逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、 累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小经过所述离子引导 器的气流的装置。
129.如任一前述权利要求所述的质量分析器，其中在一工作模式下， 离子被布置成被捕获于所述离子引导器内但是在所述离子引导器内基本 上不裂解。
130.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括用于在所述离 子引导器内碰撞冷却或基本上热化离子的装置。
131.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括用于在一工作 模式下在所述离子引导器内基本上裂解离子的装置。
132.如任一前述权利要求所述的质量分析器，还包括布置于所述离 子引导器的入口和/或出口处的一个或多个电极，其中在一工作模式下， 所述一个或多个电极被布置成使离子以脉冲形式进入和/或退出所述离子 引导器。
133.一种质谱仪，包括如任一前述权利要求所述的质量分析器。
134.如权利要求133所述的质谱仪，还包括选自于以下离子源的离 子源：(i)电喷雾电离(“ESI”)离子源；(ii)大气压光电离(“APPI”) 离子源；(iii)大气压化学电离(“APCI”)离子源；(iv)基质辅助激光解 吸电离(“MALDI”)离子源；(v)激光解吸电离(“LDI”)离子源；(vi) 大气压电离(“API”)离子源；(vii)硅上解吸电离(“DIOS”)离子源； (viii)电子冲击(“EI”)离子源；(ix)化学电离(“CI”)离子源；(x) 场电离(“FI”)离子源；(xi)场解吸(“FD”)离子源；(xii)感应耦合 等离子体(“ICP”)离子源；(xiii)快原子轰击(“FAB”)离子源；(xiv) 液体二次离子质谱学(“LSIMS”)离子源；(xv)解吸电喷雾电离(“DESI”) 离子源；(xvi)镍-63放射性离子源；以及(xvii)热喷雾离子源。
135.如权利要求133或134所述的质谱仪，还包括连续或脉冲式离 子源。
136.如权利要求133、134或135中任一权利要求所述的质谱仪，还 包括布置于所述质量分析器的上游和/或下游的一个或多个质量过滤器。
137.如权利要求136所述的质谱仪，其中所述一个或多个质量过滤 器选自于：(i)四极杆集质量过滤器；(ii)飞行时间质量过滤器或质量分 析器；(iii)Wein过滤器；以及(iv)磁式扇形质量过滤器或质量分析器。
138.如权利要求133-137中任一权利要求所述的质谱仪，还包括布 置于所述质量分析器的上游和/或下游的一个或多个第二离子引导器或离 子捕获器。
139.如权利要求138所述的质谱仪，其中所述一个或多个第二离子 引导器或离子捕获器选自于：
(i)多极杆集或分段多极杆集离子引导器或离子捕获器，包括四极 杆集、六极杆集、八极杆集或含有八个以上杆的杆集；
(ii)离子隧道或离子漏斗式离子引导器或离子捕获器，包括具有在 使用时离子所穿过的孔的多个电极或至少2、5、10、20、30、40、50、 60、70、80、90或100个电极，其中所述电极中的至少1％、5％、10％、 15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65 ％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％电极具有尺寸或面积 基本上相同的孔或者尺寸或面积逐渐变大和/或变小的孔；
(iii)平面、板状或网状电极的堆或列，其中平面、板状或网状电极 的所述堆或列包括多个或至少2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、 13、14、15、16、17、18、19或20个平面、板状或网状电极，或者至少 1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、 55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％的所 述平面、板状或网状电极大致布置于在使用时离子行进的平面上；以及
(iv)离子捕获器或离子引导器，包括沿着所述离子捕获器或离子引 导器的长度轴向布置的多组电极，其中每组电极包括：(a)第一和第二电 极以及用于将直流电压或电势施加于所述第一和第二电极以便在第一径 向方向上限制离子于所述离子引导器内的装置；以及(b)第三和第四电 极以及用于将交流或射频电压施加于所述第三和第四电极以便在第二径 向方向上限制离子于所述离子引导器内的装置。
140.如权利要求138或139所述的质谱仪，其中所述第二离子引导 器或离子捕获器包括离子隧道或离子漏斗式离子引导器或离子捕获器，并 且其中所述电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、 35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、85 ％、90％、95％或100％电极具有选自于以下内直径或尺度的内直径或尺 度：(i)≤1.0mm；(ii)≤2.0mm；(iii)≤3.0mm；(iv)≤4.0mm；(v)≤5.0mm； (vi)≤6.0mm；(vii)≤7.0mm；(viii)≤8.0mm；(ix)≤9.0mm；(x)≤10.0mm； 以及(xi)>10.0mm。
141.如权利要求138、139或140所述的质谱仪，其中所述第二离子 引导器或离子捕获器还包括第四交流或射频电压装置，所述第四交流或射 频电压装置被布置成和适于将交流或射频电压施加于所述第二离子引导 器或离子捕获器的所述多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、 25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75 ％、80％、85％、90％、95％或100％电极以便径向限制离子于所述第二 离子引导器或离子捕获器内。
142.如权利要求138-141中任一权利要求所述的质谱仪，其中所述 第二离子引导器或离子捕获器被布置成和适于从所述质量分析器接收离 子束或组并转换或划分所述离子束或组，以使得在任何特定时间至少1、 2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19 或20个单独的离子包被限制和/或隔离于所述第二离子引导器或离子捕获 器内，并且其中每个离子包被单独地限制和/或隔离于在所述第二离子引 导器或离子捕获器中形成的单独的轴向势阱中。
143.如权利要求138-142中任一权利要求所述的质谱仪，还包括布 置成和适于在一工作模式下向上游和/或下游经过或沿着所述第二离子引 导器或离子捕获器的轴向长度的至少1％、5％、10％、15％、20％、25 ％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、 80％、85％、90％、95％或100％而驱策至少一些离子的装置。
144.如权利要求138-143中任一权利要求所述的质谱仪，还包括瞬 态直流电压装置，所述瞬态直流电压装置被布置成和适于将一个或多个瞬 态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电势波形施加于构成所 述第二离子引导器或离子捕获器的所述电极以便向下游和/或上游沿着所 述第二离子引导器或离子捕获器的轴向长度的至少1％、5％、10％、15 ％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、 70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％驱策至少一些离子。
145.如权利要求138-144中任一权利要求所述的质谱仪，还包括交 流或射频电压装置，所述交流或射频电压装置被布置成和适于将两个或更 多相移直流或射频电压施加于构成所述第二离子引导器或离子捕获器的 电极以便向下游和/或上游沿着所述第二离子引导器或离子捕获器的轴向 长度的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、 45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95 ％或100％驱策至少一些离子。
146.如权利要求138-145中任一权利要求所述的质谱仪，还包括布 置成和适于将所述第二离子引导器或离子捕获器的至少一部分维持于选 自于以下压力的压力的装置：(i)>0.0001mbar；(ii)>0.001mbar；(iii) >0.01mbar；(iv)>0.1mbar；(v)>1mbar；(vi)>10mbar；(vii)>1mbar； (viii)0.0001-100mbar；以及(ix)0.001-10mbar。
147.如权利要求133-146中任一权利要求所述的质谱仪，还包括布 置成和适于通过碰撞诱发解离(“CID”)来裂解离子的碰撞、裂解或反应 设备。
148.如权利要求133-147中任一权利要求所述的质谱仪，还包括选 自于以下设备的碰撞、裂解或反应设备：(i)表面诱发解离(“SID”)裂 解设备；(ii)电子转移解离裂解设备；(iii)电子捕获解离裂解设备；(iv) 电子碰撞或冲击解离裂解设备；(v)光诱发解离(“PID”)裂解设备；(vi) 激光诱发解离裂解设备；(vii)红外辐射诱发解离设备；(viii)紫外辐射 诱发解离设备；(ix)喷嘴-分液器接口裂解设备；(x)内源裂解设备；(xi) 离子源碰撞诱发解离裂解设备；(xii)热或温度源裂解设备；(xiii)电场 诱发裂解设备；(xiv)磁场诱发裂解设备；(xv)酶消化或酶降解裂解设 备；(xvi)离子-离子反应裂解设备；(xvii)离子-分子反应裂解设备； (xviii)离子-原子反应裂解设备；(xix)离子-亚稳离子反应裂解设备； (xx)离子-亚稳分子反应裂解设备；(xxi)离子-亚稳原子反应裂解设 备；(xxii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-离子反应设备； (xxiii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-分子反应设备； (xxiv)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-原子反应设备； (xxv)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚稳离子反应设 备；(xxvi)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚稳分子反 应设备；以及(xxvii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚 稳原子反应设备。
149.如权利要求147或148所述的质谱仪，还包括布置成和适于在 所述质量分析器的周期时间内或期间逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫 描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累 进或其它方式减小所述质量分析器与所述碰撞、裂解或反应单元之间的电 势差的装置。
150.如权利要求133-149中任一权利要求所述的质谱仪，还包括布 置于所述质量分析器的上游和/或下游的又一质量分析器。
151.如权利要求150所述的质谱仪，其中所述又一质量分析器选自 于：(i)傅立叶变换(“FT”)质量分析器；(ii)傅立叶变换离子回旋共振 (“FTICR”)质量分析器；(iii)飞行时间(“TOF”)质量分析器；(iv) 正交加速飞行时间(“oaTOF”)质量分析器；(v)轴向加速飞行时间质量 分析器；(vi)磁式扇形质谱仪；(vii)保罗(Paul)或3D四极质量分析 器；(viii)2D或线性四极质量分析器；(ix)彭宁(Penning)捕获器质量 分析器；(x)离子捕获器质量分析器；(xi)傅立叶变换轨道捕获器；(xii) 静电离子回旋共振质谱仪；(xiii)静电傅立叶变换质谱仪；以及(xiv)四 极杆集质量过滤器或质量分析器。
152.如权利要求150或151所述的质谱仪，还包括布置成和适于在 所述质量分析器的周期时间内或期间与所述质量分析器的工作同步地逐 渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累 进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小所述又一分析器的质 荷比传送窗的装置。
153.一种对离子进行质量分析的方法，包括：
提供包括多个电极的离子引导器；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极，以使 得沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生多个第一轴向时间 平均的或伪的势垒、势波纹或势阱；
沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分驱动或驱策离子；并且
将第二交流或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多个电极，以 使得沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个第二 轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱，其中所述第二幅度不同于所 述第一幅度。
154.一种质量分析器，包括：
离子引导器，包括具有孔的多个电极，其中在使用时离子穿过所述孔；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多个电 极以便径向限制离子于所述离子引导器内的装置；以及
用于将第二不同交流或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多 个电极、以使得在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产 生一个或多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置。
155.一种对离子进行质量分析的方法，包括：
提供离子引导器，其中所述离子引导器包括具有离子所穿过的孔的多 个电极；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多个电极以 便径向限制离子于所述离子引导器内；并且
将第二不同交流或射频电压施加于所述多个电极中的一个或多个电 极，以使得沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个 轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
156.一种质量分析器，包括：
包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有孔的电极， 在使用时离子穿过所述孔；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极、 以使得轴向相邻电极组被供应所述第一交流或射频电压的相反相、并且其 中在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第一 幅度的多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置；以及
用于将施加于一个或多个轴向相邻电极组的所述第一交流或射频电 压的极性反相、以使得在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一 部分产生具有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势 波纹或势阱的装置，其中所述第二幅度不同于所述第一幅度。
157.如权利要求156所述的质量分析器，其中每个电极组包括1、2、 3、4、5、6、7、8、9、10或>10个电极。
158.一种对离子进行质量分析的方法，包括：
提供包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有离子所 穿过的孔的电极；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极，以使 得轴向相邻电极组被供应所述第一交流或射频电压的相反相，并且其中沿 着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第一幅度的多个第 一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱；并且
将施加于一个或多个轴向相邻电极组的所述第一交流或射频电压的 极性反相，以使得沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有 第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱， 其中所述第二幅度不同于所述第一幅度。
159.一种质量分析器，包括：
包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有孔的电极， 在使用时离子穿过所述孔；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极、 以使得轴向相邻电极或轴向相邻电极组被供应所述第一交流或射频电压 的相反相、并且其中在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部 分产生具有第一幅度的多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势 阱的装置；
用于将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压 或电势波形施加于所述多个电极以便沿着所述离子引导器的轴向长度的 至少一部分驱动或驱策离子的装置；
用于将施加于成对轴向相邻电极或成对轴向相邻电极组的所述第一 交流或射频电压的极性反相、以使得在使用时沿着所述离子引导器的轴向 长度的至少一部分产生具有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的 或伪的势垒、势波纹或势阱的装置，其中所述第二幅度不同于所述第一幅 度；以及
用于以线性、阶跃或其它方式逐渐减小所述第一交流或射频电压的幅 度以便逐渐降低所述一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹 或势阱的幅度的装置。
160.如权利要求159所述的质量分析器，其中所述用于逐渐减小所 述第一交流或直流电压的幅度的装置被布置成在时间段t12内将所述第一 交流或直流电压的幅度逐渐减小x12伏。
161.如权利要求160所述的质量分析器，其中x12选自于：(i)<50V 峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V 峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰- 峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰- 峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。
162.如权利要求160或161所述的质量分析器，其中t12选自于：(i) <1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi) 40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms； (xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms； (xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms； (xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii) 3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
163.一种对离子进行质量分析的方法，包括：
提供包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有离子所 穿过的孔的电极；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极，以使 得轴向相邻电极或轴向相邻电极组被供应所述第一交流或射频电压的相 反相，并且其中沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第 一幅度的多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱；
将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电 势波形施加于所述多个电极以便沿着所述离子引导器的轴向长度的至少 一部分驱动或驱策离子；
使施加于成对轴向相邻电极或成对轴向相邻电极组的所述第一交流 或射频电压的极性反相，以使得沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一 部分产生具有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势 波纹或势阱，其中所述第二幅度不同于所述第一幅度；并且
以线性、阶跃或其它方式逐渐减小所述第一交流或射频电压的幅度以 便逐渐降低所述一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势 阱的幅度。
164.一种离子引导器或质量分析器，包括：
多个电极；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极、以使得在使用时至 少一些电极被维持于所述第一交流或射频电压的相反相的装置；以及
用于变化、切换、改变或扫描一个或多个电极的相位差或极性以便在 使用时沿着所述离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生 轴向时间平均的或伪的势垒的装置。
165.如权利要求164所述的离子引导器或质量分析器，其中所述用 于变化、切换或改变所述一个或多个电极的相位差或极性的装置被布置成 将所述相位差或极性变化、切换、改变或扫描θ°，其中θ选自于：(i)<10； (ii)10-20；(iii)20-30；(iv)30-40；(v)40-50；(vi)50-60；(vii)60-70； (viii)70-80；(ix)80-90；(x)90；(xi)90-100；(xii)100-110；(xiii) 110-120；(xiv)120-130；(xv)130-140；(xvi)140-150；(xvii)150-160； (xviii)160-170；(xix)170-180；以及(xx)180。
166.一种引导离子或对离子进行质量分析的方法，包括：
提供包括多个电极的离子引导器或质量分析器；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极，以使得至少一些电极被 维持于所述第一交流或射频电压的相反相；并且
变化、切换、改变或扫描一个或多个电极的相位差或极性以便沿着所 述离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生轴向时间平均 的或伪的势垒。
167.如权利要求166所述的方法，其中所述变化、切换或改变所述 一个或多个电极的相位差或极性的步骤包括将所述相位差或极性变化、切 换、改变或扫描θ°，其中θ选自于：(i)<10；(ii)10-20；(iii)20-30；(iv) 30-40；(v)40-50；(vi)50-60；(vii)60-70；(viii)70-80；(ix)80-90； (x)90；(xi)90-100；(xii)100-110；(xiii)110-120；(xiv)120-130； (xv)130-140；(xvi)140-150；(xvii)150-160；(xviii)160-170；(xix) 170-180；以及(xx)180。
168.一种离子引导器或质量分析器，包括：
多个电极；
用于将n相交流或射频电压施加于所述多个电极的装置，其中n≥2；
用于维持所述多个电极之间的、所述多个电极处的或所述多个电极的 第一相位关系或第一纵横比的装置；以及
用于改变所述多个电极的子集之间的、所述子集处的或所述子集的相 位关系或纵横比、以使得维持所述电极子集之间的、所述子集处的或所述 子集的第二不同相位关系或第二纵横比以便在使用时沿着所述离子引导 器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个轴向时间平均 的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置。
169.如权利要求168所述的离子引导器或质量分析器，其中n选自 于：(i)2；(ii)3；(iii)4；(iv)5；(v)6；(vi)7；(vii)8；(viii)9； (ix)10；以及(x)>10。
170.如权利要求168或169所述的离子引导器或质量分析器，其中 所述第一相位关系或第一纵横比具有第一周期性、模式、序列或值，并且 其中所述第二相位关系或第二纵横比具有第二不同周期性、模式、序列或 值。
171.一种引导离子或对离子进行质量分析的方法，包括：
提供包括多个电极的离子引导器或质量分析器；
将n相交流或射频电压施加于所述多个电极，其中n≥2；
维持所述多个电极之间的、所述多个电极处的或所述多个电极的第一 相位关系或第一纵横比；并且
改变所述多个电极的子集之间的、所述子集处的或所述子集的相位关 系或纵横比，以使得维持所述电极子集之间的、所述子集处的或所述子集 的第二不同相位关系或第二纵横比以便沿着所述离子引导器或质量分析 器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个轴向时间平均的或伪的势垒、 势波纹或势阱。
172.一种离子引导器或质量分析器，包括：
多个电极；
用于将n相交流或射频电压施加于所述多个电极的装置，其中n≥2； 以及
用于扫描所述多个电极中的一个或多个电极的相位或纵横比以便在 使用时沿着所述离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生 一个或多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置。
173.一种引导离子或对离子进行质量分析的方法，包括：
提供包括多个电极的离子引导器或质量分析器；
将n相交流或射频电压施加于所述多个电极，其中n≥2；并且
扫描所述多个电极中的一个或多个电极的相位或纵横比以便在使用 时沿着所述离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生一个 或多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
技术领域
背景技术
已经知道，使用射频离子引导器来径向限制离子于离子引导器内并使 离子在离子引导器内经受碰撞诱发解离或裂解。通常，在射频离子引导器 内或在专用气体碰撞单元内、在10-3-10-1mbar的压力下进行离子裂解。
还已知道，使用射频离子引导器来径向限制离子于离子迁移率分离器 或离子迁移率谱仪内。可在大气压下或在10-1-101mbar的压力下进行离子 迁移率分离。
已经知道包括多极杆集离子引导器和环堆或离子隧道式离子引导器 在内的不同形式的射频离子引导器。环堆或离子隧道式离子引导器包括堆 叠环电极集，其中向相邻电极施加射频电压的相反相。沿着离子引导器的 中心轴形成伪势阱，以使得离子被径向限制于该离子引导器内。该离子引 导器具有较高的传送效率。
US 2005/0253064公开了一种射频离子引导器，其中射频电压被施加 于细长的杆集以便径向限制离子于离子引导器内。布置静态轴向电场来沿 着离子引导器的轴推进离子。还在离子引导器的出口处布置射频轴向电 场。射频轴向电场生成起到离子垒的作用的轴向伪势垒。该伪势垒的量值 与离子的质荷比成反比例。因此，质荷比较低的离子将经历幅度较大的伪 势垒。伪势垒抵消静态轴向场对质荷比较低的离子的作用，但不抵消静态 轴向场对质荷比较高的离子的作用。因而，质荷比较高的离子从离子引导 器喷出。通过调整静态或振荡电场的幅度，可质量选择性地喷出离子，或 可操控离子使之处于离子引导器内。
该已知离子引导器对于具有特定质荷比的离子而言具有明确的径向 稳定性条件。这是由所维持的径向电势的近似二次性决定的。因此，不利 的是，如果以任何方式改变沿着离子引导器轴的振荡电场，则可能造成不 希望的径向不稳定性和/或谐振效应，这可能导致离子从系统丢失。
发明内容
根据本发明的一方面，提供了一种质量分析器，该质量分析器包括：
包括多个电极的离子引导器；
用于将第一交流或射频电压施加于多个电极中的至少一些电极、以使 得在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第一幅度 的多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置；以及
用于沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分驱动或驱策离子的装 置；
质量分析器还包括：
用于将第二交流或射频电压施加于多个电极中的一个或多个电极、以 使得在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第二幅 度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置， 其中第二幅度不同于第一幅度。
在一工作模式下，质荷比≥M1的离子优选地退出离子引导器，而质 荷比
在一工作模式下，离子优选地以它们的质荷比的顺序或以它们的质荷 比的逆序从质量分析器依次喷出。
根据该优选实施例，离子引导器包括n个轴向段，其中n选自于：(i) 1-10；(ii)11-20；(iii)21-30；(iv)31-40；(v)41-50；(vi)51-60；(vii) 61-70；(viii)71-80；(ix)81-90；(x)91-100；以及(xi)>100。每个轴 向段优选地包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、 16、17、18、19、20或>20个电极。轴向段中的至少1％、5％、10％、 20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％轴向 段的轴向长度优选地选自于：(i)<1mm；(ii)1-2mm；(iii)2-3mm；(iv) 3-4mm；(v)4-5mm；(vi)5-6mm；(vii)6-7mm；(viii)7-8mm；(ix) 8-9mm；(x)9-10mm；以及(xi)>10mm。轴向段中的至少1％、5％、 10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100 ％轴向段之间的间距选自于：(i)<1mm；(ii)1-2mm；(iii)2-3mm；(iv) 3-4mm；(v)4-5mm；(vi)5-6mm；(vii)6-7mm；(viii)7-8mm；(ix) 8-9mm；(x)9-10mm；以及(xi)>10mm。
离子引导器优选地具有选自于以下长度的长度：(i)<20mm；(ii) 20-40mm；(iii)40-60mm；(iv)60-80mm；(v)80-100mm；(vi)100-120mm； (vii)120-140mm；(viii)140-160mm；(ix)160-180mm；(x)180-200mm； 以及(xi)>200mm。
离子引导器优选地至少包括：(i)10-20个电极；(ii)20-30个电极； (iii)30-40个电极；(iv)40-50个电极；(v)50-60个电极；(vi)60-70 个电极；(vii)70-80个电极；(viii)80-90个电极；(ix)90-100个电极； (x)100-110个电极；(xi)110-120个电极；(xii)120-130个电极；(xiii) 130-140个电极；(xiv)140-150个电极；或(xv)>150个电极。
根据该优选实施例，多个电极优选地包括具有孔的电极，其中在使用 时离子穿过所述孔。电极中的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、 50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％电极优选地具有基本上圆 形、矩形、正方形或椭圆形的孔。
根据一个实施例，电极中的至少1％、5％、10％、20％、30％、40 ％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％电极具有尺寸基本上 相同或面积基本上相同的孔。根据另一个实施例，电极中的至少1％、5 ％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或 100％电极具有在沿着离子引导器的轴的方向上尺寸或面积逐渐变大和/ 或变小的孔。
根据该优选实施例，电极中的至少1％、5％、10％、20％、30％、 40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％或100％电极优选地具有其 内直径或尺度选自于以下内直径或尺度的孔：(i)≤1.0mm；(ii)≤2.0mm； (iii)≤3.0mm；(iv)≤4.0mm；(v)≤5.0mm；(vi)≤6.0mm；(vii)≤7.0mm； (viii)≤8.0mm；(ix)≤9.0mm；(x)≤10.0mm；以及(xi)>10.0mm。
电极中的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、 70％、80％、90％、95％或100％电极优选地相互间隔开选自于以下轴向 距离的轴向距离：(i)小于或等于5mm；(ii)小于或等于4.5mm；(iii) 小于或等于4mm；(iv)小于或等于3.5mm；(v)小于或等于3mm；(vi) 小于或等于2.5mm；(vii)小于或等于2mm；(viii)小于或等于1.5mm； (ix)小于或等于1mm；(x)小于或等于0.8mm；(xi)小于或等于0.6mm； (xii)小于或等于0.4mm；(xiii)小于或等于0.2mm；(xiv)小于或等于 0.1mm；以及(xv)小于或等于0.25mm。
多个电极中的至少一些电极优选地包括孔，并且其中孔的内直径或尺 度与相邻电极之间的中心到中心轴向间距之比选自于：(i)<1.0；(ii) 1.0-1.2；(iii)1.2-1.4；(iv)1.4-1.6；(v)1.6-1.8；(vi)1.8-2.0；(vii)2.0-2.2； (viii)2.2-2.4；(ix)2.4-2.6；(x)2.6-2.8；(xi)2.8-3.0；(xii)3.0-3.2； (xiii)3.2-3.4；(xiv)3.4-3.6；(xv)3.6-3.8；(xvi)3.8-4.0；(xvii)4.0-4.2； (xviii)4.2-4.4；(xix)4.4-4.6；(xx)4.6-4.8；(xxi)4.8-5.0；以及(xxii) >5.0。
电极中的至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、 70％、80％、90％、95％或100％电极优选地具有选自于以下厚度或轴向 长度的厚度或轴向长度：(i)小于或等于5mm；(ii)小于或等于4.5mm； (iii)小于或等于4mm；(iv)小于或等于3.5mm；(v)小于或等于3mm； (vi)小于或等于2.5mm；(vii)小于或等于2mm；(viii)小于或等于1.5mm； (ix)小于或等于1mm；(x)小于或等于0.8mm；(xi)小于或等于0.6mm； (xii)小于或等于0.4mm；(xiii)小于或等于0.2mm；(xiv)小于或等于 0.1mm；以及(xv)小于或等于0.25mm。
根据另一个实施例，离子引导器可包括分段杆集离子引导器。离子引 导器可包括例如分段四极、六极或八极离子引导器或含有八个以上分段杆 集的离子引导器。离子引导器优选地包括具有选自于以下横截面的横截面 的多个电极：(i)近似或基本上圆形的横截面；(ii)近似或基本上双曲形 的面；(iii)弓形或部分圆形的横截面；(iv)近似或基本上矩形的横截面； 以及(v)近似或基本上正方形的横截面。
根据一个可替选实施例，离子引导器可包括多个板电极，其中沿着离 子引导器的轴向长度布置多组板电极。每组板电极优选地包括第一板电极 和第二板电极。第一板电极与第二板电极优选地基本上布置于同一平面上 并且优选地布置于离子引导器的中心纵轴的任一侧。质量分析器优选地还 包括用于将直流电压或电势施加于第一板电极和第二板电极以便在第一 径向方向上限制离子于离子引导器内的装置。
每组电极优选地还包括第三板电极和第四板电极。第三板电极与第四 板电极优选地基本上布置于同一平面上并且优选地以与第一板电极和第 二板电极不同的取向布置于离子引导器的中心纵轴的任一侧。用于施加交 流或射频电压的装置优选地被布置成将交流或射频电压施加于第三板电 极和第四板电极以便在第二径向方向上限制离子于离子引导器内。第二径 向方向优选地与第一径向方向正交。
用于驱动或驱策离子的装置优选地包括用于将一个或多个瞬态直流 电压或电势或一个或多个直流电压或电势波形施加于电极中的至少1％、 5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％ 或100％电极的装置。一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个直流 电压或电势波形优选地产生：(i)位垒或势垒；(ii)势阱；(iii)多个位 垒或势垒；(iv)多个势阱；(v)位垒或势垒与势阱的组合；或(vi)多个 位垒或势垒与多个势阱的组合。
一个或多个瞬态直流电压或电势波形优选地包括重复波形或方波。
根据该优选实施例，多个轴向直流势阱优选地沿着离子引导器的长度 平移，或者多个瞬态直流电势或电压沿着离子引导器的轴向长度累进地施 加于电极。
根据一个实施例，质量分析器优选地还包括第一装置，第一装置被布 置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小一个或多 个瞬态直流电压或电势或一个或多个直流电压或电势波形的幅度、高度或 深度。
第一装置优选地被布置成和适于在时间段t1内将一个或多个瞬态直 流电压或电势或一个或多个直流电压或电势波形的幅度、高度或深度逐渐 增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进 或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x1伏。优选地，x1选 自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V； (vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V； (xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv) 3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V； (xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv) 7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii) 9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。优选地，t1选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms； (iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms； (viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii) 100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi) 500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx) 900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及 (xxv)>5s。
质量分析器优选地包括第二装置，第二装置被布置成和适于逐渐增 大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或 其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小向电极施加一个或多个瞬 态直流电压或电势或一个或多个直流电势或电压波形的速度或速率。第二 装置优选地被布置成和适于在时间段t2内将向电极施加一个或多个瞬态 直流电压或电势或一个或多个直流电压或电势波形的速度或速率逐渐增 大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或 其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x2m/s。优选地，x2选自 于：(i)<1；(ii)1-2；(iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7； (viii)7-8；(ix)8-9；(x)9-10；(xi)10-11；(xii)11-12；(xiii)12-13； (xiv)13-14；(xv)14-15；(xvi)15-16；(xvii)16-17；(xviii)17-18； (xix)18-19；(xx)19-20；(xxi)20-30；(xxii)30-40；(xxiii)40-50； (xxiv)50-60；(xxv)60-70；(xxvi)70-80；(xxvii)80-90；(xxviii)90-100； (xxix)100-150；(xxx)150-200；(xxxi)200-250；(xxxii)250-300；(xxxiii) 300-350；(xxxiv)350-400；(xxxv)400-450；(xxxvi)450-500；以及(xxxvii) >500。优选地，t2选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv) 20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms； (ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii) 200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii) 600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi) 1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
根据该优选实施例，第一交流或射频电压优选地具有选自于以下幅度 的幅度：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰 -峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值； (xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V 峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰- 峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。
根据该优选实施例，第一交流或射频电压优选地具有选自于以下频率 的频率：(i)<100kHz；(ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz； (v)400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz； (ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz； (xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz； (xvii)6.0-6.5MHz；(xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx) 7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz； (xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv)>10.0MHz。
用于施加第一交流或射频电压的装置优选地被布置成将第一交流或 射频电压施加于多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、 30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80 ％、85％、90％、95％或100％电极。
用于施加第一交流或射频电压的装置优选地被布置成向轴向相邻电 极或轴向相邻电极组供应第一交流或射频电压的相反相。
优选地在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少1％、5％、10％、 20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生第一轴 向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
优选地沿着离子引导器的中心纵轴的至少1％、5％、10％、20％、 30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生或提供多个第 一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
优选地在离子引导器的上游部分和/或中间部分和/或下游部分产生或 提供多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
根据一个实施例，离子引导器优选地具有长度L，且优选地在沿着离 子引导器的长度具有选自于以下位移的位移的一个或多个区或位置产生 或提供多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱：(i)0-0.1L； (ii)0.1-0.2L；(iii)0.2-0.3L；(iv)0.3-0.4L；(v)0.4-0.5L；(vi)0.5-0.6L； (vii)0.6-0.7L；(viii)0.7-0.8L；(ix)0.8-0.9L；以及(x)0.9-1.0L。
多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地在径向方 向上远离离子引导器的中心纵轴而延伸至少r mm，其中r选自于：(i) <1；(ii)1-2；(iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7；(viii) 7-8；(ix)8-9；(x)9-10；以及(xi)>10。
根据一个实施例，对于质荷比落在范围1-100、100-200、200-300、 300-400、400-500、500-600、600-700、700-800、800-900或900-1000内 的离子，至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、 80％、90％、95％或100％的第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或 势阱的幅度、高度或深度优选地选自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii) 0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V； (viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V； (xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii) 4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V； (xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi) 8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。
优选地，在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分每厘米提 供或产生至少1、2、3、4、5、6、7、8、9或10个第一轴向时间平均的 或伪的势垒、势波纹或势阱。
多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具有沿着 离子引导器的轴向长度的、优选地与多个电极的轴向位置对应的最小值。
多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具有沿着 离子引导器的轴向长度的、位于优选地与毗邻电极之间的轴向距离或间隔 的基本上50％对应的轴向位置的最大值。
多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具有对于 特定质荷比的离子而言为基本上相同的高度、深度或幅度的最小值和/或 最大值，并且其中最小值和/或最大值优选地具有与多个电极的轴向位移 或间隔基本上相同或者是多个电极的轴向位移或间隔的倍数的周期性。
根据一个实施例，质量分析器优选地包括第三装置，第三装置被布置 成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于电 极的第一交流或射频电压的幅度。
第三装置优选地被布置成和适于在时间段t3内将第一交流或射频电 压的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x3伏。 优选地，x3选自于：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii) 100-150V峰-峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值； (vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii)350-400V峰 -峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi)750-800V峰- 峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰-峰值；(xxix) 900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及(xxxi)>1000V 峰-峰值。优选地，t3选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms； (iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms； (ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii) 200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii) 600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi) 1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
质量分析器优选地还包括第四装置，第四装置被布置成和适于逐渐增 大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或 其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于电极的第一射频或 交流电压的频率。第四装置优选地被布置成和适于在时间段t4内将施加于 电极的第一射频或交流电压的频率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、 线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或 其它方式减小x4MHz。优选地，x4选自于：(i)<100kHz；(ii)100-200kHz； (iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz； (vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz； (xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz； (xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz；(xviii) 6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz； (xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv) >10.0MHz。优选地，t4选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms； (iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms； (ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii) 200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii) 600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi) 1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
根据一个实施例，第二交流或射频电压优选地具有选自于以下幅度的 幅度：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰- 峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值； (xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V 峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰- 峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。
第二交流或射频电压优选地具有选自于以下频率的频率：(i) <100kHz；(ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v) 400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz； (ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz； (xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz； (xvii)6.0-6.5MHz；(xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx) 7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz； (xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv)>10.0MHz。
用于施加第二交流或射频电压的装置优选地被布置成将第二交流或 射频电压施加于多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、 30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80 ％、85％、90％、95％或100％电极和/或多个电极中的至少1、2、3、4、 5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、 22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、 38、39、40、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50或>50个电极。
用于施加第二交流或射频电压的装置优选地被布置成向轴向相邻电 极或轴向相邻电极组供应第二交流或射频电压的相反相。
优选地在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少1％、5％、10％、 20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生一个或 多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
优选地沿着离子引导器的中心纵轴的至少1％、5％、10％、20％、 30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生或提供一个或 多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
优选地在离子引导器的上游部分和/或中间部分和/或下游部分产生或 提供多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
离子引导器优选地具有长度L，且优选地在沿着离子引导器的长度具 有选自于以下位移的位移的一个或多个区或位置产生或提供多个第二轴 向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱：(i)0-0.1L；(ii)0.1-0.2L；(iii) 0.2-0.3L；(iv)0.3-0.4L；(v)0.4-0.5L；(vi)0.5-0.6L；(vii)0.6-0.7L； (viii)0.7-0.8L；(ix)0.8-0.9L；以及(x)0.9-1.0L。
一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地在 径向方向上远离离子引导器的中心纵轴而延伸至少r mm，其中r选自于： (i)<1；(ii)1-2；(iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7； (viii)7-8；(ix)8-9；(x)9-10；以及(xi)>10。
根据一个实施例，对于质荷比落在范围1-100、100-200、200-300、 300-400、400-500、500-600、600-700、700-800、800-900或900-1000内 的离子，至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、 80％、90％、95％或100％的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、 势波纹或势阱的幅度、高度或深度选自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii) 0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V； (viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V； (xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii) 4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V； (xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi) 8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。
优选地，在使用时沿着离子引导器的轴向长度每厘米提供或产生至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9或10个第二轴向时间平均的或伪的势垒、 势波纹或势阱。
一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具 有沿着离子引导器的轴向长度的、与多个电极的轴向位置对应的最小值。
一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具 有沿着离子引导器的轴向长度的、位于优选地与毗邻电极之间的轴向距离 或间隔的基本上50％对应的轴向位置的最大值。
一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具 有对于特定质荷比的离子而言为基本上相同的高度、深度或幅度的最小值 和/或最大值。所述最小值和/或最大值优选地具有优选地与多个电极的轴 向位移或间隔基本上相同或者是多个电极的轴向位移或间隔的倍数的周 期性。
根据该优选实施例，第二幅度优选地小于或大于第一幅度。优选地， 第二幅度与第一幅度之比选自于：(i)<1；(ii)>1；(iii)1-2；(iv)2-3； (v)3-4；(vi)4-5；(vii)5-6；(viii)6-7；(ix)7-8；(x)8-9；(xi)9-10； (xii)10-11；(xiii)11-12；(xiv)12-13；(xv)13-14；(xvi)14-15；(xvii) 15-16；(xviii)16-17；(xix)17-18；(xx)18-19；(xxi)19-20；(xxii)20-25； (xxiii)25-30；(xxiv)30-35；(xxv)35-40；(xxvi)40-45；(xxvii)45-50； (xxviii)50-60；(xxix)60-70；(xxx)70-80；(xxxi)80-90；(xxxii)90-100； 以及(xxxiii)>100。
根据一个实施例，质量分析器还包括第五装置，第五装置被布置成和 适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶 跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于多个电 极中的一个或多个电极的第二交流或射频电压的幅度。
第五装置优选地被布置成和适于在时间段t5内将第二交流或射频电 压的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x5伏。 优选地，x5选自于：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii) 100-150V峰-峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值； (vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii)350-400V峰 -峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值；(xi)500-550V 峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V峰-峰值；(xxiv) 650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi)750-800V峰- 峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰-峰值；(xxix) 900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及(xxxi)>1000V 峰-峰值。优选地，t5选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms； (iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms； (ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii) 200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii) 600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi) 1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
质量分析器优选地还包括第六装置，第六装置被布置成和适于逐渐增 大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或 其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于多个电极中的一个 或多个电极的第二射频或交流电压的频率。
第六装置优选地被布置成和适于在时间段t6内将施加于电极的第二 射频或交流电压的频率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、 线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减 小x6MHz。优选地，x6选自于：(i)<100kHz；(ii)100-200kHz；(iii) 200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii) 1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi) 3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz； (xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz；(xviii) 6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz； (xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv) >10.0MHz。优选地，t6选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms； (iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms； (ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii) 200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii) 600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi) 1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
质量分析器优选地还包括用于将第一直流电压施加于多个电极中的 一个或多个电极、以使得在使用时一个或多个第二轴向时间平均的或伪的 势垒、势波纹或势阱优选地包括与轴向时间平均的或伪的势垒或势阱相组 合的直流轴向势垒或势阱的装置。
根据一个实施例，质量分析器还包括第七装置，第七装置被布置成和 适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶 跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于多个电 极中的一个或多个电极的第一直流电压的幅度。
第七装置优选地被布置成和适于在时间段t7内将第一直流电压的幅 度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、 累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x7伏。优选地， x7选自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v) 0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V； (x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V； (xv)3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix) 5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V； (xxiv)7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V； (xxviii)9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。优选地，t7选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
质量分析器优选地还包括用于将第三交流或射频电压施加于多个电 极中的一个或多个电极、以使得在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至 少一部分产生具有第三幅度的一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势 垒、势波纹或势阱的装置。第三幅度优选地不同于第一幅度和/或第二幅 度。根据一个实施例，第三幅度可与第二幅度相同但是与第一幅度不同。
第三交流或射频电压优选地具有选自于以下幅度的幅度：(i)<50V 峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰-峰值；(iv)150-200V 峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V 峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V 峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值；(xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii) 600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V峰-峰值；(xxv)700-750V峰- 峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii)800-850V峰-峰值；(xxviii) 850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰-峰值；(xxx)950-1000V峰- 峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。
第三交流或射频电压优选地具有选自于以下频率的频率：(i) <100kHz；(ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v) 400-500kHz；(vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz； (ix)2.0-2.5MHz；(x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz； (xiii)4.0-4.5MHz；(xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz； (xvii)6.0-6.5MHz；(xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx) 7.5-8.0MHz；(xxi)8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz； (xxiv)9.5-10.0MHz；以及(xxv)>10.0MHz。
用于施加第三交流或射频电压的装置优选地被布置成将第三交流或 射频电压施加于多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、20％、25％、 30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、75％、80 ％、85％、90％、95％或100％电极。
用于施加第三交流或射频电压的装置优选地被布置成向轴向相邻电 极或轴向相邻电极组供应第三交流或射频电压的相反相。
优选地在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少1％、5％、10％、 20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生一个或 多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
优选地沿着离子引导器的中心纵轴的至少1％、5％、10％、20％、 30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％或95％产生或提供一个或 多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
优选地在离子引导器的上游部分和/或中间部分和/或下游部分产生或 提供一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
离子引导器优选地具有长度L，且优选地在沿着离子引导器的长度具 有选自于以下位移的位移的一个或多个区或位置产生或提供一个或多个 第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱：(i)0-0.1L；(ii)0.1-0.2L； (iii)0.2-0.3L；(iv)0.3-0.4L；(v)0.4-0.5L；(vi)0.5-0.6L；(vii)0.6-0.7L； (viii)0.7-0.8L；(ix)0.8-0.9L；以及(x)0.9-1.0L。
一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地在 径向方向上远离离子引导器的中心纵轴而延伸至少rmm，其中r选自于： (i)<1；(ii)1-2；(iii)2-3；(iv)3-4；(v)4-5；(vi)5-6；(vii)6-7； (viii)7-8；(ix)8-9；(x)9-10；以及(xi)>10。
根据一个实施例，对于质荷比落在范围1-100、100-200、200-300、 300-400、400-500、500-600、600-700、700-800、800-900或900-1000内 的离子，至少1％、5％、10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％、 80％、90％、95％或100％的第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或 势阱的幅度、高度或深度选自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V； (iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V； (ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V； (xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii) 4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V； (xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V； (xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。
根据一个实施例，在使用时沿着离子引导器的轴向长度每厘米提供或 产生至少1、2、3、4、5、6、7、8、9或10个第三轴向时间平均的或伪 的势垒、势波纹或势阱。
一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具 有沿着离子引导器的轴向长度的、优选地与多个电极的轴向位置对应的最 小值。
一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具 有沿着离子引导器的轴向长度的、位于优选地与毗邻电极之间的轴向距离 或间隔的基本上50％对应的轴向位置的最大值。
一个或多个第三轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱优选地具 有对于特定质荷比的离子而言为基本上相同的高度、深度或幅度的最小值 和/或最大值，并且其中最小值和/或最大值具有与多个电极的轴向位移或 间隔基本上相同或者是多个电极的轴向位移或间隔的倍数的周期性。
第三幅度优选地小于或大于第一幅度和/或第二幅度。第三幅度与第 一幅度之比优选地选自于：(i)<1；(ii)>1；(iii)1-2；(iv)2-3；(v) 3-4；(vi)4-5；(vii)5-6；(viii)6-7；(ix)7-8；(x)8-9；(xi)9-10；(xii) 10-11；(xiii)11-12；(xiv)12-13；(xv)13-14；(xvi)14-15；(xvii)15-16； (xviii)16-17；(xix)17-18；(xx)18-19；(xxi)19-20；(xxii)20-25； (xxiii)25-30；(xxiv)30-35；(xxv)35-40；(xxvi)40-45；(xxvii)45-50； (xxviii)50-60；(xxix)60-70；(xxx)70-80；(xxxi)80-90；(xxxii)90-100； 以及(xxxiii)>100。
第三幅度与第二幅度之比优选地选自于：(i)<1；(ii)>1；(iii)1-2； (iv)2-3；(v)3-4；(vi)4-5；(vii)5-6；(viii)6-7；(ix)7-8；(x)8-9； (xi)9-10；(xii)10-11；(xiii)11-12；(xiv)12-13；(xv)13-14；(xvi) 14-15；(xvii)15-16；(xviii)16-17；(xix)17-18；(xx)18-19；(xxi)19-20； (xxii)20-25；(xxiii)25-30；(xxiv)30-35；(xxv)35-40；(xxvi)40-45； (xxvii)45-50；(xxviii)50-60；(xxix)60-70；(xxx)70-80；(xxxi)80-90； (xxxii)90-100；以及(xxxiii)>100。
质量分析器还可包括第八装置，第八装置被布置成和适于逐渐增大、 逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它 方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于多个电极中的一个或多 个电极的第三交流或射频电压的幅度。
第八装置优选地被布置成和适于在时间段t8内将第三交流或射频电 压的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x8伏。 优选地，x8选自于：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii) 100-150V峰-峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值； (vi)250-300V峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii)350-400V峰 -峰值；(ix)400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值；以及(xi) >500V峰-峰值。优选地，t8选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms； (iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms； (ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii) 200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii) 600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi) 1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
根据一个实施例，质量分析器优选地还包括第九装置，第九装置被布 置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于多 个电极中的一个或多个电极的第三射频或交流电压的频率。
第九装置优选地被布置成和适于在时间段t9内将施加于多个电极中 的一个或多个电极的第三射频或交流电压的频率逐渐增大、逐渐减小、逐 渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者 以阶跃、累进或其它方式减小x9MHz。优选地，x9选自于：(i)<100kHz； (ii)100-200kHz；(iii)200-300kHz；(iv)300-400kHz；(v)400-500kHz； (vi)0.5-1.0MHz；(vii)1.0-1.5MHz；(viii)1.5-2.0MHz；(ix)2.0-2.5MHz； (x)2.5-3.0MHz；(xi)3.0-3.5MHz；(xii)3.5-4.0MHz；(xiii)4.0-4.5MHz； (xiv)4.5-5.0MHz；(xv)5.0-5.5MHz；(xvi)5.5-6.0MHz；(xvii)6.0-6.5MHz； (xviii)6.5-7.0MHz；(xix)7.0-7.5MHz；(xx)7.5-8.0MHz；(xxi) 8.0-8.5MHz；(xxii)8.5-9.0MHz；(xxiii)9.0-9.5MHz；(xxiv)9.5-10.0MHz； 以及(xxv)>10.0MHz。优选地，t9选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii) 10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms； (viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii) 100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi) 500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms；(xx) 900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及 (xxv)>5s。
质量分析器优选地还包括用于将第二直流电压施加于多个电极中的 一个或多个电极、以使得在使用时一个或多个第三轴向时间平均的或伪的 势垒、势波纹或势阱包括与轴向时间平均的或伪的势垒或势阱相组合的直 流轴向势垒或势阱的装置。
质量分析器优选地还包括第十装置，第十装置被布置成和适于逐渐增 大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或 其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于多个电极中的一个 或多个电极的第二直流电压的幅度。
第十装置优选地被布置成和适于在时间段t10内将第二直流电压的幅 度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、 累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小x10伏。优选地， x10选自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii)0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v) 0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V；(viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V； (x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V；(xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V； (xv)3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii)4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix) 5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V；(xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V； (xxiv)7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi)8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V； (xxviii)9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。优选地，t10选自于：(i)<1ms； (ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms；(v)30-40ms；(vi)40-50ms； (vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms；(x)80-90ms；(xi)90-100ms； (xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv)300-400ms；(xv)400-500ms； (xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii)700-800ms；(xix)800-900ms； (xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s；(xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s； 以及(xxv)>5s。
根据一个实施例，质量分析器还包括第十一装置，第十一装置被布置 成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、 以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方式减小施加于离 子引导器的电极中的至少一些电极的、并且用以在径向方向上限制离子于 离子引导器内的直流电压或电势的幅度。
第十一装置优选地被布置成和适于在时间段t11内将施加于至少一些 电极的直流电压或电势的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线 性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其 它方式减小x11伏。优选地，x11选自于：(i)<0.1V；(ii)0.1-0.2V；(iii) 0.2-0.3V；(iv)0.3-0.4V；(v)0.4-0.5V；(vi)0.5-0.6V；(vii)0.6-0.7V； (viii)0.7-0.8V；(ix)0.8-0.9V；(x)0.9-1.0V；(xi)1.0-1.5V；(xii)1.5-2.0V； (xiii)2.0-2.5V；(xiv)2.5-3.0V；(xv)3.0-3.5V；(xvi)3.5-4.0V；(xvii) 4.0-4.5V；(xviii)4.5-5.0V；(xix)5.0-5.5V；(xx)5.5-6.0V；(xxi)6.0-6.5V； (xxii)6.5-7.0V；(xxiii)7.0-7.5V；(xxiv)7.5-8.0V；(xxv)8.0-8.5V；(xxvi) 8.5-9.0V；(xxvii)9.0-9.5V；(xxviii)9.5-10.0V；以及(xxix)>10.0V。 优选地，t11选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms； (v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms； (x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv) 300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii) 700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s； (xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
质量分析器优选地还包括用于在一工作模式下将离子引导器维持于 选自于以下压力的压力的装置：(i)<1.0×10-1mbar；(ii)<1.0×10-2mbar； (iii)<1.0×10-3mbar；以及(iv)<1.0×10-4mbar。
质量分析器优选地还包括用于在一工作模式下将离子引导器维持于 选自于以下压力的压力的装置：(i)>1.0×10-3mbar；(ii)>1.0×10-2mbar； (iii)>1.0×10-1mbar；(iv)>1mbar；(v)>10mbar；(vi)>100mbar；(vii) >5.0×10-3mbar；(viii)>5.0×10-2mbar；(ix)10-4-10-3mbar；(x)10-3-10-2mbar； 以及(xi)10-2-10-1mbar。
质量分析器优选地还包括布置成和适于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变 化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶 跃、累进或其它方式减小经过离子引导器的气流的装置。
根据一个实施例，在一工作模式下，离子优选地被布置成被捕获于离 子引导器内但是在离子引导器内基本上不裂解。
质量分析器还可包括用于在离子引导器内碰撞冷却或基本上热化离 子的装置。
质量分析器还可包括用于在一工作模式下在离子引导器内基本上裂 解离子的装置。
质量分析器还可包括布置于离子引导器的入口和/或出口处的一个或 多个电极，其中在一工作模式下该一个或多个电极被布置成使离子以脉冲 形式进入和/或退出离子引导器。
根据本发明的另一方面，提供了一种包括如上文讨论的质量分析器的 质谱仪。
质谱仪优选地包括选自于以下离子源的离子源：(i)电喷雾电离 (“ESI”)离子源；(ii)大气压光电离(“APPI”)离子源；(iii)大气压 化学电离(“APCI”)离子源；(iv)基质辅助激光解吸电离(“MALDI”) 离子源；(v)激光解吸电离(“LDI”)离子源；(vi)大气压电离(“API”) 离子源；(vii)硅上解吸电离(“DIOS”)离子源；(viii)电子冲击(“EI”) 离子源；(ix)化学电离(“CI”)离子源；(x)场电离(“FI”)离子源； (xi)场解吸(“FD”)离子源；(xii)感应耦合等离子体(“ICP”)离子 源；(xiii)快原子轰击(“FAB”)离子源；(xiv)液体二次离子质谱学 (“LSIMS”)离子源；(xv)解吸电喷雾电离(“DESI”)离子源；(xvi) 镍-63放射性离子源；以及(xvii)热喷雾离子源。
质谱仪优选地包括连续或脉冲式离子源。
质谱仪优选地还包括布置于质量分析器的上游和/或下游的一个或多 个质量过滤器。该一个或多个质量过滤器优选地选自于：(i)四极杆集质 量过滤器；(ii)飞行时间质量过滤器或质量分析器；(iii)Wein过滤器； 以及(iv)磁式扇形质量过滤器或质量分析器。
质谱仪优选地还包括布置于质量分析器的上游和/或下游的一个或多 个第二离子引导器或离子捕获器。一个或多个第二离子引导器或离子捕获 器优选地选自于：
(i)多极杆集或分段多极杆集离子引导器或离子捕获器，包括四极 杆集、六极杆集、八极杆集或含有八个以上杆的杆集；
(ii)离子隧道或离子漏斗式离子引导器或离子捕获器，包括具有在 使用时离子所穿过的孔的多个电极或至少2、5、10、20、30、40、50、 60、70、80、90或100个电极，其中所述电极中的至少1％、5％、10％、 15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65 ％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％电极具有尺寸或面积 基本上相同的孔或者尺寸或面积逐渐变大和/或变小的孔；
(iii)平面、板状或网状电极的堆或列，其中平面、板状或网状电极 的堆或列包括多个或至少2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、 14、15、16、17、18、19或20个平面、板状或网状电极，或者至少1％、 5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、 60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％的平面、板 状或网状电极大致布置于在使用时离子行进的平面上；以及
(iv)离子捕获器或离子引导器，包括沿着离子捕获器或离子引导器 的长度轴向布置的多组电极，其中每组电极包括：(a)第一和第二电极以 及用于将直流电压或电势施加于第一和第二电极以便在第一径向方向上 限制离子于离子引导器内的装置；以及(b)第三和第四电极以及用于将 交流或射频电压施加于第三和第四电极以便在第二径向方向上限制离子 于离子引导器内的装置，其中第二径向方向优选地与第一径向方向正交。
根据一个优选实施例，第二离子引导器或离子捕获器优选地包括离子 隧道或离子漏斗式离子引导器或离子捕获器，并且其中电极中的至少1 ％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、 55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％电极 具有选自于以下内直径或尺度的内直径或尺度：(i)≤1.0mm；(ii)≤2.0mm； (iii)≤3.0mm；(iv)≤4.0mm；(v)≤5.0mm；(vi)≤6.0mm；(vii)≤7.0mm； (viii)≤8.0mm；(ix)≤9.0mm；(x)≤10.0mm；以及(xi)>10.0mm。
第二离子引导器或离子捕获器优选地包括第四交流或射频电压装置， 第四交流或射频电压装置被布置成和适于将交流或射频电压施加于第二 离子引导器或离子捕获器的多个电极中的至少1％、5％、10％、15％、 20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70 ％、75％、80％、85％、90％、95％或100％电极以便径向限制离子于第 二离子引导器或离子捕获器内。
第二离子引导器或离子捕获器优选地被布置成和适于从质量分析器 接收离子束或组并转换或划分离子束或组，以使得在任何特定时间至少 1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、 19或20个单独的离子包被限制和/或隔离于第二离子引导器或离子捕获 器内。每个离子包优选地被单独地限制和/或隔离于在第二离子引导器或 离子捕获器中形成的单独的轴向势阱中。
质谱仪优选地还包括布置成和适于在一工作模式下向上游和/或下游 经过或沿着第二离子引导器或离子捕获器的轴向长度的至少1％、5％、 10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60 ％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％而驱策至少一 些离子的装置。
根据一个实施例，质谱仪还包括瞬态直流电压装置，瞬态直流电压装 置被布置成和适于将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态 直流电压或电势波形施加于构成第二离子引导器或离子捕获器的电极以 便向下游和/或上游沿着第二离子引导器或离子捕获器的轴向长度的至少 1％、5％、10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、 55％、60％、65％、70％、75％、80％、85％、90％、95％或100％驱策 至少一些离子。
根据一个实施例，质谱仪优选地还包括交流或射频电压装置，交流或 射频电压装置被布置成和适于将两个或更多相移直流或射频电压施加于 构成第二离子引导器或离子捕获器的电极以便向下游和/或上游沿着第二 离子引导器或离子捕获器的轴向长度的至少1％、5％、10％、15％、20 ％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％、65％、70％、 75％、80％、85％、90％、95％或100％驱策至少一些离子。
质谱仪优选地还包括布置成和适于将第二离子引导器或离子捕获器 的至少一部分维持于选自于以下压力的压力的装置：(i)>0.0001mbar； (ii)>0.001mbar；(iii)>0.01mbar；(iv)>0.1mbar；(v)>1mbar；(vi) >10mbar；(vii)>1mbar；(viii)0.0001-100mbar；以及(ix)0.001-10mbar。
质谱仪还可包括布置成和适于通过碰撞诱发解离(“CID”)来裂解离 子的碰撞、裂解或反应设备。根据另一个实施例，质谱仪还可包括选自于 以下设备的碰撞、裂解或反应设备：(i)表面诱发解离(“SID”)裂解设 备；(ii)电子转移解离裂解设备；(iii)电子捕获解离裂解设备；(iv)电 子碰撞或冲击解离裂解设备；(v)光诱发解离(“PID”)裂解设备；(vi) 激光诱发解离裂解设备；(vii)红外辐射诱发解离设备；(viii)紫外辐射 诱发解离设备；(ix)喷嘴-分液器接口裂解设备；(x)内源裂解设备；(xi) 离子源碰撞诱发解离裂解设备；(xii)热或温度源裂解设备；(xiii)电场 诱发裂解设备；(xiv)磁场诱发裂解设备；(xv)酶消化或酶降解裂解设 备；(xvi)离子-离子反应裂解设备；(xvii)离子-分子反应裂解设备； (xviii)离子-原子反应裂解设备；(xix)离子-亚稳离子反应裂解设备； (xx)离子-亚稳分子反应裂解设备；(xxi)离子-亚稳原子反应裂解设 备；(xxii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-离子反应设备； (xxiii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-分子反应设备； (xxiv)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-原子反应设备； (xxv)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚稳离子反应设 备；(xxvi)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚稳分子反 应设备；以及(xxvii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚 稳原子反应设备。
根据一个实施例，质谱仪优选地还包括布置成和适于优选地在质量分 析器的周期时间内或期间逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增 大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其它方 式减小质量分析器与碰撞、裂解或反应单元之间的电势差的装置。
根据一个实施例，质谱仪还包括布置于质量分析器的上游和/或下游 的又一质量分析器。该又一质量分析器优选地选自于：(i)傅立叶变换 (“FT”)质量分析器；(ii)傅立叶变换离子回旋共振(“FTICR”)质量 分析器；(iii)飞行时间(“TOF”)质量分析器；(iv)正交加速飞行时间 (“oaTOF”)质量分析器；(v)轴向加速飞行时间质量分析器；(vi)磁 式扇形质谱仪；(vii)保罗(Paul)或3D四极质量分析器；(viii)2D或 线性四极质量分析器；(ix)彭宁(Penning)捕获器质量分析器；(x)离 子捕获器质量分析器；(xi)傅立叶变换轨道捕获器；(xii)静电离子回旋 共振质谱仪；(xiii)静电傅立叶变换质谱仪；以及(xiv)四极杆集质量过 滤器或质量分析器。
质谱仪优选地还包括布置成和适于在质量分析器的周期时间内或期 间与质量分析器的工作同步地逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线 性增大、线性减小、以阶跃、累进或其它方式增大或者以阶跃、累进或其 它方式减小又一分析器的质荷比传送窗的装置。
根据本发明的一方面，提供了一种对离子进行质量分析的方法，该方 法包括：
提供包括多个电极的离子引导器；
将第一交流或射频电压施加于多个电极中的至少一些电极，以使得沿 着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生多个第一轴向时间平均的或 伪的势垒、势波纹或势阱；
沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分驱动或驱策离子；并且
将第二交流或射频电压施加于多个电极中的一个或多个电极，以使得 沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个第二轴向时间 平均的或伪的势垒、势波纹或势阱，其中第二幅度不同于第一幅度。
根据本发明的一方面，提供了一种质量分析器，该质量分析器包括：
离子引导器，包括具有孔的多个电极，其中在使用时离子穿过所述孔；
用于将第一交流或射频电压施加于多个电极中的一个或多个电极以 便径向限制离子于离子引导器内的装置；以及
用于将第二不同交流或射频电压施加于多个电极中的一个或多个电 极、以使得在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生一个或 多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置。
根据本发明的一方面，提供了一种对离子进行质量分析的方法，该方 法包括：
提供离子引导器，其中离子引导器包括具有离子所穿过的孔的多个电 极；
将第一交流或射频电压施加于多个电极中的一个或多个电极以便径 向限制离子于离子引导器内；并且
将第二不同交流或射频电压施加于多个电极中的一个或多个电极，以 使得沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个轴向时间 平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
根据本发明的一方面，提供了一种质量分析器，该质量分析器包括：
包括多个电极的离子引导器，所述多个电极包括具有孔的电极，其中 在使用时离子穿过所述孔；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极、 以使得轴向相邻电极组被供应第一交流或射频电压的相反相、并且其中在 使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第一幅度的多 个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置；以及
用于将施加于一个或多个轴向相邻电极组的第一交流或射频电压的 极性反相、以使得在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生 具有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势 阱的装置，其中第二幅度不同于第一幅度。
每个电极组可包括1、2、3、4、5、6、7、8、9、10或>10个电极。
根据本发明的一方面，提供了一种对离子进行质量分析的方法，该方 法包括：
提供包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有离子所 穿过的孔的电极；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极，以使 得轴向相邻电极组被供应第一交流或射频电压的相反相，并且其中沿着离 子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第一幅度的多个第一轴向时 间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱；并且
将施加于一个或多个轴向相邻电极组的第一交流或射频电压的极性 反相，以使得沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第二幅度 的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱，其中第二 幅度不同于第一幅度。
根据本发明的一方面，提供了一种质量分析器，该质量分析器包括：
包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有孔的电极， 在使用时离子穿过所述孔；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极、 以使得轴向相邻电极或轴向相邻电极组被供应第一交流或射频电压的相 反相、并且其中在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具 有第一幅度的多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装 置；
用于将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压 或电势波形施加于所述多个电极以便沿着离子引导器的轴向长度的至少 一部分驱动或驱策离子的装置；
用于将施加于成对轴向相邻电极或成对轴向相邻电极组的第一交流 或射频电压的极性反相、以使得在使用时沿着离子引导器的轴向长度的至 少一部分产生具有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势 垒、势波纹或势阱的装置，其中第二幅度不同于第一幅度；以及
用于以线性、阶跃或其它方式逐渐减小第一交流或射频电压的幅度以 便逐渐降低一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的 幅度的装置。
优选地，用于逐渐减小第一交流或直流电压的幅度的装置被布置成在 时间段t12内将第一交流或直流电压的幅度逐渐减小x12伏。优选地，x12 选自于：(i)<50V峰-峰值；(ii)50-100V峰-峰值；(iii)100-150V峰 -峰值；(iv)150-200V峰-峰值；(v)200-250V峰-峰值；(vi)250-300V 峰-峰值；(vii)300-350V峰-峰值；(viii)350-400V峰-峰值；(ix) 400-450V峰-峰值；(x)450-500V峰-峰值；(xi)500-550V峰-峰值； (xxii)550-600V峰-峰值；(xxiii)600-650V峰-峰值；(xxiv)650-700V 峰-峰值；(xxv)700-750V峰-峰值；(xxvi)750-800V峰-峰值；(xxvii) 800-850V峰-峰值；(xxviii)850-900V峰-峰值；(xxix)900-950V峰- 峰值；(xxx)950-1000V峰-峰值；以及(xxxi)>1000V峰-峰值。优选 地，t12选自于：(i)<1ms；(ii)1-10ms；(iii)10-20ms；(iv)20-30ms； (v)30-40ms；(vi)40-50ms；(vii)50-60ms；(viii)60-70ms；(ix)70-80ms； (x)80-90ms；(xi)90-100ms；(xii)100-200ms；(xiii)200-300ms；(xiv) 300-400ms；(xv)400-500ms；(xvi)500-600ms；(xvii)600-700ms；(xviii) 700-800ms；(xix)800-900ms；(xx)900-1000ms；(xxi)1-2s；(xxii)2-3s； (xxiii)3-4s；(xxiv)4-5s；以及(xxv)>5s。
根据本发明的一方面，提供了一种质量分析方法，该方法包括：
提供包括多个电极的离子引导器，其中所述多个电极包括具有离子所 穿过的孔的电极；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极中的至少一些电极，以使 得轴向相邻电极或轴向相邻电极组被供应第一交流或射频电压的相反相， 并且其中沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生具有第一幅度的 多个第一轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱；
将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电 势波形施加于多个电极以便沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分驱 动或驱策离子；
将施加于成对轴向相邻电极或成对轴向相邻电极组的第一交流或射 频电压的极性反相，以使得沿着离子引导器的轴向长度的至少一部分产生 具有第二幅度的一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势 阱，其中第二幅度不同于第一幅度；并且
以线性、阶跃或其它方式逐渐减小第一交流或射频电压的幅度以便逐 渐降低一个或多个第二轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的幅 度。
根据本发明的一方面，提供了一种离子引导器或质量分析器，该离子 引导器或质量分析器包括：
多个电极；
用于将第一交流或射频电压施加于所述多个电极、以使得在使用时至 少一些电极被维持于第一交流或射频电压的相反相的装置；以及
用于变化、切换、改变或扫描一个或多个电极的相位差或极性以便在 使用时沿着离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生轴向 时间平均的或伪的势垒的装置。
用于变化、切换、改变或扫描一个或多个电极的相位差或极性的装置 优选地被布置成将相位差或极性变化、切换、改变或扫描θ°，其中θ选自 于：(i)<10；(ii)10-20；(iii)20-30；(iv)30-40；(v)40-50；(vi)50-60； (vii)60-70；(viii)70-80；(ix)80-90；(x)90；(xi)90-100；(xii)100-110； (xiii)110-120；(xiv)120-130；(xv)130-140；(xvi)140-150；(xvii) 150-160；(xviii)160-170；(xix)170-180；以及(xx)180。
根据本发明的一方面，提供了一种引导离子或对离子进行质量分析的 方法，该方法包括：
提供包括多个电极的离子引导器或质量分析器；
将第一交流或射频电压施加于所述多个电极，以使得至少一些电极被 维持于第一交流或射频电压的相反相；并且
变化、切换、改变或扫描一个或多个电极的相位差或极性以便沿着离 子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生轴向时间平均的或 伪的势垒。
优选地，变化、切换、改变或扫描一个或多个电极的相位差或极性的 步骤包括将相位差或极性变化、切换、改变或扫描θ°，其中θ选自于：(i) <10；(ii)10-20；(iii)20-30；(iv)30-40；(v)40-50；(vi)50-60；(vii) 60-70；(viii)70-80；(ix)80-90；(x)90；(xi)90-100；(xii)100-110； (xiii)110-120；(xiv)120-130；(xv)130-140；(xvi)140-150；(xvii) 150-160；(xviii)160-170；(xix)170-180；以及(xx)180。
根据本发明的一个优选实施例，提供了一种射频离子引导器，该射频 离子引导器被布置成绕着中心轴径向限制离子于离子引导器内。优选地沿 着离子引导器的中心轴、在一个或多个点维持一个或多个伪势垒。该一个 或多个伪势垒的量值优选地依赖于离子的质荷比。该一个或多个伪势垒可 位于离子引导器的入口和/或出口处。还可设想这样的其它实施例：其中 一个或多个伪势垒可位于离子引导器的入口与出口之间的、沿着离子引导 器的长度的一个或多个位置。
射频离子引导器优选地包括具有孔的环形电极的堆，其中在使用时离 子穿过所述孔。优选地向交替的电极施加射频电压的相反相以便径向限制 离子于离子引导器内。离子引导器优选地包括环堆或离子隧道式离子引导 器。
优选地由优选地施加于离子引导器的电极的一个或多个瞬态直流电 压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电势波形沿着离子引导器推进离 子并使离子经过离子引导器。如果一个或多个瞬态直流电压或电势或一个 或多个瞬态直流电压或电势波形的幅度明显小于对于具有特定质荷比值 的离子而言的有效伪势垒的幅度，则这些离子将不会越过或通过伪势垒。 结果，这些离子将保持被限制于离子引导器内。如果一个或多个瞬态直流 电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电势波形的幅度明显大于对于 具有特定质荷比值的离子而言的有效伪势垒的幅度，则这些离子将越过或 通过伪势垒并因此将退出离子引导器。
通过逐渐增大施加于离子引导器的电极的一个或多个瞬态直流电压 或电势的幅度并且/或者通过减小伪势垒的有效幅度，可使离子按它们的 质荷比的降序渐次地越过伪势垒。通过降低所施加的射频电压的幅度并且 /或者通过增大所施加的射频电压的频率，可减小伪势垒的幅度。
根据另一个实施例，伪势垒可由靠近伪势垒而向电极施加的附加直流 电势来扩增。根据此实施例，势垒的幅度是依赖于质荷比的伪势垒与独立 于质荷比的直流势垒的组合。通过降低射频电压的幅度并且/或者通过增 大所施加的射频电压的所施加的频率并且/或者通过降低所施加的直流电 势的幅度，可减小有效势垒的幅度。以轴向方式从离子引导器质量选择性 地喷出的离子可被向前传送以供进一步处理和/或分析。
根据另一个实施例，伪势垒可布置于离子引导器的入口处，从而如果 具有特定质荷比的离子具有足够的轴向能量，则它们将克服伪势垒并因此 进入优选离子引导器。如果具有特定质荷比的离子具有不足以克服伪势垒 的轴向能量，则它们优选地被防止进入离子引导器并因此从系统丢失。优 选离子引导器可用来实现低质量截止特性。通过增大依赖于质荷比的势垒 的幅度并且/或者通过增大进入离子引导器的离子的轴向能量，可变更此 低质量截止的特性。
根据一个特别优选的实施例，可向电极施加第一交流或射频电压，以 使得轴向相邻电极被维持于第一交流或射频电压的相反相。然后，成对电 极的极性可被切换或反相。在一瞬间，多个电极的极性可因此从+-+- +-+-改变为+-++--+-。结果，沿着离子引导器的一部分或一 段的电极的有效厚度得以有效地增大。
还可设想其中可向电极施加多相射频电压的实施例。例如，可施加初 始时在相邻电极之间维持120°相位差的三相射频电压。可通过变更离子 引导器或质量分析器的一个区或段中的若干电极的或电极之间的相位关 系来产生伪势垒。例如，沿着离子引导器或质量分析器的一段的相位关系 或模式可从123 123 123 123 123改变为123 331 112 223 123。同样，根据 此实施例，沿着离子引导器或质量分析器的一部分或一段的电极的有效厚 度得以有效地增大。因此，将在此区产生这样的伪势垒：该伪势垒的幅度 大于本来沿着离子引导器的长度形成的伪势波纹的幅度。
根据本发明的一方面，提供了一种离子引导器或质量分析器，该离子 引导器或质量分析器包括：
多个电极；
用于将n相交流或射频电压施加于所述多个电极的装置，其中n≥2；
用于维持所述多个电极之间的、所述多个电极处的或所述多个电极的 第一相位关系或第一纵横比的装置；以及
用于改变所述多个电极的子集之间的、所述子集处的或所述子集的相 位关系或纵横比、以使得维持所述电极子集之间的、所述子集处的或所述 子集的第二不同相位关系或第二纵横比以便在使用时沿着离子引导器或 质量分析器的轴向长度的至少一部分产生一个或多个轴向时间平均的或 伪的势垒、势波纹或势阱的装置。
优选地，n选自于：(i)2；(ii)3；(iii)4；(iv)5；(v)6；(vi)7； (vii)8；(viii)9；(ix)10；以及(x)>10。
第一相位关系或第一纵横比优选地具有第一周期性、模式、序列或值， 且第二相位关系或第二纵横比优选地具有第二不同周期性、模式、序列或 值。
根据本发明的一方面，提供了一种引导离子或对离子进行质量分析的 方法，该方法包括：
提供包括多个电极的离子引导器或质量分析器；
将n相交流或射频电压施加于所述多个电极，其中n≥2；
维持所述多个电极之间的第一相位关系或第一纵横比；并且
改变所述多个电极的子集之间的、所述子集处的或所述子集的相位关 系或纵横比，以使得维持所述电极子集之间的、所述子集处的或所述子集 的第二不同相位关系或第二纵横比以便沿着离子引导器或质量分析器的 轴向长度的至少一部分产生一个或多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波 纹或势阱。
根据本发明的另一方面，提供了一种离子引导器或质量分析器，该离 子引导器或质量分析器包括：
多个电极；
用于将n相交流或射频电压施加于所述多个电极的装置，其中n≥2； 以及
用于扫描所述多个电极中的一个或多个电极的相位或纵横比以便在 使用时沿着离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生一个 或多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的装置。
根据本发明的另一方面，提供了一种引导离子或对离子进行质量分析 的方法，该方法包括：
提供包括多个电极的离子引导器或质量分析器；
将n相交流或射频电压施加于所述多个电极，其中n≥2；并且
扫描所述多个电极中的一个或多个电极的相位或纵横比以便在使用 时沿着离子引导器或质量分析器的轴向长度的至少一部分产生一个或多 个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱。
根据此实施例，可逐渐变化或扫描一个或多个电极的相位。可将一个 或多个电极的相位扫描至少θ°，其中θ选自于：(i)<10；(ii)10-20；(iii) 20-30；(iv)30-40；(v)40-50；(vi)50-60；(vii)60-70；(viii)70-80； (ix)80-90；(x)90；(xi)90-100；(xii)100-110；(xiii)110-120；(xiv) 120-130；(xv)130-140；(xvi)140-150；(xvii)150-160；(xviii)160-170； (xix)170-180；以及(xx)180。当一个或多个电极的相位被逐渐变化或 扫描时，一个或多个轴向时间平均的或伪的势垒、势波纹或势阱的高度优 选地增大或减小。
根据该优选实施例，堆叠环离子引导器的中心附近的离子对于各种各 样的条件将具有稳定的轨迹。这与四极杆集中离子的径向稳定性条件形成 对比，在该径向稳定性条件中，改变沿着这种设备的轴的振荡场的性质可 能造成不希望的径向不稳定性和/或谐振，从而导致离子丢失。
与根据该优选实施例的势垒设备或质量分析器相比，多极杆集还更大 且制造成本更高。因此，根据该优选实施例的离子引导器或质量分析器与 已知布置相比是特别有利的。
附图说明
现在仅通过例子并参照附图描述本发明的各种实施例，在附图中：
图1在y，z平面上示出了根据本发明的一个实施例的堆叠环离子引导 器；
图2在x，y平面上示出了根据本发明的一个实施例的堆叠环离子引导 器；
图3A示出了质荷比为100的离子所经历的、沿着离子引导器的中心 轴的轴向伪势的曲线；图3B示出了质荷比为500的离子所经历的、沿着 离子引导器的中心轴的轴向伪势的曲线。
图4示出了对于图3A中所示实施例而言的、质荷比为100的离子所 经历的轴向和径向伪势的三维曲线；
图5示出了其中在优选离子引导器或质量分析器的出口处提供依赖 于质荷比的势垒的本发明的一个实施例；
图6A示出了对于图5中所示离子引导器或质量分析器而言的、质荷 比为100的离子所经历的、作为距离的函数的沿着离子引导器或质量分析 器的中心线的轴向伪势的曲线；图6B示出了对于图5中所示离子引导器 或质量分析器而言的、质荷比为500的离子所经历的、作为距离的函数的 沿着离子引导器或质量分析器的中心线的轴向伪势的曲线；
图7示出了对于图6A中所示实施例而言的、质荷比为100的离子所 经历的轴向和径向伪势的三维曲线；
图8示出了其中在离子引导器或质量分析器的出口处形成依赖于质 荷比的势垒的本发明的另一个实施例，其中出口电极被布置成具有较小的 孔；
图9A示出了其中在离子引导器或质量分析器的出口处形成依赖于质 荷比的势垒的又一个实施例；图9B示出了施加于电极的附加时变电势的 最大和最小电势；
图10示出了其中优选离子引导器或质量分析器与在使用时被扫描的 四极杆集质量分析器耦合的实施例；
图11示出了其中优选离子引导器或质量分析器与正交加速飞行时间 质量分析器耦合的实施例；
图12示出了其中在优选离子引导器或质量分析器的入口处形成依赖 于质荷比的势垒的实施例；
图13A示出了对于图12中所示离子引导器或质量分析器而言的、质 荷比为100的离子所经历的、作为距离的函数的沿着离子引导器或质量分 析器的中心线的轴向伪势的曲线；图13B示出了对于图12中所示离子引 导器或质量分析器而言的、质荷比为500的离子所经历的、作为距离的函 数的沿着离子引导器的中心线的轴向伪势的曲线；
图14示出了图13A中所示的、质荷比为100的离子所经历的轴向和 径向伪势的三维曲线；
图15示出了其中离子迁移率分离设备与优选离子引导器或质量分析 器耦合的一个实施例；
图16示出了作为经过离子迁移率装置的漂移时间的函数的离子质荷 比的曲线，其中示出了低质量截止操作的扫描线；
图17示出了用来产生图18A-18E中所示实验数据的实验布置；以及
图18A示出了在没有轴向伪势垒时获得的质谱；图18B示出了当如 图17中所示在优选离子引导器或质量分析器的入口处提供轴向伪势垒时 获得的质谱；图18C示出了当轴向伪势垒的量值大于用来获得图18B中 所示结果的轴向伪势垒的量值时获得的结果质谱；图18D示出了当轴向 伪势垒的量值大于用来获得图18C中所示结果的轴向伪势垒的量值时获 得的质谱；图18E示出了当轴向伪势垒的量值大于用来获得图18D中所 示结果的轴向伪势垒的量值时获得的质谱。
具体实施方式
根据该优选实施例，如图所示，优选地向一个或多个环电极2a施加 附加瞬态直流电势4。瞬态直流电势4优选地同时施加于一个或多个电极 2a并持续较短时间段。然后，直流电势4优选地切换到或施加于一个或 多个相邻或后续电极2a。根据该优选实施例，优选地向离子引导器2的 一些或全部电极2a累进地施加一个或多个瞬态直流电势或电压或一个或 多个瞬态直流电压或电势波形，以便在沿着离子引导器2的长度的特定方 向上驱策离子。
离子引导器2优选地包括内直径优选的是5mm的一连串环形电极 2a。图2示出了在x，y平面上观察到的堆叠环离子引导器2。每个电极2a 优选的是0.5mm厚，相邻电极之间的中心到中心间距优选的是1.5mm。 入口和出口电极1、3的孔的直径优选的是2mm。
图3A示出了当最大电压为100V且频率为1MHz的射频电压施加于 离子引导器2时质荷比为100的离子所经历的、沿着离子引导器2的中心 轴的时间平均势或伪势的曲线。图3B类似地示出了质荷比为500的离子 所经历的、沿着离子引导器2的中心轴的时间平均势或伪势的曲线。
图3A和3B中所示曲线是通过记录具有如图1中所示几何的离子引 导器的三维计算机模拟(SIMION)内的电压梯度来获得的。向每个透镜 元件施加与一频率周期内的最大电压等效的静态直流电压。于是，直接根 据所记录的场利用下式计算伪势：
其中q是离子(z.e)上的总电荷，e是电子电荷，z是电荷数目，m是离 子的原子质量，Ω是调制电势的频率，E是所记录的电场。
图4示出了沿着z轴的中心切割的、对于优选离子引导器2的出口处 的区而言的、在x轴(径向方向)上从0延伸至1mm的离子引导器2内 的径向和轴向伪势。电压和频率的条件如前面针对质荷比为100的离子所 描述的那样。
从图3A和3B可以看出，对于质荷比较低的离子而言的z轴上的轴 向伪势波纹大于对于质荷比较高的离子而言的z轴上的轴向伪势波纹。从 图4可以看出，沿着中心轴的轴向伪势波纹的幅度低于远离中心轴的径向 位移处的伪势波纹的幅度。通过将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个 或多个瞬态直流电压或电势波形施加于离子引导器2的电极2a，可容易 地沿着离子引导器2推进离子。
图5示出了本发明的这样一个实施例：其中紧接在出口孔3之前或上 游的最后两个环形板或电极5a、5b优选地由第二射频电压供应来驱动， 第二射频电压供应优选地不同于优选地施加于在前环形板或电极2a的第 一射频电压供应。
当优选地施加于最后两个环形板或电极5a、5b中的一个或两个的第 二射频电压的幅度相对于施加于其它板或电极2a的第一射频电压的幅度 而增大时，伪势波纹的深度以及因此离子隧道式离子引导器或质量分析器 2的出口处的伪势垒的高度得以优选地增大。
根据另一个实施例，施加于最后两个环形板或电极5a、5b中的一个 或两个的第二射频调制的频率可相对于施加于离子引导器或质量分析器 2的其它电极2a的第一射频电压的调制频率而减小。
图6A示出了当最大幅度为100V且频率为1MHz的第一射频电压施 加于环形板或电极2a、最大幅度为400V的射频电压施加于板5b(其紧 接出口电极3的上游而布置)、最大幅度为200V的第三射频电压施加于 板5a(其布置于电极5b的上游)时质荷比为100的离子所经历的、沿着 离子引导器或质量分析器2的中心轴的时间平均势或伪势的曲线。所有板 或电极2a、5a、5b上施加的调制电势的相位和频率是相同的。图6B示 出了质荷比为500的离子所经历的、沿着离子引导器或质量分析器2的中 心轴的时间平均势或伪势。
图7示出了沿着z轴的中心切割的、对于优选离子引导器或质量分析 器2的出口处的区而言的、在x轴(径向方向)上从0延伸至1mm的离 子引导器或质量分析器2内的径向和轴向伪势。电压和频率的条件如前面 针对质荷比为100的离子参照图6A所描述的那样。
增大离子引导器或质量分析器2的出口处的调制电势的幅度的结果 是：产生优选地具有与离子的质荷比成反比例的幅度的伪势垒。
根据该优选实施例，优选地将离子从外部离子源引入离子引导器中。 可例如以脉冲方式或以连续方式在时间T0引入离子。在离子被引入时， 优选地布置进入离子引导器或质量分析器2的离子的轴向能量，使得质荷 比在特定范围内的所有离子被径向射频场限制并且优选地因伪势垒的存 在而被防止退出离子引导器或质量分析器2。
通过将冷却气体引入离子引导器或质量分析器2的离子限制区中，可 减小被限制于离子引导器或质量分析器2内的离子的初始能量扩展度。离 子引导器或质量分析器2优选地维持于10-5-101mbar、或更优选的 10-3-10-1mbar的压力。离子的动能优选地将由于离子与气体分子之间的碰 撞而减小。离子将因此冷却从而热能化。
在离子引导器或质量分析器2内积累了离子后，可升高施加于入口电 极1的直流电压，以便防止离子经由入口退出离子引导器或质量分析器2。
根据另一个实施例，通过向布置于离子引导器或质量分析器2的入口 处的一个或多个环形板或电极施加一个或多个适当电势，可在离子引导器 或质量分析器2的入口处形成一个或多个伪势垒。
在初始时间T0，优选地向构成离子引导器或质量分析器2的电极2a 施加一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个直流电压或电势波形。 根据一个实施例，该一个或多个直流电压或电势或一个或多个直流电压或 电势波形的幅度可以在初始时较低或效果上为零。然后，根据一个实施例， 该一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个直流电压或电势波形的 幅度可以逐渐地斜升、阶跃上升或幅度上增大到最终的最大值。由此，得 以优选地朝着布置于离子引导器或质量分析器2的出口处的伪势垒推进、 驱策或平移离子。优选地使得离子以它们的质荷比的逆序退出离子引导器 或质量分析器2，其中质荷比较高的离子在质荷比较低的离子之前退出离 子引导器或质量分析器2。然后，可在离子引导器或质量分析器2内已没 有离子后重复该过程。
图8示出了这样一个实施例：其中布置于离子引导器或质量分析器2 的出口处的两个环形板或电极5a或5b的直径优选地小于组成离子引导器 或质量分析器2的剩余部分的电极2a的直径。质量选择性的伪势垒优选 地以与上文参照图5描述的实施例相似的方式形成于离子引导器或质量 分析器2的出口处。图8中所示实施例优选地具有如下优点：与图5中所 示实施例相比，产生相似幅度的依赖于质量的伪势垒所需要的调制射频电 势的幅度较小。
参照图9A和9B描述在离子引导器或质量分析器2内产生依赖于质 荷比的伪势垒的一种次优选方法。离子引导器或质量分析器2优选地类似 于图1中所示离子引导器或质量分析器2。然而，优选地施加于环电极2a 的所施加射频电压或者附加射频或交流电压的幅度被优选地布置成朝着 离子引导器或质量分析器2的出口或沿着离子引导器或质量分析器2的长 度逐渐增大。图9B示出了作为图9A中所示离子引导器或质量分析器2 的透镜元件的编号的函数的附加调制电压的最大幅度6和最小幅度7的曲 线。
施加于透镜元件n的附加时变电势Vn的一般形式可由下式描述：
Vn＝f(n)cos(ot) (2)
其中n是透镜元件的索引号，f(n)是描述元件n的振荡幅度的函数，σ是 调制频率。
如果f(n)所描述的附加调制电势的最大幅度以如图9B所示的非线性 函数朝着离子引导器或质量分析器2的出口增大，则优选地将在离子引导 器或质量分析器2的出口处形成依赖于质荷比的伪势垒，其叠加在由于优 选地施加于相邻环电极2a的交流或射频电压的交替相而形成的所述或任 何轴向伪势波纹上。
根据另一个实施例，通过改变离子引导器或质量分析器2的特定区或 部分内的或沿着该特定区或部分的、环电极2a的内直径与相邻环电极之 间间距的纵横比，可生成或产生一个或多个质量选择性的伪势垒。纵横比 的改变可通过变更环电极2a的机械设计并且/或者通过改变一连串两个或 更多毗邻环电极之间的相位关系或相位来实现。例如，如果切换两个毗邻 环电极以使它们被供应调制电势的相同相(而不是调制电势的相反相)， 则离子引导器或质量分析器2的该区或段中的纵横比亦将在效果上被修 改。根据一个实施例，成对电极的极性或相位可被切换或反相，以使得离 子引导器或质量分析器2的区或段的有效纵横比相对于沿着离子引导器 或质量分析器2的剩余部分维持的纵横比而变化。根据一个实施例，通过 连续地或以别的方式将毗邻电极或电极组之间的相位差从例如180度调 整为0度，可连续地或以别的方式调整伪势垒的纵横比以及因此伪势垒的 高度。这些方法可与变化所施加的调制电势的幅度和/或频率的方法结合 使用。
图10示出了本发明的这样一个实施例：其中优选离子引导器或质量 分析器2与更高分辨率的质量分析器11比如四极质量过滤器串联地耦合。 这使得能够提供总体占空因数和灵敏度得以提高的质谱仪。来自离子源的 离子优选地积累于离子捕获器8中，离子捕获器8优选地位于优选离子引 导器或质量分析器2的上游。然后，优选地，通过使离子捕获器8的出口 处提供的栅电极9以脉冲方式工作来从离子捕获器8周期性地释放离子。 然后，从离子捕获器8释放或以脉冲形式退出离子捕获器8的离子优选地 被指引进入优选离子引导器或质量分析器2。由于优选离子引导器或质量 分析器2的出口处形成的伪势垒的存在，离子优选地保持轴向限制于优选 离子引导器或质量分析器2内。在离子进入了优选离子引导器或质量分析 器2后，优选地向优选离子引导器或质量分析器2的入口电极1施加直流 势垒电压。这优选地防止离子向上游经由入口电极1中的孔退出优选离子 引导器或质量分析器2。在优选离子引导器或质量分析器2内积累了离子 后，优选地在构成离子引导器或质量分析器2的电极上叠加一个或多个瞬 态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电势波形，以便朝着优选 离子引导器或质量分析器2的出口驱动或驱策离子。
该一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电 势波形的幅度优选地随时间逐渐增大到最终的最大电压。优选地以离子的 质荷比的降序驱策、驱动或推动离子越过优选地布置于优选离子引导器或 质量分析器2的出口处的伪势垒。优选离子引导器或质量分析器2的输出 优选的是离子的质荷比和时间的函数。
初始时，质荷比较高的离子优选地将退出优选离子引导器或质量分析 器2。然后，质荷比渐次降低的离子优选地将随后退出离子引导器或质量 分析器2。具有特定质荷比的离子优选地将在较短或较窄的时间段内退出 离子引导器或质量分析器2。根据一个实施例，布置于优选离子引导器或 质量分析器2的下游的扫描四极质量过滤器/分析器11的质荷比传送窗优 选地与退出离子引导器或质量分析器2的离子的质荷比同步。结果，扫描 四极质量分析器11的占空因数得以优选地增大。离子检测器12优选地布 置于四极质量分析器11的下游以检测离子。
根据另一个实施例，可以阶跃或其它方式增大四极质量过滤器11的 质荷比传送窗，该质荷比传送窗优选地与退出离子引导器或质量分析器2 的离子的质荷比基本上同步。根据此实施例，在只希望测量或分析具有特 定质量或质荷比的离子的工作模式下，四极质量过滤器11的传送效率和 占空因数可得以增大。
根据另一个实施例，如图11中所示，优选离子引导器或质量分析器 2可耦合到正交加速飞行时间质量分析器14。优选离子引导器或质量分析 器2优选地经由又一离子引导器13耦合到飞行时间质量分析器14。优选 地向该又一离子引导器13的电极施加一个或多个瞬态直流电压或电势或 一个或多个瞬态直流电压或电势波形，以便传送从优选离子引导器或质量 分析器2接收到的离子并且以优选地维持离子接收顺序的方式传送离子。 因此，离子优选地以最优方式被向前传送到飞行时间质量分析器14。优 选离子引导器或质量分析器2与飞行时间质量分析器14的组合优选地产 生占空因数和灵敏度得以提高的总体质谱仪。在任何特定瞬间从优选离子 引导器或质量分析器2输出的离子优选地具有明确的质荷比。
该又一离子引导器13优选地将从离子引导器或质量分析器2出现或 接收到的离子划分成若干个分立的离子包。该又一离子引导器13接收到 的每个离子包优选地被捕获于优选地沿着该又一离子引导器13的长度连 续平移的各单独轴向势阱内。每个轴向势阱因此优选地包括具有有限范围 的质荷比的离子。优选地沿着该又一离子引导器13的长度连续输送轴向 势阱，直到得以朝着正交加速飞行时间质量分析器14释放离子或者将离 子释放到正交加速飞行时间质量分析器14中。正交加速脉冲优选地与来 自该又一离子引导器13的离子的到达同步，以使每个包或阱内存在的离 子(其优选地具有有限范围的质荷比)到正交加速飞行时间质量分析器 14中的传送最大化。
根据另一个实施例，伪势垒可位于优选离子引导器或质量分析器2 的入口处。因而，如果具有特定质荷比的离子具有足以克服伪势垒的初始 轴向能量，则离子然后将进入优选离子引导器或质量分析器2。然而，如 果具有特定质荷比的离子具有不足以克服伪势垒的初始轴向能量，则它们 优选地被防止进入离子引导器或质量分析器2并且可能从系统丢失。根据 此实施例，离子引导器或质量分析器2可被操作为使低质量或质荷比被截 止。通过增大或变化依赖于质荷比的势垒的幅度或者通过增大或变化进入 优选离子引导器或质量分析器2的离子的初始轴向能量，可随时间变更或 变化低质量或质荷比截止的特性。可通过减小施加于电极的射频电压的频 率并且/或者通过增大射频电压来增大伪势垒的量值。
图12示出了又一个实施例，其中紧接在入口电极1之后或下游的第 一环形板或电极15优选地由这样的射频电压供应来驱动：该射频电压供 应优选地与优选地向优选地构成或组成离子引导器或质量分析器2的其 它环形板或电极2a施加的射频供应分开或不同。当施加于第一环形板或 电极15的射频电压的幅度相对于施加于其它环形板或电极2a的射频电压 的幅度而增大时，优选离子引导器或质量分析器2的入口处的伪势垒的高 度得以优选地增大。通过相对于施加于离子引导器或质量分析器2的其它 电极2a的电势的调制频率而减小施加于第一环形板或电极15的射频调制 的频率，可实现类似的效果。
图13A示出了当向环形板或电极2a施加最大值为100V且频率为1 MHz的射频电压时质荷比为100的离子所经历的、沿着图12中所示优选 离子引导器或质量分析器2的中心轴的时间平均势或伪势的曲线。施加于 第一环形板或电极15的调制电势的最大幅度为400V。所有环形板或电极 2a、15上施加的调制电势的相位和频率相同。图13B示出了质荷比为500 的离子所经历的、沿着离子引导器或质量分析器2的中心轴的对应时间平 均势或伪势。
图14示出了沿着z轴的中心切割的、对于优选离子引导器或质量分 析器2的入口处的区而言的、在x轴(径向方向)上从0延伸至1mm的 优选离子引导器或质量分析器2内的径向和轴向伪势的形状。电压和频率 的条件如前面参照上文参照图13描述的实施例所描述的那样。
增大离子引导器或质量分析器2的入口处的调制电势的幅度的结果 是：产生具有与离子的质荷比成反比例的幅度的伪势垒。具有足够轴向能 量的离子将克服伪势垒并将被传送到优选离子引导器或质量分析器2中， 而轴向能量不足以克服此势垒的离子将从系统丢失。
根据一个实施例，通过改变优选离子引导器或质量分析器2的入口处 或附近布置的一个或多个第一电极15上施加的调制电势的幅度和/或频 率，可扫描、变化或以阶跃方式改变低质荷比传送特性。
根据另一个实施例，如图15中所示，优选离子引导器或质量分析器 2可耦合到离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a。根据一个优选实施 例的离子引导器或质量分析器2可位于离子迁移率分离器或离子迁移率 谱仪15a的下游，并且可用来防止向前传送具有较低电荷态的离子而允许 向前传送具有较高电荷态的离子。如果离子迁移率分离器或离子迁移率谱 仪15a与质谱仪或质量分析器相组合，则优选离子引导器或质量分析器2 可位于离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a的下游、质谱仪或质量分 析器的上游。优选离子引导器或质量分析器2可用来防止向前传送具有较 低电荷态的离子而允许向前传送具有较高电荷态的离子以用于后续的质 量分析。
当与离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a组合使用时，优选离子 引导器或质量分析器2的区中提供的伪势垒的量值或高度以及因此离子 引导器或质量分析器2的低质荷比截止特性可与离子以脉冲形式进入离 子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a、或离子从离子迁移率分离器或离 子迁移率谱仪15a出现同步地被扫描。在预定漂移时间从离子迁移率分离 器或离子迁移率谱仪15a出现并且质量或质荷比低于预定水平的离子可 被排除或防止穿过优选离子引导器或质量分析器2。此实施例的一个重要 应用是区分质荷比相同但电荷态不同的离子。
参照图15，来自离子源的离子优选地积累于离子捕获器8中。通过 使离子捕获器8的出口处布置的栅电极9以脉冲方式工作，可从离子捕获 器8周期性地释放离子。然后，离子可以脉冲形式进入离子迁移率分离器 或离子迁移率谱仪15a。然后，离子优选地通过离子迁移率分离器或离子 迁移率谱仪15a。然后，当离子通过离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪 15a时，优选地根据它们的离子迁移率在时间上分离它们。离子迁移率较 高的离子优选地将在离子迁移率较低的离子之前退出离子迁移率分离器 或离子迁移率谱仪15a。
当离子退出离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a时，优选地通过 维持离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a的出口电极16与优选离子 引导器或质量分析器2的入口电极17之间的直流电势差来加速离子。进 入优选离子引导器或质量分析器2的离子优选地将经历这样的伪势垒：该 伪势垒优选地具有优选地依赖于离子的质荷比的幅度。质荷比较低的离子 优选地将经历幅度较高的伪势垒，而质荷比较高的离子优选地将经历幅度 较低的伪势垒。因而，低于某一质荷比的离子优选地将不被传送到优选离 子引导器或质量分析器2中。优选地按照需要进一步处理从优选离子引导 器或质量分析器2向前传送的离子。例如，离子可被传送到质谱仪以用于 后续的质量分析。被防止进入优选离子引导器或质量分析器2的离子优选 地从系统丢失。
在离子迁移率分离过程中，可逐渐增大优选离子引导器或质量分析器 2的入口内或入口处提供的伪势垒的量值。图16示出了作为离子迁移率 漂移时间的函数的质荷比值的曲线。在任何给定漂移时间退出离子迁移率 分离器或离子迁移率谱仪15a的单电荷离子与同时退出离子迁移率分离 器或离子迁移率谱仪15a的多电荷离子相比将具有较低的质荷比。因而， 如果优选离子引导器或质量分析器2的入口处的伪势垒的高度被布置成 随漂移时间来被扫描、使得具有比图16中所示线18所表示的质荷比值小 的质荷比值的离子被排除，则占主导地只有多电荷离子将进入优选离子引 导器或质量分析器2。单电荷离子优选地将丢失。这具有显著提高多电荷 离子的后续检测的信噪比的有利结果。
离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪15a可包括漂移管，其中沿着漂 移管的长度施加或维持轴向电场。可替选地，离子迁移率分离器或离子迁 移率谱仪15a可包括这样的离子引导器：该离子引导器包括具有孔的多个 电极，其中一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个直流电压或电势 波形施加于离子迁移率分离器或离子迁移率谱仪的电极。直流或射频电压 可施加于电极以将离子限制于中心轴，由此使传送最大化。离子迁移率分 离器或离子迁移率谱仪15a的优选工作压力优选的是10-2mbar-102mbar、 更优选的是10-1mbar-101mbar。
优选地，通过将一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直 流电压或电势波形施加于组成离子引导器或质量分析器2的电极，已根据 其离子迁移率分离的离子组穿过优选离子引导器或质量分析器2而不发 生分离的损失。这在优选离子引导器或质量分析器2亦耦合到正交加速飞 行时间质量分析器时是特别有利的。可通过使质量分析器的正交采样脉冲 与离子到达正交加速电极同步来提高占空因数。
可设想这样的其它实施例：其中可在优选离子引导器或质量分析器2 的长度内或沿着优选离子引导器或质量分析器2的长度生成或产生多个 伪势垒。这使得能够以更复杂的方式操控优选离子引导器或质量分析器2 内捕获的离子群。例如，在填充优选离子引导器或质量分析器2的过程中 使用的第一设备或区的低质荷比截止特性可与用来允许在优选离子引导 器或质量分析器2的出口处喷出离子的第二设备或区的不同的较高的低 质荷比截止特性相组合。这使得能够在优选离子引导器或质量分析器2 内捕获质荷比值在两个截止值之间的离子。
图17示出了其中优选离子引导器或质量分析器2耦合到正交加速飞 行时间质量分析器14的实验布置。从电喷雾电离源引入连续离子束。离 子被布置成通过维持于约10-1mbar氩的压力的第一堆叠环离子引导器 19。幅度为2V的瞬态直流电势施加于离子引导器19并沿着离子引导器 19的长度逐渐平移，以便经过和沿着离子引导器19驱策离子。离子优选 地经由仅以直流方式工作的出口板20中的孔退出离子引导器19，并经由 入口电极21进入维持于约10-2mbar氩的压力的优选堆叠环离子引导器或 质量分析器2。离子引导器19的出口板20与优选离子引导器或质量分析 器2的入口板21之间的电势差被维持于-2V。在退出优选离子引导器或质 量分析器2时，离子通过转移区，然后由正交加速飞行时间质量分析器 14进行质量分析。向离子引导器19和优选离子引导器或质量分析器2均 供应峰-峰值为200V且频率为2MHz的射频电压，以便径向限制离子 于上游离子引导器9和优选离子引导器或质量分析器2内。
除了施加直流电压以外，优选离子引导器或质量分析器2的入口板 21还耦合到幅度可独立变化的独立射频供应。该射频供应具有750MHz 的频率。在实验过程中，施加于入口板21的调制电势的幅度从0V增大 到550V峰-峰值。
图18A-18E示出了通过连续注入包括平均分子质量为1000的聚乙二 醇和[M+H]+＝2034.6的三乙酰环糊精(Triacetyl-cyclodextrin)在内的标 准化合物的混合物而获得的质谱。
图18A示出了当施加于入口板21的射频电压的幅度为0V时记录的 质谱。图18B-18E示出了当施加于入口板21的射频电压的幅度从0V人 工增大到550V峰-峰值的最大值时获得的结果质谱。当射频电压被设置 于550V峰-峰值的最大值时获得图18E中所示质谱。对于所有质谱，强 度被归一化为同一值以允许直接比较。
从图18A-18E可以看出，随着施加于入口板21的射频电压的幅度逐 渐增大，越来越多的低质荷比离子被防止进入优选离子引导器或质量分析 器2，并因此不出现在质谱中。当如图18E中所示施加550V峰-峰值的 最大射频幅度时，可以看出，大多数质荷比<1800的离子已被去除，而质 荷比更高的离子所对应的峰没有任何衰减。
将射频电势施加于入口板21产生这样的依赖于质量的势垒：该势垒 的幅度随着射频的幅度的增大而增大。在特定射频幅度，低于某一质荷比 的离子不能克服此伪势垒，并因此被防止进入优选离子引导器或质量分析 器2。
如果优选离子引导器或质量分析器2的很靠近的元件上施加的交流 电势的频率不同，则在构成质量选择性的势垒的调制电势与用于径向限制 离子于优选离子引导器或质量分析器2内的调制电势之间可能存在某种 相互作用。此相互作用可能导致离子引导器或质量分析器2的这些区内的 离子的不稳定性。在不希望此相互作用的情形下，不同交流电势的区可由 用直流电势而不是用交流电势来供电的电极来分隔或屏蔽。
根据该优选实施例，优选地使用栅电极使离子以脉冲形式进入优选离 子引导器或质量分析器2。然而，还可设想这样的可替选实施例：其中可 使用例如脉冲式离子源如MALDI离子源，且其中时间T0对应于激光的 发射。
根据一个实施例，可在质量分离区之后或下游提供裂解区或设备。优 选离子引导器或质量分析器2与裂解区或设备之间的电势差可随着一个 或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬态直流电压或电势波形的幅 度优选地斜升而斜降。然后，可优化优选离子引导器或质量分析器2，以 便在给定时间裂解期望质荷比范围的离子。
根据该优选实施例，优选地呈一个或多个瞬态直流电压或电势或一个 或多个瞬态直流电压或电势波形的形式的电场优选地被用来驱动离子越 过或跨过伪势垒。根据其它实施例，可借助于气流导致的粘滞阻力来驱动 离子跨过伪势垒。对于大于10-2mbar、优选地大于10-1mbar的气压而言， 气流导致的粘滞阻力将变得显著。气流导致的粘滞阻力亦可与电场导致的 力相组合，该电场比如从一个或多个瞬态直流电压或电势或一个或多个瞬 态直流电压或电势波形得到的电场。粘滞阻力导致的和电场导致的离子上 的力可被布置成一致地工作，或者可替选地，可被布置成彼此对立。
虽然已参照诸优选实施例描述了本发明，但是本领域的技术人员应理 解，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的范围情况下，可以对上文 讨论的特定实施例作出形式和细节上的各种改变。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 利用电子回旋共振沉积非晶硅薄膜 | 2020-05-12 | 1007 |
| 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法 | 2020-05-15 | 28 |
| 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜的方法 | 2020-05-16 | 213 |
| 一种基于电子回旋共振原理的微波紫外灯 | 2020-05-14 | 541 |
| 利用电子回旋共振沉积非晶硅薄膜 | 2020-05-13 | 693 |
| 微波电子回旋共振等离子体均匀化方法及装置 | 2020-05-15 | 780 |
| 一种电子回旋共振加热控制与保护系统 | 2020-05-13 | 793 |
| 用于处理玻璃基片或晶片的电子回旋共振除灰装置 | 2020-05-17 | 752 |
| 电子回旋共振等离子体源 | 2020-05-11 | 211 |
| 一种电子回旋共振加热毫米波发射器 | 2020-05-15 | 758 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
