专利汇可以提供质谱仪专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且提供了 质量 分析器(2),其包括具有孔的多个 电极 ,在使用时离子穿过这些孔。沿着质量分析器(2)的轴产生多个伪势沟槽。伪势沟槽的幅度或深度与离子质荷比成反比。一个或多个瞬态DC 电压 被施加到质量分析器(2)的电极以便沿着质量分析器(2)的长度驱策离子。向电极施加的瞬态DC电压的幅度随时间增大,且使得离子以质荷比的逆序从质量分析器(2)射出。,下面是质谱仪专利的具体信息内容。
1.一种质量分析器,包括:
包括多个电极的离子引导器;
用于将AC或RF电压施加到所述多个电极中的至少一些电极,使得 在使用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生多个轴向时 间平均的或伪的势垒、沟槽或阱的装置;以及
用于沿着和/或经过所述离子引导器的轴向长度的至少一部分驱动或 驱策离子,使得在一工作模式下质荷比在第一范围内的离子退出所述离子 引导器而质荷比在不同的第二范围内的离子由所述多个轴向时间平均的 或伪的势垒、沟槽或阱轴向捕获或限制于所述离子引导器内的装置。
2.如权利要求1所述的质量分析器,其中所述第一范围选自于:(i) <100;(ii)100-200;(iii)200-300;(iv)300-400;(v)400-500;(vi) 500-600;(vii)600-700;(viii)700-800;(ix)800-900;(x)900-1000; 以及(xi)>1000。
3.如权利要求1或2所述的质量分析器,其中所述第二范围选自于: (i)<100;(ii)100-200;(iii)200-300;(iv)300-400;(v)400-500;(vi) 500-600;(vii)600-700;(viii)700-800;(ix)800-900;(x)900-1000; 以及(xi)>1000。
4.如权利要求1、2或3所述的质量分析器,其中用于将AC或RF 电压施加到所述多个电极中的至少一些电极的所述装置被布置成和适合 于使得沿着所述离子引导器的轴向长度的至少1%、5%、10%、20%、 30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%或100%产生多个轴 向时间平均的或伪的势垒、沟槽或阱。
5.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中沿着所述离子引导 器的中心纵轴的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、 70%、80%、90%、95%或100%产生或提供所述多个轴向时间平均的或 伪的势垒、沟槽或阱。
6.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述多个轴向时间 平均的或伪的势垒、沟槽或阱在离开所述离子引导器的中心纵轴的径向方 向上伸展至少r毫米,其中r选自于:(i)<1;(ii)1-2;(iii)2-3;(iv) 3-4;(v)4-5;(vi)5-6;(vii)6-7;(viii)7-8;(ix)8-9;(x)9-10;以 及(xi)>10。
7.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中对于质荷比落在范 围1-100、100-200、200-300、300-400、400-500、500-600、600-700、700-800、 800-900或900-1000内的离子,所述轴向时间平均的或伪的势垒、沟槽或 阱的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80 %、90%、95%或100%的幅度、高度或深度选自于:(i)<0.1V;(ii)0.1-0.2V; (iii)0.2-0.3V;(iv)0.3-0.4V;(v)0.4-0.5V;(vi)0.5-0.6V;(vii)0.6-0.7V; (viii)0.7-0.8V;(ix)0.8-0.9V;(x)0.9-1.0V;(xi)1.0-1.5V;(xii)1.5-2.0V; (xiii)2.0-2.5V;(xiv)2.5-3.0V;(xv)3.0-3.5V;(xvi)3.5-4.0V;(xvii) 4.0-4.5V;(xviii)4.5-5.0V;(xix)5.0-5.5V;(xx)5.5-6.0V;(xxi)6.0-6.5V; (xxii)6.5-7.0V;(xxiii)7.0-7.5V;(xxiv)7.5-8.0V;(xxv)8.0-8.5V;(xxvi) 8.5-9.0V;(xxvii)9.0-9.5V;(xxviii)9.5-10.0V;以及(xxix)>10.0V。
8.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中在使用时沿着所述 离子引导器的轴向长度每厘米提供或产生至少1、2、3、4、5、6、7、8、 9或10个轴向时间平均的或伪的势垒、沟槽或阱。
9.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述多个轴向时间 平均的或伪的势垒、沟槽或阱沿着所述离子引导器的轴向长度具有与所述 多个电极的轴向位置相对应的最小值。
10.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述多个轴向时间 平均的或伪的势垒、沟槽或阱沿着所述离子引导器的轴向长度具有位于与 邻近电极之间轴向距离或间距的基本上50%相对应的轴向位置的最大 值。
11.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述多个轴向时间 平均的或伪的势垒、沟槽或阱具有对于具有特定质荷比的离子而言为基本 上相同高度、深度或幅度的最小值和/或最大值,并且其中所述最小值和/ 或最大值具有与所述多个电极的轴向位移或间距基本上相同的周期性。
12.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述多个电极包括 具有孔的电极,在使用时离子穿过所述孔。
13.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述电极的至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、 95%或100%具有基本上圆形、矩形、正方形或椭圆形孔。
14.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述电极的至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、 95%或100%具有基本上相同尺寸或基本上相同面积的孔。
15.如权利要求1-13中任何权利要求所述的质量分析器,其中所述 电极的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、 80%、90%、95%或100%具有在沿着所述离子引导器的轴的方向上尺寸 或面积逐渐变大和/或变小的孔。
16.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述电极的至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、 95%或100%具有其内直径或尺度选自于以下内直径或尺度的孔:(i) ≤1.0mm;(ii)≤2.0mm;(iii)≤3.0mm;(iv)≤4.0mm;(v)≤5.0mm;(vi) ≤6.0mm;(vii)≤7.0mm;(viii)≤8.0mm;(ix)≤9.0mm;(x)≤10.0mm; 以及(xi)>10.0mm。
17.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述电极的至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、 95%或100%相互间隔开从以下轴向距离中选择的轴向距离:(i)小于或 等于5mm;(ii)小于或等于4.5mm;(iii)小于或等于4mm;(iv)小于 或等于3.5mm;(v)小于或等于3mm;(vi)小于或等于2.5mm;(vii) 小于或等于2mm;(viii)小于或等于1.5mm;(ix)小于或等于1mm;(x) 小于或等于0.8mm;(xi)小于或等于0.6mm;(xii)小于或等于0.4mm; (xiii)小于或等于0.2mm;(xiv)小于或等于0.1mm;以及(xv)小于 或等于0.25mm。
18.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述多个电极中的 至少一些电极包括孔,并且其中所述孔的内直径或尺度与相邻电极之间的 中心到中心轴向间隔之比选自于:(i)<1.0;(ii)1.0-1.2;(iii)1.2-1.4; (iv)1.4-1.6;(v)1.6-1.8;(vi)1.8-2.0;(vii)2.0-2.2;(viii)2.2-2.4; (ix)2.4-2.6;(x)2.6-2.8;(xi)2.8-3.0;(xii)3.0-3.2;(xiii)3.2-3.4; (xiv)3.4-3.6;(xv)3.6-3.8;(xvi)3.8-4.0;(xvii)4.0-4.2;(xviii)4.2-4.4; (xix)4.4-4.6;(xx)4.6-4.8;(xxi)4.8-5.0;以及(xxii)>5.0。
19.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述电极的至少1 %、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、 95%或100%具有从以下厚度或轴向长度中选择的厚度或轴向长度:(i) 小于或等于5mm;(ii)小于或等于4.5mm;(iii)小于或等于4mm;(iv) 小于或等于3.5mm;(v)小于或等于3mm;(vi)小于或等于2.5mm;(vii) 小于或等于2mm;(viii)小于或等于1.5mm;(ix)小于或等于1mm;(x) 小于或等于0.8mm;(xi)小于或等于0.6mm;(xii)小于或等于0.4mm; (xiii)小于或等于0.2mm;(xiv)小于或等于0.1mm;以及(xv)小于 或等于0.25mm。
20.如权利要求1-11中任何权利要求所述的质量分析器,其中所述 离子引导器包括分段杆集离子引导器。
21.如权利要求20所述的质量分析器,其中所述离子引导器包括分 段四极、六极或八极离子引导器或具有多于八个分段杆集的离子引导器。
22.如权利要求20或21所述的质量分析器,其中所述离子引导器包 括具有从以下横截面中选择的横截面的多个电极:(i)近似或基本上圆形 横截面;(ii)近似或基本上双曲面;(iii)弓形或部分圆形横截面;(iv) 近似或基本上矩形横截面;以及(v)近似或基本上正方形横截面。
23.如权利要求1-11中任何权利要求所述的质量分析器,其中所述 离子引导器包括多个板电极,其中沿着所述离子引导器的轴向长度布置多 组电极。
24.如权利要求23所述的质量分析器,其中每组电极包括第一电极 和第二电极,其中所述第一和第二电极基本上在同一平面上布置并且在所 述离子引导器的中心纵轴的任一侧布置。
25.如权利要求24所述的质量分析器,还包括用于将DC电压或电 势施加到所述第一和第二电极以便在第一径向方向上限制离子于所述离 子引导器内的装置。
26.如权利要求24或25所述的质量分析器,其中每组电极还包括第 三电极和第四电极,其中所述第三和第四电极基本上在与所述第一和第二 电极相同的平面上布置并且以与所述第一和第二电极不同的取向在所述 离子引导器的中心纵轴的任一侧布置。
27.如权利要求26所述的质量分析器,其中用于施加AC或RF电 压的所述装置被布置成将所述AC或RF电压施加到所述第三和第四电极 以便在第二径向方向上限制离子于所述离子引导器内。
28.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中用于施加AC或 RF电压的所述装置被布置成将所述AC或RF电压施加到所述多个电极 的至少10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95 %或100%。
29.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中轴向相邻电极被供 应以所述AC或RF电压的相反相。
30.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述AC或RF电 压具有从以下幅度中选择的幅度:(i)<50V峰-峰值;(ii)50-100V峰 -峰值;(iii)100-150V峰-峰值;(iv)150-200V峰-峰值;(v)200-250V 峰-峰值;(vi)250-300V峰-峰值;(vii)300-350V峰-峰值;(viii) 350-400V峰-峰值;(ix)400-450V峰-峰值;(x)450-500V峰-峰值; 以及(xi)>500V峰-峰值。
31.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述AC或RF电 压具有从以下频率中选择的频率:(i)<100kHz;(ii)100-200kHz;(iii) 200-300kHz;(iv)300-400kHz;(v)400-500kHz;(vi)0.5-1.0MHz;(vii) 1.0-1.5MHz;(viii)1.5-2.0MHz;(ix)2.0-2.5MHz;(x)2.5-3.0MHz;(xi) 3.0-3.5MHz;(xii)3.5-4.0MHz;(xiii)4.0-4.5MHz;(xiv)4.5-5.0MHz; (xv)5.0-5.5MHz;(xvi)5.5-6.0MHz;(xvii)6.0-6.5MHz;(xviii) 6.5-7.0MHz;(xix)7.0-7.5MHz;(xx)7.5-8.0MHz;(xxi)8.0-8.5MHz; (xxii)8.5-9.0MHz;(xxiii)9.0-9.5MHz;(xxiv)9.5-10.0MHz;以及(xxv) >10.0MHz。
32.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述离子引导器包 括n个轴向段,其中n选自于:(i)1-10;(ii)11-20;(iii)21-30;(iv) 31-40;(v)41-50;(vi)51-60;(vii)61-70;(viii)71-80;(ix)81-90; (x)91-100;以及(xi)>100。
33.如权利要求32所述的质量分析器,其中每个轴向段包括1、2、 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20 或>20个电极。
34.如权利要求32或33所述的质量分析器,其中所述轴向段的至少 1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、 95%或100%的轴向长度选自于:(i)<1mm;(ii)1-2mm;(iii)2-3mm; (iv)3-4mm;(v)4-5mm;(vi)5-6mm;(vii)6-7mm;(viii)7-8mm; (ix)8-9mm;(x)9-10mm;以及(xi)>10mm。
35.如权利要求32、33或34所述的质量分析器,其中所述轴向段的 至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、 90%、95%或100%之间的间隔选自于:(i)<1mm;(ii)1-2mm;(iii) 2-3mm;(iv)3-4mm;(v)4-5mm;(vi)5-6mm;(vii)6-7mm;(viii) 7-8mm;(ix)8-9mm;(x)9-10mm;以及(xi)>10mm。
36.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述离子引导器具 有从以下长度中选择的长度:(i)<20mm;(ii)20-40mm;(iii)40-60mm; (iv)60-80mm;(v)80-100mm;(vi)100-120mm;(vii)120-140mm; (viii)140-160mm;(ix)160-180mm;(x)180-200mm;以及(xi)>200mm。
37.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中所述离子引导器至 少包括:(i)10-20个电极;(ii)20-30个电极;(iii)30-40个电极;(iv) 40-50个电极;(v)50-60个电极;(vi)60-70个电极;(vii)70-80个电 极;(viii)80-90个电极;(ix)90-100个电极;(x)100-110个电极;(xi) 110-120个电极;(xii)120-130个电极;(xiii)130-140个电极;(xiv)140-150 个电极;或(xv)>150个电极。
38.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中用于驱动或驱策离 子的所述装置包括用于将一个或多个瞬态DC电压或电势或DC电压或电 势波形施加到所述电极的至少1%、5%、10%、20%、30%、40%、50 %、60%、70%、80%、90%、95%或100%的装置。
39.如权利要求38所述的质量分析器,其中所述一个或多个瞬态DC 电压或电势或DC电压或电势波形产生:(i)位垒或势垒;(ii)势阱;(iii) 多个位垒或势垒;(iv)多个势阱;(v)位垒或势垒与势阱的组合;或(vi) 多个位垒或势垒与多个势阱的组合。
40.如权利要求38或39所述的质量分析器,其中所述一个或多个瞬 态DC电压或电势波形包括重复的波形或方波。
41.如权利要求38、39或40所述的质量分析器,其中在使用时沿着 所述离子引导器的长度平移多个轴向DC势阱,或者沿着所述离子引导器 的轴向长度向电极递进地施加多个瞬态DC电势或电压。
42.如权利要求38-41中任何权利要求所述的质量分析器,还包括第 一装置,所述第一装置被布置成和适合于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、 递进或其它方式减小所述一个或多个瞬态DC电压或电势或DC电压或电 势波形的幅度、高度或深度。
43.如权利要求42所述的质量分析器,其中所述第一装置被布置成 和适合于在时间段t1内将所述一个或多个瞬态DC电压或电势或DC电压 或电势波形的幅度、高度或深度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、 线性增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、递进或 其它方式减小x1伏。
44.如权利要求43所述的质量分析器,其中x1选自于:(i)<0.1V; (ii)0.1-0.2V;(iii)0.2-0.3V;(iv)0.3-0.4V;(v)0.4-0.5V;(vi)0.5-0.6V; (vii)0.6-0.7V;(viii)0.7-0.8V;(ix)0.8-0.9V;(x)0.9-1.0V;(xi)1.0-1.5V; (xii)1.5-2.0V;(xiii)2.0-2.5V;(xiv)2.5-3.0V;(xv)3.0-3.5V;(xvi) 3.5-4.0V;(xvii)4.0-4.5V;(xviii)4.5-5.0V;(xix)5.0-5.5V;(xx)5.5-6.0V; (xxi)6.0-6.5V;(xxii)6.5-7.0V;(xxiii)7.0-7.5V;(xxiv)7.5-8.0V;(xxv) 8.0-8.5V;(xxvi)8.5-9.0V;(xxvii)9.0-9.5V;(xxviii)9.5-10.0V;以及 (xxix)>10.0V。
45.如权利要求43或44所述的质量分析器,其中t1选自于:(i)<1ms; (ii)1-10ms;(iii)10-20ms;(iv)20-30ms;(v)30-40ms;(vi)40-50ms; (vii)50-60ms;(viii)60-70ms;(ix)70-80ms;(x)80-90ms;(xi)90-100ms; (xii)100-200ms;(xiii)200-300ms;(xiv)300-400ms;(xv)400-500ms; (xvi)500-600ms;(xvii)600-700ms;(xviii)700-800ms;(xix)800-900ms; (xx)900-1000ms;(xxi)1-2s;(xxii)2-3s;(xxiii)3-4s;(xxiv)4-5s; 以及(xxv)>5s。
46.如权利要求38-45中任何权利要求所述的质量分析器,还包括第 二装置,所述第二装置被布置成和适合于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、 递进或其它方式减小向所述电极施加所述一个或多个瞬态DC电压或电 势或DC电势或电压波形的速度或速率。
47.如权利要求46所述的质量分析器,其中所述第二装置被布置成 和适合于在时间段t2内将向所述电极施加所述一个或多个瞬态DC电压或 电势或DC电压或电势波形的速度或速率逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、 扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、 递进或其它方式减小x2米/秒。
48.如权利要求47所述的质量分析器,其中x2选自于:(i)<1;(ii) 1-2;(iii)2-3;(iv)3-4;(v)4-5;(vi)5-6;(vii)6-7;(viii)7-8;(ix) 8-9;(x)9-10;(xi)10-11;(xii)11-12;(xiii)12-13;(xiv)13-14;(xv) 14-15;(xvi)15-16;(xvii)16-17;(xviii)17-18;(xix)18-19;(xx)19-20; (xxi)20-30;(xxii)30-40;(xxiii)40-50;(xxiv)50-60;(xxv)60-70; (xxvi)70-80;(xxvii)80-90;(xxviii)90-100;(xxix)100-150;(xxx) 150-200;(xxxi)200-250;(xxxii)250-300;(xxxiii)300-350;(xxxiv) 350-400;(xxxv)400-450;(xxxvi)450-500;以及(xxxvii)>500。
49.如权利要求47或48所述的质量分析器,其中t2选自于:(i)<1ms; (ii)1-10ms;(iii)10-20ms;(iv)20-30ms;(v)30-40ms;(vi)40-50ms; (vii)50-60ms;(viii)60-70ms;(ix)70-80ms;(x)80-90ms;(xi)90-100ms; (xii)100-200ms;(xiii)200-300ms;(xiv)300-400ms;(xv)400-500ms; (xvi)500-600ms;(xvii)600-700ms;(xviii)700-800ms;(xix)800-900ms; (xx)900-1000ms;(xxi)1-2s;(xxii)2-3s;(xxiii)3-4s;(xxiv)4-5s; 以及(xxv)>5s。
50.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括第三装置,所述 第三装置被布置成和适合于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性 增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它 方式减小向所述电极施加的所述AC或RF电压的幅度。
51.如权利要求50所述的质量分析器,其中所述第三装置被布置成 和适合于在时间段t3内将所述AC或RF电压的幅度逐渐增大、逐渐减小、 逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或 者以阶跃、递进或其它方式减小x3伏。
52.如权利要求51所述的质量分析器,其中x3选自于:(i)<50V峰 -峰值;(ii)50-100V峰-峰值;(iii)100-150V峰-峰值;(iv)150-200V 峰-峰值;(v)200-250V峰-峰值;(vi)250-300V峰-峰值;(vii)300-350V 峰-峰值;(viii)350-400V峰-峰值;(ix)400-450V峰-峰值;(x)450-500V 峰-峰值;以及(xi)>500V峰-峰值。
53.如权利要求51或52所述的质量分析器,其中t3选自于:(i)<1ms; (ii)1-10ms;(iii)10-20ms;(iv)20-30ms;(v)30-40ms;(vi)40-50ms; (vii)50-60ms;(viii)60-70ms;(ix)70-80ms;(x)80-90ms;(xi)90-100ms; (xii)100-200ms;(xiii)200-300ms;(xiv)300-400ms;(xv)400-500ms; (xvi)500-600ms;(xvii)600-700ms;(xviii)700-800ms;(xix)800-900ms; (xx)900-1000ms;(xxi)1-2s;(xxii)2-3s;(xxiii)3-4s;(xxiv)4-5s; 以及(xxv)>5s。
54.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括第四装置,所述 第四装置被布置成和适合于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性 增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它 方式减小向所述电极施加的所述RF或AC电压的频率。
55.如权利要求54所述的质量分析器,其中所述第四装置被布置成 和适合于在时间段t4内将向所述电极施加的所述RF或AC电压的频率逐 渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、递 进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它方式减小x4MHz。
56.如权利要求55所述的质量分析器,其中x4选自于:(i)<100kHz; (ii)100-200kHz;(iii)200-300kHz;(iv)300-400kHz;(v)400-500kHz; (vi)0.5-1.0MHz;(vii)1.0-1.5MHz;(viii)1.5-2.0MHz;(ix)2.0-2.5MHz; (x)2.5-3.0MHz;(xi)3.0-3.5MHz;(xii)3.5-4.0MHz;(xiii)4.0-4.5MHz; (xiv)4.5-5.0MHz;(xv)5.0-5.5MHz;(xvi)5.5-6.0MHz;(xvii)6.0-6.5MHz; (xviii)6.5-7.0MHz;(xix)7.0-7.5MHz;(xx)7.5-8.0MHz;(xxi) 8.0-8.5MHz;(xxii)8.5-9.0MHz;(xxiii)9.0-9.5MHz;(xxiv)9.5-10.0MHz; 以及(xxv)>10.0MHz。
57.如权利要求55或56所述的质量分析器,其中t4选自于:(i)<1ms; (ii)1-10ms;(iii)10-20ms;(iv)20-30ms;(v)30-40ms;(vi)40-50ms; (vii)50-60ms;(viii)60-70ms;(ix)70-80ms;(x)80-90ms;(xi)90-100ms; (xii)100-200ms;(xiii)200-300ms;(xiv)300-400ms;(xv)400-500ms; (xvi)500-600ms;(xvii)600-700ms;(xviii)700-800ms;(xix)800-900ms; (xx)900-1000ms;(xxi)1-2s;(xxii)2-3s;(xxiii)3-4s;(xxiv)4-5s; 以及(xxv)>5s。
58.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括第五装置,所述 第五装置被布置成和适合于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性 增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它 方式减小向所述离子引导器的所述电极中的至少一些电极施加的并且用 以在径向方向上限制离子于所述离子引导器内的DC电压或电势的幅度。
59.如权利要求58所述的质量分析器,其中所述第五装置被布置成 和适合于在时间段t5内将向所述至少一些电极施加的所述DC电压或电势 的幅度逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以 阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它方式减小x5伏。
60.如权利要求59所述的质量分析器,其中x5选自于:(i)<0.1V; (ii)0.1-0.2V;(iii)0.2-0.3V;(iv)0.3-0.4V;(v)0.4-0.5V;(vi)0.5-0.6V; (vii)0.6-0.7V;(viii)0.7-0.8V;(ix)0.8-0.9V;(x)0.9-1.0V;(xi)1.0-1.5V; (xii)1.5-2.0V;(xiii)2.0-2.5V;(xiv)2.5-3.0V;(xv)3.0-3.5V;(xvi) 3.5-4.0V;(xvii)4.0-4.5V;(xviii)4.5-5.0V;(xix)5.0-5.5V;(xx)5.5-6.0V; (xxi)6.0-6.5V;(xxii)6.5-7.0V;(xxiii)7.0-7.5V;(xxiv)7.5-8.0V;(xxv) 8.0-8.5V;(xxvi)8.5-9.0V;(xxvii)9.0-9.5V;(xxviii)9.5-10.0V;以及 (xxix)>10.0V。
61.如权利要求59或60所述的质量分析器,其中t5选自于:(i)<1ms; (ii)1-10ms;(iii)10-20ms;(iv)20-30ms;(v)30-40ms;(vi)40-50ms; (vii)50-60ms;(viii)60-70ms;(ix)70-80ms;(x)80-90ms;(xi)90-100ms; (xii)100-200ms;(xiii)200-300ms;(xiv)300-400ms;(xv)400-500ms; (xvi)500-600ms;(xvii)600-700ms;(xviii)700-800ms;(xix)800-900ms; (xx)900-1000ms;(xxi)1-2s;(xxii)2-3s;(xxiii)3-4s;(xxiv)4-5s; 以及(xxv)>5s。
62.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括用于在一工作模 式下将所述离子引导器维持于从以下压力中选择的压力的装置:(i) <1.0×10-1mbar;(ii)<1.0×10-2mbar;(iii)<1.0×10-3mbar;以及(iv) <1.0×10-4mbar。
63.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括用于在一工作模 式下将所述离子引导器维持于从以下压力中选择的压力的装置:(i) >1.0×10-3mbar;(ii)>1.0×10-2mbar;(iii)>1.0×10-1mbar;(iv)>1mbar; (v)>10mbar;(vi)>100mbar;(vii)>5.0×10-3mbar;(viii)>5.0×10-2mbar; (ix)10-4-10-3mbar;(x)10-3-10-2mbar;以及(xi)10-2-10-1mbar。
64.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括被布置成和适合 于逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、 递进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它方式减小经过所述离子引导 器的气流的装置。
65.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中在一工作模式下离 子被布置成基本上以质荷比的逆序退出所述质量分析器。
66.如任何前述权利要求所述的质量分析器,其中在一工作模式下离 子被布置成被捕获于所述离子引导器内但是在所述离子引导器内基本上 不裂解。
67.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括用于在所述离子 引导器内碰撞冷却或基本上使离子热化的装置。
68.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括用于在一工作模 式下在所述离子引导器内使离子基本上裂解的装置。
69.如任何前述权利要求所述的质量分析器,还包括在所述离子引导 器的入口和/或出口布置的一个或多个电极,其中在一工作模式下离子以 脉冲形式进入和/或退出所述离子引导器。
70.一种质谱仪,包括如任何前述权利要求所述的质量分析器。
71.如权利要求70所述的质谱仪,还包括从以下离子源中选择的离 子源:(i)电喷雾电离(“ESI”)离子源;(ii)大气压光电离(“APPI”) 离子源;(iii)大气压化学电离(“APCI”)离子源;(iv)基质辅助激光解 吸电离(“MALDI”)离子源;(v)激光解吸电离(“LDI”)离子源;(vi) 大气压电离(“API”)离子源;(vii)硅上解吸电离(“DIOS”)离子源; (vii)电子冲击(“EI”)离子源;(ix)化学电离(“CI”)离子源;(x) 场电离(“FI”)离子源;(xi)场解吸(“FD”)离子源;(xii)感应耦合 等离子体(“ICP”)离子源;(xiii)快原子轰击(“FAB”)离子源;(xiv) 液体二次离子质谱测定(“LSIMS”)离子源;(xv)解吸电喷雾电离 (“DESI”)离子源;以及(xvi)镍-63放射性离子源。
72.如权利要求70或71所述的质谱仪,还包括连续或脉冲式离子源。
73.如权利要求70、71或72中任何权利要求所述的质谱仪,还包括 在所述质量分析器的上游和/或下游布置的一个或多个质量过滤器。
74.如权利要求73所述的质谱仪,其中所述一个或多个质量过滤器 选自于:(i)四极杆集质量过滤器;(ii)飞行时间质量过滤器或质量分析 器;(iii)Wein过滤器;以及(iv)磁式扇形质量过滤器或质量分析器。
75.如权利要求70-74中任何权利要求所述的质谱仪,还包括在所述 质量分析器的上游和/或下游布置的一个或多个第二离子引导器或离子捕 获器。
76.如权利要求75所述的质谱仪,其中所述一个或多个第二离子引 导器或离子捕获器选自于:
(i)多极杆集或分段多极杆集离子引导器或离子捕获器,包括四极 杆集、六极杆集、八极杆集或具有多于八个杆的杆集;
(ii)离子隧道或离子漏斗式离子引导器或离子捕获器,包括具有孔 的多个电极或至少2、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90或100 个电极,在使用时离子穿过所述孔,其中所述电极的至少1%、5%、10 %、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、 65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100%具有基本上相同尺 寸或面积的孔或者尺寸或面积逐渐变大和/或变小的孔;
(iii)平面、板或网电极堆或列,其中所述平面、板或网电极堆或列 包括多个或至少2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、 16、17、18、19或20个平面、板或网电极,或者所述平面、板或网电极 的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、 50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100 %大致布置于在使用时离子行进的平面上;以及
(iv)离子捕获器或离子引导器,包括沿着所述离子捕获器或离子引 导器的长度轴向布置的多组电极,其中每组电极包括:(a)第一和第二电 极以及用于将DC电压或电势施加到所述第一和第二电极以便在第一径 向方向上限制离子于所述离子引导器内的装置;以及(b)第三和第四电 极以及用于将AC或RF电压施加到所述第三和第四电极以便在第二径向 方向上限制离子于所述离子引导器内的装置。
77.如权利要求75或76所述的质谱仪,其中所述第二离子引导器或 离子捕获器包括离子隧道或离子漏斗式离子引导器或离子捕获器,并且其 中所述电极的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、 40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90 %、95%或100%具有从以下内直径或尺度中选择的内直径或尺度:(i) ≤1.0mm;(ii)≤2.0mm;(iii)≤3.0mm;(iv)≤4.0mm;(v)≤5.0mm;(vi) ≤6.0mm;(vii)≤7.0mm;(viii)≤8.0mm;(ix)≤9.0mm;(x)≤10.0mm; 以及(xi)>10.0mm。
78.如权利要求75、76或77所述的质谱仪,其中所述第二离子引导 器或离子捕获器还包括第二AC或RF电压装置,所述第二AC或RF电 压装置被布置成和适合于将AC或RF电压施加到所述第二离子引导器或 离子捕获器的所述多个电极的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、 30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80 %、85%、90%、95%或100%以便径向限制离子于所述第二离子引导器 或离子捕获器内。
79.如权利要求75-78中任何权利要求所述的质谱仪,其中所述第二 离子引导器或离子捕获器被布置成和适合于从所述质量分析器接收离子 束或组并且转换或划分所述离子束或组,使得在任何特定时间至少1、2、 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19或20 个单独的离子包被限制和/或隔离于所述第二离子引导器或离子捕获器 内,并且其中每个离子包被单独限制和/或隔离于在所述第二离子引导器 或离子捕获器中形成的单独的轴向势阱中。
80.如权利要求75-79中任何权利要求所述的质谱仪,还包括被布置 成和适合于在一工作模式下向上游和/或下游经过或沿着所述第二离子引 导器或离子捕获器的轴向长度的至少1%、5%、10%、15%、20%、25 %、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、 80%、85%、90%、95%或100%驱策至少一些离子的装置。
81.如权利要求75-80中任何权利要求所述的质谱仪,还包括瞬态 DC电压装置,所述瞬态DC电压装置被布置成和适合于将一个或多个瞬 态DC电压或电势或一个或多个瞬态DC电压或电势波形施加到构成所述 第二离子引导器或离子捕获器的所述电极以便向下游和/或上游沿着所述 第二离子引导器或离子捕获器的轴向长度的至少1%、5%、10%、15%、 20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70 %、75%、80%、85%、90%、95%或100%驱策至少一些离子。
82.如权利要求75-81中任何权利要求所述的质谱仪,还包括AC或 RF电压装置,所述AC或RF电压装置被布置成和适合于将两个或更多 相移AC或RF电压施加到构成所述第二离子引导器或离子捕获器的电极 以便向下游和/或上游沿着所述第二离子引导器或离子捕获器的轴向长度 的至少1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、 50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100 %驱策至少一些离子。
83.如权利要求75-82中任何权利要求所述的质谱仪,还包括被布置 成和适合于将所述第二离子引导器或离子捕获器的至少一部分维持于从 以下压力中选择的压力的装置:(i)>0.0001mbar;(ii)>0.001mbar;(iii) >0.01mbar;(iv)>0.1mbar;(v)>1mbar;(vi)>10mbar;(vii)>1mbar; (viii)0.0001-100mbar;以及(ix)0.001-10mbar。
84.如权利要求70-83中任何权利要求所述的质谱仪,还包括被布置 成和适合于通过碰撞诱发解离(“CID”)来使离子裂解的碰撞、裂解或反 应设备。
85.如权利要求70-84中任何权利要求所述的质谱仪,还包括从以下 设备中选择的碰撞、裂解或反应设备:(i)表面诱发解离(“SID”)裂解 设备;(ii)电子转移解离裂解设备;(iii)电子捕获解离裂解设备;(iv) 电子碰撞或冲击解离裂解设备;(v)光诱发解离(“PID”)裂解设备;(vi) 激光诱发解离裂解设备;(vii)红外辐射诱发解离设备;(viii)紫外辐射 诱发解离设备;(ix)喷嘴-分液器接口裂解设备;(x)内源裂解设备;(xi) 离子源碰撞诱发解离裂解设备;(xii)热或温度源裂解设备;(xiii)电场 诱发裂解设备;(xiv)磁场诱发裂解设备;(xv)酶消化或酶降解裂解设 备;(xvi)离子-离子反应裂解设备;(xvii)离子-分子反应裂解设备; (xviii)离子-原子反应裂解设备;(xix)离子-亚稳离子反应裂解设备; (xx)离子-亚稳分子反应裂解设备;(xxi)离子-亚稳原子反应裂解设 备;(xxii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-离子反应设备; (xxiii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-分子反应设备; (xxiv)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-原子反应设备; (xxv)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚稳离子反应设 备;(xxvi)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚稳分子反 应设备;以及(xxvii)用于使离子反应以形成加合或产物离子的离子-亚 稳原子反应设备。
86.如权利要求84或85所述的质谱仪,还包括被布置成和适合于在 所述质量分析器的周期时间内或期间逐渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫 描、线性增大、线性减小、以阶跃、递进或其它方式增大或者以阶跃、递 进或其它方式减小所述质量分析器与所述碰撞、裂解或反应单元之间电势 差的装置。
87.如权利要求70-86中任何权利要求所述的质谱仪,还包括在所述 质量分析器的下游布置的另外质量分析器。
88.如权利要求87所述的质谱仪,其中所述另外质谱仪选自于:(i) 傅立叶变换(“FT”)质量分析器;(ii)傅立叶变换离子回旋共振(“FTICR”) 质量分析器;(iii)飞行时间(“TOF”)质量分析器;(iv)正交加速飞行 时间(“oaTOF”)质量分析器;(v)轴向加速飞行时间质量分析器;(vi) 磁式扇形质谱仪;(vii)保罗(Paul)或3D四极质量分析器;(viii)2D 或线性四极质量分析器;(ix)彭宁(Penning)捕获器质量分析器;(x) 离子捕获器质量分析器;(xi)傅立叶变换轨道捕获器;(xii)静电离子回 旋共振质谱仪;(xiii)静电傅立叶变换质谱仪;以及(xiv)四极杆集质量 过滤器或质量分析器。
89.如权利要求87或88所述的质谱仪,还包括被布置成和适合于在 所述质量分析器的周期时间内或期间与所述质量分析器的工作同步地逐 渐增大、逐渐减小、逐渐变化、扫描、线性增大、线性减小、以阶跃、递 进或其它方式增大或者以阶跃、递进或其它方式减小所述另外分析器的质 荷比传送窗的装置。
90.一种离子质量分析方法,包括:
提供包括多个电极的离子引导器;
将AC或RF电压施加到所述多个电极中的至少一些电极,使得在使 用时沿着所述离子引导器的轴向长度的至少一部分产生多个轴向时间平 均的或伪的势垒、沟槽或阱;并且
沿着和/或经过所述离子引导器的轴向长度的至少一部分驱动或驱策 离子,使得在一工作模式下质荷比在第一范围内的离子退出所述离子引导 器而质荷比在不同的第二范围内的离子由所述多个轴向时间平均的或伪 的势垒、沟槽或阱轴向捕获或限制于所述离子引导器内。
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