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温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路

阅读：805发布：2020-05-12

专利汇可以提供温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路。具体而言，温度检测电路包括：第一整流元件，其具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第一节点的阳极；在所述第一整流元件与第二基准电压之间与第二整流元件串联连接的第一阻抗元件；第三整流元件，其具有处于所述第一基准电压的阴极以及连接至第二节点的阳极；在所述第三整流元件与所述第二基准电压之间串联连接的第二阻抗元件和第四整流元件；以及差分放大器，其输出对应于所述第一节点与所述第二节点之间的电势差的差分信号对。所述对中的差分信号响应于温度改变而在相反方向上发生幅值变化。，下面是温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种温度检测电路，包括：
第一整流元件，其具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第一节点的阳极；
与第二整流元件串联连接的第一阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二整流元件连接在所述第一节点与第二基准电压之间；
第三整流元件，其具有处于所述第一基准电压的阴极以及连接至第二节点的阳极；
与第四整流元件串联连接的第二阻抗元件，所述第二阻抗元件和所述第四整流元件连接在所述第二节点与所述第二基准电压之间；以及
差分放大器，其被配置为基于所述第一节点与所述第二节点之间的电势差输出差分信号对，其中
响应于温度改变，所述差分信号对中的第一信号的幅值在所述差分信号对中的第二信号的幅值减小时增大，并且所述差分信号对中的所述第一信号的所述幅值在所述差分信号对中的所述第二信号的所述幅值增大时减小。
2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，
所述第一整流元件的面积系数小于所述第二整流元件的面积系数，并且所述第三整流元件的面积系数大于所述第四整流元件的面积系数。
3.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述第二整流元件的所述阳极处于所述第二基准电压，并且所述第二整流元件的所述阴极连接至所述第一阻抗元件。
4.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述第四整流元件的所述阳极处于所述第二基准电压，并且所述第四整流元件的所述阴极连接至所述第二阻抗元件。
5.根据权利要求1所述的温度检测电路，进一步包括：
连接在所述第一节点与所述第一基准电压之间的第一分压电路，
其中，所述第一节点与所述第二节点之间的电势差是通过使用对应于所述第一节点处的电势的第一分压来确定的，所述第一分压被从所述第一分压电路提供给所述差分放大器。
6.根据权利要求5所述的温度检测电路，其中，所述第一阻抗元件的阻抗值小于所述第二阻抗元件的阻抗值。
7.根据权利要求5所述的温度检测电路，其中，
所述第一整流元件的面积系数小于所述第二整流元件的面积系数，并且所述第三整流元件的面积系数大于所述第四整流元件的面积系数。
8.根据权利要求1所述的温度检测电路，进一步包括：
连接在所述第二节点与所述第一基准电压之间的第二分压电路，
其中，所述第一节点与所述第二节点之间的电势差是通过使用对应于所述第二节点处的电势的第二分压来确定的，所述第二分压被从所述第二分压电路提供给所述差分放大器。
9.根据权利要求8所述的温度检测电路，其中，
所述第一整流元件的面积系数小于所述第二整流元件的面积系数，并且所述第三整流元件的面积系数大于所述第四整流元件的面积系数。
10.根据权利要求8所述的温度检测电路，其中，所述第二阻抗元件的阻抗值小于所述第一阻抗元件的阻抗值。
11.根据权利要求1所述的温度检测电路，进一步包括：
连接在所述第一节点与所述第一基准电压之间的第一分压电路；以及
连接在所述第二节点与所述第一基准电压之间的第二分压电路；
其中，所述第一节点与所述第二节点之间的电势差是通过使用第一分压和第二分压来确定的，所述第一分压对应于所述第一节点处的电势，所述第一分压被从所述第一分压电路提供给所述差分放大器，所述第二分压对应于所述第二节点处的电势，所述第二分压被从所述第二分压电路提供给所述差分放大器。
12.根据权利要求11所述的温度检测电路，其中，
所述第一整流元件的面积系数小于所述第二整流元件的面积系数，并且所述第三整流元件的面积系数大于所述第四整流元件的面积系数。
13.一种温度补偿电路，包括：
温度检测电路，包括：
第一整流元件，其具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第一节点的阳极；
与第二整流元件串联连接的第一阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二整流元件连接在所述第一节点与第二基准电压之间；
第三整流元件，其具有处于所述第一基准电压的阴极以及连接至第二节点的阳极；
与第四整流元件串联连接的第二阻抗元件，所述第二阻抗元件和所述第四整流元件连接在所述第二节点与所述第二基准电压之间；以及
差分放大器，其被配置为输出对应于所述第一节点与所述第二节点之间的电势差的差分信号对；以及
传输门，其被配置为根据所述差分信号对来切换输入端子与输出端子之间的传导状态。
其中，所述差分放大器输出的所述差分信号对中的第一信号的幅值和所述差分信号对中的第二信号的幅值响应于温度的改变而在相反方向上变化。
14.根据权利要求13所述的电路，其中，所述传输门包括在所述输入端子与所述输出端子之间并联连接的p型金属氧化物半导体晶体管和n型金属氧化物半导体晶体管。
15.根据权利要求14所述的电路，其中，电阻器与所述晶体管并联连接。
16.根据权利要求14所述的电路，其中，所述差分信号对中的第一信号被提供给所述n型金属氧化物半导体晶体管的栅电极，并且所述差分信号对中的第二信号被提供给所述p型金属氧化物半导体晶体管的栅电极。
17.一种缓冲电路，包括：
缓冲部分，其被配置为对从内部电路接收到的信号进行缓冲，并且输出缓冲后的信号；
以及
温度补偿电路，其连接至所述缓冲部分以在所述温度补偿电路的输入端子处接收缓冲后的信号，并且包括：
第一整流元件，其具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第一节点的阳极；
与第二整流元件串联连接的第一阻抗元件，所述第一阻抗元件和所述第二整流元件连接在所述第一节点与第二基准电压之间；
第三整流元件，其具有处于所述第一基准电压的阴极以及连接至第二节点的阳极；
与第四整流元件串联连接的第二阻抗元件，所述第二阻抗元件和所述第四整流元件连接在所述第二节点与所述第二基准电压之间；以及
差分放大器，其被配置为输出对应于所述第一节点与所述第二节点之间的电势差的差分信号对；以及
传输门，其被配置为根据所述差分信号对来切换所述缓冲电路的输入端子与输出端子之间的传导状态。
其中，所述差分信号对中的第一信号的幅值和所述差分信号对中的第二信号的幅值响应于温度的改变而在相反方向上变化。
18.根据权利要求17所述的电路，其中，所述传输门包括在所述输入端子与所述输出端子之间并联连接的p型金属氧化物半导体晶体管和n型金属氧化物半导体晶体管。
19.根据权利要求18所述的电路，其中，电阻器与所述晶体管并联连接。
20.根据权利要求17所述的电路，其中，
所述第一阻抗元件的阻抗值小于所述第二阻抗元件的阻抗值，
所述第一整流元件的面积系数小于所述第二整流元件的面积系数，并且所述第三整流元件的面积系数大于所述第四整流元件的面积系数。

说明书全文

温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路

[0001] 相关申请的交叉参考

[0002] 本申请基于2012年12月28日提交的日本专利申请No.2012-288727并要求享有其优先权权益；其全部内容通过参考并入本文中。

技术领域

[0003] 本文中描述的实施例一般地涉及温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路。

背景技术

[0004] 对于与10MHz或更高频率的时钟信号同步地输出数字信号的半导体集成电路，通常布置输出接口电路以实现可靠的高速操作。例如，对于与26MHz时钟信号同步的数字信号，要求数字信号的上升沿时间（此后称为tr）和下降沿时间（此后称为tf）为约2至6纳秒（ns）。为tr和tf设定低的限制以防止产生噪声。

[0005] 因此，在输出接口电路的设计中，调节结构部分的电路常数以获得期望的tr、tf。然而，tr和tf由于电源电压的变化以及温度的变化而变化，使得这样的调节难以实现。

[0006] 可以将不受电源电压的变化以及温度的变化的影响的带隙基准电路（此后称为BGR电路）的输出电势作为基准电势，并且调节tr和tf。然而，BGR电路不具有良好的响应性，使得对于具有低电源电压的集成电路或者要求在接通电源后立即传导高速数据输出的集成电路而言，BGR电路的响应速度无法赶上输出数据的定时。发明内容

[0007] 实施例提供了能够调节具有良好的响应性的信号的上升沿时间和下降沿时间的温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路。

[0008] 根据一个实施例，温度检测电路包括：第一整流元件（例如，二极管），具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第一节点的阳极；第一阻抗元件和第二整流元件，串联连接在第一节点与第二基准电压之间；第三整流元件，具有处于第一基准电压的阴极以及连接至第二节点的阳极；第二阻抗元件和第四整流元件，串联连接在第二节点与第二基准电压之间；以及差分放大器，配置为输出对应于第一节点与第二节点之间的电势差的差分信号对。差分信号对的信号的幅值响应于温度的改变而在相反方向上变化。附图说明

[0009] 图1是示出了根据实施例的包括温度检测电路、温度补偿电路和缓冲电路的半导体集成电路的示意结构的框图。

[0010] 图2是示出了可变输出电阻器的内部结构的示例的电路图。

[0011] 图3是示出了温度检测电路的第一示例的电路图。

[0012] 图4是示出了从图3所示的温度检测电路中输出的差分信号对（cont、cont/）的温度依赖性的曲线图。

[0013] 图5是示出了当从温度检测电路中输出如图4所示的差分信号对（cont、cont/）时，从半导体集成电路的输出端子中输出的信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf的温度依赖性的曲线图。

[0014] 图6是示出了温度检测电路的第二示例的电路图。

[0015] 图7是示出了温度检测部分的第三示例的电路图。

[0016] 图8是示出了温度检测部分的第四示例的电路图。

具体实施方式

[0017] 将参考附图描述实施例。

[0018] 图1是示出了根据实施例的包括温度检测电路、温度补偿电路和缓冲电路的半导体集成电路1的示意结构的框图。

[0019] 如图1所示，半导体集成电路1具有内部电路2和输出缓冲器3。输出缓冲器3对内部电路2的输出信号进行缓冲，并且通过输出端子OUT输出所述信号。不存在对内部电路2的具体电路结构的限制。例如，内部电路2可以由包括执行各种类型的逻辑操作的逻辑门、触发器等的组合电路形成。当内部电路2输出多个输出信号时，可以为每个输出信号布置输出缓冲器3。

[0020] 输出缓冲器3包括缓冲部分4和温度补偿电路5。温度补偿电路5包括可变输出电阻器6和温度检测电路7。

[0021] 缓冲部分4对内部电路2的输出信号进行缓冲，并且将输出信号提供给可变输出电阻器6的一端。可变输出电阻器6位于缓冲部分4的输出节点与输出端子OUT之间。可以对应于温度检测电路7的输出信号调节可变输出电阻器6的电阻。可变输出电阻器6的电阻由温度检测电路7控制，使得输出信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf在不受温度影响的规定的时间范围内。

[0022] 图2是示出了可变输出电阻器6的示例性内部结构的电路图。如图2所示，可变输出电阻器6包括在缓冲部分4的输出节点与输出端子OUT之间的电阻器Rout1。可变输出电阻器6包括与电阻器Rout1并联连接的传输门8。传输门8具有与电阻器Rout1并联连接的NMOS晶体管N1和PMOS晶体管P1。

[0023] 将来自温度检测电路7的差分信号对的第一信号（信号cont）提供给NMOS晶体管N1的栅极；将差分信号对的第二信号（信号cont/）提供给PMOS晶体管P1的栅极。

[0024] 对于温度检测电路7，通过根据温度调节差分信号对（cont、cont/）的信号电平，调节可变输出电阻器6的电阻，使得从输出端子OUT输出的信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf在不依赖于温度的规定的时间区域内。例如，当输出信号的频率是约26MHz时，输出信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf在2至6ns的范围内。

[0025] 图3是示出了温度检测电路7的第一示例的电路图。如图3所示，温度检测电路7具有温度检测部分11和差分放大器12，所述温度检测部分11输出差分信号对V1、V2，所述差分放大器12放大差分信号对V1、V2并产生差分信号对cont、cont/。

[0026] 温度检测部分11包括：在电源电压（第二基准电压）Vdd与地电压（第一基准电压）Vss之间串联连接的电阻器（第一阻抗元件）R1、二极管（第二整流元件）D1和二极管（第一整流元件）D2；同样在电源电压Vdd与地电压Vss之间连接的电阻器（第二阻抗元件）R2、二极管（第四整流元件）D3和二极管（第三整流元件）D4；以及在二极管D1、D2之间的中间节点（第一中间节点）Vb与地电压Vss之间串联连接的电阻器R3和电阻器R4（共同构成第一分压电路）。

[0027] 电阻器R1和二极管D1的连接顺序可以反转。即，可以采纳如下的方案：其中，二极管的阳极连接至电源电压Vdd，阴极连接至电阻器R1的一端，并且电阻器R1的另一端连接至中间节点Vb。类似地，电阻器R2和二极管D3的连接顺序也可以反转。即，可以采纳如下的方案：其中，二极管D3的阳极连接至电源电压Vdd，阴极连接至电阻器R2的一端，并且电阻器R2的另一端连接至在二极管D3、D4之间的中间节点V2。

[0028] 差分信号对的一个信号V1是通过由串联连接的电阻器R3、R4分压而获得的信号；差分信号对的另一个信号V2是在二极管D3、D4之间的中间节点（第二中间节点）上的信号。

[0029] 设定温度检测部分11的电阻器R1、R2的电阻之间以及二极管D1至D4的面积系数（area factor）之间的以下列出的关系。

[0030] （1）R1

[0031] （2）二极管D1的面积系数M1>二极管D2的面积系数M2

[0032] （3）二极管D3的面积系数M3<二极管D4的面积系数M4

[0033] 此处，面积系数指的是二极管的相对大小。面积系数越大，二极管中的电流流动越容易。

[0034] 将解释根据（1）至（3）设定温度检测部分11的电阻器R1、R2的电阻以及二极管D1至D4的面积系数M1至M4的原因。

[0035] 作为示例，将电阻器R1至R4以及二极管D1至D4的面积系数M1至M4设定为以下的值：

[0036] R1=5KΩ，R2=R3=460KΩ，R4=1850KΩ

[0037] 二极管D1、D4的面积系数M1、M4=20

[0038] 二极管D2、D3的面积系数M2、M3=1

[0039] 从温度检测部分11输出的差分信号对V1、V2被输入至差分放大器12，并且被放大以产生差分信号对cont、cont/。差分信号对cont、cont/具有彼此相反的温度特性。即，温度检测部分11产生输入至差分放大器12的差分信号对V1、V2，使得从差分放大器12输出的差分信号对cont、cont/具有彼此相反的温度特性。

[0040] 图4是示出了从图3所示的温度检测电路7输出的差分信号对（cont、cont/）的温度依赖性的曲线图。在图4中，横坐标表示温度（℃），纵坐标表示差分信号对cont、cont/的电压电平（V）。如附图所示，差分信号对的第一信号（信号cont）具有如下的温度特性：电压电平随着温度变高而上升，而差分信号对的第二信号（信号cont/）具有如下的温度特性：电压电平随着温度变高而下降。结果，差分信号对cont、cont/的信号波形在0至20℃之间彼此交叉。

[0041] 这样，差分信号对cont、cont/的温度特性彼此相反。类似地，差分信号对V1、V2的温度特性也彼此相反。

[0042] 对于温度检测电路7，图5是示出了从半导体集成电路1的输出端子OUT输出的信号的上升沿时间tr和下降沿时间tf的温度依赖性的曲线图，所述半导体集成电路1输出如图4所示的差分信号对cont、cont/。在图5中，横轴表示温度（℃），纵轴表示tr、tf（ns）。在图5中，实线波形w1示出了根据本实施例的tr、tf；虚线波形w2示出了当没有布置图1所示的温度补偿电路5时的tr、tf。

[0043] 当没有布置根据本实施例的温度补偿电路5时，如可以从图5中的虚线波形w2看到的，随着温度上升，tr和tf两者都增加。随着温度变高，信号的上升沿和下降沿两者都变钝（obtuse），使得性能得不到保证。另一方面，当布置了根据本实施例的温度补偿电路5后，如可以从图5所示的实线波形w1看出的，虽然tr和tf两者都随着温度上升而增加直至到达规定的温度，但是当温度进一步上升时，tr和tf两者都降低。结果，tr和tf两者都不会变得比规定的时间范围更长，能够抑制上升沿时间和下降沿时间的温度依赖性，并且可以保证性能的温度范围变得更宽。

[0044] 在下文中，将介绍设定温度检测电路7中的温度检测部分11的电阻器R1、R2的电阻和二极管D1至D4的面积系数的原因。

[0045] 图3所示的温度检测部分11将通过对在二极管D1、D2的中间节点处的电压Vb1进行电阻分压而获得的电压作为差分信号对的一个信号V1；温度检测部分11将在二极管D3、D4的中间节点处的电压Vb2作为差分信号对的另一个信号V2。差分信号对的一个信号V1是通过电阻器R3、R4的电阻分压而产生的，使得在中间节点处的电压Vb1应当被设定得高于电压Vb2。此处，由于使R1

[0046] 在一些实施例中可以省略如图3所示的串联连接的电阻器R3、R4。图6是示出了去除电阻器R3、R4的温度检测电路7的第二示例的电路图。在图6中，二极管D1至D4的电流-电压特性由等式（4）表示：

[0047] （4）I=M(V－VF)/Rs

[0048] 在等式（4）中，M表示二极管的面积系数，VF表示二极管的正向电压降，并且Rs表示V=VF附近的差分电阻。

[0049] 电阻器R1的电流-电压特性由等式（5）表示：

[0050] （5）I={Vdd－(Vb1+Vdidl)}/R

[0051] 在等式（5）中，Vdidl表示二极管D1的正向电压。

[0052] 二极管D1的电流-电压特性可以根据等式（4）由以下的等式（6）表示：

[0053] （6）I=M1(Vdidl－VF)/Rs

[0054] 等式（7）是等式（6）的修改形式：

[0055] （7）Vdidl=I×Rs/M1+VF

[0056] 在等式（7）中，M1表示二极管D1的面积系数。

[0057] 类似地，二极管D2的电流-电压特性由等式（8）表示：

[0058] （8）I=M2(Vb1－VF)/Rs

[0059] 修改等式（8）得到等式（9）：

[0060] （9）Vb1=I×Rs/M2+VF

[0061] 通过将等式（7）和等式（9）代入等式（5），并求解I，得到等式（10）：

[0062] （10）I=(Vdd－2VF)/{R+Rs(1/M1+1/M2)}

[0063] 通过将等式（10）代入等式（9），得到等式（11）：

[0064] （11）Vb1=

[0065] [Vdd+VF{M2(R/Rs)+(M2/M1)－1}]/{M2(R/Rs)+1+(M2/M1)}

[0066] 此处，当R充分地小且M2(R/Rs)<<1时，等式（11）可以由等式（12）近似地表示：

[0067] （12）Vb≈[Vdd+VF{(M2/M1)－1}]/{(M2/M1)+1}]

[0068] 二极管的正向电压降VF具有温度系数为负的温度依赖性。因此，从等式（12）中可以得出以下的结论：当M2>M1时，Vb1具有负温度系数，并且当M2正温度系数。

[0069] 等式（5）至（12）具有为串联连接的电阻器R2、二极管D3和二极管D4构建的相同的关系。即，当M4>M3时，Vb2具有负温度系数，并且当M4

[0070] 根据本实施例，在从温度检测部分11输出的差分信号对Vb1=V1和Vb2=V2中，一个信号具有正温度系数而另一个信号具有负温度系数。结果，可以补偿温度依赖性。

[0071] 在相关的领域中，通过BGR电路产生不具有任何温度依赖性的基准电势。然而，BGR电路的响应性差。考虑到该问题，根据本实施例，使用具有彼此相反的温度特性的差分信号对V1、V2来执行温度补偿，以取代使用不具有温度依赖性的基准电势。但是，因为差分信号对V1、V2两者都具有小的信号幅度，所以难以仅仅用差分信号对V1、V2之一而以高精度进行温度补偿。此处，根据本实施例，使用具有彼此相反的温度特性的差分信号对V1、V2，并且将由差分放大器12放大的差分信号对cont、cont/提供给可变输出电阻器6，以允许对可变输出电阻器6的电阻进行温度补偿。

[0072] 借助差分信号对cont、cont/控制图2所示的传输门8，从而可以实现以下的效果：例如，假定温度上升，可以降低传输门8的导通电阻，并且如图5所示的，当温度上升时，可以使tr和tf两者都变短。

[0073] 在图6所示的电路结构中，从温度检测部分11输出的差分信号对V1、V2具有图4所示的温度特性，不存在对电阻器R1、R2之间的数值关系的具体限制。R1R2是符合要求的，并且R1=R2也是符合要求的。然而，此处，对于二极管D1至D4的面积系数M1至M4，应当满足M2

[0074] 温度检测部分11的电路结构不限于图3和图6所示的那些。图7是示出了温度检测部分11的第三示例的电路图。对于图7所示的温度检测部分11，除了图3所示的温度检测部分11的结构之外，在二极管D3、D4的中间节点与地电压Vss之间串联连接电阻器R5、R6（第二分压电路），并且通过电阻器R5、R6获得的分压电压变成温度检测部分11的输出电压V2。

[0075] 在图7所示的情况下，差分信号对V1、V2两者都变成分别通过对在二极管D1、D2和二极管D3、D4的中间节点处的电压Vb1、Vb2的电阻器分压而获得的电压，并且差分信号对V1、V2变成低于电压Vb1、Vb2的电压。因此，不存在对电阻器R1、R2之间的数值关系的具体限制。R1R2是符合要求的，并且R1=R2也是符合要求的。然而，此处，对于二极管D1至D4的面积系数M1至M4，应当满足M2

[0076] 在图8所示的温度检测部分11的第四示例中，也可以从图7所示的电路中去除电阻器R3、R4。在这种情况下，因为优选的是中间节点Vb2高于Vb1，所以设定R1>R2。

[0077] 这样，根据本实施例，从温度检测部分11输出的差分信号对V1、V2具有彼此相反的温度特性，并且基于差分信号对V1、V2调节在缓冲部分4的输出节点与输出端子OUT之间包括的可变输出电阻器6的电阻。因此，能够使输出端子OUT的上升沿时间tr和下降沿时间tf在不依赖于温度的规定的时间范围内。

[0078] 可以在不使用BGR电路的情况下执行温度补偿，所述BGR电路产生不受温度影响的基准电势。因此，与布置了BGR电路的情况相比，能够改善输出信号的响应性，并且也能够简化电路结构。

[0079] 虽然已经描述了特定的实施例，但是这些实施例仅仅通过举例加以介绍，而并不意在限制本发明的范围。实际上，本文中描述的新颖的实施例可以以各种其它形式来呈现；此外，在不脱离本发明的精神的情况下可以进行对本文中描述的实施例的形式的各种省略、替代和改变。所附的权利要求和它们的等同形式旨在覆盖将落入本发明的范围和精神内的这样的形式或修改。

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