半导体发光元件
专利汇可以提供半导体发光元件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种 半导体 发光元件，其包含 基板 ，第一局限层位于基板之上，活性区位于第一局限层之上，及第二局限层位于活性区之上。其中活性区包含掺杂杂质的第一型障壁层及未掺杂杂质的第二型障壁层，且第一型障壁层较第二型障壁层更接近第一局限层。，下面是半导体发光元件专利的具体信息内容。
1.一种半导体元件，包含：
基板；
第一局限层位于该基板上；
活性区位于该第一局限层上；及
第二局限层位于该活性区上；
其中该活性区包括掺杂杂质的第一型障壁层及未掺杂杂质的第二型障壁层，且该第一型障壁层较该第二型障壁层更接近该第一局限层。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该活性区具有多重量子阱结构，包含多对量子阱层/障壁层，且每一对量子阱层/障壁层中的量子阱层作为活性层，载流子可于该活性层中结合以产生光子。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该每一对量子阱层/障壁层中的障壁层为该第一型障壁层或该第二型障壁层，且该第一型障壁层数目等于或小于该第一型障壁层和该第二型障壁层总数目的一半。
4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该每一对量子阱层/障壁层中较接近该第一局限层的障壁层为该第一型障壁层而较接近该第二局限层的障壁层为该第二型障壁层。
5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该活性区由(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤1，
0≤y≤1)，AlGaAs，或InGaP其中之一所组成。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体基板为n型GaAs基板；该第一局限层为n型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限层；该第二局限层为p型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限层；及该第一型障壁层为p型掺杂。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该n型局限层厚度大于1μm。
8.如权利要求6所述的半导体元件，其中掺杂于该第一型障壁层及该第二局限层的p型杂质选自一种或一种以上的可提供空穴的p型掺杂元素，包含由镁，锌，铍，或碳所形成的族群。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中分别掺杂于该第一型障壁层及该第二局限层的杂质为不同元素。
10.如权利要求6所述的半导体元件，其中掺杂于该第一型障壁层中的杂质浓度为
16 -3 20 -3
1×10 cm 至1×10 cm 之间。
11.如权利要求6所述的半导体元件，其中还包含转换层位于p型局限层之上，及电流扩散层位于该转换层之上。
12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该转换层为p型InGaP层，及该电流扩散层为p型GaP层。
13.一种半导体元件，包含：
永久基板；
接合层位于该永久基板之上；
第二局限层位于该接合层之上；
活性区位于该第二局限层之上；及
第一局限层位于该活性区之上；
其中该活性区包括掺杂杂质的第一型障壁层及未掺杂杂质的第二型障壁层，且该第一型障壁层较该第二型障壁层更接近该第一局限层。
14.如权利要求13所述的半导体元件，其中该第一局限层为n型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限层；该第二局限层为p型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限层；及该第一型障壁层为p型掺杂。
15.如权利要求14所述的半导体元件，其中还包含电流扩散层位于该接合层之上，及转换层位于该电流扩散层与该第二局限层之间。
16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该电流扩散层为p型GaP层，及该转换层为p型InGaP层。
半导体发光元件
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
106形成于缓冲层104之上，例如为n型的AlInP，AlGaInP或AlGaAs局限层。第二局限层
110可例如为p型的AlInP，AlGaInP或AlGaAs局限层。多重量子阱活性区108形成于第一局限层106和第二局限层110之间。形成活化区108的材料其能隙须较第一局限层106和第二局限层110的能隙小。第二电性的多层结构形成于第二局限层110之上。此多层结构可包括例如转换层112及电流扩散层114形成于转换层112之上。转换层112可为例如p型InGaP层。电流扩散层114可为例如p型GaP层。转换层112用以补偿电流扩散层114和第二局限层110晶格常数的差异。
杂质浓度为1×10 cm 至1×10 cm 。掺杂杂质的障壁层108-2a的杂质浓度须提供邻近量子阱层足够的空穴。然而，假如杂质浓度太高，结晶完整性及半导体发光元件的特性将被破坏，导致元件亮度无法提高。因此，杂质浓度的选择可依达到元件所须的特性来决定。若欲于制作元件100时调整杂质浓度，可于成长掺杂障壁层108-2a时改变掺杂杂质的前驱物的流量。根据第一实施例的半导体发光元件100被掺杂杂质的障壁层108-2a其适合的杂
16 -3 20 -3
质浓度为1×10 cm 至1×10 cm 。掺杂p型杂质例如为镁，锌，铍，或碳。
100在多重量子阱活性区108的全部量子阱层均可达到高结合率，元件亮度因而提高。
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