专利汇可以提供三维可控缺陷态光子晶体的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种三维可控 缺陷 态 光子 晶体的制备方法,该方法采用单光束光镊法与自组织法相结合制备可控缺陷态的三维光子晶体。三维光子晶体是由单分散的微粒组成,用光镊控制适当的小球,制成大面积无缺陷的单晶光子晶体。还可以在光子晶体制备的过程中引入缺陷,制备具有可控缺陷态的三维光子晶体。本发明克服了以往单纯自组织生长三维光子晶体无法控制缺陷态的缺点,达到在自组织生长三维光子晶体时缺陷态可以任意设置。该方法易于操作,制作的三维光子晶体的缺陷态控制准确。,下面是三维可控缺陷态光子晶体的制备方法专利的具体信息内容。
1、一种三维可控缺陷态光子晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将溶剂与定量均匀直径的实心固体小球混合形成悬浊液;小球总体积 与悬浊液的体积比在1∶1000~1∶100之间;然后振荡悬浊液,使得小球在悬浊 液中形成单分散的均匀分布;
(2)在悬浊液中放入酸溶液,调节悬浊液的pH值在4~5之间;
(3)选取一平面基片,用聚焦离子束在基片上打出直径均匀的小洞,小洞 成周期性排列;相邻小洞之间的距离等于小球直径;单个小洞的直径小于小球 直径;
(4)将制备好的悬浊液滴在平面基片上,悬浊液中的小球自动的在基片上 的小洞上面自组织排列;控制滴加的悬浊液的体积,使得小球在平面基片上为 1~2层;
(5)使用光镊系统的激光光镊俘获所述平面基片上的小球,并移动小球, 使得小球在平面基片上形成与平面基片小洞相同的周期性排列;
(6)按顺序重复步骤(4)和(5),直到制备出所需大小的无缺陷的光子 晶体;在制备无缺陷光子晶体的过程中,在步骤(5)之后,滴加与所述实心固 体小球不同介质的异质小球悬浊液,使用光镊俘获所述异质小球,并移动至需 要缺陷的位置,然后继续按顺序重复步骤(4)和(5),直到制备出所需大小的 有缺陷的光子晶体;所述的异质小球悬浊液的制备方法同步骤(1)和(2);所 述的异质小球的直径与所述的实心固体小球直径相等。
2.按权利要求1所述的三维可控缺陷态光子晶体的制备方法,其特征在于, 所述的平面基片的材料包括:玻璃或硅。
3.按权利要求1所述的三维可控缺陷态光子晶体的制备方法,其特征在于, 所述的实心固体小球的材料包括:有机材料或二氧化硅。
4.按权利要求1所述的三维可控缺陷态光子晶体的制备方法,其特征在于, 所述的溶剂为水。
5.按权利要求1所述的三维可控缺陷态光子晶体的制备方法,其特征在于, 所述的酸溶液为盐酸。
本发明涉及一种光子晶体的制备方法,特别是一种三维可控缺陷态光子晶 体的制备方法。
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