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提供被动对准连接性的基光学端口

阅读:192发布:2023-02-12

专利汇可以提供提供被动对准连接性的基光学端口专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且公开提供被动对准连接性的光学端口。在一个实施方案中,光学端口包括具有表面的衬底、 光子 硅 芯片、连接器主体和多个间隔元件。所述光子硅芯片包括电耦合表面、上表面和光学耦合表面。所述光学耦合表面 定位 于所述电耦合表面和所述上表面之间。所述光子硅芯片另外包括在所述光学耦合表面处终止的至少一个 波导 ,以及设置于所述上表面上的芯片接合特征。所述连接器主体包括第一对准特征、第二对准特征、安装表面和所述安装表面处的连接器接合特征。所述连接器接合特征与所述芯片接合特征配合。所述多个间隔元件设置于所述光子硅芯片的所述电耦合表面和所述衬底的所述表面之间。,下面是提供被动对准连接性的基光学端口专利的具体信息内容。

1.一种光学端口,其包括:
衬底,其包括表面;
光子芯片,其紧固到所述衬底,所述光子硅芯片包括:
电耦合表面、上表面和光学耦合表面,其中所述光学耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间;
至少一个光学波导,其在所述光学耦合表面处终止;和
芯片接合特征,其设置于所述上表面上;
连接器主体,其紧固到所述衬底,所述连接器主体包括:
第一对准特征和第二对准特征;
安装表面;和
连接器接合特征,其在所述安装表面处,其中所述连接器接合特征与所述光子硅芯片的所述芯片接合特征配合;和
多个间隔元件,其设置于所述光子硅芯片的所述电耦合表面和所述衬底的所述表面之间。
2.如权利要求1所述的光学端口,其中:
所述衬底包括所述表面内的第一沟槽和第二沟槽;
所述连接器主体包括第一支脚部分和第二支脚部分;
所述第一支脚部分设置于所述第一沟槽中;
所述第二支脚部分设置于所述第二沟槽内;且
所述第一支脚部分和所述第二支脚部分通过粘合剂分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽内紧固到所述衬底。
3.如权利要求2所述的光学端口,其中所述连接器主体另外包括定位于所述第一支脚部分和所述第二支脚部分之间的凹口。
4.如权利要求2所述的光学端口,其中所述连接器主体另外包括与所述安装表面相交的机械耦合表面,所述第一对准特征包括所述机械耦合表面处的第一对准孔,且所述第二对准特征包括所述机械耦合表面处的第二对准孔。
5.如权利要求1-4中任一项所述的光学端口,其中:
所述芯片接合特征是所述光子硅芯片的所述上表面内的凹槽;
所述连接器接合特征是所述安装表面处的肋部分;且
所述连接器主体的所述肋部分设置于所述光子硅芯片的所述凹槽内。
6.如权利要求1-4中任一项所述的光学端口,其中:
所述芯片接合特征包括所述光子硅芯片的所述上表面内的第一插口和第二插口、所述第一插口内的第一球体和所述第二插口内的第二球体;
所述连接器接合特征包括所述连接器主体的所述安装表面内的凹槽;且所述第一球体和所述第二球体设置于所述连接器主体的所述凹槽内。
7.如权利要求1-6中任一项所述的光学端口,其中所述多个间隔元件中的每一间隔元件包括设置于一对抓持器元件之间的光纤。
8.如权利要求7所述的光学端口,其中所述对抓持器元件由聚合物材料制造。
9.如权利要求7所述的光学端口,其中所述光子硅芯片通过球栅阵列电耦合到所述衬底,且每一间隔元件设置于所述球栅阵列的相邻焊球之间。
10.如权利要求9所述的光学端口,其中所述多个间隔元件控制所述球栅阵列的所述焊球的高度。
11.如权利要求1-10中任一项所述的光学端口,其中所述光子硅芯片包括光学耦合到所述至少一个光学波导的至少一个光源
12.如权利要求1-11中任一项所述的光学端口,其另外包括电路板,其中所述衬底通过球栅阵列电耦合到所述电路板
13.如权利要求1所述的光学端口,其中所述连接器主体包括所述安装表面内的凹口,且所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的所述凹口和所述衬底的所述表面界定的凹部内。
14.一种光学端口,其包括:
衬底,其包括表面;
光子硅芯片,其紧固到所述衬底,所述光子硅芯片包括:
电耦合表面、上表面和光学耦合表面,其中所述光学耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间;
至少一个光学波导,其在所述光学耦合表面处终止;和
第一插口和第二插口,其在所述上表面内;
第一球体和第二球体,其分别在所述第一插口和所述第二插口内,和
连接器主体,其紧固到所述衬底,所述连接器主体包括:
第一对准特征和第二对准特征;
安装表面;和
所述安装表面内的凹槽,以及从所述安装表面延伸的至少一个第一接触垫,其中:
所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的所述安装表面和所述衬底的所述表面界定的凹部内;
所述第一接触垫和所述第二接触垫接触所述光子硅芯片的所述上表面;且所述第一球体和所述第二球体设置于所述连接器主体的所述凹槽内。
15.如权利要求14所述的光学端口,其中:
所述衬底包括所述表面内的第一沟槽和第二沟槽;
所述连接器主体包括第一支脚部分和第二支脚部分;
所述第一支脚部分设置于所述第一沟槽中;
所述第二支脚部分设置于所述第二沟槽内;且
所述第一支脚部分和所述第二支脚部分通过粘合剂分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽内紧固到所述衬底。
16.如权利要求15所述的光学端口,其中所述连接器主体另外包括定位于所述第一支脚部分和所述第二支脚部分之间的凹口。
17.如权利要求15所述的光学端口,其中:
所述连接器主体另外包括与所述安装表面相交的机械耦合表面;
所述第一对准特征被配置为所述机械耦合表面处的第一对准孔;且
所述第二对准特征被配置为所述机械耦合表面处的第二对准孔。
18.如权利要求14-17中任一项所述的光学端口,其中所述光子硅芯片通过球栅阵列电耦合到所述衬底。
19.如权利要求14-18中任一项所述的光学端口,其中所述光子硅芯片包括光学耦合到所述至少一个光学波导的至少一个光源。
20.如权利要求14-19中任一项所述的光学端口,其另外包括电路板,其中所述衬底通过球栅阵列电耦合到所述电路板。
21.一种光学端口,其包括:
衬底,其包括表面;
光子硅芯片,其紧固到所述衬底,所述光子硅芯片包括:
电耦合表面、上表面和光学耦合表面,其中所述光学耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间;和
至少一个光学波导,其在所述光学耦合表面处终止;
晶片,其设置于所述光子硅芯片的所述上表面上,所述晶片包括:
上表面;
凹槽,其在所述上表面内;和
第一孔和第二孔,其在所述上表面内,其中所述第一孔和所述第二孔在所述凹槽的相对侧上并且靠近所述机械耦合表面;
对准圆筒,其设置于所述晶片的所述凹槽内;和
连接器主体,其紧固到所述衬底,所述连接器主体包括:
安装表面;
第一对准特征和第二对准特征;和
所述机械耦合表面内的凹槽,以及在所述凹槽的相对侧上从所述安装表面延伸的第一对准桩和第二对准桩,其中:
所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的所述安装表面和所述衬底的所述表面界定的凹部内;
所述第一对准桩和所述第二对准桩分别设置于所述晶片的所述第一孔和所述第二孔内;和
所述对准圆筒设置于所述连接器主体的所述凹槽内。
22.如权利要求21所述的光学端口,其中:
所述晶片包括第三孔;且
所述连接器主体包括从所述安装表面延伸的第三对准桩;且
所述连接器主体的所述第三对准桩设置于所述晶片的所述第三孔内。
23.如权利要求21或22所述的光学端口,其中:
所述衬底包括所述表面内的第一沟槽和第二沟槽;
所述连接器主体包括第一支脚部分和第二支脚部分;
所述第一支脚部分设置于所述第一沟槽中;
所述第二支脚部分设置于所述第二沟槽内;且
所述第一支脚部分和所述第二支脚部分通过粘合剂分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽内紧固到所述衬底。
24.如权利要求23所述的光学端口,其中所述连接器主体另外包括定位于所述第一支脚部分和所述第二支脚部分之间的凹口。
25.如权利要求23或24所述的光学端口,其中:
所述连接器主体另外包括与所述安装表面相交的机械耦合表面;
所述第一对准特征被配置为所述机械耦合表面处的第一对准孔;且
所述第二对准特征被配置为所述机械耦合表面处的第二对准孔。
26.如权利要求21-25中任一项所述的光学端口,其中所述光子硅芯片通过球栅阵列电耦合到所述衬底。
27.如权利要求21-26中任一项所述的光学端口,其中所述光子硅芯片包括光学耦合到所述至少一个光学波导的至少一个光源。
28.如权利要求21-27中任一项所述的光学端口,其另外包括电路板,其中所述衬底通过球栅阵列电耦合到所述电路板。
29.一种光学端口,其包括:
衬底,其包括表面和所述表面内的多个凹槽;
光子硅芯片,其紧固到所述衬底,所述光子硅芯片包括:
电耦合表面、上表面和光学耦合表面,其中所述光学耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间,且所述电耦合表面接触所述衬底的所述表面;
至少一个光学波导,其在所述光学耦合表面处终止;和
芯片接合特征,其设置于所述上表面上;
多个导电元件,其在所述表面内的所述多个凹槽内,其中所述多个导电元件将所述光子硅芯片电耦合到所述衬底;和
连接器主体,其紧固到所述衬底,所述连接器主体包括:
安装表面,其中所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的所述安装表面和所述衬底的所述表面界定的凹部内;
连接器接合特征,其在所述安装表面处,其中所述连接器接合特征与所述光子硅芯片的所述芯片接合特征配合;和
第一对准特征和第二对准特征。
30.如权利要求29所述的光学端口,其中:
所述衬底包括所述表面内的第一沟槽和第二沟槽;
所述连接器主体包括第一支脚部分和第二支脚部分;
所述第一支脚部分设置于所述第一沟槽中;
所述第二支脚部分设置于所述第二沟槽内;且
所述第一支脚部分和所述第二支脚部分通过粘合剂分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽内紧固到所述衬底。
31.如权利要求30所述的光学端口,其中所述连接器主体另外包括定位于所述第一支脚部分和所述第二支脚部分之间的凹口。
32.如权利要求30或31所述的光学端口,其中:
所述连接器主体另外包括与所述安装表面相交的机械耦合表面;
所述第一对准特征被配置为所述机械耦合表面处的第一对准孔;且
所述第二对准特征被配置为所述机械耦合表面处的第二对准孔。
33.如权利要求29-32中任一项所述的光学端口,其中:
所述芯片接合特征是所述光子硅芯片的所述上表面内的凹槽;
所述连接器接合特征是所述安装表面处的肋部分;且
所述连接器主体的所述肋部分设置于所述光子硅芯片的所述凹槽内。
34.如权利要求29-33中任一项所述的光学端口,其中所述光子硅芯片包括光学耦合到所述至少一个光学波导的至少一个光源。
35.如权利要求29-34中任一项所述的光学端口,其中所述多个导电元件被配置为球栅阵列。

说明书全文

提供被动对准连接性的基光学端口

[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请根据专利法要求2016年5月27日申请的美国申请第15/167,137号的优先权权益,且所述美国申请以引用方式并入本文中。

技术领域

[0003] 本公开大体涉及高带宽光学通信,且更特定地,涉及实现被动对准连接性以供在高带宽光通信系统中使用的硅基光学端口。

背景技术

[0004] 光纤的益处包括极宽带宽和低噪声操作。由于这些优点,光纤日渐用于多种应用,包括但不限于宽带语音、视频和数据传输。连接器通常在数据中心和电信系统中用以提供到安装在机架上的设备的服务连接并且提供机架间连接。因此,光学连接器在光学电缆组合件和电子装置两者中用以提供光学到光学的连接,其中在光学电缆组合件和电子装置之间传送光学信号
[0005] 随着通过例如硅基激光系统和波分复用等先进技术增加光学收发器装置的带宽,必须将大量数据以电子方式从有源装置和相关联电子装置传送到计算装置的电子部件(例如,数据中心的数据交换装置)以用于进一步处理(例如,每信道高达100Gbps)。另外,光学收发器装置(例如,激光二极管光电二极管)的大小继续减小,这对维持收发器装置和其连接到的光学连接器之间的适当对准提出挑战。
[0006] 在硅基激光装置例如混合硅激光器和喇曼(Raman)激光器中,光学信号在硅波导内传播穿过所述装置。在一些硅基激光装置中,激光信号穿过侧小面离开所述装置,使得激光信号不会在发出之前转向。当前,侧小面处的波导与配合的光学连接器的对准需要昂贵且费时的主动对准过程(例如,基于视觉的主动对准过程)。此类主动对准过程添加显着的成本,并且严重减小输贯量。
[0007] 因此,不需要主动对准系统与配合的光学连接器配合的替代性光学端口是所要的。发明内容
[0008] 实施方案是针对与昂贵的主动对准相反地,利用被动对准使配合的光学连接器与光学端口对准和配合的光学端口。特定地,本文中描述的实施方案形成垂直参考基准面,并且提供机械特征,所述机械特征提供平轴控制以形成光子硅芯片的波导相对于光学端口的连接器主体的对准特征的x轴和y轴位置。光学端口的对准特征与配合的光学连接器的对应对准特征配合以使光子硅芯片的波导与配合的光学连接器的对应光学部件对准。
[0009] 在此点上,在一个实施方案中,一种光学端口包括具有表面的衬底、光子硅芯片、连接器主体和多个间隔元件。所述光子硅芯片包括电耦合表面、上表面和光学耦合表面。所述光学耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间。所述光子硅芯片另外包括在所述光学耦合表面处终止的至少一个波导,以及设置于所述上表面上的芯片接合特征。所述连接器主体紧固到所述衬底,并且包括第一对准特征、第二对准特征、安装表面和所述安装表面处的连接器接合特征。所述连接器接合特征与所述光子硅芯片的所述芯片接合特征配合。所述多个间隔元件设置于所述光子硅芯片的所述电耦合表面和所述衬底的所述表面之间。
[0010] 在另一实施方案中,一种光学端口包括具有表面的衬底、紧固到所述衬底的光子硅芯片以及紧固到所述衬底的连接器主体。所述光子硅芯片包括电耦合表面、上表面和光耦合表面,其中所述光耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间。所述光子硅芯片另外包括在所述光耦合表面处终止的至少一个波导、所述上表面内的第一插口和第二插口,以及分别在所述第一插口和所述第二插口内的第一球体和第二球体。所述连接器主体包括第一对准特征、第二对准特征、安装表面、所述安装表面内的凹槽,以及在所述凹槽的相对侧上的从所述安装表面延伸的第一接触垫和第二接触垫。所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的所述安装表面和所述衬底的所述表面界定的凹部内。第一接触垫和第二接触垫接触光子硅芯片的上表面。第一球体和第二球体设置于连接器主体的凹槽内。
[0011] 在又一实施方案中一种光学端口包括具有表面的衬底、紧固到所述衬底的光子硅芯片、设置于所述光子硅芯片上的晶片、对准圆筒,以及紧固到所述衬底的连接器主体。所述光子硅芯片包括电耦合表面、上表面和光耦合表面,其中所述光耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间。所述光子硅芯片另外包括在所述光耦合表面处终止的至少一个波导。所述晶片设置于所述光子硅芯片的上表面上。所述晶片包括上表面、所述上表面内的凹槽,以及所述上表面内的第一孔和第二孔,其中所述第一孔和所述第二孔在所述凹槽的相对侧上并且靠近所述机械耦合表面。所述对准圆筒设置于所述晶片的所述凹槽内。所述连接器主体包括第一对准特征、第二对准特征、安装表面、所述机械耦合表面内的凹槽,以及在所述凹槽的相对侧上的从所述安装表面延伸的第一对准桩和第二对准桩。所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的所述安装表面和所述衬底的所述表面界定的凹部内。所述第一对准桩和所述第二对准桩分别设置于所述晶片的所述第一孔和所述第二孔内。对准圆筒设置于所述连接器主体的凹槽内。
[0012] 在又一实施方案中,一种光学端口包括具有表面的衬底、紧固到所述表面的光子硅芯片,以及紧固到所述表面的连接器主体。所述衬底的所述表面具有多个凹槽。多个导电元件设置于所述多个凹槽内。所述光子硅芯片包括电耦合表面、上表面和光耦合表面,其中所述光耦合表面定位于所述电耦合表面和所述上表面之间,且所述电耦合表面接触所述衬底的所述表面。所述光子硅芯片另外包括在所述光耦合表面处终止的至少一个波导,以及设置于所述上表面上的芯片接合特征。所述多个导电元件使所述光子硅芯片电耦合到所述衬底。所述连接器主体包括第一对准特征、第二对准特征、安装表面以及所述安装表面处的连接器接合特征,其中所述光子硅芯片设置于由所述连接器主体的安装表面和所述衬底的所述表面界定的凹部内。所述连接器接合特征与光子硅芯片的芯片接合特征配合。
[0013] 在以下详细描述中阐述额外特征和优点,且本领域技术人员从所述描述可容易地得出所述特征和优点中的部分,或通过实践如本文中包括以下详细描述、权利要求书以及附图中描述的实施方案认识到所述部分特征和优点。
[0014] 应理解,前述一般描述和以下详细描述两者仅为示例性的,且意图提供用以理解权利要求书的性质和特性的概述或框架。包括附图是为了提供进一步理解,且附图并入于本说明书中并构成本说明书的部分。附图说明实施方案,并且与所述描述一起用来解释各个实施方案的原理和操作。

附图说明

[0015] 图1是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的实例光学端口的透视图;
[0016] 图2是图1中说明的实例光学端口的特写透视图;
[0017] 图3是图1中说明的实例光学端口的前正视图;
[0018] 图4是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的图1中说明的实例光学端口的衬底和光子硅芯片的透视图;
[0019] 图5是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的实例光学端口的衬底和光子硅芯片的透视图;
[0020] 图6是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的光学端口的实例连接器主体的透视图;
[0021] 图7是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的实例光学端口的前正视图;
[0022] 图8是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的实例光学端口的部分的分解透视图;
[0023] 图9是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的图8中说明的光学端口的实例连接器主体的透视图;
[0024] 图10是图8中说明的实例光学端口的经组装透视图;
[0025] 图11是图10中说明的实例光学端口的前正视图;
[0026] 图12是根据本文中示出和描述的一或多个实施方案的实例光学端口的透视图;和[0027] 图13是图12中说明的实例光学端口的前正视图。

具体实施方式

[0028] 本文中描述的实施方案是针对实现与配合的光学连接器的被动对准的光学端口。提供各个参考基准表面以用于垂直轴控制,并且提供各个机械特征以用于横轴控制,从而提供一光学端口,所述光学端口提供被动精确对准和组装。本文中描述的光学端口将光子硅芯片的波导设置在相对于连接器主体的对准特征的已知位置处。本文中描述的光学端口不需要昂贵的主动对准系统来将光学连接器连接到光学端口。
[0029] 下文详细地描述实现被动对准连接性的使用的光学端口的各个实施方案。
[0030] 现参考图1-3,在透视图中示意性地说明实例光学端口100。图1是实例光学端口的透视图。图2是图1中示出的实例光学端口100的特写透视图。图3是图1和2中示出的实例光学端口100的前正视图。通常,光学端口100包括衬底110、光子硅芯片130和连接器主体120。光学端口100可耦合到额外的衬底,例如电路板140,其为计算装置的部件(例如,服务器、交换机、路由器、通用计算机、便携式计算装置等)。说明的衬底是具有光学端口100耦合到的安装表面141的电路板140。电路板140可由例如FR-4、玻璃、陶瓷等材料制成。说明的电路板
140另外包括电迹线142。光学端口100可电耦合到电路板140的电迹线142。在所说明的实施方案中,实例光学端口100的衬底110通过球栅阵列142接口电耦合到电路板140。然而,应理解,可利用其他电连接接口配置。
[0031] 衬底110可操作以在表面111处收纳光子硅芯片130和连接器主体120。衬底110的材料应被选择以大体上匹配光子硅芯片130的热膨胀系数(“CTE”)。如本文中所使用,光子硅芯片130和衬底之间的“大体上匹配的CTE”意味着在光子硅芯片的CTE的5.5ppm内。用于衬底110的材料的非限制性实例包括陶瓷和硅。如将在下文更详细地描述,实例衬底110的表面111包括第一沟槽118A和第二沟槽118B以收纳连接器主体120的支脚部分。
[0032] 光子硅芯片130可被配置为任何硅光子芯片,例如混合激光硅芯片或喇曼激光硅芯片。光子硅芯片130包括一或多个光源(未示出),其产生在光子硅芯片130的波导132内传播的一或多个激光束。另外或替代地,光子硅芯片130可包括一或多个光电检测器(未示出),其可操作以接收在光子硅芯片130的波导132内传播的一或多个激光束,并且与额外的电部件一起将一或多个激光束转换成电信号
[0033] 光子硅芯片130包括电耦合表面134、上表面136和光学耦合表面131。在一些实施方案中,电耦合表面134与上表面136相对并且平行的,且光学耦合表面131相对于电耦合表面134和上表面136大体上正交。因此,实例光子硅芯片130采用“侧小面”配置,其中从光子硅芯片130的侧表面发出光学信号,并且所述光学信号在离开光子硅芯片130之前不会在光学上转向九十度。
[0034] 光子硅芯片130的厚度精确控制在期望的公差(例如,±1-3μm)内。举例来说,可通过研磨过程控制光子硅芯片130的厚度。
[0035] 如图1-3中所示,一或多个光波导132(在下文中称为波导)在光子硅芯片130的光学耦合表面131处终止。虽然图1-3中说明四个波导132,但应理解,可提供更多或更少波导132。波导132被配置为具有修正折射率的光子硅芯片130的表面内或上的硅区域以导引在其中传播的光学信号(例如,激光信号)。可通过激光写入过程制造光子硅芯片130的媒介(例如,硅)内的波导132,其中通过应用激光束修改材料的折射率。应理解,也可利用其他波导制造技术。
[0036] 光子硅芯片130的电耦合表面134电耦合到衬底110的表面111。如图1和2中所示,实例光子硅芯片130通过球栅阵列114电耦合到衬底110的表面。应注意,衬底110包括使电信号在光子硅芯片130和电路板140之间传送的内部导电通孔。
[0037] 特定地参考图2,多个间隔元件112设置于光子硅芯片130的电耦合表面134和衬底110的表面111之间。精确控制每一间隔元件112的高度以控制光子硅芯片130的电耦合表面
134相对于衬底110的表面111的位置。使用多个间隔元件112使得衬底110的表面111能够充当垂直(即,y轴)参考基准面。这允许光子硅芯片130的波导132在垂直方向上的精确和可重复放置。
[0038] 在所说明的实施方案中,每一间隔元件112被配置为设置于一对抓持器元件113之间的光纤115。在此情况下,光纤不承载光学信号,而是替代地用于精确几何形状。因此,光纤不必为功能性的。抓持器元件113可由具有摩擦系数和柔顺性的材料制造,从而使得光纤115能够保持在光子硅芯片130和衬底110之间的设定位置中。作为非限制性实例,抓持器元件113可由聚合物材料制成。抓持器元件113可在将光子硅芯片130定位到衬底110的表面
111上之前,设置于衬底110的表面111或光子硅芯片130的电耦合表面134上。作为实例而非限制,抓持器元件113可印刷或以其他方式设置于衬底110的表面111或光子硅芯片130的电耦合表面134上。抓持器元件113在焊料回流和粘结过程之前维持光纤115。另外,玻璃基光纤115可经受焊料回流和粘结过程,同时仍维持几何形状控制。
[0039] 光纤115可为具有大体上匹配光子硅芯片130的CTE的CTE的玻璃纤维。光纤115的外径被精确控制(例如,在1μm内)以允许电耦合表面134位于y轴上相对于衬底110的表面111的已知固定位置中。作为实例而非限制,光学纤维115的外径可介于80μm和125μm之间。
如图2中所示,间隔元件112设置于球栅阵列114的相邻焊球之间。
[0040] 虽然间隔元件112说明为包括设置于一对抓持器元件113之间的光纤115,但实施方案不限于此。举例来说,间隔元件112可能仅包括光纤且无抓持器元件,或间隔元件可被配置为除光纤以外的元件(例如,陶瓷或玻璃材料条)。多个间隔元件112的配置应使得在光子硅芯片130电耦合并且粘结到衬底110之后,光子硅芯片130的电耦合表面134和衬底110的表面111之间的距离被精确控制在期望的公差(例如,±1μm)内。
[0041] 在多个间隔元件112设置于光子硅芯片130和衬底110之间之后,举例来说,光子硅芯片130可通过焊料回流过程电耦合且物理耦合到衬底110。在一些实施方案中,光子硅芯片130可通过设置在衬底110的表面111和光子硅芯片130的电耦合表面134之间的粘合剂底部填料进一步粘结到衬底110。
[0042] 参考图1-3,连接器主体120通常包括安装表面126、机械耦合表面121、被配置为第一对准孔122A的第一对准特征和被配置为第二对准孔122B的第二对准特征。连接器主体120可为例如具有受严格控制的公差(例如,±1μm)的模塑部件。
[0043] 第一对准孔122A和第二对准孔122B在机械耦合表面121处暴露并且可操作以收纳配合的光学连接器(未示出)的对准销。第一对准孔122A和第二对准孔122B被动地定位并且使配合的光学连接器相对于光学端口100的波导132对准(即,不需要视对准)。应理解,本文中描述的实施方案不受图1-3中示出的对准孔的数目和放置的限制。在替代性实施方案中,光学端口100的连接器主体120包括对准销(未示出),且配合的光学连接器包括对准孔。另外,在一些实施方案中,光学端口100的连接器主体120和配合的光学连接器中的每一个包括对准销和对准孔中的至少一个。除对准孔和/或对准销之外或替代地,可利用其他对准特征。
[0044] 在所说明的实施方案中,连接器主体120包括从安装表面126延伸的第一支脚部分124A和第二支脚部分124B。凹口128提供于第一支脚部分124A和第二支脚部分124B之间的空间内。第一对准孔122A和第二对准孔122B可分别至少部分地定位于第一支脚124A和第二支脚124B内。第一支脚124A和第二支脚124B分别设置于衬底110的第一沟槽118A和第二沟槽118B内。第一支脚124A和第二支脚124B可例如通过第一沟槽118A和第二沟槽118B内的粘合剂127紧固到衬底110。
[0045] 当连接器主体120紧固到衬底110时,第一对准孔122A和第二对准孔122B的中心(或视情况而定的其他对准特征)可沿着光子硅芯片130的波导132(图1)的中心界定的中心线A定位。
[0046] 另外,当连接器主体120紧固到衬底110时,连接器主体120的安装表面126中的凹口128和衬底110的表面111之间的空间界定凹部125。凹部125塑形成使得光子硅芯片130设置于其中,如图1-3中所示。
[0047] 如上文所述,通过使用多个间隔元件112提供垂直高度控制(即,沿着y轴)。通过光子硅芯片130的上表面136内的芯片接合特征133和从连接器主体120的安装表面126延伸的对应连接器接合特征123提供横向控制(即,沿着x轴)。
[0048] 如图1-3中所示,连接器主体120的连接器接合特征123被配置为从连接器主体120的安装表面126延伸的肋部分123。肋部分123可为具有在所要范围(例如,±1μm)内的尺寸公差的精确模塑部件。
[0049] 除图1-3之外还参考图4,芯片接合特征133可被配置为光子硅芯片130的上表面136内的凹槽133。凹槽133从光学耦合表面131延伸到光子硅芯片130的背面137。举例来说,可使用深度活性离子蚀刻形成凹槽133。
[0050] 当连接器主体120紧固到衬底110的表面111时,连接器主体120的肋部分123被设定大小和定位成设置于光子硅芯片130的凹槽133内。肋部分123在凹槽133内的放置因而提供在x轴方向上的横向控制。
[0051] 因此,多个间隔元件112使得衬底110的表面111为用于定位波导132的垂直(即,y轴)参考基准面。肋部分123和凹槽133协作以沿着x轴相对于波导132校准(reference)连接器主体120。当配合的光学连接器(未示出)耦合到光学端口100时,配合的光学连接器的波导与光学端口100的波导132大体上对准(即,取决于材料和操作条件在至少±2.0μm内)而无需使用主动对准技术,例如采用视觉系统的主动对准技术。
[0052] 应注意,在一些实施方案中,可使用光学粘合剂将配合的光学连接器永久连接到光学端口100。在可脱离配合的应用中,可利用其他机械特征例如闩臂提供可脱离配合的光学连接。
[0053] 现参考图5,示意性地说明光子硅芯片130'的芯片接合特征的另一实例。芯片接合特征被配置为形成于光子硅芯片130'的上表面131'内的至少两个插口139,且球体138设置于至少两个插口139中的每一个内。虽然描述为球体,但所述元件不必为完美球形,而是应能够提供所要对准精确度。举例来说,可通过深度活性离子蚀刻形成至少两个插口139。在一些实施方案中,举例来说,每一球体138可由例如焊料材料的金属材料制造。
[0054] 现参考图6,实例连接器接合特征被配置为连接器主体120'的安装表面126'内的凹槽129。当时,当连接器主体120'紧固到衬底110(例如,如图1-3中所示)时,每一球体138设置于连接器主体120’的凹槽129内,从而提供水平轴控制(即,x轴控制)。结合上文参考图1-4所描述的多个间隔元件112提供的垂直轴控制(即,y轴控制)利用此“凹槽中球体”接合配置。
[0055] 替代性地,光子硅芯片130可驱使相对于y轴的控制。参考图6,连接器主体120'也可包括从上文所描述的凹槽129的相邻侧上的安装表面126'延伸的第一接触垫160A和第二接触垫160B。在此实例中,控制光子硅芯片130'的厚度,以使得光子硅芯片130'的上表面136'提供垂直参考基准面。参考图7,示意性地说明实例光学端口100'。当连接器主体120'紧固到衬底110的表面111时,第一接触垫160A和第二接触垫160B接触光子硅芯片130'的上表面136'。严格控制连接器主体120'的公差(例如,±1.0μm内),从而形成波导132相对于连接器主体120'的第一对准孔122A和第二对准孔122B(或其他对准特征)的定位。如下文所述,通过光子硅芯片130'的球体138和连接器主体120'的凹槽129提供水平轴控制。
[0056] 现参考图8-11,示意性地说明光学端口100"和连接器主体120"的另一实例。图8是实例光学端口100"的部分分解透视图。图9是实例光学端口100"的下侧透视图。图10是图8中示出的实例光学端口100"的经组装透视图,而图11是图8和10中示出的光学端口100"的经组装前正视图。
[0057] 特定地参考图8,光学端口100"包括定位于光子硅芯片130"的上表面136"上的晶片190。举例来说,在光子硅芯片130"切粒之前,晶片190可对准和粘结到光子硅芯片130"的上表面136"。将晶片190在y轴方向上的高度精确控制在期望的公差内(例如,±1.0μm内)。举例来说,可通过晶片研磨过程控制晶片190的高度,使得达成所要高度。通过严格控制晶片190的高度,光子硅芯片130"的上表面136"可用作垂直高度基准面(即,y轴参考基准面)。
[0058] 晶片190的材料应被选择为使得其具有大体上匹配光子硅芯片130"的CTE的CTE。作为实例而非限制,晶片190的材料可为硅。
[0059] 晶片190包括其中设置有对准圆筒194的凹槽193。对准圆筒194的外径应被严格控制(例如,在±0.1μm内)以使得其可提供x轴控制,如下文更详细地描述。凹槽193可为例如“V”形凹槽,但其他形状可为可能的。可通过任何适合的过程形成凹槽193。作为非限制性实例,可通过深度活性离子蚀刻形成凹槽193。
[0060] 对准圆筒194可由具有大体上匹配光子硅芯片130"的CTE的CTE的材料制造。对准圆筒194可由但不限于玻璃、陶瓷或玻璃纤维填充聚合物材料制造。对准圆筒194的外径应控制在期望的公差内,诸如但不限于小于100nm(例如,在±0.1μm内)。
[0061] 晶片190包括至少两个孔192。在所说明的实施方案中,在凹槽193的相对侧上提供靠近晶片190的第一边缘(即,前边缘)的两个孔192,且提供靠近晶片190的第二边缘(即,后边缘)的第三孔。可通过诸如但不限于钻孔过程或深度活性离子蚀刻过程的任何过程形成孔192。
[0062] 参考图9,连接器主体120"的安装表面126"包括凹槽129和从所述安装表面延伸的至少两个对准桩162。对准桩162的放置和配置应使得其可设置于晶片190的对准孔192内。应注意,孔192和对准桩162的形状不限于圆筒形形状,并且可利用其他形状。在所说明的实例中,连接器主体120"在凹槽129的相对侧上具有靠近机械耦合表面121"的两个对准桩
162,以及靠近与机械耦合表面121"相对的表面的第三对准桩162。
[0063] 现参考图8、10和11,对准圆筒194设置于光子硅芯片130"的上表面136"的凹槽193内。连接器主体120"通过将第一支脚部分124A和第二支脚部分124B定位到其中提供有粘合剂127的第一沟槽118A和第二沟槽118B中而耦合到衬底110。当连接器主体120"耦合到衬底110时,连接器主体120"的对准桩162设置于晶片190的对准孔192内。另外,对准圆筒194设置于连接器主体120"的凹槽内。
[0064] 对准桩162的底部表面提供配合基准面。当粘合剂127固化时,其将拖拉连接器主体120",使得对准桩162的底部接触光子硅芯片130"的上表面136"。特定地参考图11,对准圆筒194的上半部不接触连接器主体120"的凹槽129的表面。另外,连接器主体120"的安装表面126"不接触光子硅芯片130"的上表面136"。更确切地,仅对准桩162的底部表面接触垂直基准面。通过连接器主体120"的对准圆筒194和凹槽129提供水平控制(即,x轴)。以此方式,控制波导沿着x轴和y轴相对于第一对准孔122A和第二对准孔122B的位置。
[0065] 现参考图12和13,示意性地说明另一实例光学端口200。图12是实例光学端口200的透视图,且图13是实例光学端口200的前正视图。类似于上文所描述的实例光学端口,图12和13中说明的实例光学端口200包括衬底210、光子硅芯片230和连接器主体220。
[0066] 在所说明的实例中,通过衬底210的表面211提供垂直参考基准面。如上所述,衬底210的表面211包括用于分别收纳第一支脚部分224A和第二支脚部分224B的第一沟槽218A和第二沟槽218B。多个凹槽219提供于衬底210的表面211内第一沟槽218A和第二沟槽218B之间。多个导电元件114设置于多个凹槽219内。举例来说,多个导电元件114可提供为多个导电垫,以及球栅阵列的多个焊球。
[0067] 光子硅芯片230设置于连接器主体220和衬底210之间的凹部225内,使得光子硅芯片230的电耦合表面234接触衬底210的表面211。如图12和13中所示,多个导电元件114在多个凹槽219内。焊球(即,多个导电元件114)将光子硅芯片230的电耦合表面234拖拉成与衬底210的为垂直参考基准面的表面211接触。因此,波导132定位在y轴上相对于衬底210的表面211的已知位置处。
[0068] 如上文相对于图1-4所描述,连接器主体220包括被配置为肋部分123的连接器接合特征123,且上表面236包括被配置为凹槽233的芯片接合特征233。当连接器主体220紧固到衬底210时,肋部分123设置于凹槽233内。肋部分123和凹槽223的协作提供水平轴(即,x轴)控制。应理解,可利用其他芯片和连接器接合特征,例如图5-7中说明的“插口和凹槽中球体”的布置。
[0069] 因此,通过电耦合表面234与衬底的表面211(即,垂直参考基准面)的物理接触提供垂直轴(即,y轴)控制,并且通过连接器主体220的肋部分123和光子硅芯片230的凹槽233提供水平轴(即,x轴)控制。
[0070] 现在应理解,本文中描述的实施方案是针对实现与配合的光学连接器的被动对准的光学端口。提供用于垂直轴控制的各个参考基准表面,以及用于水平轴控制的各个机械特征。本文中描述的光学端口将光子硅芯片的波导设置在相对于连接器主体的对准特征的已知位置处。本文中描述的光学端口不需要昂贵的主动对准系统来将光学连接器连接到光学端口。
[0071] 对本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本公开的精神和范围的情况下可做出各种修改和变化。由于本领域技术人员可做出对并入本公开的精神和本质的所公开实施方案的修改、组合、子组合和变化,因此本公开应被视为包括落在所附权利要求和其等效物的范围内的任何内容。
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