减少在垂向写入头中的杂散磁场的带翼磁极和屏蔽结构
专利汇可以提供减少在垂向写入头中的杂散磁场的带翼磁极和屏蔽结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种用于磁记录头的磁构件，该构件对杂散 磁场 写入的抗性高。所述磁构件可以是例如垂向写元件的磁屏蔽元件或返回极。所述构件包括可具有大致为矩形结构的一主体部分，以及在 空气 轴承 表面处或 空气轴承 表面附近从主体侧面侧向延伸的第一和第二翼部。所述翼部垂直于空气轴承表面测定的深度远远小于主体部分的深度，优选小于主体深度的25％。所述翼部还可具有在它们的空气轴承表面边缘内形成的 槽口 。翼部传导来自主体部分的空气轴承表面边缘的通量，并形成 对流 入翼部内的磁通量的通量扼流效应。，下面是减少在垂向写入头中的杂散磁场的带翼磁极和屏蔽结构专利的具体信息内容。
1.一种用于具有空气轴承表面的磁记录头的磁构件，所述磁构件包括：
一主体，所述主体具有边缘暴露于所述空气轴承表面的一空气轴承表面 端以及与所述空气轴承表面相对的一后端且具有垂直所述空气轴承表面从 所述空气轴承表面端到所述后端测定的深度D1，并且所述主体具有第一和 第二侧向相对侧壁，所述侧壁限定平行于所述空气轴承表面测定的宽度W1；
第一和第二翼部，所述翼部在所述主体的所述空气轴承表面端处从所述 主体的所述第一和第二侧壁侧向延伸，所述第一和第二翼部中的每一个具有 垂直于所述空气轴承表面测定的深度D2且从所述主体延伸一侧向距离W2， 所述深度D2小于所述距离D1的1/4。
2.根据权利要求1所述的构件，其中，所述W2等于所述W1加20％ 或减20％。
3.根据权利要求1所述的构件，其中，所述第一和第二翼部中的每一 个具有暴露于所述空气轴承表面并从所述主体延伸到所述翼部的端部的一 空气轴承表面边缘。
4.根据权利要求1所述的构件，其中，所述翼部中的每一个具有与所 述空气轴承表面相邻形成的一空气轴承表面边缘，其中，所述空气轴承表面 边缘具有从所述空气轴承表面凹入的一开槽部分以及暴露于所述空气轴承 表面的一未开槽部分。
5.根据权利要求4所述的构件，其中，所述开槽部分中的每一个从所 述空气轴承表面凹入0.2-2.0μm。
6.根据权利要求4所述的构件，其中，所述开槽部分中的每一个从所 述空气轴承表面凹入大约1μm。
7.根据权利要求1所述的构件，其中，
所述翼部中的每一个具有从一槽口内端延伸到所述翼部的外端部的开 槽部分，所述开槽部分从所述空气轴承表面凹入；
所述翼部中的每一个具有从所述主体延伸到所述槽口内端的一未开槽 部分，所述未开槽部分暴露于所述空气轴承表面；并且
所述槽口内端位于从所述主体各个侧面侧向测定的距离W3处，所述距 离W3等于W1的5％-50％。
8.根据权利要求7所述的构件，其中，所述开槽部分从所述空气轴承 表面凹入0.2-2.0μm。
9.根据权利要求7所述的构件，其中，所述开槽部分从所述空气轴承 表面凹入大约1μm。
10.一种滑动件组件，包括：
一滑动件体，具有一空气轴承表面以及与所述空气轴承表面垂直并相交 的一后端表面；
在所述滑动件体的所述后端表面上形成的一写元件；
在所述滑动件体的所述后端表面上形成的一读元件；
所述读或写元件中的至少一个包括一磁构件，该磁构件包括：
一主体，所述主体具有边缘暴露于所述空气轴承表面的一空气轴承表面 端以及与所述空气轴承表面相对的一后端且具有垂直所述空气轴承表面从 所述空气轴承表面端到所述后端测定的深度D1，并且所述主体具有第一和 第二侧向相对侧壁，所述侧壁限定平行于所述空气轴承表面测定的宽度W1；
第一和第二翼部，所述翼部在所述主体的所述空气轴承表面端处从所述 主体的所述第一和第二侧壁侧向延伸，所述第一和第二翼部中的每一个具有 垂直所述空气轴承表面测定的深度D2且从所述主体延伸一侧向距离W2， 所述深度D2小于所述距离D1的1/4。
11.根据权利要求10所述的滑动件组件，其中，所述W2等于所述W1 加20％或减20％。
12.根据权利要求10所述的滑动件组件，其中，所述第一和第二翼部中 的每一个具有暴露于所述空气轴承表面并从所述主体延伸到所述翼部的端 部的一空气轴承表面边缘。
13.根据权利要求10所述的滑动件组件，其中，所述翼部中的每一个具 有与所述空气轴承表面相邻形成的空气轴承表面边缘，其中，所述空气轴承 表面边缘具有从所述空气轴承表面凹入的一开槽部分以及暴露于所述空气 轴承表面的一未开槽部分。
14.根据权利要求10所述的滑动件组件，其中，所述开槽部分中的每一 个从所述空气轴承表面凹入0.2-2.0μm。
15.根据权利要求10所述的滑动件组件，其中，所述开槽部分中的每一 个从所述空气轴承表面凹入大约1μm。
16.根据权利要求10所述的滑动件组件，其中，
所述翼部中的每一个具有从一槽口内端延伸到所述翼部的外端部的一 开槽部分，所述开槽部分从所述空气轴承表面凹入；
所述翼部中的每一个具有从所述主体延伸到所述槽口内端的一未开槽 部分，所述未开槽部分暴露于所述空气轴承表面；以及
所述槽口内端位于从所述主体各个侧面侧向测定的距离W3处，所述距 离W3等于W1的5％-50％。
17.根据权利要求16所述的滑动件组件，其中，所述开槽部分从所述空 气轴承表面凹入0.2-2.0μm。
18.根据权利要求16所述的滑动件组件，其中，所述开槽部分从所述空 气轴承表面凹入大约1μm。
19.一种磁性数据记录系统，包括：
一磁介质；
一致动器；
与所述致动器连接的一悬挂件；
与所述悬挂件连接的一滑动件组件，所述滑动件组件用于与所述磁介质 的表面相邻的移动；
与所述滑动件组件连接的一磁性读元件；以及
与所述滑动件组件连接的一磁性写元件；
所述读和写元件中的至少一个包括：
一空气轴承表面，所述磁构件包括：
一主体，所述主体具有边缘暴露于所述空气轴承表面的一空气轴承表面 端以及与所述空气轴承表面相对的一后端且具有垂直所述空气轴承表面从 所述空气轴承表面端到所述后端测定的深度D1，并且具有第一和第二侧向 相对侧壁，所述侧壁限定平行于所述空气轴承表面测定的宽度W1；
第一和第二翼部，所述翼部在所述主体的所述空气轴承表面端处从所述 主体的所述第一和第二侧壁侧向延伸，所述第一和第二翼部中的每一个具有 垂直所述空气轴承表面测定的深度D2且从所述主体延伸一侧向距离W2， 所述深度D2小于所述距离D1的1/4。
20.根据权利要求19所述的磁性数据记录系统，其中，所述W2等于所 述W1加20％或减20％。
21.根据权利要求19所述的磁性数据记录系统，其中，所述第一和第二 翼部中的每一个具有暴露于所述空气轴承表面并从所述主体延伸到所述翼 部的端部的一空气轴承表面边缘。
22.根据权利要求19所述的磁性数据记录系统，其中，所述翼部中的每 一个具有与所述空气轴承表面相邻形成的一空气轴承表面边缘，其中，所述 空气轴承表面边缘具有从所述空气轴承表面凹入的一开槽部分和暴露于所 述空气轴承表面的一未开槽部分。
23.根据权利要求22所述的磁性数据记录系统，其中，所述开槽部分中 的每一个从所述空气轴承表面凹入0.2-2.0μm。
24.根据权利要求22所述的磁性数据记录系统，其中，所述开槽部分中 的每一个从所述空气轴承表面凹入大约1μm。
25.根据权利要求19所述的磁性数据记录系统，其中，
所述翼部中的每一个具有从一槽口内端延伸到所述翼部的外端部的一 开槽部分，所述开槽部分从所述空气轴承表面凹入；
所述翼部中的每一个具有从所述主体延伸到所述槽口内端的一未开槽 部分，所述未开槽部分暴露于所述空气轴承表面；并且
所述槽口内端位于从所述主体各个侧面侧向测定的距离W3处，所述距 离W3等于W1的5％-50％。
26.根据权利要求25所述的磁性数据记录系统，其中，所述开槽部分中 的每一个从所述空气轴承表面凹入0.2-2.0μm。
27.根据权利要求25所述的磁性数据记录系统，其中，所述开槽部分中 的每一个从所述空气轴承表面凹入大约1μm。
技术领域
本发明涉及一种垂向磁记录，具体地，涉及一种杂散磁场敏感度低的新 型的磁屏蔽元件和磁极结构。
背景技术
计算机长期存储器的核心是一个被称为磁盘驱动器的组件。该磁盘驱动 器包括：旋转磁盘；由与旋转磁盘的表面相邻的悬挂臂支撑的写磁头和读磁 头；以及摇动悬挂臂以将读写磁头放置在旋转磁盘上的所选定的环形磁道上 的致动器。读写磁头直接位于具有空气轴承表面(ABS)的滑动件上。悬挂 臂将滑动件偏压向盘片的表面，盘片旋转时，与盘片相邻的空气随着盘片表 面移动。滑动件在如此移动的空气垫上越过盘片表面上方。当滑动件在空气 轴承上移行时，写磁头和读磁头被用来向旋转磁盘写入磁转变(magnetic transition)及从中读取磁转变。读写磁头与根据计算机程序进行工作的处理 电路连接以实现写和读功能。
写磁头通常包括嵌入在第一、第二和第三绝缘层(绝缘堆)内的线圈层， 该绝缘堆夹在第一和第二极片层(pole piece layer)之间。在写磁头的空气 轴承表面(ABS)处的间隙层在第一和第二极片层之间形成间隙，这些极片 层在后间隙(back gap)处连接。导入线圈层的电流在极片层中感生出磁通 量，使磁场ABS处的写间隙处散射出来，以便在移动介质上的磁道中例如 上述旋转磁盘上的环形磁道中写入上述磁转变。
在近年的读磁头结构中，一种自旋阀传感器，也被称为巨磁阻(GMR) 传感器，被用于感应来自旋转磁盘的磁场。该传感器包括夹在第一和第二铁 磁层之间(以下称之为钉扎层(pinned layer)和自由层)的非磁导层(以下 称之为间隔层)。第一和第二导线与自旋阀传感器连接，以便从其中传导传 感电流。钉扎层的磁化被钉扎成与空气轴承表面(ABS)垂直，而自由层的 磁矩则与ABS平行且响应外磁场而自由地旋转。钉扎层的磁化通常通过交 换与反铁磁性层的耦合而被钉扎。
选择间隔层的厚度使其小于通过传感器的载流电子的平均自由程。在这 种设置下，一部分载流电子被间隔层与钉扎层和自由层中的每一个的界面所 散射。当钉扎层和自由层的磁化彼此平行时，散射最小，而当钉扎层和自由 层的磁化反平行时，散射最大。散射的变化使自旋阀传感器的阻抗与cosθ 成正比地改变，其中θ为钉扎层和自由层的磁化之间的夹角。在读取模式中， 自旋阀传感器的阻抗变化与来自旋转磁盘的磁场大小成正比。当通过自旋阀 传感器传导传感电流时，阻抗变化导致作为再现信号(playback signal)检测 和处理的电压变化。
当自旋阀传感器采用单个钉扎层时，它被称为简单型自旋阀。当自旋阀 传感器采用反平行(AP)钉扎层时，它被称为AP钉扎自旋阀。AP自旋阀 包括由薄的非磁耦合层如Ru隔开的第一和第二磁层。选择间隔层的厚度使 其反平行耦合于钉扎层的铁磁性层的磁化。根据钉扎层在顶部(在自由层后 形成)或是在底部(在自由层前形成)，自旋阀也被称为顶自旋阀或底自旋 阀。
自旋阀位于第一和第二非磁性电绝缘读间隙层之间，而第一和第二读间 隙层位于铁磁性的第一和第二屏蔽层之间。在合成式(merged)磁头中，单 个铁磁性层用作读磁头的第二屏蔽层并用作写磁头的第一极片层。在级联式 磁头中，第二屏蔽层和第一极片层是单独的层。
通常钉扎层的磁化由交换铁磁性层中的一个(AP1)与反铁磁性材料(如 PtMn)层的耦合来固定。当反铁磁性材料如PtMn内及本身不具有磁化，而 与磁性材料交换耦合时，会强烈地钉扎铁磁性层的磁化。
为了满足不断增长的提高数据率和数据容量的需要，近来研究者的努力 集中在开发垂向记录系统上。通常的纵向记录系统(如上述的结合写磁头的 纵向记录系统)是当磁位(magnetic bit)方向沿磁盘表面平面中的磁道纵向 取向时存储数据。该纵向数据位由在写间隙所分开的一对磁极之间形成的边 缘场记录。
比较而言，垂向记录系统是当磁转变垂直于磁盘平面取向时记录数据。 该磁盘具有由薄的硬磁性顶层所覆盖的软磁性衬层。垂向写磁头具有横截面 较小的写磁极和横截面较大的返回极(return pole)。高度集中的强磁场在垂 直于磁盘表面的方向从写磁极发出，使硬磁性顶层磁化。然后所得到的磁通 量通过软衬层，回到返回极，在这里充分发散并弱化，而不会当在返回返回 极的过程中再次经过硬磁性顶层时擦掉写磁极所记录的信号。
这种垂向记录系统存在这样一个问题，即磁介质特别易受杂散磁场的影 响。相对大的磁构件，如用于磁隔离读传感器的磁屏蔽元件成为大的磁天线 (magnetic antenna)。作为磁天线，这些结构收集和集中了无数外界的外部 信源，如蜂窝式电话、机场安全设备和许多其它类似信源。
在垂向记录系统中的介质的软磁性衬层特别易受从这样的磁构件产生 的拾取(picking up)磁场的影响。参照图1可更清楚地理解这一现象，其中 示出了磁构件102，其可能是例如磁屏蔽元件，或其它磁构件如写磁头的磁 极。磁构件102作为磁天线，收集磁力线104所示的外界磁场。这导致在该 磁构件内部的合成磁通量，该磁通量由磁通量线106表示。本领域的技术人 员将理解，线104描述了通过空间的磁场，而线106则表示通过磁介质如构 件102的合成磁通量。应该指出，尽管通量106被描述为从垂直场产生，由 以某个其它角度倾斜的场也会产生类似的结果。
磁通量102在磁构件102的拐角处高度集中。因此，集中的磁场106从 磁构件102的拐角发出并传播到附近的磁介质110的软衬层108。软磁性衬 层的软磁特性使其强烈吸引和吸收磁场。实际上仅50高斯的环境杂散磁场 可导致从磁构件102发出高达6000高斯的磁场106。当向软衬层108传播时， 该集中的磁场106经过硬磁性顶层112，并在此过程中磁化顶层112。这样， 磁场106完全擦去了之前可能记录在顶层112上的任何数据。可以理解，这 是很大的问题。
尽管如磁屏蔽元件和磁极这样的磁构件展示了上述问题，这些磁构件是 磁记录头的必要部分，不能简单地去除。因此，需要一种用于磁构件的结构， 允许有效实现该磁构件固有目标(如作为磁屏蔽元件)，同时避免不希望的 杂散磁场写入。对上述问题的这样的解决方案优选不增加工艺复杂性并能允 许采用现有的所需磁性材料。
发明内容
该构件可以是，例如一个磁屏蔽元件，也可以是，例如垂向写磁头的一 个返回极。翼部在ABS处的边缘可包括或不包括槽口，使翼部具有暴露于 ABS的一未开槽部分以及暴露于ABS并延伸到翼部边缘的一开槽部分。是 否在翼部开槽取决于该结构预计遇到的磁场类型。
该构件的翼部有利于将磁通量从主体的ABS边缘传导出去，从而防止 否则会出现在主体的ABS边缘的杂散磁场写入。通过使翼部的深度相对小 于主体的深度，该翼部有利地提供了通量扼流功能，从而防止在翼部外部拐 角的杂散磁场写入。
通量扼流的出现是因为在通量从主体向翼部传播时翼部会发生磁饱和。 这种饱和有利于允许小的且无影响的量的磁通量在ABS处泄露出来，从而 减少到达翼部端部的磁通量的量。
本发明的实施例有益于减少通量(也即磁场)在暴露于磁头工作表面上 的拐角处集中。磁头结构和软衬层的全部几何和磁性特征是其它决定在这些 拐角处响应于写电流和/或外部场感生出的绝对磁场的因素。对写电流和对沿 各种方向的外部磁场分量的相对敏感度可由改变磁头结构的几何形状来调 整。例如，较宽的翼部倾向于降低(矫正)对“横跨磁道”外部场的敏感度 而增加(加强)对“垂直”外部场的敏感度。这种通过调节磁头结构的几何 形状进行平衡的能力在最大化记录系统对外部场的整体健壮性中也非常重 要。通过联系附图阅读以下的具体实施方式，本发明的这些和其他特征和优 点将显见。
附图说明
图1是磁构件的视图，示出磁构件上和与磁介质相邻的环境磁场效果；
图2是根据本发明的磁盘驱动系统的示意图；
图3是从图2的3-3线截取的滑动件的ABS视图，示出其上的磁头的位 置；
图4是根据本发明的一个实施例的磁头的ABS视图，从图3的4-4线截 取并旋转180度；
图5是根据本发明的一个实施例的磁构件的视图，从图4的5-5线截取 并放大显示；
图6是类似于图5的根据本发明的替代实施例的磁构件的视图。
具体实施方式
现参照图2，其中示出了包括本发明的磁盘驱动器200。如图2所示， 至少一个可旋转磁盘212被支撑在主轴214上并由磁盘驱动电机218旋转。 在每个盘片上的磁记录是以在磁盘212上的同心数据轨道(未示出)的环形 模式的形式进行。
至少一个滑动件213位于磁盘212附近，每个滑动件213支撑一个或多 个磁头组件221。当磁盘旋转时，滑动件213在盘片表面222上径向地移入 或移出，使得磁头组件221可以访问磁盘的写有所需数据的不同轨道。每个 滑动件213通过悬挂件215附接于致动器臂219。悬挂件215提供小的弹簧 力将滑动件213偏压向盘片表面222。每个致动器臂219附接于一致动器装 置227。如图2所示的致动器装置227可以是音圈电机(VCM)。VCM包括 可在固定磁场内移动的线圈，线圈移动的方向和速度由控制器229提供的电 机电流信号控制。
在磁盘存储系统工作的过程中，磁盘212的旋转在滑动件213和盘片表 面222之间生成空气轴承，使在滑动件上作用一向上力或抬升。空气轴承因 而反平衡悬挂件215的小的弹簧力，并支撑滑动件213离开盘片表面、并略 在盘片表面上方，在正常工作期间相距小且大致为常数的一距离。
磁盘存储系统的各种部件在工作中受到由控制单元229产生的控制信 号，例如访问控制信号和内部时钟信号的控制。通常，控制单元229包括逻 辑控制电路、存储装置和微处理器。控制单元229产生控制信号控制各种系 统工作，例如线223上的驱动电机控制信号以及线228上的磁头定位和查找 控制信号。线228上的控制信号提供最优地移动和定位滑动件213到磁盘上 的所需数据磁道的所需电流分布值(profile)。通过记录通道225，写和读信 号传入和传出写和读磁头221。
参照图3，可更详细地看到滑动件213中的磁头221的取向。图3是滑 动件213的ABS视图，可看到包括感应写磁头和读传感器的磁头位于滑动 件的后缘。上述对通常的磁盘存储系统的描述，以及图2的描绘仅为示意图。 显然，磁盘存储系统可包括大量盘片和致动器，并且每个致动器可支撑若干 滑动件。
现参照图4，描述用于垂向磁性记录系统中的磁头221。磁头221包括 写元件402和读传感器404。读传感器优选为巨磁阻(GMR)传感器，并优 选为电流垂直于平面(CPP，current perpendicular to plane)的GMR传感器。 CPP GMR传感器特别适合用于垂向记录系统中。但是，传感器404也可是 其它类型的传感器，如电流处于平面内(CIP)的GMR传感器，或隧道结 传感器(TMR，tunnel junction sensor)，或其它类型的传感器。传感器404 位于第一和第二磁屏蔽元件406、408之间并与它们绝缘。可由例如CoFe或NiFe构成的磁屏蔽元件吸收磁场，如来自上磁道或下磁道数据信号的磁 场，保证读传感器404只探测位于屏蔽元件406、408之间的所需数据磁道。
继续参照图4，写元件402包括写磁极410，其与磁整形层(shaping layer) 412磁连接。写磁极在空气轴承表面ABS具有小的横截面，并且由具有高饱 合度、高磁矩的磁性材料如Co或CoFe构成。磁整形层412由磁性材料如 CoFe或NiFe构成，并具有与ABS表面平行且比写磁极410的横截面大得 多的横截面。
写元件402还具有返回极414，优选该返回极414具有暴露于ABS表面 的表面并具有平行于ABS表面且比写磁极410的横截面大得多的横截面。 返回极414通过后间隙部分416与磁整形层412磁连接。返回极414和后间 隙416可由例如NiFe，CoFe或其它磁性材料构成。
如图4中剖面图所示，导电写线圈418在整形层412和返回极414之间 通过写元件402。写线圈418被电绝缘材料420包围，使线圈418的各匝彼 此电气绝缘，并使线圈418与周围的磁构件410，412，416，414电气绝缘。 电流通过线圈418时，所产生的磁场导致磁通量通过返回极414，后间隙416， 整形层412和写磁极410流动。此磁通量导致写磁场422向相邻的磁介质424 发散。如在本发明的背景中所述，磁介质优选包括薄的硬磁性顶层426和软 磁性衬层428。来自写磁极410的高度集中的强磁场使硬磁性顶层426磁化 (即固定它的磁矩)，所产生的磁通量430通过软磁性衬层428传播。该通 量向返回极414行进，由此通过硬磁性顶层426向返回极414返回。当磁通 量430经过顶层426到达返回极414时，它被充分分散并弱化而使之无法影 响硬磁性顶层426的磁化。
继续参照图4，围绕写元件402，屏蔽元件406、408和磁阻读元件的区 域由非磁性电绝缘材料432例如氧化铝(Al2O3)所填充。此电绝缘材料432 可以形成为多层。
现参照图5，描述一种对杂散磁场写入的抗性高的磁构件500。该磁构 件可以是例如磁屏蔽元件406、408(图4)，返回极414(图5)或任何其它 在具有由虚线502表示出的空气轴承表面(ABS)的磁头221中的必需的磁 构件。应当指出，该构件可能是屏蔽元件408，406，返回极414或其它任何 在磁头内并具有大致矩形结构的构件。
如上述在本发明的背景技术中所讨论的，可由许多不同信源如机场安全 设备或蜂窝式电话引起的环境磁场造成从屏蔽元件500中流过的磁通量。经 过磁构件的磁通量流受到该构件的几何形状的很强的影响。在磁构件的突变 特征，特别是拐角处，磁通量线极大集中。现有技术的具有大致矩形的结构 且在ABS附近具有尖锐的拐角的磁屏蔽元件在ABS附近表现出强烈的磁通 量集中，导致磁场由这些拐角向附近的磁介质发散。这造成杂散磁场写入以 及磁信号从部分磁介质中被完全擦去。
继续参照图5，磁构件(屏蔽元件)500对来自垂直和水平两个方向磁 场(即垂直和平行于ABS)的杂散磁场效应都具有出色的抗力。屏蔽500 具有大致矩形的主体502，主体502垂直于ABS测定的深度为D1，主体502 平行于ABS测定的宽度为W1。此矩形部分502用作所述构件的功能部分， 例如，在所述构件500是磁屏蔽元件406、408的情况下为读传感器404(图 4)提供磁屏蔽，或在所述构件是返回极414的情况下传导来自介质424的 磁通量。第一和第二侧向延伸翼部506、508在ABS 512处从所述构件的主 体502的侧面延伸。
继续参照图5，翼部506、508垂直于ABS测定的深度小于主体502的 深度D1的1/4。翼部506、508的深度D2优选小于主体502的深度D1的 1/8。翼部从主体502的边缘向所述翼部中的每一个的外端512侧向延伸距离 W2。所述翼部中的每一个延伸的距离W2优选大约等于主体502的宽度加 20％或减20％。但也可基于设计考虑采用其它距离W2。
所述翼部中的每一个具有在槽口内端开始的槽口514，该槽口内端与主 体502的各个侧面距离W3。此距离W3可基于设计考虑而改变，但优选为 W1的大约5％到50％。槽延伸至翼部的端部512，并可自ABS凹入大约1μm 或0.2-2.0μm的距离。
仍参照图5，磁构件500的独特结构有效防止过多通量在结构502内部 的位置集聚，从而防止杂散磁场写入。当磁通量从构件500的主体502向 ABS 510流动时，一部分通量分流到翼部506、508。如果没有设置翼部506、 508，通量会在ABS 510处的主体502的拐角处集聚。从相对大的主体502 到相对小的翼部的通量流提供由于其相对小的尺寸而较易于饱合的通量扼 流点(flux choke point)516。此通量扼流导致所需的少量通量在位于主体 502和槽口514开始处之间的翼部位置处的ABS处泄露。
可以看出每个槽口514的开始处导致ABS处的拐角518。虽然所述翼部 中的每一个中的拐角518可能会导致有利于杂散磁场写入的通量集中点，但 是通量扼流效应导致足够通量在ABS泄露，使得到达拐角518的剩余通量 不会引起杂散磁场写入的问题。
所述翼部中的每一个506、508的槽口514提供至少几个优点。可以看 出所述翼部中的每一个506、508的端部512具有可提供通量集中点的拐角 520。槽口514的一个优点是它提供了进一步的通量限制，从而为向所述翼 部中的每一个506、508的端部512传播的剩余通量提供额外的通量扼流效 应。这使到达端部512的通量更少，从而减少在拐角520处的通量集中。槽 口514的另一个优点是移动拐角520进一步远离ABS。通过移动拐角520 远离ABS，拐角520处的任何通量集中在介质上的效应都被显著减小。
现参照图6，本发明的一个替代实施例包括一主体部分602和在ABS 608 处的从主体602侧向延伸的未开槽的翼部604，606。该主体垂直于ABS测 定的深度为D1，平行于ABS测定的侧向宽度为W1。所述翼部中的每一个 606，608具有深度D2，并从主体602到翼部606、608的端部610侧向延伸 距离W2。优选地，W2大约等于W1加20％或减20％，但也可以根据设计 考虑采用其它长度。D2优选为小于主体D1的1/4，尤其优选小于D1的1/8。
选择是构造具有开槽翼部506、508的构件500还是构造具有未开槽翼 部的构件600取决于所遇到的杂散磁场的特性的设计选择。如上所述，可能 遇到几种类型的杂散磁场。有些来自外部信源的杂散磁场可能主要取向为与 ABS垂直的方向(即垂向)，而其它杂散磁场可能主要取向为与ABS平行的 方向(即水平向)。可能还需要考虑来自写线圈的磁场。
参照图5公开的构件500对垂直和水平两个方向以及来自写线圈的磁场 提供优异的通量集中控制。参照图6描述的构件对来自写线圈的磁场和对垂 直磁场提供出色的控制，但与图5所描述的结构相比，对水平磁场的控制表 现得稍弱。因此，所选择的结构取决于所遇到的磁场的性质。
尽管描述了各种实施例，应理解它们只是作为示例而不是限制性。对于 本领域技术人员，在本发明的范围内的其它实施例也是显然的。例如尽管本 发明被描述为结合于垂向记录系统内，并特别适合于这种系统，本发明也可 实施于包括纵向磁记录系统在内的任何磁记录系统。因而，本发明的广度和 范围不应受任何上述示范实施例的限制，而只受根据下述权利要求和它们的 等效物的限定。
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