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亮度场致发光冷光板

阅读:759发布:2020-05-13

专利汇可以提供亮度场致发光冷光板专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种高 亮度 场致发光冷光板,其特征是选用带有纳米高反射率导电层的基体,在基体上先后制作 发光层 、绝缘层、透明导电的ITO层,在基体的纳米高反射率导电层和透明导电的ITO层引出 导线 连接电源,最后覆加透明绝缘保护层制作完成;该产品由于充分发挥了纳米高反射率导电层的反射能 力 ,使原本无效光线百分之八十到九十得到利用,大大增加了该类冷光板的亮度,使场致发光(EL)冷光板的用途大为增加,市场更加广阔,发展前景更加光明。,下面是亮度场致发光冷光板专利的具体信息内容。

1. 一种高亮度场致发光冷光板,其特征是在于:在带有纳米高反射率导电层(2) 的基体(1) 上先后制作发光层(3)、透明绝缘层(4)、ITO 透明导电层(5)、绝缘保护层(6) ;
从纳米高反射率导电层(2) 和ITO 透明导电层(5) 引出连接导线(8) 和导线(9),连接导线(8)和导线(9) 通过电源插头(7) 接通电源即可实施高亮度发光;其纳米高反射率导电层(2) 为可转移的纳米真空层,该纳米高反射率导电层(2) 的厚度为30nm ~ 80nm,对可见光的反射率在85%以上。
2.根据权利要求1 所述的高亮度场致发光冷光板,其特征在于:所述带有纳米高反射率导电层(2) 的基板(1);纳米高反射率导电层(2) 为可转移的纳米真空喷铝层,该纳米高反射率导电层(2) 的厚度为30nm ~ 80nm,对可见光的反射率在85%以上;该纳米高反射率导电层(2) 是可以转移的,可以附着在塑料PET、ABC以及纸、玻璃、木材、陶瓷上面;且可以附着在方、圆、球、柱形状的物体上。
3.根据权利要求1 所述的高亮度场致发光冷光板,其特征是在于:其制作过程是在带有纳米高反射率导电层(2) 的基体(1) 上,先后制作了发光层(3)、绝缘层(4)、ITO 透明导电层(5) 和透明绝缘保护层(6)。
4.根据权利要求1 所述的高亮度场致发光冷光板,其特征在于:纳米高反射率导电层(2) 和ITO 透明导电层(5) 上,引出了导线(8)、(9),通过电源插头(7) 接通电源,即可实施高亮度发光。

说明书全文

亮度场致发光冷光板

技术领域

[0001] 本发明涉及基体发光的技术领域,尤指高亮度场致发光冷光板。

背景技术

[0002] 场致发光亦称电致发光,英文简称为EL。
[0003] 场致发光薄膜是整体均匀而发冷光,具有光效高、节能、光线特别柔和、均匀,适于在恶劣环境下使用等诸多优点,是照明、显示、显示背光等领域最有发展前途的新型光源技术。
[0004] 影响和制约场致发光(EL)技术迅速发展的瓶颈仍然是发光强度不够,特别是提供的照度偏弱。

发明内容

[0005] 本发明的目的旨在克服已有技术之不足,提供了高亮度场致发光冷光板。
[0006] 本发明主要提供了场致发光的纳米高反射率导电基板,使向正面的光线强度提高接近一倍,同时基板的反射导电层是一种可转移的材料,使基板可以多种多样,形状可以千变万化,为场致发光冷光板技术可以迅速发展和普及应用提供了保障。
[0007] 为了达到上述目的,本发明是这样实现的:高亮度场致发光冷光板,该冷光板的制作有以下特点和步骤:
[0008] (1)高反射率导电基板的选用
[0009] a、纳米高反射率导电层的厚度为30nm~80nm,对可见光的反射率在85%以上;
[0010] b、该纳米高反射率导电层是可以转移的,可以附着在塑料如PET、ABC等以及纸、玻璃、甚至木材、陶瓷上面,且可以附着在方、园、球、柱各种形状的物体上;
[0011] c、带有反射导电层的基板可以在市场上购买,也可以委托有关厂家按要求定制。
[0012] (2)高亮度场致发光冷光板的制作:
[0013] a、在已选好的带有纳米高反射率导电层的基板上用印刷、喷涂、共蒸发、溅射等方法制造发光层
[0014] b、在上述已制有发光层的基板上制作高透光率、高介电常数的绝缘层,如Si2NO、BaTiO3、TiO2Ce等都可以制作高质量的绝缘层;
[0015] c、在上述已制有发光层和绝缘层的基板上通过印刷,溅射制做ITO透明导电层;
[0016] d、在纳米高反射率导电层和ITO透明层设置连接导线
[0017] e、设置透明绝缘保护层。附图说明
[0018] 附图为高亮度场致发光冷光板的示意图。
[0019] 图中:1、基体,2、纳米高反射率导电层,3、发光层,4、透明绝缘层,5、ITO导电层,6、透明绝缘保护层(板),7、电源插头,8,9、连接导线。
[0020] 具体实施方法
[0021] 为了更好地理解和实施,下面结合附图给出具体实施方法,详细说明高亮度场致发光冷光板。
[0022] (1)在选取好的带有纳米高反射率导电层2的基体1上用印刷、喷涂、共蒸发、溅射等方法制做发光层3,发光层的主要材料为ZnS:Mn、ZnS:Tb、SrS:Ce等场致发光材料;
[0023] (2)在上述已制作有发光层3的基体上制作高透光率、高介电常数的绝缘层4,如SiNO、BaTiO3、TiO2 Ce等都可以制作高质量的透明绝缘层;
[0024] (3)在上述已制有发光层3和透明绝缘层4的基体上通过印刷、溅射制做ITO透明导电层5;
[0025] (4)在纳米高反射率导电层2和透明导电层5设置连接导线8、9,连接导线8、9与电源插头7接通;
[0026] (5)设置透明保护层(板)6,透明保护层是玻璃,也可以高透明度的塑料薄膜,也可以喷、涂一层绝缘透明的保护性涂料制作。
[0027] 以上所述,实施方式仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明技术的精神的前提下,本领域工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
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