薄膜光伏装置及制造方法
阅读：188发布：2023-01-25
专利汇可以提供薄膜光伏装置及制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种制造 薄膜 光伏装置（100）的方法，该装置包括沉积在一个背面 接触 层（120）上的光伏Cu(In,Ga)Se2或等效ABC吸收层（130），例如ABC2层，该方法的特征在于包括至少五个沉积步骤，其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接下来在第二步骤中，以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素，在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积，在第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积，并且在第五步骤中仅沉积B元素以实现全部经沉积的元素的最终比率A/B。所得的光伏装置的特征在于由光曝露侧开始，该光伏装置（100）的吸收层（130）包括一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的第一区（501）、紧接着一个具有渐增的Ga/(Ga+In)比率的第二区（502），其中在该第二区（502）的光曝露半侧上Ga/(Ga+In)值的增加小于0.15并且包括至少一个隆起。，下面是薄膜光伏装置及制造方法专利的具体信息内容。
1.一种制造用于薄膜光伏装置（100）的至少一个吸收层（130）的方法，该吸收层（130）是由一种ABC硫族化合物材料制成的，该ABC硫族化合物材料包括ABC硫族化合物材料的四元、五元或多元变体，其中A代表如在国际纯粹与应用化学联合会所定义的化学元素周期表第11族中的元素，包括Cu和Ag，B代表周期表第13族中的元素，包括In、Ga和Al，并且C代表周期表第16族中的元素，包括S、Se和Te，其中所述吸收层（130）沉积在由一个基板（110）承载的一个背面接触层（120）上，所述方法包括以下顺序步骤（s1）至（s5），其中这两个步骤（s3,r）和（s4,r）执行至少一次，并且可以顺序地重复零至数字R次，其中r是识别这些顺序步骤（s3,r）和（s4,r）的重复计数指标，该指标具有0至R的值，并且其中从步骤（s2）至（s5）中基板（110）的温度高于350℃：
s1.将至少一种B元素沉积在所述基板（110）的该背面接触层（120）上，其量大于在该沉积过程结束时所要求的B元素的总量的10%且小于90%，此类沉积在至少一种C元素存在的情况下完成；
s2.在与至少一种B元素结合并且至少一种C元素存在下沉积一个初量的至少一种A
元素，其中元素A与B的原子沉积速率的比率Ar/Br是使得：
-Ar/Br>1，并且
在步骤（s2）结束时总沉积的元素A和B的原子比率A/B为：
2
(1/(3+2R))s3,r.在与至少一种B元素结合并且至少一种C元素存在下沉积至少一种A元素，其中元素A和B的原子沉积速率比率Ar/Br是使得：
-Ar/Br比前述步骤中的Ar/Br小1/1.2倍，并且
-在步骤（s3,r）结束时总沉积的元素A和B的原子比率A/B为：
2 1/2
((2+2r)/(3+2R))s4,r.在与至少一种B元素结合并且至少一种C元素存在下沉积至少一种A元素，其中元素A和B的原子沉积速率比率Ar/Br是使得；
-Ar/Br比前述步骤中的Ar/Br大至少1.2倍，并且
-在步骤（s4,r）结束时总沉积的元素A和B的原子比率A/B为：
2 1/2
((3+2r)/(3+2R))s5.在至少一种C元素存在下将一个额外量的至少一种B元素沉积在该部分完成的吸收层（130）上，从而在步骤（s5）结束时，将总沉积的元素A和B的原子比率A/B改变为：
0.62.根据权利要求1所述的方法，其中在任一步骤（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）及（s5）之前、之间或之后，向该吸收层（130）添加至少一种C元素。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中对于步骤（s2）、（s3，r）、（s4,r）以及（s5），该基板的温度高于350℃且低于550℃。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在步骤（s1）中沉积材料的基板温度为高于200℃且低于450℃，然后在步骤（s2）、（s3,r）以及（s4,r）的任一步或其组合期间增加以达到高于350℃且低于550℃的温度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中在步骤（s1）中沉积材料的基板温度为大约350℃，然后在步骤（s2）增加，在步骤（s3,r）中达到大约450℃的温度，其中r=0；并且然后维持基本恒定直到步骤（s4,r）和（s5）结束，其中r=R。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造ABC材料的方法，其中A代表元素Cu，B代表元素In和/或Ga，并且C代表元素Se。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所沉积的这一个或多个B元素包括Ga，并且其中经过步骤（s2）、（s3,r）和（s4,r）所沉积的Ga的总量占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至50%之间。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所沉积的这一个或多个B元素包括Ga，并且其中经过步骤（s3,r）所沉积的Ga的总量占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至25%之间。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中权利要求1的沉积步骤（s1）至（s5）对应于以下各步骤顺序的材料沉积速率，误差在±20%以内：
s1.以3.5埃/秒的速率沉积In，且开始以1.1埃/秒的速率并逐渐减少至0.95埃/
秒沉积Ga；
s2.以2.1埃/秒的速率沉积Cu，以0.15埃/秒的速率沉积In，并且以0.15埃/秒的
速率沉积Ga；
s3,0以2.1埃/秒的速率沉积Cu，以0.15埃/秒的速率沉积In，并且以0.6埃/秒的
速率沉积Ga；
s4,0以2.1埃/秒的速率沉积Cu，以0.15埃/秒的速率沉积In，并且以0.15埃/秒的
速率沉积Ga；
s5.以0.9埃/秒的速率沉积In，且开始以0.35埃/秒的速率并逐渐增加至0.45埃/
秒沉积Ga。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述顺序步骤（s1）至（s5）之后接着一个另外的步骤，其中在至少一种C元素存在下，在低于350℃的温度下沉积至少一种B元素，以使得沉积一个小于100纳米厚的补充层。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中由以下任何一项将碱性元素提供给所述吸收层（130）：所述基板（110）、所述背面接触层（120）和/或在所述吸收层（130）沉积过程中和/或之后所沉积的一个含碱的前体。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述基板（110）安装在一个卷到卷制造设备的一个输送辊和一个卷取辊之间。
13.一种薄膜光伏装置，该薄膜光伏装置包括由权利要求1至12中任一项所述的方法可获得的至少一个吸收层（130）。
14.一种薄膜光伏装置（100），该薄膜光伏装置包括一个柔性基板（110）和一个吸收层（130），其特征在于所述吸收层（130）由一种ABC硫族化合物材料制成，该ABC硫族化合物材料包括ABC硫族化合物材料的四元、五元或多元变体，其中A代表如在国际纯粹与应用化学联合会所定义的化学元素周期表第11族中的元素，包括Cu和Ag，B代表周期表第13族中的元素，包括In、Ga和Al，并且C代表周期表第16族中的元素，包括S、Se和Te，其中所述ABC硫族化合物材料包括In和Ga元素，其中跨过所述吸收层厚度的基本上平滑的Ga/(Ga+In)比率数据的组成分析形成一个Ga/(Ga+In)比率曲线（500），其中由所述吸收层的一个光曝露侧开始，所述Ga/(Ga+In)比率曲线（500）包括至少两个区（501，502），这两个区包括：
a.一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的前坡度区（501），其中所述前坡度区的一个光曝露侧具有小于0.5的Ga/(Ga+In)值，并且其中在所述前坡度区中的Ga/(Ga+In)值的幅值小于0.25且大于0.1；
b.一个具有整体上渐增的Ga/(Ga+In)比率的背坡度区（502），该背坡度区与所述前坡度区（501）相邻并且位于所述前坡度区（501）和与该光曝露侧相对的该吸收层的背面之间：其中
(i)在所述背坡度区（502）的该光曝露半面上，该Ga/(Ga+In)值增加不超过0.20；
(ii)所述背坡度区（502）的该光曝露半面包括至少一个具有局部增加或减少的Ga/(Ga+In)比率的隆起（505），所述隆起封闭在该Ga/(Ga+In)比率曲线（500）中的两个拐点之间。
15.根据权利要求14所述的装置，其中该吸收层（130）包括Cu(In,Ga)Se2。
16.根据权利要求14至15中任一项所述的装置，其中该吸收层（130）的厚度是从0.5微米至4.0微米。
17.根据权利要求14至16中任一项所述的装置，其中定义为在最大功率点的电压和电流的乘积除以开路电压和短路电流的乘积的填充因数在120K和300K的温度之间基本上恒定在一个大于0.60的填充因数值。
18.根据权利要求14至17中任一项所述的装置，其中从这些（220）/（240）反射的X射线衍射强度vs.2θ散射角度的一个曲线（900）的底部测量的在四分之一最大值（905）上的全宽具有小于0.6°的宽度。
19.根据权利要求14至18中任一项所述的装置，包括至少一个光伏电池（100），该光伏电池具有在由1,000瓦/平方米的辐照度、AM1.5G的太阳光谱以及25℃的电池温度下所定义的测试条件下大于16%的光伏转换效率的一个活性面积。
20.根据权利要求14至19中任一项所述的装置，其中所述基板（110）是聚酰亚胺、经涂覆的聚酰亚胺、不锈钢、经涂覆的不锈钢、低碳钢、经涂覆的低碳钢、铝、经涂覆的铝、玻璃或陶瓷材料的任一种。
薄膜光伏装置及制造方法
技术领域
背景技术
[0002] 光伏装置通常被理解为光伏电池或光伏模组。光伏模组通常包括互连光伏电池阵列。
[0003] 一种用于制造光伏装置和/或光伏电池的方法包括例如将半导体材料切成多个晶圆。另一种用于制造光伏装置的方法包括将半导体材料作为一个薄膜沉积在一个基板
上。薄膜光伏装置的制造可以比用晶圆制造光伏装置更具有成本效率。增加的成本效率的
实现不仅是因为生产期间材料及能量的节省，也是因为在增加装置的光伏转换效率上技术
的进步。本披露涉及使用相对低成本及低基板温度方法制造薄膜光伏装置，所述装置具有
与在类似的基板温度水平上制造的现有技术薄膜装置相比更高的光伏效率。对于一个给定
的电力输出，光伏装置成本的降低是拓展其商业化的主要动力，并且有助于减少化石燃料
燃烧所致的排放。另外，光伏装置转换效率的增加使得每单位面积有更高电力输出，并且因
此对于一个给定的输出功率有更低的材料及安装成本。
上。薄膜光伏装置的制造可以比用晶圆制造光伏装置更具有成本效率。增加的成本效率的
实现不仅是因为生产期间材料及能量的节省，也是因为在增加装置的光伏转换效率上技术
的进步。本披露涉及使用相对低成本及低基板温度方法制造薄膜光伏装置，所述装置具有
与在类似的基板温度水平上制造的现有技术薄膜装置相比更高的光伏效率。对于一个给定
的电力输出，光伏装置成本的降低是拓展其商业化的主要动力，并且有助于减少化石燃料
燃烧所致的排放。另外，光伏装置转换效率的增加使得每单位面积有更高电力输出，并且因
此对于一个给定的输出功率有更低的材料及安装成本。
[0004] 一个薄膜光伏装置通常通过将多个材料层沉积在一个基板上制造。以简化的功能观点来看，这些材料层可以表示为一种可能被一个缓冲层涂覆的光伏吸收层，该组合被夹
合在至少两个导电层之间。本披露内容涉及光伏装置，该装置含有通常基于一种ABC硫族
化合物材料的一个吸收层，例如ABC2黄铜矿材料，其中A代表如在国际纯粹与应用化学联
合会所定义的化学元素周期表第11族的元素，包括Cu或Ag，B代表周期表第13族中的元
素，包括In、Ga或Al，并且C代表周期表第16族中的元素，包括S、Se或Te。一种ABC2材
料的示例是Cu(In,Ga)Se2半导体，也被称为CIGS。本披露内容还涉及呈四元、五元或多元
材料的形式（例如Cux(In,Ga)y(Se,S)z、Cux(In,Al)ySez、Cux(Zn,Sn)ySez、Cux(Zn,Sn)y(Se,S)z或(Ag,Cu)x(In,Ga)ySez）的通常的ABC三元合成物（例如CuxInySez或CuxGaySez）的变体。
合在至少两个导电层之间。本披露内容涉及光伏装置，该装置含有通常基于一种ABC硫族
化合物材料的一个吸收层，例如ABC2黄铜矿材料，其中A代表如在国际纯粹与应用化学联
合会所定义的化学元素周期表第11族的元素，包括Cu或Ag，B代表周期表第13族中的元
素，包括In、Ga或Al，并且C代表周期表第16族中的元素，包括S、Se或Te。一种ABC2材
料的示例是Cu(In,Ga)Se2半导体，也被称为CIGS。本披露内容还涉及呈四元、五元或多元
材料的形式（例如Cux(In,Ga)y(Se,S)z、Cux(In,Al)ySez、Cux(Zn,Sn)ySez、Cux(Zn,Sn)y(Se,S)z或(Ag,Cu)x(In,Ga)ySez）的通常的ABC三元合成物（例如CuxInySez或CuxGaySez）的变体。
[0005] 本披露提出了一种用于在相对低的基板温度（低于600℃）下生产光伏装置的方法。它特别有利于基于塑料基板或金属箔的柔性光伏装置的生产。本披露还提出了在吸收
层中具有半导体元件的一种新颖特征深度分布的多种装置。
层中具有半导体元件的一种新颖特征深度分布的多种装置。
[0006] 可以使用多种方法（例如气相淀积、溅射、印刷、离子束或电镀）来制造薄膜ABC或ABC2光伏装置的光伏吸收层。最常见的方法是基于在真空室内通常使用多个材料蒸
发源的气相沉积或共蒸发。美国专利4,335,266描述了由I-III-VI2黄铜矿化合物形成
薄膜太阳能电池的方法，并且通常被认为是制造ABC2光伏装置技术的一个里程碑。美国
专利5,441,897中提出了较新的现有技术，该专利提出了一种在两个或三个步骤中制造
Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜太阳能电池的方法。美国专利6,258,620通过在沉积过程开始时使
用不同材料原子比率对前述三个步骤方法有进一步贡献，并且可能性地贡献更多材料沉积
步骤以构成一个前体层，该前体层其后通过在基本上更高的基板温度下加热所沉积的材料
而转换成一个吸收层。
发源的气相沉积或共蒸发。美国专利4,335,266描述了由I-III-VI2黄铜矿化合物形成
薄膜太阳能电池的方法，并且通常被认为是制造ABC2光伏装置技术的一个里程碑。美国
专利5,441,897中提出了较新的现有技术，该专利提出了一种在两个或三个步骤中制造
Cu(In,Ga)(Se,S)2薄膜太阳能电池的方法。美国专利6,258,620通过在沉积过程开始时使
用不同材料原子比率对前述三个步骤方法有进一步贡献，并且可能性地贡献更多材料沉积
步骤以构成一个前体层，该前体层其后通过在基本上更高的基板温度下加热所沉积的材料
而转换成一个吸收层。
[0007] 虽然一些现有技术已经能够制造转换效率与更为传统的硅晶圆的技术相当的光伏装置，迄今已经通过使用高温沉积过程（通常在大约600℃）获得了薄膜的高效率。本披
露因此描述了一种方法，该方法具有使高效率光伏装置也能够在基本上更低的沉积温度下
（通常在350℃至550℃之间）制造的优点。本披露还描述了此种光伏装置的特征。
露因此描述了一种方法，该方法具有使高效率光伏装置也能够在基本上更低的沉积温度下
（通常在350℃至550℃之间）制造的优点。本披露还描述了此种光伏装置的特征。
发明内容
[0008] 本发明提出了高效率薄膜光伏装置（特别是柔性光伏装置，更精确地是在例如低于600℃的相对低的基板温度下制造的装置）的制造问题的解决方案。以下，使用ABC来代
表三元、四元、五元或多元形式的材料的ABC或ABC2半导体化合物。
表三元、四元、五元或多元形式的材料的ABC或ABC2半导体化合物。
[0009] 如在以下段落中指明的，本发明的一个目标是要提供多种方法来改进光伏装置的制造以及所述装置的光伏转换效率，以及因此对所制造的光伏装置的表征。
[0010] 在通过在一个基板上沉积一个ABC半导体化合物所制造的薄膜光伏装置领域中的常见问题是需要600℃左右的高温来制造具有足够高的光伏转换效率以至于可以与基于
晶圆的装置相抗衡的装置。在薄膜沉积期间，基板温度越高，所要求的能量越大。因此，本
发明的一个目标是要提供一种用于在较低温度及能量水平下制造ABC光伏装置的方法，所
述装置的光伏转换效率不仅与在所述高温下所制造的薄膜装置相当而且与基于硅晶圆的
装置相当。
晶圆的装置相抗衡的装置。在薄膜沉积期间，基板温度越高，所要求的能量越大。因此，本
发明的一个目标是要提供一种用于在较低温度及能量水平下制造ABC光伏装置的方法，所
述装置的光伏转换效率不仅与在所述高温下所制造的薄膜装置相当而且与基于硅晶圆的
装置相当。
[0011] 在薄膜光伏装置制造领域中及更具体地在ABC薄膜光伏装置制造领域中的另一个问题是：高温沉积过程限制了基板材料的种类，ABC半导体可以沉积于这些基板材料上。
因此该沉积过程受限于在该过程期间的所述高温下将不会退化的材料。因此，本发明的另
一个目标是要提供一种在更多种基板（例如柔性塑料基板）上制造高效率ABC薄膜光伏装置
的方法。由于在350℃至550℃之间的较低的ABC半导体沉积温度，利用本方法使得此目标
变为可能。
因此该沉积过程受限于在该过程期间的所述高温下将不会退化的材料。因此，本发明的另
一个目标是要提供一种在更多种基板（例如柔性塑料基板）上制造高效率ABC薄膜光伏装置
的方法。由于在350℃至550℃之间的较低的ABC半导体沉积温度，利用本方法使得此目标
变为可能。
[0012] 在薄膜光伏装置制造领域的另一个问题是：来自一些基板（例如金属基板）的材料可能会通过基板元素和杂质污染所沉积的半导体薄膜。避免此种污染的方法是用一个阻挡
层（例如AlxOy、SixNy、或SixOy）涂覆该基板。然而所述阻挡层可能含有一些针孔，这将引发
半导体薄膜的一些残留污染。针孔在阻挡层中的出现与基板的粗糙度有关。金属基板通常
必须在涂覆有阻挡层之前进行表面处理，例如平滑化或抛光。另外，在沉积期间，本发明方
法的相对低的温度导致有害的杂质扩散减少，并且可以允许在该光伏吸收层沉积之前从该
过程中省去阻挡层沉积步骤。因此本发明的一个进一步的目标是要避免由于相对低温（低
于550℃）的沉积方法造成的污染、粗糙度困难以及与金属基板相关联的处理成本，此沉积
方法使能够使用非污染性且极其平滑的基板材料（例如塑料）。
层（例如AlxOy、SixNy、或SixOy）涂覆该基板。然而所述阻挡层可能含有一些针孔，这将引发
半导体薄膜的一些残留污染。针孔在阻挡层中的出现与基板的粗糙度有关。金属基板通常
必须在涂覆有阻挡层之前进行表面处理，例如平滑化或抛光。另外，在沉积期间，本发明方
法的相对低的温度导致有害的杂质扩散减少，并且可以允许在该光伏吸收层沉积之前从该
过程中省去阻挡层沉积步骤。因此本发明的一个进一步的目标是要避免由于相对低温（低
于550℃）的沉积方法造成的污染、粗糙度困难以及与金属基板相关联的处理成本，此沉积
方法使能够使用非污染性且极其平滑的基板材料（例如塑料）。
[0013] 在高效率光伏模组制造领域的又一个问题是：模组是由单独的光伏电池（例如硅电池或在玻璃电池上的薄膜）组装成的。这种组装要求在若干个生产线阶段上分批加工，这
与卷到卷（roll-to-roll）生产技术相比更加昂贵。另外，因为最高效率薄膜装置是在高温
下且大多是在刚性玻璃基板上生产，它们本身并不适合卷到卷生产。在卷到卷生产中被用
作连续网状物的金属基板的一个优点是：它们允许材料沉积期间的相对高的基板温度（高
于550℃），但要以前面所提到的表面处理为代价。因此，本发明的另一个目标是要提供一种
方法，该方法使得能够在低成本以及低能量下进行高效率光伏装置的卷到卷制造。
与卷到卷（roll-to-roll）生产技术相比更加昂贵。另外，因为最高效率薄膜装置是在高温
下且大多是在刚性玻璃基板上生产，它们本身并不适合卷到卷生产。在卷到卷生产中被用
作连续网状物的金属基板的一个优点是：它们允许材料沉积期间的相对高的基板温度（高
于550℃），但要以前面所提到的表面处理为代价。因此，本发明的另一个目标是要提供一种
方法，该方法使得能够在低成本以及低能量下进行高效率光伏装置的卷到卷制造。
[0014] 本发明的一个具体的目标是由于改进的光伏吸收层品质及转换特征来提供高效率的太阳能装置，如在以下段落中所指明的。
[0015] 在通过在一个基板上沉积一个黄铜矿或硫族化合物半导体吸收层来制造薄膜光伏装置的领域中的一个常见问题是：在该光伏半导体层中晶粒尺寸及图案所代表的结晶结
构中的缺陷及不规则性可能会使光伏转换降级。在光曝露侧的半导体层厚度的第一微米内
的所述结晶结构对于高的光伏转换效率是特别重要的。由于在低温下形成该半导层，所述
缺陷及不规则性更频繁地发生。因此，本发明的一个目标是提供太阳能装置，这些太阳能装
置在光曝露侧的半导体层厚度的约第一微米中具有结晶结构，虽然是在相对低温（550℃以
下）下被制造，该结晶结构对于高的光伏转换效率而言是可取的。
构中的缺陷及不规则性可能会使光伏转换降级。在光曝露侧的半导体层厚度的第一微米内
的所述结晶结构对于高的光伏转换效率是特别重要的。由于在低温下形成该半导层，所述
缺陷及不规则性更频繁地发生。因此，本发明的一个目标是提供太阳能装置，这些太阳能装
置在光曝露侧的半导体层厚度的约第一微米中具有结晶结构，虽然是在相对低温（550℃以
下）下被制造，该结晶结构对于高的光伏转换效率而言是可取的。
[0016] 导致前述问题的所述领域中的另一个问题是：电载体可以在该半导体层内再结合，并且因此降低该光伏装置的光伏转换效率。因此，本发明的另一个目标是提供在低温下
制造的太阳能装置，这些太阳能装置具有较少的电荷载体再结合，并且因此有与在基本上
较高的温度（即600℃）下制造的光伏装置相当的填充因数以及开路电压。
制造的太阳能装置，这些太阳能装置具有较少的电荷载体再结合，并且因此有与在基本上
较高的温度（即600℃）下制造的光伏装置相当的填充因数以及开路电压。
[0017] 在所述领域中的一个进一步问题是要设计该吸收层中元素的深层分布或坡度，以便优化所产生的电流和电压之间的取舍来使得转换效率最大化。因此，本发明方法的一个
进一步的目标是提供该吸收层中的元素的一种深度分布或坡度从而导致在低温（350℃至
550℃之间）下制造的高效率的太阳能装置。
进一步的目标是提供该吸收层中的元素的一种深度分布或坡度从而导致在低温（350℃至
550℃之间）下制造的高效率的太阳能装置。
[0018] 然而，在所述领域的又一个问题是要获得一种与随后所沉积的那些层匹配的一个吸收层表面。因此，本发明的方法的另一个目标是要提供一种吸收层，该吸收层的表面以及
界面性质（例如平滑性或带隙对齐）与随后所沉积的多个层的那些匹配。
界面性质（例如平滑性或带隙对齐）与随后所沉积的多个层的那些匹配。
[0019] 在所述领域的又一个进一步的问题是要设计用于薄膜光伏装置的多个层，其中所述层具有相匹配的热膨胀系数。所匹配的热膨胀系数对于良好的层粘合、寿命及持续长久
的光伏转换效率是一个重要的因数，特别是在柔性光伏装置制造的情况下。另外，较低的制
造温度可以降低与横跨光伏装置的多个层的热膨胀系数的变化相关联的问题。
的光伏转换效率是一个重要的因数，特别是在柔性光伏装置制造的情况下。另外，较低的制
造温度可以降低与横跨光伏装置的多个层的热膨胀系数的变化相关联的问题。
[0020] 简言之，本发明涉及一种制造薄膜光伏装置的方法，该薄膜光伏装置包括沉积在一个背面接触层上的一个光伏Cu(In,Ga)Se2或等效的ABC或ABC2吸收层，其特征在于所述
方法包括至少五个沉积步骤，其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三
或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接下来在第二步骤
中，以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素，在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积，在
第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积，并且在第五步骤中仅沉积B元素以实现总沉积的
元素的最终比率A/B。所得的光伏装置特征在于由该光曝露侧开始，该光伏装置（100）的吸
收层（130）包括一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的第一区（501）、紧接着是一个具有渐增
的Ga/(Ga+In)比率的第二区（502），其中在该第二区（502）的光曝露半面上，该Ga/(Ga+In)
值的增加了小于0.20并且包括至少一个隆起。
方法包括至少五个沉积步骤，其中在至少一种C元素存在于一个或多个步骤的情况下第三
或第四步骤对是顺序地可重复的。在第一步骤中，沉积至少一种B元素，接下来在第二步骤
中，以沉积速率比率Ar/Br沉积A和B元素，在第三步骤中以低于先前的比率Ar/Br沉积，在
第四步骤中以高于先前的比率Ar/Br沉积，并且在第五步骤中仅沉积B元素以实现总沉积的
元素的最终比率A/B。所得的光伏装置特征在于由该光曝露侧开始，该光伏装置（100）的吸
收层（130）包括一个具有渐减的Ga/(Ga+In)比率的第一区（501）、紧接着是一个具有渐增
的Ga/(Ga+In)比率的第二区（502），其中在该第二区（502）的光曝露半面上，该Ga/(Ga+In)
值的增加了小于0.20并且包括至少一个隆起。
[0021] 更详细地，本发明涉及一种制造用于薄膜光伏装置的至少一个吸收层的方法，该吸收层是由一种ABC硫族化合物材料制成，该ABC硫族化合物材料包括ABC硫族化合物材
料的四元、五元或多元变体，其中A代表如在国际纯粹与应用化学联合会所定义的化学元
素周期表第11族中的元素，包括Cu和Ag，B代表周期表第13族中的元素，包括In、Ga和
Al，并且C代表周期表第16族中的元素，包括S、Se和Te。
料的四元、五元或多元变体，其中A代表如在国际纯粹与应用化学联合会所定义的化学元
素周期表第11族中的元素，包括Cu和Ag，B代表周期表第13族中的元素，包括In、Ga和
Al，并且C代表周期表第16族中的元素，包括S、Se和Te。
[0022] 将所述的吸收层沉积在由一个基板所承载的一个背面接触层上。
[0023] 本发明的方法包括以下顺序步骤（s1）至（s5），其中两个步骤（s3,r）和（s4,r）执行至少一次，并且可以顺序地重复零至数字R次，其中r是识别这些顺序的步骤（s3,r）和（s4,r）的重复计数指标，该指标具有0至R的值，并且其中从步骤（s2）至（s5）该基板的温度高于
350℃。这些顺序的步骤（s1）至（s5）是：
350℃。这些顺序的步骤（s1）至（s5）是：
[0024] s1.将至少一种B元素沉积在所述基板的背面接触层上，其量大于在该沉积过程结束时所要求的B元素的总量的10%且小于90%，这一个或多个B元素的此类沉积在至少一种
C元素的存在下完成；
C元素的存在下完成；
[0025] s2.在与至少一种B元素结合并且至少一种C元素存在下沉积一个初量的至少一种A元素，其中元素A与B的原子沉积速率的比率Ar/Br是使得：
[0026] -Ar/Br>1，并且
[0027] 在步骤(s2)结束时总沉积的元素A和B的原子比率A/B为
[0028] (1/(3+2R))2
[0029] s3,r.在与至少一种B元素结合并且至少一种C元素存在下沉积至少一种A元素，其中元素A和B的原子沉积速率比率Ar/Br是使得：
[0030] -Ar/Br比前述步骤中的Ar/Br小1/1.2倍，并且
[0031] -在步骤（s3,r）结束时总沉积的元素A和B的原子比率A/B为：
[0032] ((2+2r)/(3+2R))2
[0033] s4,r.在与至少一种B元素结合并且至少一种C元素存在下沉积至少一种A元素，其中元素A和B的原子沉积速率比率Ar/Br是使得：
[0034] -Ar/Br比上前述步骤中的Ar/Br大至少1.2倍，并且
[0035] -在步骤（s4,r）结束时总沉积的元素A和B的原子比率A/B为：
[0036] ((3+2r)/(3+2R))2
[0037] s5.在至少一种C元素存在下将一个额外量的至少一种B元素沉积于该部分完成的吸收层上，从而在步骤（s5）结束时，将总沉积的元素A和B的原子比率A/B改变为：
[0038] 0.6
[0039] 在任一步骤（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）及（s5）之前、之间或之后，至少一种C元素可能被添加到该吸收层。
[0040] 对于步骤（s2）、（s3,r）、（s4,r）及（s5），基板温度优选是高于350℃且低于550℃。而且，在步骤（s1）中沉积材料时基板温度优选为高于200℃且低于450℃，然后在步骤（s2）、（s3,r）以及（s4,r）的任一步或其组合期间增加以达到高于350℃且低于550℃的温度。仍
然优选地，在步骤（s1）中材料沉积时基板温度为大约350℃，然后在步骤（s2）增加，在步骤
（s3,r）中达到约450℃的温度，其中r=0；并且然后维持基本上恒定直到步骤（s4,r）和（s5）结束，其中r=R。
然优选地，在步骤（s1）中材料沉积时基板温度为大约350℃，然后在步骤（s2）增加，在步骤
（s3,r）中达到约450℃的温度，其中r=0；并且然后维持基本上恒定直到步骤（s4,r）和（s5）结束，其中r=R。
[0041] 可以使用该方法来制造ABC材料，其中A表示元素Cu，B表示元素In和/或Ga，并且C表示元素Se。
[0042] 当所沉积的这一个或多个B元素包含Ga时，经过步骤（s2）、（s3,r）及（s4,r）所沉积的Ga的总量有利地是占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至50%之间，并且经过步骤（s3,r）所沉积的Ga的总量占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至25%。
[0043] 在一些实施例中，沉积步骤（s1）至（s5）对应于以下对应步骤顺序的材料沉积速率，误差在±20%以内：
[0044] s1.以3.5埃/秒的速率沉积In，并且开始以1.1埃/秒的速率并逐渐减少至0.95埃/秒的速率沉积Ga；
[0045] s2.以2.1埃/秒的速率沉积Cu，以0.15埃/秒的速率沉积In，并且以0.15埃/秒的速率沉积Ga；
[0046] s3,0以2.1埃/秒的速率沉积Cu，以0.15埃/秒的速率沉积In，并且以0.6埃/秒的速率沉积Ga；
[0047] s4,0以2.1埃/秒的速率沉积Cu，以0.15埃/秒的速率沉积In，并且以0.15埃/秒沉积Ga，并且；
[0048] s5.以0.9埃/秒的速率沉积In，并且开始以0.35埃/秒的速率并逐渐增加至0.45埃/秒的速率沉积Ga。
[0049] 连续步骤（s1）至（s5）之后接着一个另外的步骤，其中在至少一种C元素存在下，在低于350℃的温度下沉积至少一种B元素，以使得沉积一个小于100纳米厚度的补充层。
[0050] 通过以下任何一种将碱性元素提供给所述吸收层：所述基板、所述背面接触层和/或在所述吸收层沉积过程中和/或之后所沉积的一个含碱的前体。
[0051] 本发明的另一个方面是一种薄膜光伏装置，该装置包括通过上面提出的方法可得到的至少一个吸收层。
[0052] 本发明还涉及一种薄膜光伏装置，该装置包括一个柔性基板和一个吸收层，其特征在于所述吸收层是由以上所限定的ABC硫族化合物材料制成，其中所述ABC硫族化合物
材料包括In和Ga元素，其中跨过所述吸收层厚度的基本上平滑的Ga/(Ga+In)比率数据的
一个组成分析形成一个Ga/(Ga+In)比率曲线，其中由所述吸收层的一个光曝露侧开始，所
述Ga/(Ga+In)比率曲线包括至少两个区，这两个区包括：
材料包括In和Ga元素，其中跨过所述吸收层厚度的基本上平滑的Ga/(Ga+In)比率数据的
一个组成分析形成一个Ga/(Ga+In)比率曲线，其中由所述吸收层的一个光曝露侧开始，所
述Ga/(Ga+In)比率曲线包括至少两个区，这两个区包括：
[0053] a.一个具有逐渐减小Ga/(Ga+In)比率的前坡度区，其中所述前坡度区的一个光曝露侧具有少于0.5的Ga/(Ga+In)值，并且其中在所述前坡度区中的Ga/(Ga+In)值的幅
度小于0.25且大于0.1；
度小于0.25且大于0.1；
[0054] b.一个具有整体上逐渐增加Ga/(Ga+In)比率的背坡度区，该背坡度区与所述前坡度区相邻并且位于所述前坡度区和与该光曝露侧相对的该吸收层的背面之间，其中
[0055] (i)在所述背坡度区的光曝露半面上，该Ga/(Ga+In)值的增加不超过0.20；
[0056] (ii)所述背坡度区的光曝露半面包括至少一个具有局部增加或减少Ga/(Ga+In)比率的隆起，所述隆起在该Ga/(Ga+In)比率曲线（500）中的两个转折点之间。
[0057] 在此种装置中，该吸收层典型地包括Cu(In,Ga)Se2。
[0058] 并且，该吸收层的厚度优选是0.5微米至4.0微米之间。
[0059] 在这种装置中，定义为在最大功率点电压和电流的乘积除以开路电压和短路电流的乘积的填充因数在120K和300K的温度之间基本上恒定在大于0.60的填充因数值。
[0060] 此外，从这些（220）/（240）转折点的X射线衍射强度vs.2θ散射角度的一个曲线的底部测量的在四分之一的最大值上的全宽具有小于0.6°的宽度。在此处以及随后的实
例中使用的X射线衍射系统是Siemens D-5000，设置为Bragg-Brentano模式，利用0.02°
的步长大小、30秒的步长时间、1毫米的狭缝宽度、40千伏的电压以及37毫安培的电流。所
使用的线是分别具有1.54060埃和1.54439埃的波长的Cu K-alpha-1和Cu K-alpha-2。
例中使用的X射线衍射系统是Siemens D-5000，设置为Bragg-Brentano模式，利用0.02°
的步长大小、30秒的步长时间、1毫米的狭缝宽度、40千伏的电压以及37毫安培的电流。所
使用的线是分别具有1.54060埃和1.54439埃的波长的Cu K-alpha-1和Cu K-alpha-2。
[0061] 该装置可以包括具有在测试条件下大于16%的光伏转换效率的光伏电池，本领域技术人员已知该测试条件为标准测试条件，被定义为1,000瓦/平方米的辐照度，AM1.5G的
太阳光谱以及25℃的操作电池温度。
太阳光谱以及25℃的操作电池温度。
[0063] 本发明的特征有利地解决了在薄膜光伏装置制造领域中、以及更具体地在此类装置的吸收层的制造中的若干问题，也就是：
[0064] -包括至少五个阶段的多阶段方法使得制造高效率光伏装置所需要的有利的前坡度和后坡度的ABC吸收层合成物成为可能。所述方法有利地对所需要的组成比率进行了详
述以及分类、并且提供了两个可重复的步骤以便有利地指导该方法的精细调整。
述以及分类、并且提供了两个可重复的步骤以便有利地指导该方法的精细调整。
[0065] -所述方法是经过特别设计用于350℃至550℃之间的相对低的沉积温度，并且因此特别地有利于在例如塑料或柔性箔等材料上的沉积。
[0066] -所述方法包括多个步骤，其中在经沉积的B元素中Ga的量相对In的量是增加的，从而有利地建立制造高效率光伏装置所需要的必需的组分的坡度。
[0067] -所述方法有利地对示例性沉积顺序的材料通量比率进行了详述和分类，意于在所述相对低的沉积温度下制造出一种高效率的光伏装置。
[0068] -所述方法也有利地允许沉积小于100纳米厚度的另一种B材料层。
[0069] -通常通过添加源于多种来源（例如基板、背面接触层或一个碱性前体）的碱性材料来补充所述方法，以便有利地增加所得到的装置的光伏转换效率。
[0070] -所述方法也可以有利地在一个卷到卷制造装置中进行，其中所述基板安装在一个输送辊和一个卷取辊之间，并且将被安放用于具有许多有利的生产力效益的沉积。
[0071] -所得的薄膜光伏装置包括一个柔性基板以及由包括In和Ga元素的一种ABC硫族化合物材料制成的一个吸收层。横跨所述吸收层厚度的组成分析展现出一种Ga/(Ga+In)
比率曲线，该比率曲线对于光伏转换效率而言是有利的，因为它含有在给定界限之间演进
的有利的前坡度区和背坡度区，并且其中该背坡度区包括至少一个局部增加或减少的Ga/
(Ga+In)比率的一个隆起。
比率曲线，该比率曲线对于光伏转换效率而言是有利的，因为它含有在给定界限之间演进
的有利的前坡度区和背坡度区，并且其中该背坡度区包括至少一个局部增加或减少的Ga/
(Ga+In)比率的一个隆起。
[0072] -所述装置可以有利地包括由Cu(In,Ga)Se2制成的一个吸收层。
[0073] -所述装置可以有利地通过一组非侵入性分析（例如在120K至300K之间的操作温度范围内的填充因数测量以及进行该吸收层的合成物的侵入性测量之前的X射线衍射强
度）测试来决定该装置是否按照所述方法来制造。
度）测试来决定该装置是否按照所述方法来制造。
[0074] -所述装置是特别有利的，因为它包括至少一个光伏电池，该光伏电池的光伏转换效率被定义为1,000瓦/平方米的辐照度、AM1.5G的太阳光谱以及25℃的电池温度所定义
的测试条件下大于16%。
的测试条件下大于16%。
[0076] 现在将通过举例并参考附图来描述本发明的实施方案，在附图中：
[0077] 图1呈现了一个光伏电池的横截面示意图，其描绘了沉积于一个基板上的多个层。
[0079] 图3A至图3C是在制造一个光伏电池实施例的材料沉积过程期间基板温度（3A）和材料沉积率（3B，3C）的示例图。
[0080] 图4A至图4B是在制造一个第一示例性光伏电池实施例的材料沉积过程期间分别为基板温度和材料沉积率的第二套示例图。
[0081] 图5A、图5B和图5C是曲线图，分别显示了与通过使用本发明的方法和该方法的变体（图5C）制造的一个吸收层实施例相比，根据基于现有技术的一个沉积方法所得到的一个
吸收层的溅射深度的材料配比的原始数据、平滑数据以及示例性数据。
吸收层的溅射深度的材料配比的原始数据、平滑数据以及示例性数据。
[0082] 图6A和图6B是曲线图，示出了在若干温度上分别具有大约16%和18.7%的光伏效率的光伏电池的当前密度vs.电压。
[0083] 图7是一个曲线图，使得填充因数vs.操作温度在两个光伏电池（大约16%和18.7%的效率）之间的比较成为可能。
[0085] 图9是一个曲线图，示出了两个光伏电池（大约16%和18.7%的效率）的主要反射vs.散射角度的X射线衍射强度。
具体实施方式
[0086] 具有图1中所呈现的类似横截面的光伏电池的示例性实施例是使用图2至图4中所呈现的方法制造的。使用本发明的方法所制造的光伏电池的示例性实施例展示出一个所
谓的材料分布标示。该材料分布标示是通过对在图1中所显示的光伏电池的光伏吸收层中
包含的材料的深度分布进行采样而获得的。示例性材料分布标示呈现在图5A至图5C中。
另外的光伏性质呈现在图6至图9中。
谓的材料分布标示。该材料分布标示是通过对在图1中所显示的光伏电池的光伏吸收层中
包含的材料的深度分布进行采样而获得的。示例性材料分布标示呈现在图5A至图5C中。
另外的光伏性质呈现在图6至图9中。
[0087] 图1呈现了一个光伏电池或模组100的一个实施例的横截面。将一系列的材料层沉积在一个基板110上。基板110可以是刚性或柔性的，并且可以是由多种材料或经涂覆
的材料组成的，例如玻璃、经涂覆的金属、经塑料涂覆的金属、塑料或经涂覆的塑料（例如经
金属涂覆的塑料）。所描述的本发明对于呈现出相对低的玻璃转换温度的材料（例如塑料）
是特别有利的。一个优选的柔性基板材料因此可以是聚酰亚胺，因为它可以经受大约350℃
至550℃的温度。工业上可得的聚酰亚胺基板的通常可得厚度是在7微米至150微米的范
围。材料层沉积的示例性排序如下。这个排序的顺序可以逆转、并且也包括勾画出电池或
模组元件的划线操作。本说明书的目的是要澄清作为本发明的主题的吸收层130所沉积的
环境。
的材料组成的，例如玻璃、经涂覆的金属、经塑料涂覆的金属、塑料或经涂覆的塑料（例如经
金属涂覆的塑料）。所描述的本发明对于呈现出相对低的玻璃转换温度的材料（例如塑料）
是特别有利的。一个优选的柔性基板材料因此可以是聚酰亚胺，因为它可以经受大约350℃
至550℃的温度。工业上可得的聚酰亚胺基板的通常可得厚度是在7微米至150微米的范
围。材料层沉积的示例性排序如下。这个排序的顺序可以逆转、并且也包括勾画出电池或
模组元件的划线操作。本说明书的目的是要澄清作为本发明的主题的吸收层130所沉积的
环境。
[0088] 基板110通常涂覆有至少一个导电层120。所述导电层或导电层叠合物（也被称为背面接触）可以是多种导电材料，这些导电材料优选地具有一个热膨胀系数（CTE），该热膨
胀系数接近该导电材料在其上沉积的所述基板110的热膨胀系数以及随后将沉积到该导
电材料上的其他材料的热膨胀系数二者。所述导电材料优选地具有一个高光学反射系数。
所述导电层优选地不会以化学破坏的方式与其他随后待沉积于其上的材料反应。在常规
做法中，层120在例如溅射、电沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、电子束蒸发或喷射的过
程中被沉积，而且通常由Mo制成，虽然也可有利地使用或包括若干种其他材料，例如金属
硫族化合物、钼硫族化合物、MoSex、过渡金属硫族化合物、掺锡的氧化铟（ITO）、InxOy、ZnOx、ZrNx、SnOx、TiNx、Ti、W、Ta及Nb。
胀系数接近该导电材料在其上沉积的所述基板110的热膨胀系数以及随后将沉积到该导
电材料上的其他材料的热膨胀系数二者。所述导电材料优选地具有一个高光学反射系数。
所述导电层优选地不会以化学破坏的方式与其他随后待沉积于其上的材料反应。在常规
做法中，层120在例如溅射、电沉积、化学气相沉积、物理气相沉积、电子束蒸发或喷射的过
程中被沉积，而且通常由Mo制成，虽然也可有利地使用或包括若干种其他材料，例如金属
硫族化合物、钼硫族化合物、MoSex、过渡金属硫族化合物、掺锡的氧化铟（ITO）、InxOy、ZnOx、ZrNx、SnOx、TiNx、Ti、W、Ta及Nb。
[0089] 在下一个步骤中，将至少一个半导体光伏层130（也被称为吸收层）沉积在所述背面接触上。半导体光伏层130的方法、组成以及结构是本发明的主题。层130是由ABC材
料制成的，其中A表示如在国际纯粹与应用化学联合会所定义的化学元素周期表第11族中
的元素，包括Cu或Ag，B表示周期表第13族中的元素，包括In、Ga或Al，并且C表示周期
表第16族中的元素，包括S、Se或Te。一种ABC2材料的示例是Cu(In,Ga)Se2半导体（也被
称为CIGS）。可以使用多种技术，例如溅射、电沉积、印刷或作为优选技术的气相沉积来沉积
层130。层130具有的厚度通常在1微米至4微米之间，但甚至可以如0.5微米通常的薄。
料制成的，其中A表示如在国际纯粹与应用化学联合会所定义的化学元素周期表第11族中
的元素，包括Cu或Ag，B表示周期表第13族中的元素，包括In、Ga或Al，并且C表示周期
表第16族中的元素，包括S、Se或Te。一种ABC2材料的示例是Cu(In,Ga)Se2半导体（也被
称为CIGS）。可以使用多种技术，例如溅射、电沉积、印刷或作为优选技术的气相沉积来沉积
层130。层130具有的厚度通常在1微米至4微米之间，但甚至可以如0.5微米通常的薄。
[0090] 随后的步骤通常包括基本上为透明层的两层叠合物的沉积。一个第一层叠合物通常包括至少一个所谓的半导体缓冲层140，该半导体缓冲层通常具有高于1.7eV的能带隙，
例如由CdS、InxSy、ZnSx、GaSex、InxSey、SnOx、ZnOx或Zn(O,S)材料制成。一个第二层叠合物
通常包括一个前接触导电氧化物（TCO）层150，例如由例如掺杂的氧化铟、掺杂的氧化镓或
掺杂的氧化锌制成的。另外可选的步骤包括沉积前接触金属化的网格轨迹160以便有利地
增加前接触导电性，接着是通常作为一个沉积层或一个包封膜而提供的抗反射涂层。
例如由CdS、InxSy、ZnSx、GaSex、InxSey、SnOx、ZnOx或Zn(O,S)材料制成。一个第二层叠合物
通常包括一个前接触导电氧化物（TCO）层150，例如由例如掺杂的氧化铟、掺杂的氧化镓或
掺杂的氧化锌制成的。另外可选的步骤包括沉积前接触金属化的网格轨迹160以便有利地
增加前接触导电性，接着是通常作为一个沉积层或一个包封膜而提供的抗反射涂层。
[0091] 图2A至图4B是在制造四种光伏电池实施例的光伏吸收层沉积阶段期间基板温度与材料沉积速率的曲线图。图2A至图2C是概念曲线图，这些曲线图并没有指定在该沉积
步骤的每一步骤（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）以及（s5）的时间长短。实际上，特别是在一个工业过程的背景中，本领域技术人员将推论出：例如通过增加材料沉积速率或降低光伏吸收
层130的整体厚度，可以基本上缩短该过程的时间。根据该沉积系统可达到的沉积速率或
为了制造一个与该方法的规格对应的光伏吸收层，在图3A、图3B、图4A和图4B所提供的每
一步沉积步骤的时间因此可以被缩短或加长。图4A以及图4B是使得拥有合适设备的本领
域技术人员能够制造出可以大于16%的光伏转换效率的太阳能电池及模组的基线过程的
说明性示例。
步骤的每一步骤（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）以及（s5）的时间长短。实际上，特别是在一个工业过程的背景中，本领域技术人员将推论出：例如通过增加材料沉积速率或降低光伏吸收
层130的整体厚度，可以基本上缩短该过程的时间。根据该沉积系统可达到的沉积速率或
为了制造一个与该方法的规格对应的光伏吸收层，在图3A、图3B、图4A和图4B所提供的每
一步沉积步骤的时间因此可以被缩短或加长。图4A以及图4B是使得拥有合适设备的本领
域技术人员能够制造出可以大于16%的光伏转换效率的太阳能电池及模组的基线过程的
说明性示例。
[0092] 在图2A至图2C中描绘了形成层130的ABC材料的温度顺序以及相对材料沉积速率。图2A是在制造用于一系列光伏电池实施例的半导光伏吸收层130的材料沉积过程
期间的基板温度的曲线图。图2B是在制造一系列光伏电池实施例的材料沉积过程期间的
相对沉积速率的对应的曲线图。基板温度通常保持在大约由连续图200的优选值所指明的
温度，对该过程的一些部分而言，是在高于虚线段212和214所述描述的较低值的温度下。
在图2A中（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）和（s5）部分在时机上能与在图2B的基线过程中的步骤（s1）、（s2）、（s3,0）、（s4,0）和（s5）以及在图2C的步骤（s3,0）、（s4,0）、（s3,1）、（s4,1）和（s5）（其中（s3,r）、（s4,r）重复了一次）进行比较。在半导体光伏层130沉积之前，通常背面接触层120将已经涂覆基板110。然后基板110与其背面接触层120被优选地加热从而使得半导体光
伏层130开始沉积。
期间的基板温度的曲线图。图2B是在制造一系列光伏电池实施例的材料沉积过程期间的
相对沉积速率的对应的曲线图。基板温度通常保持在大约由连续图200的优选值所指明的
温度，对该过程的一些部分而言，是在高于虚线段212和214所述描述的较低值的温度下。
在图2A中（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）和（s5）部分在时机上能与在图2B的基线过程中的步骤（s1）、（s2）、（s3,0）、（s4,0）和（s5）以及在图2C的步骤（s3,0）、（s4,0）、（s3,1）、（s4,1）和（s5）（其中（s3,r）、（s4,r）重复了一次）进行比较。在半导体光伏层130沉积之前，通常背面接触层120将已经涂覆基板110。然后基板110与其背面接触层120被优选地加热从而使得半导体光
伏层130开始沉积。
[0093] 在图2B和图2C中的沉积速率值是任意单位（a.u.），使得对于以1的速率在沉积时间T上所沉积的材料A和B而言，获得一个A/B=1的化学计量的原子比率。比如，对于
Cu(In,Ga)沉积，会得到Cu/(In+Ga)=1。在图2B、图2C和图3B中并未示出材料C的沉积速
率，该沉积速率在Cu(In,Ga)沉积的背景中优选地会是Se材料。材料C的通量速率通常在
整个沉积过程期间保持恒定在通常大于2（优选的大约是5）并且通常小于100（单位是所
述任意单位）的速率下。在图2B和图2C中没有示出一种或多种所谓掺杂的碱性前体材料
（例如NaF、NaCl、NaSe、KF、KCl、CsF以及LiF）的沉积速率。这种省略是由于所述掺杂物可
以连续地或阶段地被添加或可能源自该基板、一个前体层或另一个沉积源。
Cu(In,Ga)沉积，会得到Cu/(In+Ga)=1。在图2B、图2C和图3B中并未示出材料C的沉积速
率，该沉积速率在Cu(In,Ga)沉积的背景中优选地会是Se材料。材料C的通量速率通常在
整个沉积过程期间保持恒定在通常大于2（优选的大约是5）并且通常小于100（单位是所
述任意单位）的速率下。在图2B和图2C中没有示出一种或多种所谓掺杂的碱性前体材料
（例如NaF、NaCl、NaSe、KF、KCl、CsF以及LiF）的沉积速率。这种省略是由于所述掺杂物可
以连续地或阶段地被添加或可能源自该基板、一个前体层或另一个沉积源。
[0094] 在连续步骤（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）和（s5）中进行沉积，其中步骤（s3）和（s4）重复多达数字R次，并且其中r是通过其标号识别每一步骤（s3）和（s4）的指标，该指标由0计数至R。在图2B中R=0，并且在图2C中R=1。如果省略一些细节，该沉积步骤可以被总结
为：
为：
[0095] s1.半导体光伏光伏层130的沉积开始于至少一种B材料的沉积。在这个步骤中的沉积可以在低于或等于约350℃的优选温度下进行。如果开始温度低于350℃的最优选温
度，那么最小开始温度大约为150℃（优选200℃），并且必须例如按照分段212在步骤（s1）
结束时线性地增加至达到350℃，如由点213所标示的。
度，那么最小开始温度大约为150℃（优选200℃），并且必须例如按照分段212在步骤（s1）
结束时线性地增加至达到350℃，如由点213所标示的。
[0096] s2.添加材料A并且降低材料B的沉积速率。步骤（s2）由点213开始，其中温度增加至达到大约450℃以及至少按照线性分段214的温度。分段214由点213延伸至点215，
其中温度为大约450℃。点215的横坐标在图2B中定位在步骤（s4,0）所分配的时间内或在
图2C中则在步骤（s4,1）所分配的时间内。本领域技术人员将会确定点215位于步骤（s4,0）
至（s4,1）结束前，以便使得材料有足够的时间反应并且形成所期望的结晶相。
其中温度为大约450℃。点215的横坐标在图2B中定位在步骤（s4,0）所分配的时间内或在
图2C中则在步骤（s4,1）所分配的时间内。本领域技术人员将会确定点215位于步骤（s4,0）
至（s4,1）结束前，以便使得材料有足够的时间反应并且形成所期望的结晶相。
[0097] s3,r.以用元素A与B的沉积速率的比率Ar/Br沉积材料A与B，从而使得除了其他限制之外，Ar/Br比上一个步骤中少1/1.2倍（大约0.83倍），不论上一个步骤是（s2）还是
（s4,r）。
（s4,r）。
[0098] s4,r.用元素A与B的沉积速率的比率Ar/Br沉积材料A与B，使得除了其他前述限制之外，Ar/Br比上一个步骤中大1.2倍并且大于1。
[0100] 步骤（s1）至（s5）是在至少一种C元素存在下完成的，该至少一种C元素也可以在这些步骤之前、之间以及之后存在。
[0101] 在步骤（s5）之后，降低温度直到点217，其中温度达到350℃。点217可能有两种：1)如果在任一步骤（s1）、（s2）、（s3,r）、（s4,r）以及（s5）期间，使用多种方法（例如通过基板110、背面接触层120和/或在吸收层130沉积期间和/或之后沉积的含碱的前体），将
足量的碱性元素提供给吸收层130，那么温度可以继续降低到200℃及以下，或2)如果没有
给吸收层130提供碱性元素或提供的不足，那么在一段时间内将温度持续在350°下，让本
领域技术人员将会评估能够提供足量碱性元素给吸收层130的条件，此后温度可能降低至
200℃及以下。
足量的碱性元素提供给吸收层130，那么温度可以继续降低到200℃及以下，或2)如果没有
给吸收层130提供碱性元素或提供的不足，那么在一段时间内将温度持续在350°下，让本
领域技术人员将会评估能够提供足量碱性元素给吸收层130的条件，此后温度可能降低至
200℃及以下。
[0102] 本披露因此为本领域技术人员呈现了一种有利的方法，该方法包括至少5个步骤以便在相对低的基板温度（低于550℃）下制造高效率光伏装置100的吸收层130。所述方
法是特别有利的，因为它提供了一种在某种程度上与沉积过程以及绝对沉积速率无关的准
则，因此能够有更长或更短的沉积过程。
法是特别有利的，因为它提供了一种在某种程度上与沉积过程以及绝对沉积速率无关的准
则，因此能够有更长或更短的沉积过程。
[0103] 表1及表2分别列出了用于图2B和图2C中所描绘的连续示例性阶段的材料原子沉积速率的顺序（任意单位）。
[0104] 表1：图2B的材料沉积阶段以及沉积速率
[0105]
[0106] 表2：图2C的材料沉积阶段以及沉积速率
[0107]
[0108] 在图2A至2B以及随后的图3A至4B中未显示的是：该沉积之后可选择的是在至少一种C元素存在下在低于350℃的温度下至少一种B元素的补充层的沉积，并且从而使得
所沉积的补充层小于100纳米的厚度。这个补充层可以作为所述半导缓冲层140而且可以
组成为(In1-x,Gax)2Se3，其中x通常为大约0.3。
所沉积的补充层小于100纳米的厚度。这个补充层可以作为所述半导缓冲层140而且可以
组成为(In1-x,Gax)2Se3，其中x通常为大约0.3。
[0109] 图3A至3C显示了两个沉积示例，并且使得在一个给定的沉积过程上的温度的时间安排以及材料沉积步骤的比较成为可能。步骤（s1）至（s5）的时间长短是在图3B以及3C
中的曲线顶部表示的。
中的曲线顶部表示的。
[0110] 图3A是在制造一个半导体光伏层130的另一个实施例的材料沉积方法期间基板温度300的曲线图。水平轴具有任意时间单位（a.t.u.)，例如分钟或数秒种或数分钟的时
间段。任意时间单位的理由是：通常本领域技术人员可以通过例如改变材料通量速率来改
变方法步骤的持续时间。与对图2A至2C的描述类似，通常已经将基板110涂覆有背面接
触层120，然后对于这个实施例而言是将其加热至大约350℃从而使得半导层130的沉积开
始。与对图2A至2C的描述类似的，温度通常具有由分段312以及314所标示的下限，而在
步骤（s1）结束时具有在350℃下的分段点313以及450℃下的315，并且在步骤（s4,0）结束
前具有大约40a.t.u。
间段。任意时间单位的理由是：通常本领域技术人员可以通过例如改变材料通量速率来改
变方法步骤的持续时间。与对图2A至2C的描述类似，通常已经将基板110涂覆有背面接
触层120，然后对于这个实施例而言是将其加热至大约350℃从而使得半导层130的沉积开
始。与对图2A至2C的描述类似的，温度通常具有由分段312以及314所标示的下限，而在
步骤（s1）结束时具有在350℃下的分段点313以及450℃下的315，并且在步骤（s4,0）结束
前具有大约40a.t.u。
[0111] 图3B示出了随着任意时间单位（a.t.u.）中给定的时间变化的可以形成层130的ABC材料的A及B的材料比率的第一示例性顺序。材料C以及额外的掺杂材料没有表示出
来。在这个示例中，材料A由用于Cu的曲线320表示，并且材料B由In（曲线310）和Ga
（曲线330）的结合来表示。表3结合了图3A和3B的温度以及沉积数据。
来。在这个示例中，材料A由用于Cu的曲线320表示，并且材料B由In（曲线310）和Ga
（曲线330）的结合来表示。表3结合了图3A和3B的温度以及沉积数据。
[0112] 表3：图3A及3B的示例材料沉积顺序
[0113]
[0114] 图3C示出了随着以分钟为单位的时间变化的可以形成层130的ABC材料的A与B的材料比率的第二示例性顺序。步骤（s1）至（s5）的持续时间是该曲线的顶部表示的。材
料C并没有被表示出来，但是以Se元素的形式被提供，该Se元素以大约30埃/秒的速率
被提供于至少至步骤（s5）结束时并且通常在整个沉积过程期间。在这个示例中，材料A由
用于Cu的曲线320表示，并且材料B由In（曲线310）和Ga（曲线330）的结合来表示。在
其中步骤（s3,r）和（s4,r）重复至R次，并且r是识别每一个步骤（s3,r）和（s4,r）的0至R的
数字的一个更普遍的描述中，在步骤（s2）、（s3,r）以及（s4,r）所沉积的Ga的总量通常占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至50%之间。另外经过步骤（s3,r）所沉积的Ga的总量
通常是占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至25%之间。曲线350指明了碱性NaF
材料的沉积速率，在这个示例中接近该沉积过程结束时，从大约T0+68至大约T0+88，速率
大约是0.3埃/秒，其中T0是该过程开始时的时间，并且时间单位是分钟。表4列出了第
二示例性沉积顺序中的分段点。步骤（s1）至（s5）的时间安排是象征性的并且通常本领域
技术人员会推断出：在各个步骤之间会有一些通过调节用于材料沉积的来源温度所需的时
间所引起的交叉。
料C并没有被表示出来，但是以Se元素的形式被提供，该Se元素以大约30埃/秒的速率
被提供于至少至步骤（s5）结束时并且通常在整个沉积过程期间。在这个示例中，材料A由
用于Cu的曲线320表示，并且材料B由In（曲线310）和Ga（曲线330）的结合来表示。在
其中步骤（s3,r）和（s4,r）重复至R次，并且r是识别每一个步骤（s3,r）和（s4,r）的0至R的
数字的一个更普遍的描述中，在步骤（s2）、（s3,r）以及（s4,r）所沉积的Ga的总量通常占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至50%之间。另外经过步骤（s3,r）所沉积的Ga的总量
通常是占经过整个过程所沉积的Ga的总量的10%至25%之间。曲线350指明了碱性NaF
材料的沉积速率，在这个示例中接近该沉积过程结束时，从大约T0+68至大约T0+88，速率
大约是0.3埃/秒，其中T0是该过程开始时的时间，并且时间单位是分钟。表4列出了第
二示例性沉积顺序中的分段点。步骤（s1）至（s5）的时间安排是象征性的并且通常本领域
技术人员会推断出：在各个步骤之间会有一些通过调节用于材料沉积的来源温度所需的时
间所引起的交叉。
[0115] 表4：图3A及3C的示例材料沉积顺序
[0116]
[0117] 图4A和图4B示出了制造第一示例性实施例的一个第三沉积示例。与图3A类似的，图4A是在持续大约100分钟的材料沉积过程期间基板温度400的曲线图。在图4A和图
4B的基线沉积过程的帮助下，本领域技术人员能够制造具有独立公认的大于17%的光伏转
换效率的CIGS光伏电池。虽然增加或减少材料沉积速率在图4B中是以线性隆起来表示的，
通常本领域技术人员将会推论出：小的变化以及较陡的梯度转换对于成功发热材料沉积也
是可能的。另外，材料沉积系统的硬件限制造成了在图4B中所描绘的陡的线性转移隆起，
并且通常本领域技术人员将会推断出：此类限制使得描绘的过程保持在本披露的方法的范
围内。曲线420、410和430分别描述了Cu、In以及Ga的沉积速率。曲线430的特征在于
中心凹口或隆起，下文中“隆起”405，其中在开始的降低之后Ga的沉积速率增加了一段时
间。图4B因此仅仅表示A和B材料以及碱性NaF掺杂材料的沉积顺序。在图4B中未示出
的是在整个过程期间在大约30埃/秒的速率下的Se（一种C材料）的沉积。曲线450描
述了碱性NaF材料的沉积速率，在这个示例中接近该沉积过程结束时，从大约T0+68至大约
T0+88，速率大约是0.3埃/秒，其中T0是该过程开始时的时间，并且时间单位是分钟。表
5列出了根据图4A和图4B中说明的方法制造所述示例性实施例的沉积顺序中的分段点。
4B的基线沉积过程的帮助下，本领域技术人员能够制造具有独立公认的大于17%的光伏转
换效率的CIGS光伏电池。虽然增加或减少材料沉积速率在图4B中是以线性隆起来表示的，
通常本领域技术人员将会推论出：小的变化以及较陡的梯度转换对于成功发热材料沉积也
是可能的。另外，材料沉积系统的硬件限制造成了在图4B中所描绘的陡的线性转移隆起，
并且通常本领域技术人员将会推断出：此类限制使得描绘的过程保持在本披露的方法的范
围内。曲线420、410和430分别描述了Cu、In以及Ga的沉积速率。曲线430的特征在于
中心凹口或隆起，下文中“隆起”405，其中在开始的降低之后Ga的沉积速率增加了一段时
间。图4B因此仅仅表示A和B材料以及碱性NaF掺杂材料的沉积顺序。在图4B中未示出
的是在整个过程期间在大约30埃/秒的速率下的Se（一种C材料）的沉积。曲线450描
述了碱性NaF材料的沉积速率，在这个示例中接近该沉积过程结束时，从大约T0+68至大约
T0+88，速率大约是0.3埃/秒，其中T0是该过程开始时的时间，并且时间单位是分钟。表
5列出了根据图4A和图4B中说明的方法制造所述示例性实施例的沉积顺序中的分段点。
[0118] 表5：图4A及图4B的示例材料沉积顺序
[0119]
[0120]
[0121] 图5A至图5C、图6A至图6B及图7示出了与两种方法相关联的数据，这些数据使得使用在图2A至图4B中描述的方法制造的一种光伏装置以及使用现有技术中描述的方法
制造的一种光伏装置之间的差异化成为可能。图5A至图5C对应于通常为侵入性方法、并
且基于沿着吸收层130的厚度的材料的相对组成的分析。图6A、图6B和图7对应基于在某
一温度范围内的光伏电池的光伏转换的分析的一种非侵入性方法。
制造的一种光伏装置之间的差异化成为可能。图5A至图5C对应于通常为侵入性方法、并
且基于沿着吸收层130的厚度的材料的相对组成的分析。图6A、图6B和图7对应基于在某
一温度范围内的光伏电池的光伏转换的分析的一种非侵入性方法。
[0122] 图5A和图5B是溅射深度剖析曲线图，示出了对于两种类型的光伏电池而言，Ga对Ga+In的相对量（即Ga/(Ga+In)）vs.溅射深度。图5A的曲线图是通过以下方式获得的:使
用一个离子枪渐进地侵蚀在一个光伏电池的吸收层130（即CIGS层）的表面的物质，然后使
用二次离子质谱测量所溅射的材料的组成。曲线518呈现了一种18.7%效率的光伏电池的
原始数据，该光伏电池具有依照相对于图4A至图4B所描述方法所沉积的大约2.8微米的
CIGS吸收层的厚度。曲线516呈现了一个大约16%效率（如果无抗反射涂层则为15.1%）的
光伏电池的原始数据，该光伏电池具有使用美国专利5,441,897以及美国专利6,258,620
中的现有技术所描述的方法类似的方法所沉积的CIGS吸收层。利用一个Atomika6500离
+
子微探针系统，使用O2 一级离子获得曲线518及516的二次离子质谱深度剖析数据。对
2
于曲线518，该系统被设定至12kV离子能量、2.0μA，500×500μm 点大小，4%的坑中心的
监测面积（其对应于每一坑坐标的20%×20%的空白）。对于曲线516，该系统被设定至14kV
2
离子能量、2.3μA，600×600μm 点大小，4%的坑中心的监测面积（其对应于每一坑坐标的
20%×20%的空白）。
用一个离子枪渐进地侵蚀在一个光伏电池的吸收层130（即CIGS层）的表面的物质，然后使
用二次离子质谱测量所溅射的材料的组成。曲线518呈现了一种18.7%效率的光伏电池的
原始数据，该光伏电池具有依照相对于图4A至图4B所描述方法所沉积的大约2.8微米的
CIGS吸收层的厚度。曲线516呈现了一个大约16%效率（如果无抗反射涂层则为15.1%）的
光伏电池的原始数据，该光伏电池具有使用美国专利5,441,897以及美国专利6,258,620
中的现有技术所描述的方法类似的方法所沉积的CIGS吸收层。利用一个Atomika6500离
+
子微探针系统，使用O2 一级离子获得曲线518及516的二次离子质谱深度剖析数据。对
2
于曲线518，该系统被设定至12kV离子能量、2.0μA，500×500μm 点大小，4%的坑中心的
监测面积（其对应于每一坑坐标的20%×20%的空白）。对于曲线516，该系统被设定至14kV
2
离子能量、2.3μA，600×600μm 点大小，4%的坑中心的监测面积（其对应于每一坑坐标的
20%×20%的空白）。
[0123] 图5B类似于图5A，其中曲线500是通过由使得曲线518的原始数据平滑化而获得，曲线510是通过使曲线516的原始数据平滑化而获得的。使用一种LOESS的方法（平滑
参数α=0.7)完成了原始数据的平滑化。曲线500因此是对应于具有18.7%光伏效率的电
池，并且曲线510对应于使用一种现有技术方法制造的大约16%效率的电池。
参数α=0.7)完成了原始数据的平滑化。曲线500因此是对应于具有18.7%光伏效率的电
池，并且曲线510对应于使用一种现有技术方法制造的大约16%效率的电池。
[0124] 鉴于两个曲线区域501和502而对曲线500进行讨论。第一曲线区域501从吸收层130的光曝露侧（溅射深度=0)开始并且一直持续到Ga/(Ga+In)比率降至第一最小值的
时候。区域501被称为曲线500的前坡度区。第二曲线区域502从所述的第一最小值开始
而且延伸至背面。区域502被称为曲线500的背坡度区。光曝露表面值（溅射深度=0）对
应于大约0.43的Ga/(Ga+In)的一个最大值。在溅射深度剖面500中所揭示的特征标志是
大约0.27的相对高的Ga/(Ga+In)值，在这个点上剖面500在吸收层130的表面下方达到
其第一最小值。因此在最大值和第一最小值之间存在0.16的差。另一方面，溅射深度剖面
510具有对应于大约0.52的Ga/(Ga+In)最大值的一个光曝露表面值，但在溅射深度剖面
510中所揭示的特征标志显示Ga/(Ga+In)在吸收层130表面下方的大约0.5微米的深度处
达到大约0.14的一个第一最小值（其在此是曲线的绝对最小值）。因此在最大值和第一最
小值之间存在0.38的一个差异。将曲线500及510的最大值与第一最小值之间的间隙（即
0.16和0.38）进行比较，在0.38–0.16=0.22的所述曲线之间存在一个绝对最大-最小间
隙差异，即在曲线500及510之间存在一个差不多58%的间隙差异。与曲线510的间隙相
比，曲线500的减小的间隙对于增加的光伏转换效率而言是有利的，并且该曲线500的减小
的间隙是在图2A至图2B、图3A至图3B中所呈现的以及在图4A至图4B中所演示的有利沉
积方法的结果，其中一个更优化的能带间隙坡度是通过在整个过程中In和Ga的仔细用量
而产生的。
时候。区域501被称为曲线500的前坡度区。第二曲线区域502从所述的第一最小值开始
而且延伸至背面。区域502被称为曲线500的背坡度区。光曝露表面值（溅射深度=0）对
应于大约0.43的Ga/(Ga+In)的一个最大值。在溅射深度剖面500中所揭示的特征标志是
大约0.27的相对高的Ga/(Ga+In)值，在这个点上剖面500在吸收层130的表面下方达到
其第一最小值。因此在最大值和第一最小值之间存在0.16的差。另一方面，溅射深度剖面
510具有对应于大约0.52的Ga/(Ga+In)最大值的一个光曝露表面值，但在溅射深度剖面
510中所揭示的特征标志显示Ga/(Ga+In)在吸收层130表面下方的大约0.5微米的深度处
达到大约0.14的一个第一最小值（其在此是曲线的绝对最小值）。因此在最大值和第一最
小值之间存在0.38的一个差异。将曲线500及510的最大值与第一最小值之间的间隙（即
0.16和0.38）进行比较，在0.38–0.16=0.22的所述曲线之间存在一个绝对最大-最小间
隙差异，即在曲线500及510之间存在一个差不多58%的间隙差异。与曲线510的间隙相
比，曲线500的减小的间隙对于增加的光伏转换效率而言是有利的，并且该曲线500的减小
的间隙是在图2A至图2B、图3A至图3B中所呈现的以及在图4A至图4B中所演示的有利沉
积方法的结果，其中一个更优化的能带间隙坡度是通过在整个过程中In和Ga的仔细用量
而产生的。
[0125] 在使用图2A至图4B的有利方法所制造的电池中发现的特征标志方面的另一个感兴趣的点是曲线500的起初急剧下降部分的斜率，也称为是从大约坐标（0，0.43）至
（0.4，0.265）的前坡度分段或区域。曲线500的前坡度分段的差不多的线性分段具有大约
-6 -1
0.64×10 m 的下降斜率。相比之下，曲线510的前坡度分段的差不多的线性分段具有大
-6 -1
约1.18×10 m 的下降斜率。与曲线500的上述减低的间隙相结合的前坡度区501的更为
平缓的倾斜对增加的光伏转换效率而言是有利的。
（0.4，0.265）的前坡度分段或区域。曲线500的前坡度分段的差不多的线性分段具有大约
-6 -1
0.64×10 m 的下降斜率。相比之下，曲线510的前坡度分段的差不多的线性分段具有大
-6 -1
约1.18×10 m 的下降斜率。与曲线500的上述减低的间隙相结合的前坡度区501的更为
平缓的倾斜对增加的光伏转换效率而言是有利的。
[0126] 在使用图2A至图4B的有利方法所制造的电池中所发现的特征标志上另一个令人感兴趣的点是曲线500中位于区域502内的一个隆起505的存在，据此称为背坡度分段或
区域，从第一最小值到大约中点延伸至吸收层背面。隆起505的宽度特征在于该隆起的光
曝露侧上的曲线中第一转折点以及该隆起的背面上的曲线中第二转折点的存在。由于从近
似坐标（0.235，0.28）至（1.1，0.28）的明显低的一个宽的低水平部分，隆起505在曲线500
中是特别可见的。隆起505起因于图4B中的隆起405。曲线500从所述第一最小值至背面
最大值还展现出通常广且相对低水平的分段。由近似坐标（0.4，0.265）延伸至大约（2.0，
0.35）的所谓背坡度分段形成由最小值至背面最大值的相当延伸且渐进的斜率。由最小值
至背面最大值的一个延伸的渐进的斜率可能有益于增强的光伏转换斜率。与曲线500相
比，曲线510的背坡度分段更加陡且更为高，由此形成了一个窄的最小值。
区域，从第一最小值到大约中点延伸至吸收层背面。隆起505的宽度特征在于该隆起的光
曝露侧上的曲线中第一转折点以及该隆起的背面上的曲线中第二转折点的存在。由于从近
似坐标（0.235，0.28）至（1.1，0.28）的明显低的一个宽的低水平部分，隆起505在曲线500
中是特别可见的。隆起505起因于图4B中的隆起405。曲线500从所述第一最小值至背面
最大值还展现出通常广且相对低水平的分段。由近似坐标（0.4，0.265）延伸至大约（2.0，
0.35）的所谓背坡度分段形成由最小值至背面最大值的相当延伸且渐进的斜率。由最小值
至背面最大值的一个延伸的渐进的斜率可能有益于增强的光伏转换斜率。与曲线500相
比，曲线510的背坡度分段更加陡且更为高，由此形成了一个窄的最小值。
[0127] 图5C是对标志曲线图Sig1的500、Sig2的520以及Sig3的530进行比较的一个溅射深度剖面图，该剖面图可通过向本发明的方法应用变更而获得。图5C的曲线500与图
4B的曲线500是相同的。曲线500、520、530由吸收层130的光曝露侧开始，都包括一个前
坡度区域，接着是一个第一最小值本身，接着是一个背坡度区域所包含的特征隆起505。隆
起505起因于在图2A至图4B中示例性的本披露的沉积过程方法。曲线500对应于提供了
18.7%效率的光伏电池的图4A至图4B的方法。隆起505在曲线500、520和530中是可见
的。隆起505起因于图4B中的隆起405。曲线520类似于曲线500、但是具有一个较不明
显的隆起505，是由于在隆起505的背面的与曲线500相比一个稍微抬高的第二最小值。在
曲线500、520、530中的隆起505的普遍特征是从任一曲线500、520、530的光曝露侧开始，
该隆起位于该第一最小值与曲线500、520、530的背坡度区域的光曝露半面之间。曲线520
是通过应用图2A至图4B的方法获得的，但在沉积期间稍微增加Ga/(Ga+In)比率，例如参
考图4B的T0+25和T0+41之间。曲线530表示利用图4A至图4B的方法的一个进一步的
变体可获得的剖面，以便从该剖面的最小值至背面最大值设计一个均匀且逐渐上升的背坡
度分段。曲线530是通过应用图4A至图4B的方法获得的，其差异是Ga/(Ga+In)比率比曲
线520中增加的更多，例如参考图4B，在T0+25和T0+41之间的沉积阶段，所述沉积阶段包
括步骤s3,0。
4B的曲线500是相同的。曲线500、520、530由吸收层130的光曝露侧开始，都包括一个前
坡度区域，接着是一个第一最小值本身，接着是一个背坡度区域所包含的特征隆起505。隆
起505起因于在图2A至图4B中示例性的本披露的沉积过程方法。曲线500对应于提供了
18.7%效率的光伏电池的图4A至图4B的方法。隆起505在曲线500、520和530中是可见
的。隆起505起因于图4B中的隆起405。曲线520类似于曲线500、但是具有一个较不明
显的隆起505，是由于在隆起505的背面的与曲线500相比一个稍微抬高的第二最小值。在
曲线500、520、530中的隆起505的普遍特征是从任一曲线500、520、530的光曝露侧开始，
该隆起位于该第一最小值与曲线500、520、530的背坡度区域的光曝露半面之间。曲线520
是通过应用图2A至图4B的方法获得的，但在沉积期间稍微增加Ga/(Ga+In)比率，例如参
考图4B的T0+25和T0+41之间。曲线530表示利用图4A至图4B的方法的一个进一步的
变体可获得的剖面，以便从该剖面的最小值至背面最大值设计一个均匀且逐渐上升的背坡
度分段。曲线530是通过应用图4A至图4B的方法获得的，其差异是Ga/(Ga+In)比率比曲
线520中增加的更多，例如参考图4B，在T0+25和T0+41之间的沉积阶段，所述沉积阶段包
括步骤s3,0。
[0128] 本发明的潜在理论是有利的，因为它使得本领域技术人员能够使用该方法及其示例来设计具有改进的光伏特征的一个装置。本领域技术人员可以使用5个或更多个步骤
来产生具有改进的前坡度区域501以及背坡度区域502的一个吸收层130。步骤（s3,r）和
（s4,r）因此可以被使用和重复来产生一个或多个隆起505以便于设计类似于曲线500所描
绘的改进的背坡度区域502或类似于曲线520及530的所述背坡度区域所描绘的进一步改
进的背坡度区域502。对步骤（s2）至（s5）的特别小心的使用也将使得本领域技术人员能够
制造具有所需要的前坡度区域501的一个装置。
来产生具有改进的前坡度区域501以及背坡度区域502的一个吸收层130。步骤（s3,r）和
（s4,r）因此可以被使用和重复来产生一个或多个隆起505以便于设计类似于曲线500所描
绘的改进的背坡度区域502或类似于曲线520及530的所述背坡度区域所描绘的进一步改
进的背坡度区域502。对步骤（s2）至（s5）的特别小心的使用也将使得本领域技术人员能够
制造具有所需要的前坡度区域501的一个装置。
[0129] 本发明也是有利的，因为溅射剖面分析可以使得本领域技术人员能够对使用本发明的方法所制造的装置与使用另一种方法制造的装置进行区分，其中在溅射剖面曲线中的
至少一个隆起505的存在是本披露方法的一个可能性标志。
至少一个隆起505的存在是本披露方法的一个可能性标志。
[0130] 图6A和图6B使得对两种在某一温度范围内操作的光伏装置之间的光伏转换性能的比较成为可能。图6A对利用在图5A至图5B中所呈现且使用一种类似于在现有技术中
所述方法所制造的大约16%效率的光伏电池所进行的多种测试进行了概述。曲线16283、
16243、16203、16163和16123分别绘制了在283K、243K、203K、163K和123K的装置温度下的
标准的电流密度随电压的变化。图6B对利用在图5A至图5C中所呈现且使用一种相对于
4A至图4B中所描述的本发明的方法所制造的18.7%效率的光伏电池所进行的多种测试进
行了概述。曲线18283、18243、18203、18163和18123分别绘制了在283K、243K、203K、163K
和123K的装置温度下的标准的电流密度随电压的变化。图6A示出了，随着16%效率的装
置温度从283K降到123K，对于低于243K的温度，标准的电流密度vs.电压的曲线经由一个
转折点的存在经受了一个形状变形。这种变形的结果是随着温度从243K降到123K，在最大
功率的点上的光伏效率降低。相反，图6B示出了随着18.7%效率的装置温度从283K下降
至123K，标准的电流密度vs.电压曲线没有经历变形。这种变形的结果是随着温度从283K
降到123K，在最大功率的点上的光伏效率增加。
所述方法所制造的大约16%效率的光伏电池所进行的多种测试进行了概述。曲线16283、
16243、16203、16163和16123分别绘制了在283K、243K、203K、163K和123K的装置温度下的
标准的电流密度随电压的变化。图6B对利用在图5A至图5C中所呈现且使用一种相对于
4A至图4B中所描述的本发明的方法所制造的18.7%效率的光伏电池所进行的多种测试进
行了概述。曲线18283、18243、18203、18163和18123分别绘制了在283K、243K、203K、163K
和123K的装置温度下的标准的电流密度随电压的变化。图6A示出了，随着16%效率的装
置温度从283K降到123K，对于低于243K的温度，标准的电流密度vs.电压的曲线经由一个
转折点的存在经受了一个形状变形。这种变形的结果是随着温度从243K降到123K，在最大
功率的点上的光伏效率降低。相反，图6B示出了随着18.7%效率的装置温度从283K下降
至123K，标准的电流密度vs.电压曲线没有经历变形。这种变形的结果是随着温度从283K
降到123K，在最大功率的点上的光伏效率增加。
[0131] 图7是一个曲线图，示出了对于在图6A和图6B中分别研究的16%和18.7%效率电池，填充因数随温度关系的变化。填充因数（FF）被定义为：
[0132] FF=(VMP×IMP)/(VOC×ISC)，
[0133] 其中，VMP是在最大功率点上的电压，IMP是在最大功率点上的电流，VOC是开路电压，以及ISC是短路电流。对于大约16%效率的电池，曲线710示出了装置温度从283K降到
123K是如何使得FF从0.72降至0.34。对于大约18.7%的效率电池而言，曲线700示出了
装置温度从298K降至123K而不引起FF的变化，其中终点值大约为0.76及最大中间值为
0.78。横跨某一装置温度范围的光伏转换性能分析因此可有利地使本领域技术人员能够初
步评估：装置100是否（特别是如果它是柔性的并且在要求低于550℃的相对低的沉积温度
的基板上制造）包括可能使用本发明方法制造的一个吸收层130。
123K是如何使得FF从0.72降至0.34。对于大约18.7%的效率电池而言，曲线700示出了
装置温度从298K降至123K而不引起FF的变化，其中终点值大约为0.76及最大中间值为
0.78。横跨某一装置温度范围的光伏转换性能分析因此可有利地使本领域技术人员能够初
步评估：装置100是否（特别是如果它是柔性的并且在要求低于550℃的相对低的沉积温度
的基板上制造）包括可能使用本发明方法制造的一个吸收层130。
[0134] 图8A和图8B是曲线图，使得能够对在一个298K装置温度下对于按照本发明使用图4A至图4B中所描述的方法制造的18.7%效率光伏电池的光伏性能表征与使用现有技术
的方法制造的大约16%效率的装置的光伏电池的光伏性能表征进行比较。图8A和图8B中
的曲线800和805是基于由太阳能系统的弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute for
Solar Energy Systems ISE）对所述18.7%效率光伏电池所做的独立认证的测量。图8A中
的曲线800（也称为或者I-V或者JV曲线）绘制出了电流密度随电压的变化。它的特征在于
2
711.9mV的开路电压VOC、34.75mA/cm 的短路电流密度、75.75%的填充因数FF、10.91mW的最
2
大功率点下的功率PMPP、601.5mV的在最大功率点下的电压的VMPP、31.15mA/cm 的在最大功
2 2
率点下的电流密度JMPP以及0.5824cm 的总面积A。这导致了在601.5mV以及31.15mA/cm
2
下18.74mW/cm 的最大功率点。曲线810代表使用现有技术方法所制造的大约16%效率装
置。曲线810演示了与具有大约0.6V开路电压的曲线800相比在类似电流密度范围内一
个较低的电压。在图8B中的曲线805绘制了光伏电池外部量子效率（EQE）随照明波长的
变化。所感兴趣的是曲线805上方是相对平直的，并且对于从大约540纳米延伸至大约880
纳米的波长范围，在大约90%的EQE水平上延伸。曲线805的所述波长范围是在90%的EQE
水平上方的事实显示出：越过此范围的损失总计少于10%。另一个感兴趣的点是在1020纳
米至1100纳米波长之间的曲线805的陡且延伸的下降斜率，所述斜率为大约-0.688%/nm。
另一方面，曲线815是波长在1050纳米至1150纳米之间具有相对较浅下降斜率的现有技
术的特征EQE vs.波长的曲线，该斜率为大约-0.433%/nm。如果是一个光伏装置（特别是在
要求低于550℃的相对低的沉积温度的基板上制造的一个柔性光伏装置），那么图8A和图
8B可使得本领域技术人员能够尝试确定该装置是否是使用本披露的本发明方法制造的，并
且有利地决定是否要进行另外的表征测试，例如那些与图6A、图6B、图7和图9以及更侵略
性地图5A及图5B相关联的测试。
的方法制造的大约16%效率的装置的光伏电池的光伏性能表征进行比较。图8A和图8B中
的曲线800和805是基于由太阳能系统的弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute for
Solar Energy Systems ISE）对所述18.7%效率光伏电池所做的独立认证的测量。图8A中
的曲线800（也称为或者I-V或者JV曲线）绘制出了电流密度随电压的变化。它的特征在于
2
711.9mV的开路电压VOC、34.75mA/cm 的短路电流密度、75.75%的填充因数FF、10.91mW的最
2
大功率点下的功率PMPP、601.5mV的在最大功率点下的电压的VMPP、31.15mA/cm 的在最大功
2 2
率点下的电流密度JMPP以及0.5824cm 的总面积A。这导致了在601.5mV以及31.15mA/cm
2
下18.74mW/cm 的最大功率点。曲线810代表使用现有技术方法所制造的大约16%效率装
置。曲线810演示了与具有大约0.6V开路电压的曲线800相比在类似电流密度范围内一
个较低的电压。在图8B中的曲线805绘制了光伏电池外部量子效率（EQE）随照明波长的
变化。所感兴趣的是曲线805上方是相对平直的，并且对于从大约540纳米延伸至大约880
纳米的波长范围，在大约90%的EQE水平上延伸。曲线805的所述波长范围是在90%的EQE
水平上方的事实显示出：越过此范围的损失总计少于10%。另一个感兴趣的点是在1020纳
米至1100纳米波长之间的曲线805的陡且延伸的下降斜率，所述斜率为大约-0.688%/nm。
另一方面，曲线815是波长在1050纳米至1150纳米之间具有相对较浅下降斜率的现有技
术的特征EQE vs.波长的曲线，该斜率为大约-0.433%/nm。如果是一个光伏装置（特别是在
要求低于550℃的相对低的沉积温度的基板上制造的一个柔性光伏装置），那么图8A和图
8B可使得本领域技术人员能够尝试确定该装置是否是使用本披露的本发明方法制造的，并
且有利地决定是否要进行另外的表征测试，例如那些与图6A、图6B、图7和图9以及更侵略
性地图5A及图5B相关联的测试。
[0135] 图9是一个曲线图，示出了两种光伏电池的主要的（220）/（240）反射的X射线衍射强度vs.散射角度。曲线900示出了根据本发明的使用在图4A及图4B中所描述的方法
制造的18.7%效率光伏电池的X射线衍射。曲线910使用同样的非侵入性方法来分析在图
5A中以曲线516所呈现的并且使用与现有技术中所描述的类似的方法制造的大约16%效
率的光伏电池。CuInSe2和CuGaSe2具有不同的晶格常数，并且曲线900和910对应于图5B
中的曲线500和510所揭示的坡度的Ga/(Ga+In)剖面。曲线900示出了在其底部比曲线
910底部基本上更窄的一个峰。这表明，与大约16%的现有技术的电池相比，横跨该吸收层
厚度的Ga/(Ga+In)坡度范围对于本发明的18.7%效率电池更窄。另外，曲线910对于在大
约44.4到44.8之间的2θ展现了相对宽的肩部，这对应于在图5B的曲线510中，在大约
0.3微米至0.8微米之间的溅射深度上可见的Ga相对较弱的区域。对于本发明的18.7%效
率光伏电池，在由该主要（220）/（240）反射的X射线衍射强度vs.2θ散射角度的曲线900
的底部所测量的四分之一最大值905上的全宽具有一个大约0.54°的宽度。对于现有技术
的16%效率光伏电池，在由该主要（220）/（240）反射的X射线衍射强度vs.2θ散射角度
的曲线910的底部所测量的四分之一最大值915上的全宽具有一个大约0.78°的宽度。
制造的18.7%效率光伏电池的X射线衍射。曲线910使用同样的非侵入性方法来分析在图
5A中以曲线516所呈现的并且使用与现有技术中所描述的类似的方法制造的大约16%效
率的光伏电池。CuInSe2和CuGaSe2具有不同的晶格常数，并且曲线900和910对应于图5B
中的曲线500和510所揭示的坡度的Ga/(Ga+In)剖面。曲线900示出了在其底部比曲线
910底部基本上更窄的一个峰。这表明，与大约16%的现有技术的电池相比，横跨该吸收层
厚度的Ga/(Ga+In)坡度范围对于本发明的18.7%效率电池更窄。另外，曲线910对于在大
约44.4到44.8之间的2θ展现了相对宽的肩部，这对应于在图5B的曲线510中，在大约
0.3微米至0.8微米之间的溅射深度上可见的Ga相对较弱的区域。对于本发明的18.7%效
率光伏电池，在由该主要（220）/（240）反射的X射线衍射强度vs.2θ散射角度的曲线900
的底部所测量的四分之一最大值905上的全宽具有一个大约0.54°的宽度。对于现有技术
的16%效率光伏电池，在由该主要（220）/（240）反射的X射线衍射强度vs.2θ散射角度
的曲线910的底部所测量的四分之一最大值915上的全宽具有一个大约0.78°的宽度。
[0136] 在图9中所呈现的X射线衍射分析方法因此呈现出一种有利方法以非侵入地暗示在低于大约600℃温度下制造的一种光伏装置是否是使用在本披露中所述的本发明方法制
造的。X射线衍射分析方法因此可有利地在更具侵入性的方法（例如在图5A至图5C中所呈
现的一种溅射深度剖面分析）之前被使用。
造的。X射线衍射分析方法因此可有利地在更具侵入性的方法（例如在图5A至图5C中所呈
现的一种溅射深度剖面分析）之前被使用。
[0137] 总之，本披露的方法为在低于550℃基板温度下制造薄膜光伏装置时遇到的若干问题提出了多种解决方案，并且使得所述装置具有与基本上较高温度下制造的薄膜装置相
当的或与那些基于更常规的硅晶圆技术所制造的薄膜装置相当的转换效率。该方法为制
造具有下述比现有技术有优势的光伏装置提供了解决方法：1)通过含有可重复的以生成
高效率所需的组成的步骤的一个过程，使能一个特征Ga/(Ga+In)曲线的设计；2)要求的能
量比现有技术中所需的更少；3)提供更广范围的可能性的基板(例如塑料)来制造比现有
技术中可能的具有更高的光伏效率的装置；4)避免必须使用金属基板以及其相关联的初
步的表面处理；5)使能够使用塑料（例如聚酰亚胺），其平滑性有益于制造高效率光伏薄膜；
以及6)通过柔性基板的使用，使能高效率的光伏装置的低成本且低能量的卷到卷生产。
当的或与那些基于更常规的硅晶圆技术所制造的薄膜装置相当的转换效率。该方法为制
造具有下述比现有技术有优势的光伏装置提供了解决方法：1)通过含有可重复的以生成
高效率所需的组成的步骤的一个过程，使能一个特征Ga/(Ga+In)曲线的设计；2)要求的能
量比现有技术中所需的更少；3)提供更广范围的可能性的基板(例如塑料)来制造比现有
技术中可能的具有更高的光伏效率的装置；4)避免必须使用金属基板以及其相关联的初
步的表面处理；5)使能够使用塑料（例如聚酰亚胺），其平滑性有益于制造高效率光伏薄膜；
以及6)通过柔性基板的使用，使能高效率的光伏装置的低成本且低能量的卷到卷生产。
[0138] 本发明的另一方面是一种使用该方法所生产的光伏装置。所述光伏装置在光伏转换效率上展现出比现有技术具有显著改善的光伏特征，其特征在于：1)在吸收层的光曝露
侧的第一微米内的改进的吸收层前坡度以及光伏特征，2)与在类似的温度下所制造的现有
技术装置相比更高的填充因数以及开路电压VOC，3)改进的层界面性质。用本披露中所陈述
的方法来分析该装置，以便解决以下问题：1)暗示该装置是否根据本方法制造，2)识别该
装置是如何区别于现有技术的，以及3)提示如何使用该方法来制造具有相等或更高光伏
转换效率的装置。
侧的第一微米内的改进的吸收层前坡度以及光伏特征，2)与在类似的温度下所制造的现有
技术装置相比更高的填充因数以及开路电压VOC，3)改进的层界面性质。用本披露中所陈述
的方法来分析该装置，以便解决以下问题：1)暗示该装置是否根据本方法制造，2)识别该
装置是如何区别于现有技术的，以及3)提示如何使用该方法来制造具有相等或更高光伏
转换效率的装置。
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