专利汇可以提供作方便,得到的中空纳米线比表面积大、在纳米一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳 管导线、多孔超滤膜,压电薄膜,生物医学,微电米线的方法 子器件方面都有广泛的应用前景。专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空 纳米线 的方法,包括有以下步骤:1)首先在80℃的恒温热台上将1%~5%不同浓度的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔 阳极 氧 化 铝 模板(氧化铝模板孔径范围为80~120nm)上使 溶剂 完全挥发;2)将溶剂完全挥发后的多孔阳极氧化铝模板转移至190℃~210℃的恒温热台熔融消除热历史,后迅速分别转移至160℃~170℃的恒温热台上培养8~14天至完全结晶;3)结晶完全后使用浓度为1-3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻,用扫描电镜检测可观察到聚偏氟乙烯中空纳米线;使用红外 光谱 , X射线 衍射,示差扫描量热仪等表征γ晶型,本 发明 工艺简单易行,操(56)对比文件Valentina Cauda, Stefano Stassi,Katarzyna Bejtka, et al..Nanoconfinement:an Effective Way to Enhance PVDFPiezoelectric Properties.《.ACS Appl MaterInterfaces》.2013,第5卷(第13期),第6430-6437页.Xiying Dai, Jiali Niu, Zhongjie Ren,et al..Effects of Nanoporous AnodicAlumina Oxide on the Crystallation andMelting Behavior of Poly(vinylidenefluoride).《.J Phys Chem B》.2016,第120卷(第4期),第843-850页.M.-C. Garcia-Gutierrez, A. Linares,J. J. Hernandez,et al..Confinement-Induced One-Dimensional FerroelectricPolymer Arrays.《.NANO Letters》.2010,第10卷第1472-1476页.梁爽, 郑茂梅, 孙平, 汪忠兴, 朱基亮..聚偏氟乙烯结晶结构及其ß相制备方法的研究..《压电与声光》.2013,第35卷(第5期),第719-726页.Wenjing Huang, Zhongping Li, PengfeiTian, et al..Agglomerated carbonnanotube-induced growth of piezoelectric3D nanoarchitectures assembled fromhollow 1D nanowires of poly (vinylidenefluoride) at high pressure.《.CompositesScience and Technology》.2013,第110-116页.Xue Li, Yee-Fun Lim, Kui Yao, etal..Ferroelectric Poly(vinylidenefluoride) Homopolymer Nanotubes Derivedfrom Solution in Anodic Alumina MembraneTemplate.《.Chem Mater》.2013,第25卷第524-529页.,下面是作方便,得到的中空纳米线比表面积大、在纳米一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳 管导线、多孔超滤膜,压电薄膜,生物医学,微电米线的方法 子器件方面都有广泛的应用前景。专利的具体信息内容。
1.一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法,其特征在于,包括有以下步骤:
1)首先把浓度为1%~5%的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发,加热到190~210℃,保温10min消除热历史,随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温至160℃~170℃;
2)在160℃~170℃的恒温热台上培养8~14天,使聚偏氟乙烯完全结晶,得到聚偏氟乙烯γ晶型的结晶度为28.6%、33.2%、41.7%;
3)结晶完全后使用浓度为1-3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。
2.根据权利要求1所述的一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法,其特征在于,包括有以下步骤:
1)首先把浓度为5%的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发,加热到190℃,保温10min消除热历史,随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温到160℃;
2)在160℃的恒温热台上培养8天,使聚偏氟乙烯完全结晶;
3)结晶完全后使用浓度为1mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。
3.根据权利要求1所述的一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法,其特征在于,包括有以下步骤:
1)首先把3%浓度的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发,加热到200℃,保温10min消除热历史,随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温到165℃;
2)在165℃的恒温热台上培养11天,使聚偏氟乙烯完全结晶;
3)结晶完全后使用浓度为2mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。
4.根据权利要求1所述的一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法,其特征在于,包括有以下步骤:
1)首先把1%浓度的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发,加热到210℃,保温10min消除热历史,随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温到170℃;
2)在170℃的恒温热台上培养14天,使聚偏氟乙烯完全结晶;
3)结晶完全后使用浓度为3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。
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