专利汇可以提供含纳米硫化铜钡的孤立膜及制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了含纳米硫化 铜 钡的孤立膜及制备方法。孤立 薄膜 的基质为有机改性 硅 醇盐甲基三乙 氧 基硅烷(MTES)与 钛 酸丁酯,用溶胶-凝胶工艺,经 水 解 与聚合后而成的m(CH3SiO3/2)-n(TiO2)基有机-无机孤 复合材料 ,用于 近红外 吸收的 纳米粉体 为 黄铜 矿结构把BaCu2S2。该粉体通过超声雾化法制得。将硫化铜/硫化钡混合溶液与硫化钠溶液进行 接触 反应,生成BaCu2S2。粉体经过湿磨与干磨等粉体处理,然后分散于十六烷甲基溴化铵溶液中,再与MTES/钛酸丁酯复合,然后涂覆于洁净的涤纶衬底膜表面上,制得含纳米BaCu2S2无 支撑 厚膜。本发明工艺简单、成本低廉、操作方便、合成效率高、制备的薄膜材料折射率大,可望用于 太阳能 热屏蔽与特种领域的红外 吸收材料 上。,下面是含纳米硫化铜钡的孤立膜及制备方法专利的具体信息内容。
1.含纳米硫化铜钡的孤立膜的制备方法,其步骤如下:
1)、将涤纶膜放入含有去离子水/无水乙醇混合液的超声波清洗机中清洗,充分去除表面的油脂和污物,并放于烘箱中干燥,得到洁净的涤纶膜待用;
2)、将硝酸铜(Cu(NO3)2)与硝酸钡(Ba(NO3)2)分别溶于去离子水配成浓度为0.1摩尔/升的硝酸铜与硝酸钡溶液,用稀盐酸或氨水调节溶液的pH值在6~8待用;同时将硫化钠(Na2S)溶于去离子水配成浓度为0.2摩尔/升的硫化钠溶液,用稀盐酸或氨水调节溶液的pH值在6~8待用;
3)、将Cu(NO3)2与Ba(NO3)2混合溶液装入超声雾化装置的喷雾容器中,Cu与Ba的离子比为1,将硫化钠溶液装入超声雾化装置的反应桶中,硝酸铜/硝酸钡溶液与硫化钠溶液的体积比为1∶1,Cu和Ba的总离子数与S离子的比为1∶2,在超声功率为20W,频率为
50KHz,超声喷雾头内液体流速为100毫升/小时下,将硝酸铜/硝酸钡溶液喷雾雾化至硫
2
化钠溶液中,在反应桶进行搅拌接触反应,微雾汽与液面的接触反应面积30cm,搅拌接触反应的搅拌速率为50转/分钟,搅拌接触反应完毕静置陈化8小时,得到反应溶液;
4)、反应溶液过滤,得到固体物料,固体物料先放入3倍固体物料体积的去离子水清洗
3分钟,取出后再用4倍固体物料体积的无水酒精清洗3分钟,将清洗后的固体物料放入烘箱干燥,干燥温度为80℃下干燥5小时,得到干燥物料;
5)、每克干燥物料中加入20毫升无水酒精,用陶瓷球湿磨2h,湿磨后固液分离,固体放入烘箱干燥,干燥条件为90℃下干燥5小时,干燥完毕,固体先用Φ25mm的氧化锆球干磨
2h,再用Φ5mm的氧化锆球干磨1h,得到纳米硫化铜钡粉末,经X射线粉末衍射实验,得到晶相结构稳定的黄铜矿相粉末BaCu2S2物质,扫描电镜分析得到颗粒度小于100nm;
6)、将十六烷甲基溴化铵溶于50℃的水中,配成质量百分浓度30%的十六烷甲基溴化铵溶液待用,按照纳米硫化铜钡粉末与十六烷甲基溴化铵质量比1∶2的比例,将纳米硫化铜钡粉末放入十六烷甲基溴化铵溶液中,搅拌均匀后,待用;再按纳米硫化铜钡粉末与聚乙烯醇质量比1∶10的比例,倒入聚乙烯醇粘稠液混合,在90℃温度下搅拌7小时,得到粘稠状液体;
7)、钛酸丁酯的水解:按照以下摩尔比例:钛酸丁酯∶乙醇∶稀盐酸=1∶1.5∶0.5,把钛酸丁酯与乙醇进行混合,同时在混合溶液中加入冰醋酸与乙酰丙酮铝,以作为螯合剂,冰醋酸与乙酰丙酮铝总体积与钛酸丁酯相同,室温封口磁力搅拌下,然后逐滴加入稀盐酸,进行钛酸丁酯水解反应4小时;
8)、甲基三乙氧基硅烷的水解:将按照以下摩尔比例:甲基三乙氧基硅烷∶乙醇∶稀盐酸=1∶1.5∶1,进行混合,室温封口磁力搅拌下,把剩下的稀盐酸逐滴再加入到上述混合液体中,进行第一步甲基三乙氧基硅烷混合水解反应48小时,稀盐酸的浓度为0.04mol/L,接着继续再加入稀盐酸,进行第二步水解反应,第二步稀盐酸加入量为第一步量的一半;
第二步的室温水解时间4小时;
9)、按照甲基三乙氧基硅烷与钛酸丁酯摩尔比例为4~19∶1,混合步骤7)与8)制得的溶胶,进行混合搅拌水解0.5小时;
10)、水解结束后,停止搅拌,打开口后,把凝胶放于60℃烘箱中干燥48小时,由于凝胶中乙醇的挥发,经干燥后,凝胶变得很稠密,待用;
11)、将步骤6)中得到的粘稠状液体倒入步骤10)中稠密的凝胶中,在50℃温度下搅拌
2小时,得到粘稠状液体;其中纳米硫化铜钡粉末与甲基三乙氧基硅烷/钛酸丁酯凝胶的质量比为1∶20的比例;
12)、无支撑孤立厚膜的制备:将上述粘稠状液体用棒管机械均匀涂覆在洁净的涤纶膜衬底表面上,涂覆完毕的涤纶膜放入烘箱干燥,在70~100℃下干燥4~7小时,得到涤纶膜支撑的固化薄膜;用力缓慢揭起厚膜,进行膜与涤纶的分离,得到孤立膜的原形,在膜与衬底的分离过程中尽可能防止膜的断裂,随后进行平整化处理,将从衬底上揭起的孤立膜放入两个慢速转动的滚筒中间,滚筒温度恒定于80~90℃,滚筒表面镀有一层硅酮,并在
50~1000μm范围可调间距,经过如此挤压得到最终的孤立膜,具有非常高的表面光洁度且膜厚很均匀,该孤立薄膜均匀含有纳米硫化铜钡,纳米硫化铜钡在太阳光下,以能带跃迁方式可对近红外光进行有效吸收。
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