用于集成电路测试的纳米管探针结构
专利汇可以提供用于集成电路测试的纳米管探针结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种用于集成 电路 测试的奈米管探针结构，包括有一 基板 及至少一连接于该基板的探测板，该探测板相对于待测晶片处设有探测元件，该探测元件由多根纳米 碳 管构成。，下面是用于集成电路测试的纳米管探针结构专利的具体信息内容。
1、一种用于集成电路测试的纳米管探针结构，系用以测试晶圆上的晶片， 其特征在于包括：一基板；至少一连接于前述基板的探测板，该探测板相对 于待测晶片处设有探测元件，该探测元件由多根纳米碳管构成。
2、根据权利要求1所述的纳米管探针结构，其特征在于该基板设有探测 晶片的电路及导线。
3、根据权利要求1所述的纳米管探针结构，其特征在于该探测板为利于 纳米碳管生长的耐高温的材料构成。
4、根据权利要求1所述的纳米管探针结构，其特征在于该纳米碳管具备 挠曲能力。
5、根据权利要求1所述的纳米管探针结构，其特征在于该纳米碳管系对 应待测晶片位置，以丛集方式生长形成。
6、根据权利要求1所述的纳米管探针结构，其特征在于该探测板与基板 间以导线相连。
技术领域：
本实用新型是一种用于集成电路测试的纳米管探针结构，尤指一 种由纳米碳管取代传统探针的纳米管探针结构。
背景技术：
一般的集成电路(IC)测试可分为两阶段：封装前的晶圆片品级 测试(Wafer Sort/Circuit Probing Test)及封装后的成品终极测试 (Package/Final Test)，晶圆片品级测试又分为裸晶晶圆及锡铅或金凸 块加工晶圆测试两类。随着单位面积电路密度增加、功能增强的设计 趋势，I/O(Input，Output)脚数跟着增加，使集成电路后段封装制程 成本亦随之增加。为避免晶圆测试的不稳定(如误宰或误放)造成成 本的浪费，因此，封装前的晶圆测试的完整性及可靠度，日趋重要。 目前常用于晶圆测试探针卡大致可分为三大类型：悬臂式探针、垂直 式探针及薄膜探针。悬臂式探针卡，请参阅图1，在基板1’上设置多 个悬臂式探针元件3’，每一探测元件3’分别对应一待探测晶片(chip) 5上之焊点(pad)，悬臂式探针卡为晶圆上最常用的方法，技术成熟 且最具成本效益，但针对焊点(pads)采矩阵式排列的晶片(chip)， 如Flip Chip(覆晶封装)，悬臂式探针卡已遭遇瓶颈，因为悬臂式探 针卡仅适用于焊点(pad)分布于晶片(chip)周围的排列，因此针对 焊点(pad)采取矩阵式排列的晶片(chip)，势必另寻其它的替代方 案。
垂直式探针卡，如所谓的“Cobra”探针卡，基本制作方法是在 两片平行的基板上依据焊点(pad)的位置放置垂直的细探针，藉探 针收到垂直下压焊点(pad)或凸块时所产生的弹力来形成接触点， 但随着I/O(Input，Output)脚数的增加以及焊点间距的缩小，此种 “Cobra”探针卡易产生相邻探针间的短路，而影响测试的稳定性。 另一种垂直式探针测试卡(如美国专利案US6426236)，请参阅图2， 是在基板1”上相对应晶片5的焊点(pad)处均设有没有弹性的探测 元件3”，藉探测元件3”与晶片5(chip)上的焊点(pad)或凸块(bump) 接触，此种垂直式探针卡可避免“Cobra”探针卡相邻探针间的短路 的问题，但如果凸块的高低差变异较大时，则可能产生接触不良的问 题。
另有薄膜式探针卡(如美国专利案US5623214)，可适用于焊点(pad) 间距较小的测试需求，但不适用于焊点(pad)采取矩阵式排列的晶片(chip)。
发明内容：
本实用新型要解决的技术问题在于解决上述现有技术的缺失，避免 缺失的存在，提供一种用于集成电路测试的纳米管探针结构，确保探针 与每一待测晶片(chip)上的焊点(pads)接触且保持良好的导电性。
本实用新型的技术解决方案是：一种用于集成电路测试的纳米管 探针结构，其特点是它包括有一基板及至少一连接于前述基板的探测 板，该探测板相对于待测试晶片处设有探针元件，且该探测元件由多 根纳米碳管所构成。
1991年科学家宣布成功合成一种新的碳结构，这是一种极细针 状多层的碳管，管径约在1纳米到30纳米(10-9m)之间，即是所谓 的纳米碳管，由于其特殊结构使其具备特异的物理及化学性质，因而 展开了许多新的应用，纳米碳管的制作可用两根石墨电极，在氦气或 氩气的环境中，以直流电场放电而产生，亦可利用聚焦的高能激光， 使高温的石墨挥发后生成，另外也可利用高温炉中由铁、钴及镍等金 属颗粒，裂解乙炔或甲烷来制造纳米碳管，纳米碳管良好的导电性及 热传导性、高抗拉强度及挠曲能力，使其可广泛应用于物理、化学、 材料、生物等不同领域，利用纳米碳管细长、导电性及弹性的优点， 可作为微探针或微电极。
有关本实用新型的详细说明及技术内容，现配合附图说明如下：
附图说明：
图1习知探针平面示意图1。
图2习知探针平面示意图2。
图3是本实用新型平面示意图。
图4和图5为图3放大动作示意图。
具体实施方式：
请参阅图3所示，图3为本实用新型平面示意图，如图所示：本 实用新型是一种用于半导体测试的纳米管探针结构，该探针结构包括 有一基板1及至少一连接于前述基板1的探测板2，该探测板2相对 于待测试晶片5处(参见图4)设有探测元件3，该探测元件3为多 根纳米碳管4所构成。
该基板1设有探测晶片5所需的电路及导线(图中未示)，且该 基板1并可连接至外部电脑或控制系统(图中未示)。由于前述的基 板1内设有电路及导线，无法抵抗高温，然而纳米碳管4的生长需在 高温环境下，因此，利用一可耐高温材质制成的探测板2作为纳米碳 管4生长所需的基础，前述纳米碳管4对应于待测晶片5上的焊点 (Pad)或凸块位置，以丛集方式生长形成。为了将探测结果传达至 外部控制系统，该探测板2与基板1之间以导线相连。由于纳米碳管 4尺寸微小，可于相对晶片5焊点(Pad)或凸块位置处生长出多根 纳米碳管4，确保每一晶片5上的所有焊点(Pads)或凸块至少有一 根纳米碳管4接触而进行测试，加上纳米碳管4优异的导电性，可提 升测试的准确度。
请同时参阅4、图5所示，图4和图5为本实用新型的放大动作 示意图，如图所示：在探测板2相对每一待测晶片5上的所有焊点 (Pads)或凸块处均设有探测元件3，此一探测元件3由多根纳米碳 管4所构成，该纳米碳管4对应于待测晶片5上的焊点(Pads)或凸 块位置，以丛集方式生长形成，因此，每一晶片5上的焊点(Pads) 或凸块位置均对应多根纳米碳管4，当基板1及探测板2接受外部系 统控制进行探测时，则基板1及探测板2会降下，直至纳米碳管4接 触到晶片5，此时，虽然每一纳米碳管4生成的高度不一，但是由于 其尺寸微小，因此，每一晶片5均对应多根纳米碳管4，，每一晶片5 上的焊点(Pads)或凸块位置只要有一根纳米碳管4接触到，即可进 行探测，解决习知技术因为每一晶片上的焊点(Pads)或凸块位置只 有一相对的探针时只要未产生接触即造成断路(Open)而无法完成测 试，加上纳米碳管4优良的导电性，将可大幅提高探测的准确率，此 外，因为奈米碳管4具备优异的挠曲能力，可提供足够的over travel (即纳米碳管4在碰到凸块(bump)后可再往下降低的距离)，可避 免在晶片(chip)5上凸块间因高低差过大所产生的接触不良。
虽然纳米技术已经受到科学界重视，但是在实际应用上仍然遇到 许多瓶颈，包括操控性及易受污染的缺失尚待解决，然而纳米碳管确 实为科学家解决了许多长久以来的问题，而且纳米碳管因为尺寸微小 及物理性、化学性特殊，可提供产业界应用。目前纳米碳管应用领域 主要为发光元件平面显示器、高效电晶体、气体感测器及超强韧材料， 并无应用于半导体晶片测试的探针，因此，本实用新型利用纳米碳管 尺寸微小、导电性优良及高挠曲能力，将纳米碳管应用于半导体晶片 测试，将可有效解决因晶片间距缩小导致探测精确度不高的问题。
惟以上所述者，仅为本实用新型较佳实施例而已，当不能以此限 定本实用新型实施的范围，即大凡依本实用新型申请所作的均等变化 与修饰，皆应仍属本实用新型专利的保护范围。
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