花型银纳米颗粒荧光增强基底及其制备方法
专利汇可以提供花型银纳米颗粒荧光增强基底及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种花型 银 纳米颗粒 荧光 增强基底及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有花型银纳米颗粒层，所述花型银纳米颗粒层为若干个花型银纳米颗粒组成的亚 单层 结构。所述花型银纳米颗粒层是 覆盖 率为40％—80％的亚单层结构。其中，所述花型银纳米颗粒粒径为0.5-3μm,则单个所述花型银纳米颗粒表面具有粗糙度5-300nm的 纳米级 粗糙。通过 硝酸 酸银溶液、聚乙烯吡咯烷 酮 和 抗坏血酸 反应，将反应物反复超神分散和离心得到花型银纳米颗粒 乙醇 分散液，以制造基底。利用花型银纳米颗粒表面的纳米级粗糙结构对分子发射的荧光 信号 进行放大，放大倍数在10-100倍，同时由于不需要额外的操作来进行放大，该技术也较传统技术便利、简单。，下面是花型银纳米颗粒荧光增强基底及其制备方法专利的具体信息内容。
1.花型银纳米颗粒荧光增强基底，包括衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)上设置有花型银纳米颗粒层(2)，所述花型银纳米颗粒层(2)为若干个花型银纳米颗粒组成的亚单层结构。
2.根据权利要求1所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底，其特征在于：所述花型银纳米颗粒层(2)是覆盖率为40％—80％的亚单层结构。
3.根据权利要求2所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底，其特征在于：所述花型银纳米颗粒粒径为0.5-1μm,单个所述花型银纳米颗粒表面具有粗糙度5-10nm的纳米级粗糙。
4.根据权利要求2所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底，其特征在于：所述花型银纳米颗粒粒径为1-2μm,单个所述花型银纳米颗粒表面具有粗糙度10-100nm的纳米级粗糙。
5.根据权利要求2所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底，其特征在于：所述花型银纳米颗粒粒径为2-3μm,单个所述花型银纳米颗粒表面具有粗糙度100-300nm的纳米级粗糙。
6.制造权利要求3、4、5任一所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、取10毫升去离子水于50毫升圆底烧瓶中，将0.01-0.4毫升1摩尔/升的硝酸银溶液与2毫升0.1摩尔/升的聚乙烯吡咯烷酮加入到上述烧瓶中，加入搅拌磁子，开始搅拌，同时加入0.2毫升1摩尔/升的抗坏血酸；反应5分钟后，溶液变成深灰色，停止搅拌；
得到的反应物取出两批次各5毫升反应物以进行后续操作，剩余反应物留作样本；
每批次的5毫升反应物，分别装入10毫升离心管中；在8000转/分钟的转速下离心5分钟；取出离心管，取走、倒掉上层液体，保留沉淀部分；然后再往离心管中加入5毫升无水乙醇，放入超声仪中超声处理10分钟，将粒子重新分散在乙醇溶液中，得到花型银纳米颗粒乙醇分散液；
步骤二、将上述步骤得到的花型银纳米颗粒乙醇分散液，再装入10毫升离心管中；在
8000转/分钟的转速下离心5分钟；取出离心管，取走、倒掉上层液体，保留沉淀部分；然后再往离心管中加入5毫升无水乙醇，放入超声仪中超声处理10分钟，将粒子重新分散在乙醇溶液中，得到花型银纳米颗粒乙醇分散液；步骤二重复进行三次；
步骤三、清洗硅片或载玻片作为衬底1；
步骤四、将步骤二所得的花型银纳米颗粒乙醇分散液铺展在步骤二所得的衬底上，形成花型银纳米颗粒荧光增强基底。
7.根据权利要求6所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底制备方法，其特征在于；步骤三过程如下：将载玻片或者硅片用浓硫酸与双氧水比例为3:1的混合溶液清洗、浸泡30分钟，取出后将上述载玻片或者硅片用去离子水冲洗，吹干，得到亲水性的衬底1；
步骤四过程如下：将步骤二所得的花型银纳米颗粒乙醇分散液以3000转/分钟的转速旋涂于步骤三所得的衬底1上，制成花型银纳米颗粒荧光增强基底。
8.根据权利要求6所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底制备方法，其特征在于：步骤一中所述硝酸银溶液浓度为0.01-0.03mol/L。
9.根据权利要求6所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底制备方法，其特征在于：步骤一中所述硝酸银溶液浓度为0.03-0.1mol/L。
10.根据权利要求6所述的花型银纳米颗粒荧光增强基底制备方法，其特征在于：步骤一中所述硝酸银溶液浓度为0.1-0.4mol/L。
花型银纳米颗粒荧光增强基底及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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