天文电荷耦合器件图像过饱和现象抑制方法
专利汇可以提供天文电荷耦合器件图像过饱和现象抑制方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种天文电荷 耦合器 件图像过饱和现象抑制方法，用于解决现有的天文全 帧 CCD图像过饱和亮线去除方法没有考虑泊松冲击噪声影响的技术问题。技术方案是根据背景噪声与 恒星 、泊松噪声的灰度特性建立统计模型，利用次序统计量的方法使得估计背景参数时仅利用背景的灰度信息，消除了恒星和泊松噪声的影响，使得本方法具有稳健性，能适用于有泊松噪声的情况，在恒星较多的天文图像中和高动态范围图像中也有很好的性能。，下面是天文电荷耦合器件图像过饱和现象抑制方法专利的具体信息内容。
1.一种天文电荷耦合器件图像过饱和现象抑制方法，其特征在于包括下述步骤：
(a)根据CCD工作时电荷转移的方向，对天文电荷耦合器件图像方向进行归一化，根据
输入的CCD电荷转移方向，对天文电荷耦合器件图像进行旋转，使得天文电荷耦合器件图像列的方向为CCD电荷转移方向，且天文电荷耦合器件图像每一列从上至下为CCD的电荷转移的顺序；
(b)对于方向归一化之后的天文电荷耦合器件图像，设定其大小为m行n列，对图像中
任意一列i，该列的像素点灰度分布满足：
p(I，i)＝P(T)pT(I)+P(S)pS(I)+P(DC)pdc(I，i) (1)
式中，P(T)为像素点出现恒星的概率，pT(I)为出现恒星是像素点灰度的概率密度函
数，P(S)为像素点出现冲击噪声的概率，ps(I)为出现冲击噪声时像素点灰度的概率密度函数，P(DC)为该点仅有暗电流噪声的概率，pdc(I，i)为第i列像元仅有暗电流噪声时第i列像素点灰度的概率密度函数，σ2为暗电流噪声方差，μ(i)为暗电流噪声均值；
令η为拍摄天文电荷耦合器件图像时受到星光辐射的像元和出现冲击噪声像元所占
比例的上确界，此时对天文电荷耦合器件图像中的任意一列i，该列像元的灰度值分别为Ii1；Ii2；...；Iim；，取其次序统计量Ii(1)；Ii(2)；...；Ii(m)，(Ii(1)≤Ii(2)≤...≤Ii(m))，此时，令
式中， 表示向下去整；此时，是第i列噪声均值的渐进无偏估计量，用 表征第i列
的暗电流平均强度；
(c)估计出第i列的暗电流噪声强度之后，对该列的每一个像元，将该列像元的灰度值
减去平均暗电流强度 及初步校正后的灰度值
然后令
用初步校正后的灰度值减去Imin(i)，得到像元校正后的灰度值
I″i，j＝I′ij-Imin(i) (6)。
天文电荷耦合器件图像过饱和现象抑制方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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