能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗及其制备方法
专利汇可以提供能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且能够防霜除霜的南极 红外望远镜 封窗及其制备方法：在封窗玻璃的基片上设置有光学介质膜系，该光学介质膜系中含有 透明导电膜 层，其特征在于，所述透明导电膜层分为面状透明导电膜和线状透明导电膜两层，该面状透明导电膜和线状透明导电膜之间，设有绝缘的 电介质 增透膜层；该透明导电膜层上表面的边缘处设置有两个 电极 ；所述线状透明导电膜和面状透明导电膜并联。本 发明 适用于南极封窗式红外望远镜的封窗除霜，解决了现有透明导电膜无法应用在红外 光谱 区域的问题，在极大程度上提高了封窗的红外透过率。，下面是能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗，在封窗玻璃片的基片上设置有光学介质膜系，该光学介质膜系中含有透明导电膜层，其特征在于，所述透明导电膜层分为面状透明导电膜和线状透明导电膜两层，该面状透明导电膜和线状透明导电膜之间，设有绝缘的电介质增透膜层；该透明导电膜层上表面的边缘处设置有两个电极；所述线状透明导电膜和面状透明导电膜并联。
2.根据权利要求1所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗，其特征在于，所述面状透明导电膜层的厚度小于等于30nm；该面状透明导电膜的电阻将大于140Ω。
3.根据权利要求1所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗，其特征在于，所述线状透明导电膜或网状透明导电膜的布置，必须达到以下技术指标：该线状透明导电膜网状导电膜的面电阻小于60Ω；同时，该线状透明导电膜网状导电膜所覆盖的区域相对于观测波段的透过率大于90%。
4.根据权利要求1所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗，其特征在于，所述的两个电极采用镀制上去的铜电极。
5.根据权利要求1-4之一所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗，其特征在于，所述的能够防霜除霜的南极封窗式红外望远镜镜片是指，采用以下工艺制备得到的封窗式红外望远镜镜片：
步骤1，在整个封窗表面镀制一层面状导电膜，镀制该面状导电膜采用离子束辅助沉积工艺；
步骤2，利用工件进行遮挡，镀制电介质增透膜层；该电介质增透膜层用Ti2O5和SiO2为镀膜材料，以熔石英玻璃为基底，制备观测波段的减反膜；
步骤3，根据计算机模拟数据，制作遮挡模具，通过该遮挡模具的遮挡，在镀有电介质增透膜层的基底上镀制线状透明导电膜或多条线状透明导电膜共同构成网状透明导电膜；
步骤4，在所述线状透明导电膜或网状透明导电膜的网线末端处镀制共用电极，要求共用电极覆盖每一条线状导电膜，并覆盖在最接近封窗表面的那一层面状透明导电膜之上；
通过共用电极对导电膜供电。
6.权利要求1所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗的制备方法，其特征在于，步骤如下：
步骤1，在整个封窗表面镀制一层面状导电膜，镀制该面状导电膜采用离子束辅助沉积工艺；
步骤2，利用工件进行遮挡，镀制电介质增透膜层；该电介质增透膜层用Ti2O5和SiO2为镀膜材料，以熔石英玻璃为基底，制备观测波段的减反膜；
步骤3，根据计算机模拟数据，制作遮挡模具，通过该遮挡模具的遮挡，在镀有电介质增透膜层的基底上镀制线状透明导电膜或多条线状透明导电膜共同构成网状透明导电膜；
步骤4，在所述线状透明导电膜或网状透明导电膜的网线末端处镀制共用电极，要求共用电极覆盖每一条线状导电膜，并覆盖在最接近封窗表面的那一层面状透明导电膜之上；
通过共用电极对导电膜供电。
7.根据权利要求6所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗的制备方法，其特征在于，
-4
步骤1中，镀制面状导电膜的离子束辅助沉积工艺，真空小于8.0x10 Pa，基底温度
2
250℃，充氧量为15sccm，离子源屏极电压250V，离子束流为150A/㎝ ；
步骤2中，镀制电介质增透膜层的方法是：用超声波化学清洗基底，将清洗过的基底和镀膜材料放入1.1米真空镀膜机中进行离子束辅助蒸发镀膜；离子束辅助沉积工艺为：真-4
空小于8.0x10 Pa，基底温度为150℃，氧气流量为15sccm；
步骤3所述镀制的线状透明导电膜或网状透明导电膜，其面电阻小于60Ω，网状导电膜区所覆盖的区域相对于观测波段的透过率大于90%；
步骤4中所述的共用电极，采用铜电极。
8.根据权利要求7所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗的制备方法，其特征在于，步骤1中，面状导电膜的厚度小于等于30nm；面状导电膜的电阻大于140Ω。
9.根据权利要求6-8之一所述的能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗的制备方法，其特征在于，所述共用电极覆盖线状透明导电膜中的每一条线；并覆盖在最接近封窗表面的那一层面状导电膜之上。
能够防霜除霜的南极红外望远镜封窗及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
膜），镀制该面状导电膜采用离子束辅助沉积工艺，真空小于8.0x10 Pa，基底温度250℃，充
2
氧量为15sccm，离子源屏极电压250V，离子束流为150A/㎝ ，该面状导电膜的厚度小于等于30nm，此时，该面状导电膜的电阻将大于140Ω，红外区域吸收较小。
图3-1、图3-2分别为步骤3中线状透明导电膜或网状透明导电膜结构示意图；
图4-1、图4-2分别为步骤4中导电膜两侧电极结构示意图。
具体实施方案
可称为隔绝透明导电膜），镀制ITO薄膜采用离子束辅助沉积工艺，真空小于8.0x10 Pa，基
2
底温度250℃，充氧量为15sccm，离子源屏极电压250V，离子束流为150A/㎝ ， ITO薄膜的厚度小于等于30nm，此时，导电膜的电阻将大于140Ω，红外区域吸收较小。
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