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宽带温度补偿谐振器和宽带VCO

阅读:856发布:2023-03-10

专利汇可以提供宽带温度补偿谐振器和宽带VCO专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且VCO的 谐振器 包括与电感并联的微调主变容管 电路 、辅助变容管电路、以及粗调电容器组电路。该主变容管电路包括多个可分开地禁用的电路部分。在每个电路部分内有复用电路,该复用电路将微调控制 信号 (FTAVCS)或 温度 补偿 控制信号 (TCAVCS)中可选择的一个供应至该电路部分内的变容管控制 节点 上。若该电路部分被启用,则该FTAVCS被供应至该控制节点上,从而该电路部分被用于微调。如果该电路部分被禁用,则该TCAVCS被供应至该控制节点上,从而该电路部分被用于对抗归因于温度的VCO 频率 漂移。该TCAVCS的 电压 随温度如何变化是数字可编程的。,下面是宽带温度补偿谐振器和宽带VCO专利的具体信息内容。

1.一种装置,包括:
第一节点
第二节点;
第一信号输入导体;
第二信号输入导体;以及
主变容管电路,包括:
第一主变容管电路部分,包括:
具有第一引线和第二引线的第一变容管,其中所述第一变容管的所述第一引线耦合至所述第一节点;
具有第一引线和第二引线的第二变容管,其中所述第二变容管的所述第一引线耦合至所述第二节点,并且其中所述第二变容管的所述第二引线在第一控制节点处耦合至所述第一变容管的所述第二引线;以及
第一模拟复用电路,其将所述第一信号输入导体和所述第二信号输入导体中被选择的一个导体耦合至所述第一控制节点。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一信号输入导体上存在第一模拟控制信号,并且其中所述第二信号输入导体上存在第二模拟控制信号。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第一模拟控制信号是接收自环路滤波器的微调控制信号,并且其中所述第二模拟控制信号是根据温度而变化的信号。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
温度补偿电压生成电路,其将温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS)供应至所述第二信号输入导体上,其中所述TCAVCS具有根据温度而变化的电压。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,如果所述温度补偿电压生成电路接收到的数字控制值具有第一数字值,则所述TCAVCS的电压以第一方式根据温度而变化,而如果所述温度补偿电压生成电路接收到的所述数字控制值具有第二数字值,则所述TCAVCS的电压以第二方式根据温度而变化。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述主变容管电路还包括:
第二主变容管电路部分,包括:
具有第一引线和第二引线的第三变容管,其中所述第三变容管的所述第一引线耦合至所述第一节点;
具有第一引线和第二引线的第四变容管,其中所述第四变容管的所述第一引线耦合至所述第二节点,并且其中所述第四变容管的所述第二引线在第二控制节点耦合至所述第三变容管的所述第二引线;以及
第二模拟复用电路,其将所述第一信号输入导体和所述第二信号输入导体中被选择的一个导体耦合至所述第二控制节点。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述装置是接收多比特数字调谐字的压控振荡器(VCO),其中所述多比特数字调谐字的第一数字比特控制所述第一模拟复用电路,并且其中所述多比特数字调谐字的第二数字比特控制所述第二模拟复用电路。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置是压控振荡器(VCO),其在所述第一信号输入导体上接收来自环路滤波器的微调模拟电压控制信号(FTAVCS)。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一变容管的所述第一引线通过第一电容器耦合至所述第一节点,并且其中所述第二变容管的所述第一引线通过第二电容器耦合至所述第二节点。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一变容管的所述第一引线直接连接至所述第一节点,从而所述第一变容管的所述第一引线是所述第一节点的一部分,并且其中所述第二变容管的所述第一引线直接连接至所述第二节点,从而所述第二变容管的所述第一引线是所述第二节点的一部分。
11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一模拟复用电路包括:
第一晶体管,其在数字控制信号具有第一数字值时操作用于是导电的,从而其将所述第一信号输入导体耦合至所述第一控制节点,并且在所述数字控制信号具有与所述第一数字值相反的第二数字值时操作用于是不导电的;以及
第二晶体管,其在所述数字控制信号具有所述第二数字值时操作用于是导电的,从而其将所述第二信号输入导体耦合至所述第一控制节点,并且在所述数字控制信号具有所述第一数字值时操作用于是不导电的。
12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
辅助变容管电路,包括:
第一辅助变容管电路部分,其耦合成在所述第一节点与所述第二节点之间提供第一电容,其中所述第一电容根据温度而变化。
13.如权利要求12所述的装置,其特征在于,所述辅助变容管电路进一步包括:
第二辅助变容管电路部分,其耦合成在所述第一节点与所述第二节点之间提供第二电容,其中所述第二电容根据温度而变化。
14.如权利要求13所述的装置,其特征在于,所述装置是压控振荡器(VCO),其在所述第一信号输入导体上接收来自环路滤波器的微调模拟电压控制信号(FTAVCS),并且其中所述FTAVCS不被供应至所述第一辅助变容管电路部分且不被供应至所述第二辅助变容管电路部分。
15.如权利要求14所述的装置,其特征在于,所述第一辅助变容管电路部分接收第一数字控制比特,所述第一数字控制比特至少部分地确定所述第一电容的幅值,并且所述第二辅助变容管电路部分接收第二数字控制比特,所述第二数字控制比特至少部分地确定所述第二电容的幅值。
16.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
辅助变容管电路,其耦合成在所述第一节点与所述第二节点之间提供数字可编程的温度相关电容,其中所述辅助变容管电路接收数字控制值,所述数字控制值至少部分地确定所述数字可编程的温度相关电容的幅值。
17.如权利要求16所述的装置,其特征在于,所述装置是压控振荡器(VCO),其在所述第一信号输入导体上接收来自环路滤波器的微调模拟电压控制信号(FTAVCS),并且其中所述FTAVCS不被供应至所述辅助变容管电路。
18.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
数字可编程的粗调电容器组电路,其耦合成在所述第一节点与所述第二节点之间提供数字可编程的电容。
19.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括:
数字可编程的粗调电容器组电路,其耦合成在所述第一节点与所述第二节点之间提供数字可编程的电容,其中所述数字可编程的粗调电容器组电路包括:
第一电容器组电路部分,其耦合至所述第一节点且耦合至所述第二节点并且接收第一数字控制比特,其中所述第一数字控制比特至少部分地确定由所述第一电容器组电路部分在所述第一和第二节点之间提供的第一电容;以及
第二电容器组电路部分,其耦合至所述第一节点且耦合至所述第二节点并且接收第二数字控制比特,其中所述第二数字控制比特至少部分地确定由所述第二电容器组电路部分在所述第一和第二节点之间提供的第二电容。
20.如权利要求19所述的装置,其特征在于,所述第一电容器组电路部分包括第一晶体管,所述第一晶体管在所述第一数字控制比特具有第一数字值时导通,其中在所述第一数字控制比特具有所述第一数字值时由所述第一电容器组电路部分提供的所述第一电容以第一方式随温度而变化,其中所述第一晶体管在所述第一数字控制比特具有与所述第一数字值相反的第二数字值时截止,其中在所述第一数字控制比特具有所述第二数字值时由所述第一电容器组电路部分提供的所述第一电容以第二方式随温度而变化。
21.如权利要求20所述的装置,其特征在于,所述第一电容以所述第二方式的变化是至少部分地由于所述第一电容器组电路部分中的反向偏置二极管引起的,其中所述第一电容器组电路部分接收模拟电压控制信号,所述模拟电压控制信号至少部分地确定所述反向偏置二极管的电容。
22.一种接收微调模拟电压控制信号(FTAVCS)和多比特数字控制字的装置,所述装置包括:
主变容管电路,其包括多个能选择性地启用或禁用的主变容管电路部分,其中所述主变容管电路部分并联在一起,并且其中所述多个主变容管电路部分中的每个主变容管电路部分接收所述FTAVCS;
辅助变容管电路,其包括多个能选择性地启用或禁用的辅助变容管电路部分,其中所述辅助变容管电路部分并联在一起,其中所述多个辅助变容管电路部分中的每个辅助变容管电路部分接收温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS),其中所述辅助变容管电路部分都不接收所述FTAVCS;以及
数字可编程的粗调电容器组电路,其包括多个能选择性地启用或禁用的电容器组电路部分,其中所述容器组电路部分并联在一起,其中所述多个电容器组管电路部分都不接收所述FTAVCS,其中所述多比特数字控制字确定所述主变容管电路部分、所述辅助变容管电路部分、以及所述电容器组电路部分中的几个以及哪些被启用。
23.如权利要求22所述的装置,其特征在于,所述主变容管电路部分中未被启用的任一个主变容管电路部分的电容是根据温度来控制的,其中所述辅助变容管电路部分中未被启用的任一个辅助变容管电路部分的电容是根据温度来控制的,并且其中所述电容器组电路部分中未被启用的任一个电容器组电路部分的电容是根据温度来控制的。
24.如权利要求22所述的装置,其特征在于,由所述多个辅助变容管电路部分接收的所述TCAVCS是第二TCAVCS,所述装置进一步包括:
第一温度补偿电压生成电路,其将第一TCAVCS供应给每个所述主变容管电路部分,其中所述多比特数字控制字确定所述第一TCAVCS如何随温度而变化;
第二温度补偿电压生成电路,其将所述第二TCAVCS供应给每个所述辅助变容管电路部分,其中所述多比特数字控制字确定供应给所述辅助变容管电路部分的所述第二TCAVCS如何随温度而变化;以及
第三温度补偿电压生成电路,其将第三TCAVCS供应给每个所述电容器组电路部分,其中所述多比特数字控制字确定供应给所述电容器组电路部分的所述第三TCAVCS如何随温度而变化。
25.如权利要求22所述的装置,其特征在于,每个所述主变容管电路部分包括具有耦合至控制节点的引线的第一变容管、具有耦合至所述控制节点的引线的第二变容管、以及耦合成将信号供应至所述控制节点上的模拟复用电路。
26.如权利要求25所述的装置,其特征在于,所述多比特数字控制字控制所述主变容管电路部分的所述模拟复用电路。
27.一种方法,包括:
在压控振荡器(VCO)的输入导体上接收微调模拟电压控制信号(FTAVCS);
生成温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS),其具有根据温度而变化的电压;
将所述FTAVCS和所述TCAVCS中被选择的一个供应至第一主变容管电路部分的控制节点上;以及
将所述FTAVCS和所述TCAVCS中被选择的一个供应至第二主变容管电路部分的控制节点上,其中所述第一和第二主变容管电路部分并联在一起并且是所述VCO的部分。
28.如权利要求27所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在所述VCO上接收多比特数字控制字,其中所述多比特数字控制字确定所述FTAVCS和所述TCAVCS中的哪一个被供应至所述第一主变容管电路部分的所述控制节点上,并且其中所述多比特数字控制字确定所述FTAVCS和所述TCAVCS中的哪一个被供应至所述第二主变容管电路部分的所述控制节点上。
29.如权利要求27所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在所述VCO上接收多比特数字控制字,其中所述多比特数字控制字确定所述TCAVCS如何根据温度而变化。
30.如权利要求27所述的方法,其特征在于,所述第一主变容管电路部分包括:
具有第一引线和第二引线的第一变容管,其中所述第一变容管的所述第一引线耦合至第一节点;
具有第一引线和第二引线的第二变容管,其中所述第二变容管的所述第一引线耦合至第二节点,并且其中所述第二变容管的所述第二引线在第一控制节点处耦合至所述第一变容管的所述第二引线;以及
第一模拟复用电路,其将所述FTAVCS和所述TCAVCS中被选择的一个耦合至所述第一控制节点上,并且
其中所述第二主变容管电路部分包括:
具有第一引线和第二引线的第三变容管,其中所述第三变容管的所述第一引线耦合至所述第一节点;
具有第一引线和第二引线的第四变容管,其中所述第四变容管的所述第一引线耦合至所述第二节点,并且其中所述第四变容管的所述第二引线在第二控制节点耦合至所述第三变容管的所述第二引线;以及
第二模拟复用电路,其将所述FTAVCS和所述TCAVCS中被选择的一个耦合至所述第二控制节点上。
31.如权利要求28所述的方法,其特征在于,所述第一和第二主变容管电路部分是主变容管电路的部分,所述方法进一步包括:
将第二温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS)供应至辅助变容管电路,其中所述辅助变容管电路与所述主变容管电路并联并且是所述VCO的部分,其中所述辅助变容管电路不接收所述FTAVCS,其中所述辅助变容管电路具有数字可编程的温度相关可变电容,并且其中所述多比特数字控制字至少部分地确定所述数字可编程的温度相关可变电容的幅值。
32.如权利要求28所述的方法,其特征在于,所述第一和第二主变容管电路部分是主变容管电路的部分,所述方法进一步包括:
控制与所述主变容管电路并联的数字可编程的粗调电容器组电路,其中所述数字可编程的粗调电容器组电路是所述VCO的部分,其中所述数字可编程的粗调电容器组电路具有数字可编程的电容,并且其中所述多比特数字控制字至少部分地确定所述数字可编程的电容的幅值。
33.一种装置,包括:
第一信号输入导体,用于接收来自环路滤波器的微调模拟电压控制信号(FTAVCS);
第二信号输入导体,用于接收温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS),其中所述TCAVCS具有根据温度而变化的电压;以及
用于在第一节点与第二节点之间提供第一可变电容的装置,使得如果第一数字控制比特具有第一数字值则所述第一信号输入导体上的所述FTAVCS被用于控制所述第一可变电容,而如果所述第一数字控制比特具有与所述第一数字值相反的第二数字值则所述第二信号输入导体上的所述TCAVCS被用于控制所述第一可变电容。
34.如权利要求33所述的装置,其特征在于,进一步包括:
用于在所述第一节点与所述第二节点之间提供第二可变电容的装置,使得如果第二数字控制比特具有第一数字值则所述第一信号输入导体上的所述FTAVCS被用于控制所述第二可变电容,而如果所述第二数字控制比特具有与所述第一数字值相反的第二数字值则所述第二信号输入导体上的所述TCAVCS被用于控制所述第二可变电容。
35.如权利要求34所述的装置,其特征在于,所述装置是压控振荡器(VCO),并且其中所述用于提供第一可变电容的装置和所述用于提供第二可变电容的装置是所述VCO的主变容管电路的部分。
36.如权利要求35所述的装置,其特征在于,进一步包括:
温度补偿电压生成电路,其生成所述TCAVCS以使得如果所述用于生成的装置接收到的数字控制值具有第一数字值,则所述TCAVCS的电压以第一方式根据温度而变化,而如果所述用于生成的装置接收到的所述数字控制值具有第二数字值,则所述TCAVCS的电压以第二方式根据温度而变化。
37.一种存储处理器可执行指令集的处理器可读介质,其中由处理器对所述处理器可执行指令集的执行用于:
使所述处理器生成第一控制信息,所述第一控制信息用于控制第一主变容管电路,以使得微调模拟电压控制信号(FTAVCS)和温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS)中被选择的一个信号被供应至所述第一主变容管电路的控制节点上,其中所述FTAVCS接收自VCO的环路滤波器,其中所述TCAVCS具有随温度而变化的电压,并且其中所述第一主变容管电路是所述VCO的部分。
38.如权利要求37所述的处理器可读介质,其特征在于,对所述处理器可执行指令集的执行还用于:
使所述处理器生成第二控制信息,所述第二控制信息用于控制第二主变容管电路,以使得所述FTAVCS和所述TCAVCS中被选择的一个被供应至所述第二主变容管电路的控制节点上,并且其中所述第二主变容管电路是所述VCO的部分。
39.如权利要求37所述的处理器可读介质,其特征在于,对所述处理器可执行指令集的执行还用于:
使所述处理器生成第三控制信息,所述第三控制信息用于控制电压生成电路,所述电压生成电路生成所述TCAVCS以使得如果所述第三控制信息具有第一数字值则所述TCAVCS的电压以第一方式随温度而变化,而如果所述第三控制信息具有第二数字值则所述TCAVCS的电压以第二方式随温度而变化。
40.一种制造集成电路的方法,包括:
制造微调模拟信号输入导体;
制造第一变容管和第二变容管,使得所述第一变容管的引线耦合至控制节点并且使得所述第二变容管的引线耦合至所述控制节点;
制造模拟复用电路,所述模拟复用电路的输出端耦合至所述控制节点,并且所述模拟复用电路的第一输入端耦合至所述微调模拟信号输入导体;以及
制造温度补偿电压生成电路,所述温度补偿电压生成电路的输出端耦合至所述模拟复用电路的第二输入端,其中所述微调模拟信号输入导体、所述第一变容管、所述第二变容管、所述模拟复用电路以及所述温度补偿电压生成电路都是所述集成电路的部分。

说明书全文

宽带温度补偿谐振器和宽带VCO

[0001] 背景

技术领域

[0002] 本公开涉及包含变容管的谐振器,尤其涉及包含变容管的宽带温度补偿谐振器,诸如可用在宽带压控振荡器(VCO)中的谐振器。
[0003] 背景信息
[0004] 谐振器用在许多不同类型的电子电路中。一种类型的谐振器包含与电容性元件并联的电感性元件。此类谐振器的一种应用是压控振荡器(VCO),诸如用在相环(PLL)中的VCO。图1(现有技术)是一个此类VCO31的示图。VCO301产生振荡VCO输出信号。在所解说的示例中,该振荡VCO输出信号是差分正弦信号,包含导体302上的信号VOUT-以及导体303上的VOUT+。该振荡VCO输出信号的频率由在导体304上接收的多比特数字粗调控制字以及在导体305上接收的微调模拟控制信号VTUNE确定。假定该数字控制字是固定的,则可通过恰适地增大或减小模拟输入信号VTUNE来向上和向下微调该振荡VCO输出信号的频率。
[0005] 图2(现有技术)是此类VCO的一个示例的更详细示图。谐振器储能电路306包含与电容性元件并联的电感器307。这些电容性元件中的一个电容性元件是可编程电容器组308。这些电容性元件中的第二个电容性元件是主变容管电路309。在一个示例中,主变容管电路309是包含多个变容管子电路的可编程变容管。变容管子电路中的个体变容管子电路可被禁用以减小该可编程变容管元件的有效可调谐电容。关于这种类型的可编程变容管的更多信息参见美国专利号7,612,626。图2的VCO的其余晶体管310-313形成放大器。如果供应给该VCO的数字控制字是固定的,并且如果供应给该VCO的VTUNE模拟输入电压是固定的,则期望VCO输出信号VOUT+、VOUT-的开环振荡频率是固定频率。遗憾的是,看到VCO输出信号的开环振荡频率随温度而变化。例如,振荡频率可随温度升高而下降。这是不期望的。
[0006] 图3(现有技术)是一个常规VCO电路314的电路图,其具有用于移除该VCO的VCO输出信号的开环振荡频率变化的温度相关性质的电路系统。除了主变容管315和粗调电容器组316之外,还提供了辅助变容管317。关于此类辅助变容管的更多细节参见美国专利申请公开US2009/0261917。并非由辅助变容管317接收VTUNE信号以使得该辅助变容管的电容根据VTUNE来调整,而是代之以使该辅助变容管接收模拟控制电压VCOMP。VCOMP是由温度补偿电压生成电路318所生成的控制信号。使得VCOMP根据温度而变化,从而辅助变容管317的所得电容变化倾向于对抗该VCO的其余部分对VCO输出信号频率的其他温度相关影响。因此,该VCO的振荡频率归因于温度的开环频率漂移可减小。
[0007] 图4(现有技术)是另一常规VCO电路319的电路图,其具有用于防止该VCO的振荡频率的频率漂移的电路系统。粗调电容器组320包含多个部分321-323。该电容器组的个体部分的电路系统可被启用以接通与电感器324并联的电容,或者该个体部分的电路系统可被禁用从而该电容不与该电感器并联。电路系统被设置成使得在禁用状况下,被禁用部分的寄生二极管反向偏置程度可被调节,从而允许根据温度来调节被禁用部分的电容。通过恰适地调整供应给被禁用部分的模拟控制电压VCOMP,该VCO的归因于温度的开环频率漂移可减小。更多细节参见美国专利号7,116,183。所提供的温度补偿量是该电容器组在给定时间被禁用的部分的数目的函数。在低频率处,当该电容器组的所有部分321-323都被使用时,没有温度补偿量。
[0008] 概述
[0009] 一种宽带压控振荡器(VCO)内的温度补偿谐振器包括微调主变容管电路、辅助变容管电路、以及粗调电容器组电路。这些电路与电感并联在一起。主变容管电路的个体电路部分可在数字控制下(例如,在数字控制比特S1[1-3]的控制下)被启用或禁用。辅助变容管电路的个体电路部分可在数字控制下(例如,在数字控制比特S2[1-3]的控制下)被启用或禁用。粗调电容器组电路的个体电路部分可在数字控制下(例如,在数字控制比特S3[1-3]的控制下)被启用或禁用。
[0010] 在每个主变容管电路部分内有复用电路,该复用电路将微调模拟电压控制信号(FTAVCS)或第一温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS)中可选择的一个供应至该主变容管电路部分的控制节点上。该FTAVCS可以是从锁相环(PLL)的环路滤波器接收的VTUNE电压控制信号,该VCO是该PLL的一部分。若主变容管电路部分被启用(例如,由数字控制比特S1[1-3]中恰适的一个比特启用),则该FTAVCS被供应至该控制节点上,从而该主变容管电路部分被用于微调该VCO的振荡频率。如果该主变容管电路部分被禁用,则第一TCAVCS信号(例如,V1(T))被供应至该控制节点上,从而该主变容管电路部分被用于对抗归因于温度的VCO频率漂移。第一TCAVCS信号的电压随温度如何变化是数字可编程的(例如,通过恰适地设置数字控制比特TC1[1-2])。例如,V1(T)的电压根据温度而变化的斜率可被数字编程为具有若干不同斜率之一。
[0011] 在辅助变容管电路中,向任何被启用的辅助变容管电路部分的控制节点供应第二温度补偿模拟控制电压(例如,V2(T))。该第二温度补偿模拟控制电压信号的电压随温度如何变化是数字可编程的(例如,通过设置数字控制比特TC2[1-2])。向被禁用的任何辅助变容管电路部分的控制节点供应另一温度补偿模拟控制电压信号。在一个示例中,供应至被禁用的辅助变容管电路部分的控制节点上的该另一温度补偿模拟控制电压信号与供应至被禁用的主变容管电路部分的控制节点上的第一TCAVCS信号(例如,V1(T))相同。
[0012] 粗调电容器组电路的个体部分可被启用或禁用。在一个示例中,每个电容器组电路部分包括一对电容器和居间的开关晶体管。若电容器组电路部分被启用(例如,通过数字控制比特S3[1-3]中恰适的一个比特),则该开关晶体管被控制成导通,以使得这些电容器在该谐振器的两个节点之间串联在一起。多少个电容器组电路部分以此方式被启用决定了该粗调电容器组的电容如何被设置。若粗调电容器组电路部分被禁用,则第三温度补偿模拟控制电压(例如,V3(T))被供应至该开关晶体管的源极和漏极。该控制电压的幅值可用于调节该开关晶体管的反向偏置源极和漏极PN结的寄生电容。通过根据温度来恰适地调节第三温度补偿模拟控制电压,使得被禁用的电容器组电路部分的电容能用于对抗归因于温度的VCO频率漂移。该第三温度补偿模拟控制电压随温度如何变化是数字可编程的(例如,通过设置数字控制比特TC3[1-2])。
[0013] 相应地,在一个示例中,所有被禁用的主变容管电路部分、所有被禁用的辅助变容管电路部分、以及所有被禁用的电容器组电路部分都可用于温度补偿目的。通过恰适地控制哪些主变容管电路部分被启用、哪些辅助变容管电路部分被启用、哪些电容器组电路部分被启用、以及温度补偿模拟电压V1(T)、V2(T)和V3(T)如何根据温度而变化,使得对于从2.5GHz到5.0GHz的宽带频率范围中的任何VCO输出频率范围,该谐振器是其一部分的VCO随温度(-30℃至+110℃)的输出信号振荡频率变化小于±0.02%。由于耦合至谐振器储能电路节点的未用于调谐的所有变容管被用于温度补偿,因此不必仅为了温度补偿而添加额外的电容。相应地,在谐振器储能电路节点上具有较小的寄生电容,并且谐振器储能电路节点上的寄生电容的这种减少促成了增大的调谐范围。
[0014] 在一个示例中,用于控制谐振器的数字控制值是由数字基带处理器集成电路上的处理器确定的。这些数字控制值是专用于该VCO将在其中操作的频率范围的值。这些所确定的数字控制值从该数字基带集成电路传达至RF收发器集成电路并随后传达至收发机集成电路内的谐振器。这些数字控制值是多比特数字控制字的值。一些数字控制值启用和禁用主变容管电路、辅助变容管电路和电容器组电路的所选的电路部分。其他数字控制值设置模拟控制电压V1(T)、V2(T)和V3(T)如何根据温度而变化。对于VCO振荡频率的每个频率范围,存在控制该谐振器以获得最优VCO性能的相应的数字控制值集合。在一个实施例中,与关于对应于每个集合的VCO频率范围的信息相关联的这些数字控制值集合被存储在数字基带处理器集成电路内的处理器可读介质中。
[0015] 前述是概要并因此按需包含对细节的简化、概况和省略,本领域技术人员将领会,本概要仅是示例性的而非意在以任何方式进行限制。正如纯由权利要求书定义的在本文中所描述的设备和/或过程的其他方面、发明性特征、以及优点将从本文中阐述的非限定性具体说明中变得显而易见。
[0016] 附图简述
[0017] 图1(现有技术)是常规VCO的示图。
[0018] 图2(现有技术)是图1的VCO的电路图。
[0019] 图3(现有技术)是图1的VCO的第一示例的电路图。
[0020] 图4(现有技术)是图1的VCO的第二示例的电路图。
[0021] 图5是根据一个新颖方面的包括宽带温度补偿谐振器储能电路的移动通信设备的示图。
[0022] 图6是图5的移动通信设备的收发机和天线部件的更详细示图。
[0023] 图7是图6的RF收发机集成电路中的本地振荡器的更详细示图。
[0024] 图8是图7的本地振荡器中的VCO的更详细示图。
[0025] 图9是图8的VCO中的主变容管电路的更详细示图。
[0026] 图10是图9的主变容管电路的主变容管电路部分之一的更详细示图。
[0027] 图11是阐述图10的主变容管电路部分的操作的表。
[0028] 图12是示出模拟控制电压V1(T)如何根据温度而变化的图表。
[0029] 图13是示出如何设置数字控制比特S1[1-3]和TC1[1-2]以控制图9的主变容管电路的表。
[0030] 图14是图8的VCO的辅助变容管电路的更详细示图。
[0031] 图15是示出模拟控制电压V2(T)如何根据温度而变化的图表。
[0032] 图16是示出如何设置数字控制比特S2[1-3]和TC2[1-2]以控制图9的辅助变容管电路的表。
[0033] 图17是图8的VCO的粗调电容器组电路的更详细示图。
[0034] 图18是示出如何设置数字控制比特S3[1-3]和TC3[1-2]以控制图17的粗调电容器组电路的表。
[0035] 图19是示出模拟控制电压信号V3(T)[1-3]如何根据温度而变化的图表。
[0036] 图20是示出图17的粗调电容器组电路的截止电容如何根据温度而变化的图表。
[0037] 图21是比较图8的VCO、图3的VCO(现有技术)和图4的VCO(现有技术)的频率随温度而变化的性能的图表。
[0038] 图22是根据一个新颖方面的方法的流程图
[0039] 具体描述
[0040] 图5是根据第一新颖方面的包括宽带温度补偿谐振器储能电路的移动通信设备1的示图。在此示例中,移动通信设备1是多频带蜂窝电话手持机。设备1(除了未解说的其他部件之外)包括可用于接收和发射蜂窝电话通信的天线2、RF(射频)收发机集成电路3、和数字基带处理器集成电路4。在一些示例中,收发机电路系统和数字基带电路系统实现在同一集成电路上,但在此阐述两个集成电路的实现以用于解说目的。
[0041] 数字基带集成电路4包括处理器5,该处理器5执行处理器可执行指令的程序6。程序6存储在处理器可读介质7中,处理器可读介质7在此情形中是半导体存储器。处理器5经由本地总线机制8来访问存储器7。处理器5通过经由串行总线接口9、串行总线
10、串行总线接口11、和多组控制导体12和13向集成电路3发送控制信息来与RF收发机集成电路3交互并控制RF收发机集成电路3。要传送的信息在数字基带处理器集成电路4上通过数模转换器(DAC)14被转换成数字形式并跨导体15被传达至收发机集成电路3的发射机部分16。由收发机集成电路3的接收链部分17接收到的数据在相反方向上跨导体
18从RF收发机集成电路3传达至数字基带处理器集成电路4并通过模数转换器(ADC)19被转换成数字形式。
[0042] 图6是图5的蜂窝电话的收发机和天线部件的更详细示图。在对蜂窝电话的操作的一个非常简化的说明中,如果图1的蜂窝电话正被用来接收信息,则传入传输20在天线2上被接收。传入信号传递通过匹配网络21、双工器22、匹配网络23、端子24、低噪声放大器(LNA)25、混频器26、基带滤波器27、和导体18到达数字基带处理器集成电路4内的ADC19。本地振荡器28(也称为频率合成器)向混频器26供应接收本地振荡器信号RX LO。接收机如何下变频是通过改变本地振荡器信号RX LO的频率来控制的。
[0043] 另一方面,如果蜂窝电话1正被用来传送信息,则要传送的信息在数字基带处理器集成电路4中由DAC14转换成模拟形式。该模拟信息被供应给RF收发机集成电路3的发射链部分16的基带滤波器29。在由基带滤波器滤波之后,该信号被混频器30上变频。经上变频的信号传递通过驱动放大器31、端子32、匹配网络(MN)33、功率放大器34、匹配网络35、双工器22,并到达天线2以作为传输36进行发射。混频器30如何上变频是通过改变由本地振荡器37(也称为频率合成器)生成的本地振荡器信号TX LO的频率来控制的。
[0044] 图7是图6的RF收发机集成电路3的本地振荡器28的更详细示图。本地振荡器28经由导体39从参考时钟源接收参考时钟信号REF CLK38。本地振荡器28输出RX LO信号40至导体41上。本地振荡器28包括分频器(DIV)42、锁相环(PLL)43、以及输出分频器
44。在该情形中,PLL43是模拟PLL并且包括相位检测器(PD)45、环路滤波器46、VCO47、环路分频器48、以及Σ-Δ调制器(SDM)49。VCO47分别供应正弦模拟差分VCO输出信号VOP和VON至导体50和51上。该VCO的输出信号的振荡频率由模拟输入信号VTUNE52和多比特数字控制字53确定。当PLL处于锁定时,由环路滤波器46调节模拟输入信号VTUNE,从而该VCO输出信号由环路分频器48降频并反回来供应至相位检测器45的第二输入引线54上的相位匹配参考时钟信号REF CLK由分频器42降频并供应至相位检测器45的第一输入引线55上的相位。微调VTUNE信号52的范围从大约0.5伏至2.0伏。粗调数字控制字53是控制导体12上携带的较大的粗调数字控制字的一部分。箭头56表示该较大的粗调数字控制字的供应给该PLL的Σ-Δ调制器49的那一部分。
[0045] 图8是图7的VCO47的更详细示图。VCO47经由导体57从环路滤波器46接收微调信号VTUNE52。VTUNE也被称为“微调模拟电压控制信号”(FTAVCS)。VCO47经由导体12从串行总线接口11接收粗调多比特数字控制字53。VCO47输出VCO输出信号,包含节点N2上的信号VOP并包含节点N1上的信号VON。节点N2和N1上的VCO输出信号(VOP和VON)经由导体50和51输出。VCO47包括放大器部分58和谐振器储能电路部分59。如所解说的,放大器部分58在该特定示例中包括两个交叉耦合的P沟道晶体管59和60以及两个交叉耦合的N沟道晶体管61和62。谐振器储能电路部分59包括电感器63、主变容管电路64、第一温度补偿电路67、辅助变容管电路65、第二温度补偿电路68、粗调电容器组电路66、以及第三温度补偿电路69。电感器63、主变容管电路64、辅助变容管电路65、以及粗调电容器组电路66一起并联在节点N1和N2之间。
[0046] 尽管未在图8中示出,但是可存在部署在谐振器储能电路部分59的节点N1和N2与该VCO的输出之间的信号路径中的附加缓冲器。尽管此处未示出,此类缓冲器可位于图7的VCO三形符号47内。温度补偿电压生成电路67可包含用于生成随温度而变化的电压V1(T)的任何数目的已知常规电路之一。在一个示例中,电路67的结构包括耦合至常规带隙电路的常规PTAT(与绝对温度成正比)电路,其中这两个电路的相对强度如由数字值TC1[1-2]所确定地加权,以使得组合的输出电压相对于温度的斜率是数字可编程的并且是TC1[1-2]的函数。
[0047] 图9是图8的主变容管电路64的更详细示图。主变容管电路64包括多个主变容管电路部分70-72、两个附加变容管73和74、以及两个DC偏置电压电阻器75和76。VCM代表共模电压。VCM是DC偏置电压。如所解说的,主变容管电路部分70-72一起并联在导体N3与N4之间。导体和节点N3通过电容器77来AC耦合至导体和节点N1。导体和节点N4通过电容器78来AC耦合至导体和节点N2。该VCO的放大器部分的交叉耦合的晶体管(参见图8)可在节点N1和N2上施加DC偏置电压。该DC偏置不应当施加在主变容管电路的变容管上。因此提供了电容器77和78以阻止该DC偏置电压到达节点N3和N4。然而,在其他实施例中,不提供AC耦合电容器77和78。相反,导体和节点N3直接连接(DC耦合)至导体和节点N1,从而N3和N1实际上是一个节点。类似地,导体和节点N4直接连接(DC耦合)至导体和节点N2,从而N4和N2实际上是一个节点。
[0048] 主变容管电路部分70-72具有类似构造,除了这些主变容管电路部分中的变容管的尺寸可制造成(例如)以二进制加权方式增大,以使得变容管79和80是变容管81和82的两倍大,并且使得变容管83和84是变容管79和80的两倍大。三个数字控制比特S1[1-3]85及其补数S1[1-3]B86是图8的数字控制字53的比特。如所解说的,这些比特S1[1-3]和S1[1-3]B被供应给这些主变容管电路部分。这些数字比特的数字值确定这些主变容管电路部分中的哪些被启用和禁用。除了接收数字控制比特S1[1-3]和S1[1-3]B之外,主变容管电路64还接收两个其他数字控制比特TC1[1-2]87。数字控制比特TC1[1-2]也是图8的数字控制字53的比特。数字控制比特TC1[1-2]的值确定电压控制信号V1(T)88的电压如何随温度而变化。如所解说的,信号V1(T)88由温度补偿电压生成电路67生成并经由导体89供应给这些主变容管电路部分。
[0049] 图10是其中一个主变容管电路部分70的电路图。主变容管电路部分70包括变容管81和82以及复用电路90。变容管81的第一引线91耦合至节点N3,并且变容管81的第二引线92耦合至控制节点N5。变容管82的第一引线93耦合至节点N4,并且变容管82的第二引线94耦合至控制节点N5。复用电路90将微调模拟信号VTUNE和温度补偿模拟信号V1(T)中被选择的一个信号耦合至控制节点N5上。参考标号95表示复用电路90的输出引线。复用电路90可用不同方式来实现和布局,并且复用电路90无需如图所示地由单个引线连接至控制节点N5。图10的示图仅是在此给出以用于解说目的的一个示例。可使用N沟道晶体管或传输或其他合适的电路来代替P沟道晶体管98。复用电路90将信号VTUNE和V1(T)中的哪一个供应到控制节点N5上是由数字控制比特S1[1]和S1[1]B的值确定的。若S1[1]是数字逻辑高,则N沟道晶体管96导通并且P沟道晶体管98截止。若S1[1]是数字逻辑高,则S1[1]B是数字逻辑低,从而P沟道晶体管97导通。晶体管96和97形成导通的传输门。微调信号VTUNE因此通过该传输门耦合至控制节点N5上。另一方面,若S1[1]是数字逻辑低,则S1[1]B是数字逻辑高并且晶体管98导通且晶体管96和97截止,且V1(T)经由导电晶体管98耦合至控制节点N5上。当S1[1]为数字逻辑高时,主变容管电路部分70被认为是被启用的,而如果S1[1]为数字逻辑低,主变容管电路部分70被认为是被禁用的。若主变容管电路部分70被启用,则变容管81和82可具有如由VTUNE的幅值确定的在范围10fF到30fF中的电容。若主变容管电路部分70被禁用,则变容管81和82可具有如由V1(T)的幅值确定的在范围7fF到13fF中的电容。
[0050] 图11是阐述主变容管电路部分70的操作的表。该表中的X指示无关情况。例如,若S1[1]是如图11的上一行中指示的那样为数字逻辑高,则晶体管98截止并且V1(T)的电压与主变容管电路部分70的操作无关。类似地,若S1[1]是如图11的下一行中指示的那样为数字逻辑低,则晶体管96和97截止并且VTUNE的电压与主变容管电路部分70的操作无关。
[0051] 图12是解说在从-30℃至+110℃的温度范围中如何使V1(T)根据温度而变化的图表。V1(T)根据温度如何变化是通过恰适地设置数字控制比特TC1[1-2]来数字地可编程的。线99-101分别表示对于TC1[1-2]值为11、10、01和00,V1(T)的电压与温度的关系。
[0052] 图13是示出在图8的一个具体实施例中对于不同的VCO输出频率范围如何设置S1[1-3]比特和TC1[1-2]比特的表。被启用的主变容管电路部分被用于微调(取决于VTUNE),而被禁用的主变容管电路部分被用于对抗随温度的VCO频率漂移(取决于V1(T))。
[0053] 图14是图8的辅助变容管电路65的电路图。辅助变容管电路65包括变容管103和104、DC电压偏置电阻器105和106、以及多个辅助变容管电路部分107-109。如所解说的,辅助变容管电路部分107-109一起并联在导体N6与N7之间。导体和节点N6通过电容器110来AC耦合至导体和节点N1。导体和节点N7通过电容器111来AC耦合至导体和节点N2。如以上结合主变容管电路所述的,该VCO的放大器部分的交叉耦合的晶体管可在节点N1和N2上施加DC偏置电压。该DC偏置不应当施加在辅助变容管电路的变容管上。提供了电容器110和111以阻止该DC偏置电压到达节点N6和N7。然而,在其他实施例中,不提供AC耦合电容器110和111,而是使节点N6和N7分别直接DC耦合至节点N1和N2。
[0054] 辅助变容管电路部分107-109的结构类似于主变容管电路部分70-72的结构,除了辅助变容管电路部分接收模拟控制电压V2(T)112来代替由主变容管电路部分接收VTUNE信号52。VTUNE信号52不被供应给辅助变容管电路65。如所解说的,V2(T)由温度补偿电压生成电路68生成并经由导体113供应给各个辅助变容管电路部分。模拟控制电压信号V2(T)具有随温度而变化的电压。V2(T)的电压随温度如何变化是通过恰适地设置两个数字控制比特TC2[1-2]114来数字地控制的。数字控制比特TC2[1-2]114是数字控制字53的两个比特。辅助变容管电路部分107-109中的个体辅助变容管电路部分可被启用或禁用,如由数字控制比特S2[1-3]115和S2[1-3]B116所确定的。如同主变容管电路部分的情形中那样,每个辅助变容管电路部分包括复用电路,其选择性地将两个信号之一耦合至该辅助变容管电路部分的控制节点上。在辅助变容管电路部分的情形中,复用电路或者将模拟控制信号V2(T)或者将模拟控制信号V1(T)耦合至控制节点上。若辅助变容管电路部分被启用,则复用电路被控制成将V2(T)耦合至控制节点上,而若辅助变容管电路部分被禁用,则复用电路被控制成将V1(T)耦合至控制节点上。
[0055] 图15是解说在从-30℃至+110℃的温度范围中如何使V2(T)根据温度而变化的图表。V2(T)根据温度如何变化是通过恰适地设置数字控制比特TC2[1-2]来数字地可编程的。线117-120分别表示对于TC2[1-2]值为11、10、01和00,V2(T)的电压与温度的关系。
[0056] 图16是示出在图8的一个具体实施例中对于不同的VCO输出频率范围如何设置S2[1-3]比特和TC2[1-2]比特的表。各个辅助变容管电路部分中的变容管的尺寸按二进制来加权。若由于S2[1-3]=001而使得仅一个辅助变容管电路部分被启用,则由该辅助变容管电路提供的标称电容为55fF,如该表所指示的。若由于S2[1-3]=111而使得所有辅助变容管电路部分被启用,则由该辅助变容管电路提供的标称电容为440fF,如该表所指示的。在所解说的特定示例中,如由TC2[1-2]确定的V2(T)随温度而变化的方式对于所有VCO频率操作范围是相同的,但是值TC2[1-2]可被设置成对于不同的VCO操作范围具有不同值——如果这样做能导致改善的VCO操作性能的话。
[0057] 图17是图8的粗调电容器组电路66的电路图。粗调电容器组电路66包括多个电容器组电路部分121-123。每个电容器组电路部分具有类似结构,因此这里仅描述电容器组电路部分121的内部结构。电容器组电路部分121包括两个电容器124和125、开关晶体管126、以及两个电阻器127和128。三个数字控制比特S3[1-3]129确定这些电容器组电路部分中的哪些被启用以及哪些被禁用。导体129上的数字控制比特S3[1]启用或禁用电容器组电路部分121。若S3[1]为数字逻辑高,则晶体管126导通并且电容器124和125串联以在节点N1和N2之间提供电容。在该电容器组电路部分被启用的此情形中,开关晶体管126被设为完全导通和导电。相应地,导体130上的电压被控制成低电压,诸如接地电势。然而,若S3[1]为数字逻辑低,则晶体管126截止。电容器124和125不串联在节点N1和N2之间。然而,在节点N1和N2之间仍然由被禁用的电容器组电路部分121提供了电容。晶体管126的源极和漏极包含由于PN结引起的寄生电容。通过增大或减小导体130上的电压,这些寄生PN结二极管的耗尽区宽度可增大或减小,并且该增大或减小的耗尽区宽度导致相应地增大或减小的寄生电容。根据温度来调节导体130上的电压V3(T)[1]以提供节点N1和N2之间的电容根据温度的变化。电容器组电路部分121-123中的每一个电容器组电路部分接收相应的模拟控制电压V3(T)以用于此目的。这三个V3(T)[1-3]信号由温度补偿电压生成电路69生成。这些信号V3(T)[1-3]的电压随温度如何变化是通过设置数字控制比特TC3[1-2]131来数字地可编程的。
[0058] 图18是示出在图8的一个具体实施例中对于不同的VCO输出频率范围如何设置S3[1-3]比特和TC3[1-2]比特的表。被启用的电容器组部分被用于粗调(取决于数字控制字53),而被禁用的电容器组电路部分被用于对抗随温度的VCO频率漂移(取决于V3(T)[1-3])。
[0059] 图19是解说在从-30℃至+110℃的温度范围中如何使信号V3(T)中的一个代表性信号的电压根据温度而变化的图表。线132-135分别表示对于TC3[1]值为11、10、01和00,V3(T)[1]的电压与温度的关系。
[0060] 图20是解说当晶体管126截止时,由电容器组电路部分121提供的电容可如何根据V3(T)[1]而变化的图表。线136-139分别表示对于TC3[1]值为11、10、01和00的截止电容。如以上所阐述的该电容是由于晶体管126的源极和漏极的反向偏置寄生PN结二极管的耗尽区引起的。根据温度来改变V3(T)[1]使得被禁用的电容器组电路部分的该截止电容根据温度而变化。截止电容根据温度如何变化被设置成对抗随温度的VCO频率漂移。
[0061] 对数字控制比特(S1[1-3]和TC1[1-2])如何控制主变容管电路64的确定、对数字控制比特(S2[1-3]和TC2[1-2])如何控制辅助变容管电路65的确定、以及对数字控制比特(S3[1-3]和TC3[1-2])如何控制电容器组电路66的确定不是隔离地彼此独立执行的。对于每个VCO输出信号频率范围,确定和使用导致最佳VCO性能的控制比特值组合。在一个示例中,从温度补偿角度而言最佳的控制比特值组合(针对每个VCO输出信号频率范围)被确定并存储在图5的数字基带集成电路4的处理器可读介质7(半导体存储器)中。当蜂窝电话手持机1操作时,处理器5使用该存储着的信息来确定该接收机的本地振荡器的VCO47应当如何配置。处理器5随后跨串行总线10发送用于设置数字控制字53的信息,从而值S1[1-3]、S1[1-3]B、S2[1-3]、S2[1-3]B、S3[1-3]、TC1[1-2]、TC2[1-2]和TC3[1-2]将被恰适地设置以获得期望的VCO输出频率。
[0062] 图21是在纵轴上示出VCO输出信号频率随温度(-30℃至+110℃)的百分比变化的图表。横轴是VCO输出信号频率。线140表示图8的VCO47的操作。对于从2.5GHz到5.0GHz的整个宽带频率范围,该VCO输出信号归因于温度的频率变化小于±0.02%。线141表示图3(现有技术)的VCO的操作。注意到对于低和高VCO输出频率两者,图3的VCO的VCO输出信号频率随温度的变化显著大于±0.02%。线142表示图4(现有技术)的VCO的操作。注意到对于低和中频带VCO输出频率,图4的VCO的VCO输出信号频率随温度的变化显著大于±0.02%。
[0063] 图22是根据一个新颖方面的方法200的流程图。在VCO的微调输入引线上接收(步骤201)微调模拟电压控制信号(FTAVCS)。在一个示例中,信号FTAVCS是在图8的VCO47的输入引线上经由导体57接收的VTUNE信号52。该VCO包括用于微调VCO输出信号的频率的主变容管电路。该主变容管电路包括第一和第二主变容管电路部分。这些部分可独立地被启用或禁用。在一个示例中,该主变容管电路是图8的主变容管电路64。
[0064] 该VCO生成(步骤202)温度补偿模拟电压控制信号(TCAVCS),其具有根据温度而变化的电压。在一个示例中,TCAVCS是由图8的温度补偿电压生成电路67生成的信号V1(T)。
[0065] FTAVCS和TCAVCS信号中被选择的一个信号被供应(步骤203)至第一主变容管电路部分的控制节点上。在一个示例中,第一主变容管电路部分是图9的主变容管电路部分70,并且该控制节点是图9的控制节点N5。
[0066] FTAVCS和TCAVCS信号中被选择的一个信号被供应(步骤204)至第二主变容管电路部分的控制节点上。在一个示例中,第二主变容管电路部分是图9的主变容管电路部分71,并且该控制节点是图9的控制节点N9。在该方法的一个示例中,第一和第二主变容管电路部分被独立地控制成被启用或禁用。若主变容管电路部分被启用,则FTAVCS(例如,VTUNE信号52)被供应至其控制节点上,而若该主变容管电路部分被禁用,则TCAVCS(例如,信号V1(T))被供应至其控制节点上。
[0067] 在一个新颖方面,一种制造集成电路的方法包括:形成微调模拟信号输入导体;形成第一变容管和第二变容管,使得第一变容管的引线耦合至控制节点并且使得第二变容管的引线耦合至该控制节点;形成模拟复用电路,该模拟复用电路的输出端耦合至该控制节点,并且该模拟复用电路的第一输入端耦合至该微调模拟信号输入导体;以及形成温度补偿电压生成电路,该温度补偿电压生成电路的输出端耦合至该模拟复用电路的第二输入端。该微调模拟信号输入导体、第一变容管、第二变容管、模拟复用电路以及温度补偿电压生成电路都是该集成电路的部分,并且都是使用集成电路制造工艺基本同时制造的。
[0068] 在一个或更多个示例性实施例中,所描述的功能可以在硬件软件固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现,则各功能可以作为一条或更多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者,包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定,这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其他介质。另外,任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如,如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站服务器、或其他远程源传送而来,则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟,其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据,而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。以上组合也应被包括在计算机可读介质的范围内。在一个具体示例中,图8的VCO47由在数字基带处理器集成电路4中执行的软件和/或固件来控制。该软件和/或固件可例如是存储在处理器可读介质7中的处理器可执行指令的程序6。处理器5执行该指令程序6并因此通过跨串行总线10发送恰适的数字控制信息来控制RF收发机集成电路3中的VCO47。用于控制谐振器59的数字控制字集合(S1[1-3],S1[1-3]B,S2[1-3],S2[1-3]B,S3[1-3],TC1[1-2],TC2[1-2]和TC3[1-2])可被存储在数字基带集成电路4的存储器7中,其中每个集合与相应的VCO频率操作范围相关联地存储。
[0069] 尽管以上出于指导目的描述了某些具体实施方式,但本专利文件的教导具有普遍适用性并且不被限定于以上描述的具体实施方式。该温度补偿谐振器不必用在VCO中,而是具有普适性。相应地,可实践对所描述的具体实施方式的各种特征的各种修改、适应、以及组合而不会脱离所附权利要求书的范围。
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