下文中的描述说明了作为典型的显示面板模块的结构的、采用有源矩阵 驱动方法的有机EL(电致发光)面板模块的结构以及由所述有机EL面板模 块执行的典型操作。
图1是示出用作典型的显示面板模块1的有机EL面板模块的典型系统 结构的说明性框图。如在框图中所示，显示面板模块1采用像素阵列部分3、 信号线驱动部分5、第一控制线驱动部分7和第二控制线驱动部分9。信号线 驱动部分5、第一控制线驱动部分7和第二控制线驱动部分9中的每一个均 为驱动像素阵列部分3的电路。
在像素阵列部分3中，每个像素用作白色单元。在由像素阵列部分3形 成的屏幕上布置像素，以便以在垂直和水平方向中规定的分辨率形成2维矩 阵。
图2是示出包括子像素11的阵列以用作如上所述的白色单元的像素的配 置的说明性框图。在图2的框图中所示的配置的情况下，像素被配置为用作 具有R(红色)子像素11、G(绿色)子像素11和B(蓝色)子像素11的集 合。因此在像素阵列部分3上布置的子像素11的数量是M×N×3，其中参考 符号N表示在2维矩阵的每一行上布置的子像素的数量，而参考符号M表示 用以形成2维矩阵而布置的这些行的数量。也就是说，整数M表示垂直方向 (或Y方向)分辨率，而整数N表示水平方向(或X方向)分辨率。
图1示出了在用于驱动像素阵列部分3的电路与每一个均用作组成像素 阵列部分3的每一个像素的结构的最小单元的子像素11之间的相互连接。
信号线驱动部分5是用于维持(assert)将表示数据信号线DTL上的像 素数据Din的信号电势Vsig的驱动电路。每一条信号线DTL在垂直方向(或 Y方向)中伸展。在由像素阵列部分3形成的屏幕上，在水平方向(或X方 向)中布置3N条信号线DTL。
第一控制线驱动部分7是用于驱动写控制信号线WSL以便连续地控制 用以在逐行的基础上将信号电势Vsig等写入子像素11的操作的驱动电路。 在该说明书的权利要求中，将写控制信号线WSL称为第一控制线。在图1 的框图中所示的显示面板模块1的情况下，第一控制线驱动部分7在逐行基 础上，连续地对于的每一个水平线单元(或者2维矩阵的每一行)执行操作， 以便指定用以将信号电势Vsig和偏置电势Vofs写入子像素11的定时。
第二控制线驱动部分9是用于控制从用以通过发光控制信号线LSL向子 像素11提供驱动电源的操作到用以不向子像素11提供驱动电源的操作的切 换的驱动电路，且反之亦然。在该说明书的权利要求中，将发光控制信号线 LSL称为第二控制线。更具体地说，第二控制线驱动部分9在发光控制信号 线LSL上维持驱动电势Vcc或地电势Vss。也将驱动电势Vcc称为发光电势， 而将地电势Vss称为不发光电势。
在图1的框图所示的显示面板模块1的情况下，写控制信号线WSL和 发光控制信号线LSL中的每一个均在X方向(或水平方向)中伸展。在Y 方向(或垂直方向)中布置3M条写控制信号线WSL。出于同样的原因，也 在Y方向(或垂直方向)中布置3M条发光控制信号线LSL。
图3是示出子像素11的结构的说明性电路图。如图3的电路图所示，子 像素11采用信号采样晶体管N1、装置驱动晶体管N2、信号保持电容器Cs 和有机EL装置OLED。信号采样晶体管N1和装置驱动晶体管N2中的每一 个都是薄膜晶体管。信号保持电容器Cs是用于保持由数据信号线DTL提供 的信号电势Vsig的电容器。
信号采样晶体管N1的两个主电极之一连接到数据信号线，而信号采样 晶体管N1的另一个主电极连接到装置驱动晶体管N2的控制电极。信号采样 晶体管N1的控制电极连接到写控制信号线WSL。
装置驱动晶体管N2的两个主电极之一连接到发光控制信号线LSL，而 装置驱动晶体管N2的另一个主电极连接到有机EL装置OLED的阳极。
要注意的是，在图3的电路图所示的子像素11的情况下，信号采样晶体 管N1和装置驱动晶体管N2中的每一个均为N沟道型的薄膜晶体管。图3 的电路图还示出了电容器Coled和Csub，其每一个均用虚线画出。装置电容 器Coled表示有机EL装置OLED的电容，而寄生电容器Csub是存在于装置 电容器Coled与衬底之间的寄生电容器。
专利文档1：
日本专利特开No.2003-271095
专利文档2：
日本专利特开No.2003-255897
专利文档3
日本专利特开No.2005-173434
专利文档4
日本专利特开No.2006-215213

图4A到图4E示出了用以驱动上述子像素11的操作的说明性时序图。 更具体地说，图4A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变 化的波形的时序图，而图4B是示出表示在数据信号线DTL上出现的驱动信 号的变化的波形的时序图。图4C是示出表示在发光控制信号线LSL上出现 的驱动信号的变化的波形的时序图，而图4D是示出表示在装置驱动晶体管 N2的栅极电极出现的栅极电势Vg的变化的波形的时序图。图4E是示出在 装置驱动晶体管N2的源极电极出现的源极电势Vs的变化的波形的时序图。 在这种情况下，在装置驱动晶体管N2的源极电极出现的源极电势Vs是在发 光时间、在用作源极电极的、属于装置驱动晶体管N2的主电极出现的电势。
如图4A到图4E的时序图所示，在发光时间段和不发光时间段期间执行 用以驱动子像素11的操作。在不发光时间段中开始用以在信号保持电容器 Cs中存储信号电势Vsig的操作。然而，如果通过执行低温多晶硅处理和/或 非晶硅处理来构建薄膜晶体管N1和N2，那么晶体管呈现阈值电压特性和迁 移率特性的变化。也就是说，阈值电压特性和迁移率特性逐个体管地变化。
为了对于上述特性变化补偿装置驱动晶体管N2，设置图4A到图4E的 时序图中由附图标记1H表示的水平扫描时间段，以包括用于对于上述特性 变化补偿装置驱动晶体管N2而提供的两个操作时间段。也就是说，由附图 标记1H表示的不发光时间段包括两个时间段，在所述两个时间段的每一个 中，将写控制信号线WSL设置在H(高)电平。
在第一时间段(在其期间，将写控制信号线WSL设置在H电平)中， 执行阈值电压补偿处理，而另一方面，在第二时间段(在其期间，将写控制 信号线WSL设置在H电平)，执行迁移率补偿处理。要注意的是，在执行阈 值电压补偿处理之前，执行初始化操作以便将在装置驱动晶体管N2的栅极 和源极电极之间出现的栅-源电压Vgs增大到至少等于装置驱动晶体管N2的 阈值电压Vth的量值。为了执行该初始化操作，控制发光控制信号线LSL以 将其临时地降低到L(低)电平，所述L电平为之前提到的地电势Vss的电 平。在完成了初始化操作的时间点，装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs具 有至少等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth的量值。因此，当控制发光 控制信号线LSL以将其增大到作为驱动电势Vcc的电平的H(高)电平时， 驱动电流Ids开始流到装置驱动晶体管N2，从而开始提高在装置驱动晶体管 N2的源极电极出现的源极电势Vs。
在初始化操作结束之前，将在装置驱动晶体管N2的栅极电极出现的栅 极电势Vg固定在偏置电势Vofs。装置驱动晶体管N2的源极电势Vs继续升 高，直到装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs减小到阈值电压Vth为止。这 是因为，当装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs减小到装置驱动晶体管N2 的阈值电压Vth时，装置驱动晶体管N2自动截止。将该操作称为阈值电压 补偿处理。
如上所述，在第二时间段(在其期间，将写控制信号线WSL设置在H 电平)中，执行迁移率补偿处理。要注意的是，在迁移率补偿处理的执行期 间，还同时执行用以在信号保持电容器Cs中存储信号电势Vsig的操作。
在已经在数据信号线DTL上维持信号电势Vsig之后，通过将信号采样 晶体管N1置入导通状态来执行迁移率补偿处理。要注意的是，迁移率μ表 示装置驱动晶体管N2的电流产生能力。即使具有相对大迁移率μ的驱动晶 体管N2的栅-源电压Vgs被设置为与具有相对小迁移率μ的驱动晶体管N2 的栅-源电压Vgs相等的量值，具有相对大迁移率μ的装置驱动晶体管N2也 能够产生比由具有相对小的迁移率μ的装置驱动晶体管N2所产生的驱动电 流Ids更大的驱动电流Ids。由于该原因，执行迁移率补偿处理，以便对于逐 晶体管间变化的迁移率μ(这也引起了驱动电流Ids逐晶体管地变化)补偿装 置驱动晶体管N2。由于通过这样的电势降低：装置驱动晶体管N2的迁移率 μ越大，则电势降低越大，而引起装置驱动晶体管N2的源极电势Vs的增大， 所以装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs减小。因此，不考虑迁移率μ的不 同，具有相对大迁移率μ的任意装置驱动晶体管N2产生与由具有相对小迁 移率μ的装置驱动晶体管N2产生的驱动电流Ids相等的驱动电流Ids，只要 将具有相对大迁移率μ的驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs设置为与具有相对 小迁移率μ的驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs相等的量值即可，也就是说， 只要向驱动晶体管N2的栅极电极施加相同的信号电势Vsig即可。
顺便提及，适当地执行迁移率补偿处理所用的时间t的长度根据信号电 势Vsig的量值而变化。
一般而言，在迁移率补偿处理的过程中流动的驱动电流Ids的量值由如 下给出的等式(1)表示：
Ids＝k·μ·{Vsig/[1+(Vsig·k·μ·t)/C]}2    ...(1)
在以上给出的等式(1)中，参考符号k表示常数，而参考符号C表示 像素电路的总电容。也就是说，参考符号C表示由以下等式表达的电容：
C＝Cs+Coled+Csub
用以执行迁移率补偿处理所用的时间t的最佳长度由如下给出的等式(2) 表达：
t＝C/(k·μ·Vsig)    ...(2)
将等式(2)代入等式(1)以用作对于时间t的替换，以便发现用于时 间t的最佳长度的驱动电流Ids。因此，用于时间t的最佳长度的驱动电流Ids 由如下给出的等式(3)表达：
Ids＝k·μ·{Vsig/2}2    ...(3)
等式(3)意味着通过根据等式(2)的计算发现的最佳迁移率补偿时间 是用以通过与信号电势Vsig的一半相等的电势增加来提高栅-源电压Vgs所 用的时间。换言之，等式(3)暗示将栅-源电压Vgs提高等于信号电势Vsig 的一半的迁移率补偿电压ΔV。
图5是示出在迁移率补偿电压ΔV与对于不同量值的信号电势Vsig获取 迁移率补偿电压ΔV所用的迁移率补偿时间之间的关系的说明图。在图5的 图中所示的粗体线曲线表示当执行迁移率补偿处理时在最佳迁移率补偿时间 段t与迁移率补偿电压ΔV之间的关系。
适当地调整图4A的时序图中所示的第二H电平时间段的下降沿的定时 以根据图5的图中所示的粗体线曲线而改变，从而可以在适当的迁移率补偿 时间段期间执行迁移率补偿处理，以便对于每一量值的信号电势Vsig来说既 不会导致补偿不足也不会导致过度补偿。
图6A到图6D示出了用于迁移率补偿处理的说明性时序图的典型示例。 图6A到图6D的时序图表示信号电势Vsig为4V的波形。更具体地说，图 6A是示出了表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化的波形的时 序图，而图6B是示出了表示在发光控制信号线LSL上出现的驱动信号的变 化的波形的时序图。图6C是示出了表示在装置驱动晶体管N2的栅极电极出 现的栅极电势Vg的变化的波形的时序图，而图6D是示出了表示在装置驱动 晶体管N2的源极电极出现的源极电势Vs的变化的波形的时序图。
如图6D的时序图所示，在迁移率补偿时间段t期间，装置驱动晶体管 N2的栅极电势Vg升高了2V。因此，装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs 变为等于4V+Vth-2V＝2V+Vth。
通过执行阈值电压补偿处理和最佳的迁移率补偿处理，可以对于逐晶体 管的阈值电压的变化和逐晶体管的迁移率的变化来补偿装置驱动晶体管N2。 结果，可以防止装置驱动晶体管N2的特性变化被识别为发光亮度的差异。
然而，所示的驱动像素电路的方法也存在需要解决的问题。该问题由这 样的事实引起：如从等式(2)中显而易见的那样，信号电势Vsig的量值越 大，迁移率补偿时间t必须缩短到的量值就越小。
当然，与信号电势Vsig的量值成反比地将迁移率补偿时间t缩短到小量 值的需求并不是独立存在的问题。然而，要求当前的显示面板能够显示具有 更高质量的图像，从而必须进一步提高亮度或进一步提高对比率。为了提高 亮度，必须提高信号电势Vsig的量值。
如上所述，然而，如果增大信号电势Vsig的量值，则必须进一步缩短迁 移率补偿时间t。通过进一步缩短的迁移率补偿时间t，在写控制信号线WSL 上出现的驱动信号的时间变化不可以被忽略，并且易于在显示屏幕上产生条 纹束(stripe cluster)等。驱动信号的时间变化是补偿时间的变化。也就是说， 增大的亮度恶化了一致性，并且恶化的一致性导致了差的图像质量。
由本发明的发明人创新的自发光型显示面板模块采用：
(a)：像素阵列部分，其包括布置以在显示区域中形成2维矩阵的多个 像素区域，所述多个像素区域用作每一个均具有如下配置的多个像素区域
信号保持电容器，
装置驱动晶体管，其被提供有连接到信号保持电容器的两个电极中 的特定一个的控制电极，以及连接到信号保持电容器的另一个电极的特定主 电极，以用作向连接到装置驱动晶体管的自发光装置提供具有根据信号保持 电容器中存储的电压的量值的驱动电流的晶体管，以及
信号采样晶体管，用于控制向装置驱动晶体管的控制电极提供信号 电势的操作；
(b)：第一驱动部分，其被配置为在数据信号线上维持信号电势；
(c)：第二驱动部分，其被配置为在连接到信号采样晶体管的控制电极 的第一控制线上维持电势写定时信号；以及
(d)：第三驱动部分，其被配置为按时间顺序向连接到装置驱动晶体管 的另一个主电极的第二控制线提供如下三种不同的驱动电压：
第一驱动电压，其在不发光时间段的开始与对于特性变化补偿所述 装置驱动晶体管的时间段的开始之间的时间间隔(time span)期间具有最低 电势，
第二驱动电压，其在用于补偿所述装置驱动晶体管的所述时间段的 开始与发光时间段的初始时间之间的时间间隔期间具有中间电势，以及
第三驱动电压，其在所述发光时间段的初始时间之后具有最高电势，
其中：
(e)：将第二驱动电压设置为一电压的量值，所述电压在用于补偿装置 驱动晶体管的时间段的开始与紧跟在发光时间段的开始之后的时间点之间的 时间间隔期间，驱动在每一个像素区域中采用的装置驱动晶体管以在饱和区 域中操作，并且在线性区域中驱动在每个像素区域中采用的装置晶体管，所 述像素区域每一个均接收具有至少与预先确定的灰度级电平相等的电平的信 号电势，以及
(f)：将第三驱动电压设置为一电压的量值，所述电压在发光时间段期 间对于所有灰度级电平驱动在每一个像素区域中采用的装置驱动晶体管以在 饱和区域中操作。
期望提供这样的配置，其中将在其期间施加所述第二驱动电压的所述发 光时间段中的亮度级别与在其期间施加所述第三驱动电压的所述发光时间段 中的亮度级别之间的差异设置为不大于2％的值。
还期望提供这样的配置，其中将在其期间施加所述第二驱动电压的所述 发光时间段的长度设置为不大于所述整个发光时间段的长度的20％的值。
结果，可以将发光时间段极度地缩短到通过其自然不能获得期望的发光 亮度和期望的图像质量的值。另外，减小了在其期间施加第二驱动电压的发 光时间段中的亮度级别与在其期间施加第三驱动电压的发光时间段中的亮度 级别之间的差异。因此，不识别出从一个亮度级别到另一个的切换。
另外，期望让第二驱动部分将对于像素灰度级的电势施加时间段T设置 到大于迁移率补偿时间的长度t的值。特别地，在高亮度级别的情况下，期 望提供一种驱动状态，其中电势施加时间段T和迁移率补偿时间的长度t满 足如下关系T＞t。如上所述，迁移率补偿时间的长度t由如下等式(2)表达：
t＝C/(k·μ·Vsig)
在以上等式中，参考符号k表示常数，参考符号μ表示薄膜晶体管的迁 移率，而参考符号Vsig表示与所述像素灰度级对应的信号电势。
顺便提及，也可以将以上说明的自发光型显示面板模块描述为采用如下 配置的显示面板模块：
(a)：像素阵列部分，其包括布置以在显示区域中形成2维矩阵的多个 像素区域，所述多个像素区域用作每一个均具有至少如下配置的多个像素区 域
信号保持电容器，
装置驱动晶体管，其被提供有连接到信号保持电容器的两个电极中 的特定一个的控制电极，以及连接到信号保持电容器的另一个电极的特定主 电极，以用作向连接到装置驱动晶体管的自发光装置提供具有根据信号保持 电容器中存储的电压的量值的驱动电流的晶体管，以及
信号采样晶体管，用于控制向装置驱动晶体管的控制电极提供信号 电势的操作；
(b)：第一驱动部分，其被配置为在数据信号线上维持信号电势；
(c)：第二驱动部分，其被配置为在连接到信号采样晶体管的控制电极 的第一控制线上维持电势写定时信号；以及
(d)：第三驱动部分，其被配置为通过在发光时间段的初始时间之后实 行的耦合效应来增大在装置驱动晶体管的控制电极出现的电势。
另外，本发明的发明人还创新了电子设备，其包括采用上述各部分的自 发光型显示面板模块。
所述电子设备被配置为采用显示面板模块、系统控制部分和操作输入部 分。系统控制部分是用于控制在整个电子设备中执行的操作的部分。操作输 入部分是用于接收由用户向系统控制部分键入的操作输入的部分。
在由本发明的发明人创新的发明的情况下，第三驱动部分通过在发光时 间段的开始之后实行的耦合效应来增大在装置驱动晶体管的控制电极出现的 电势，以便优化装置驱动晶体管的栅-源电压。也就是说，通过在发光时间段 的开始之后展现的耦合效应，可以实现就像将比实际上施加到数据信号线的 信号电势更高的信号电势提供到数据信号线一样的电势关系。
通过采用上述驱动方法，可以将在迁移率补偿时间段期间实际施加到数 据信号线的信号电势降低到一电平，该电平比获得最终的电势关系所需的信 号电势低了与通过耦合效应添加的电压相等的差。通过降低实际上施加到数 据信号线的信号电势，可以将分配给迁移率补偿处理的时间长度提高与实际 施加的信号电势的减小量对应的增大量。
结果，当面向高亮度显示时，可以实现能够保证足够的迁移率补偿时间 并且能够显示具有高质量的图像的自发光型显示面板。
另外，确定迁移率补偿时间，以便实现对于获得最终电势关系所需的信 号电势的迁移率补偿电压。在这种情况下，对于获得最终电势关系所需的信 号电势的迁移率补偿电压高于用于实际施加的信号电势的迁移率补偿电压。
也就是说，在迁移率补偿时间的长度增大的方向中改变迁移率补偿时间。 通过在这样的方向中改变迁移率补偿时间，即使在更大值亮度的情况下，也 可以保证迁移率补偿时间具有大于或等于预先确定的值的长度。通过保证迁 移率补偿时间具有大于或等于预先确定的值的长度，可以减小迁移率补偿时 间的变化的影响，从而提高一致性。
另外，通过优化第二驱动电压，可以紧接在耦合操作之前，最大化与装 置驱动晶体管的寄生电容器对应的电容性分量。结果，由于增大了最终可施 加到装置驱动晶体管的电压，因此增大的电压提供了帮助将亮度提高到甚至 更高的级别的优点。

本发明的这些和其他创新以及特征将从参照附图给出的优选实施例的如 下描述中变得清楚，其中：
图1是示出用作典型的显示面板模块的有机EL面板模块的典型系统结 构的说明性框图；
图2是示出包括子像素的阵列的像素的配置的说明性框图；
图3是示出子像素的结构的说明性电路图；
图4A到图4E是示出用以驱动子像素的操作的时序图的说明性时序图；
图5是示出通过计算导出的最佳迁移率补偿曲线的说明图；
图6A到6D是示出装置驱动晶体管的栅-源电势的变化的时序图；
图7是示出有机EL面板模块的典型外部配置的图；
图8是示出根据实施例的有机EL面板模块的典型系统配置的框图；
图9是示出信号线驱动部分的典型配置的图；
图10是示出实线与虚线之间关系的说明图，其中实线表示在虚拟地实行 耦合效应的本实施例中采用的输入/输出特性，而虚线表示期望的输入/输出特 性；
图11是示出用于驱动写控制信号线的第一控制线驱动部分的典型的局 部配置的说明图；
图12是示出表示电源电压脉冲的变化的波形的说明图；
图13是示出表示在本实施例中采用的迁移率补偿曲线的粗体线的图；
图14是示出用于产生电源电压脉冲的电路装置的配置的框图；
图15是示出驱动电源发生器的典型电路的图；
图16是示出用于驱动发光控制信号线的第二控制线驱动部分的典型局 部配置的说明图；
图17A到17C是示出表示在发光控制信号线出现的驱动信号的变化的波 形的时序图；
图18A到18E是示出表示根据本实施例的驱动信号的变化的波形的时序 图；
图19是示出在初始化处理的开始的用作表示子像素状态的电路的子像 素的等效电路的说明图；
图20是示出在阈值电压补偿准备处理的结束的子像素的等效电路的说 明图；
图21是示出在阈值电压准备处理期间用作表示子像素状态的电路的子 像素的等效电路的说明图；
图22是示出在阈值电压补偿处理的结束的用作表示子像素状态的电路 的子像素的等效电路的说明图；
图23是示出在信号电势写处理和迁移率补偿处理的开始的用作表示子 像素状态的电路的子像素的等效电路的说明图；
图24是示出在发光处理的开始的用作表示子像素状态的电路的子像素 的等效电路的说明图；
图25是示出在耦合操作时用作表示子像素状态的电路的子像素的等效 电路的说明图；
图26A到图26D是示出在本实施例的驱动操作期间装置驱动晶体管的栅 -源电势的变化的时序图；
图27是示出作为也适用于驱动发光控制信号线的第二控制线驱动部分 的另一配置的说明性电路图；
图28A到图28D是示出在第二控制线驱动部分中的驱动信号的波形与在 发光控制信号线上出现的电势变化之间的关系的说明性时序图；
图29是示出电子设备的典型的概念性配置的框图；且
图30到图34中的每一个均是示出电子设备的示例性商业产品的图。

下文的描述说明了将本发明应用于有源矩阵驱动型的有机EL面板模块 的情况。要注意的是，对于既没有在该说明书中描述也没有在说明书中包括 的图中所示的实施例部件，可以应用在与该部件相同领域中公知的技术和/或 作为与该部件属于相同领域的技术而对公众公开的技术。另外，以下描述的 优选实施例仅为本发明的典型实施。也就是说，本发明的实施决不限于优选 实施例。
(A)：外部配置
在该说明书中使用的技术术语‘显示面板模块’不仅意味着采用像素阵 列部分和通过执行半导体处理在与像素阵列部分相同的衬底上构建的驱动电 路的显示面板模块，而且还表示诸如采用像素阵列部分和与像素阵列部分相 同的衬底上构建以用作ASIC(专用集成电路)的驱动电路的显示面板模块之 类的其他显示面板模块。
图7是示出有机EL面板模块21的典型外部配置的图。如图所示，有机 EL面板模块21具有在支撑衬底23的显示区域上粘贴镶面衬底(facing substrate)25的结构。支撑衬底23由诸如玻璃或塑料之类的基体(base)材 料制成。镶面衬底25也由诸如玻璃或塑料之类的透明基体材料制成。
镶面衬底25的基体材料密封支撑衬底23的表面，将密封材料夹在镶面 衬底25的基体材料与表面之间。要注意的是，仅需要在光的发射侧确保镶面 衬底25的基体材料的透明性。也就是说，在其他侧，镶面衬底25的基体材 料可以是不透明的。另外，还向有机EL面板模块21提供用于接收外部信号 和驱动功率的FPC(柔性印刷电路)27。
(B)：实施例
(B-1)：系统配置
图8是示出根据实施例的有机EL面板模块31的典型系统配置的框图。 在图8的框图中，由与图1的框图中所示的其各个对应物相同的附图标记或 相同的参考符号表示与该各个对应物相同的组件。
图8的框图中所示的有机EL面板模块31采用像素阵列部分3、信号线 驱动部分33、第一控制线驱动部分35和第二控制线驱动部分37。信号线驱 动部分33、第一控制线驱动部分35和第二控制线驱动部分37中的每一个均 为用于驱动像素阵列部分3的电路。
以下的描述说明驱动电路的配置，作为本实施例特有的配置。
(a)信号线驱动部分的配置
信号线驱动部分33是用于在数据信号线DTL上维持信号电势Vsig以表 示像素数据Din的驱动电路。
图9是示出信号线驱动部分33的典型内部配置的图。如图中所示，信号 线驱动部分33采用移位寄存器41、锁存(latch)部分43、数模转换电路45 和开关47。移位寄存器41是用于基于时钟信号CK产生指示用以在锁存部分 43中锁存像素数据的定时的信号的电路。
锁存部分43是用于基于由移位寄存器41产生的定时信号，将像素数据 Din存储在分配给像素数据Din的存储区域中的存储装置。
数模转换电路45是用于将在锁存部分43中锁存的像素数据转换为用作 信号电势Vsig的模拟信号电压的电路。要注意的是，数模转换电路45的转 换特性由H电平参考电势VrefH和L电平参考电势VrefL确定。
本实施例采用通过在发光时间段开始之后实行的耦合效应提高装置驱动 晶体管N2的栅极电势Vg的驱动方法，如将在下文所述的那样。
也就是说，数模转换电路45是能够产生信号电势Vsig的转换电路，其 中所述信号电势Vsig的量值被调节到比在发光操作时间假设的信号幅度小与 发光时间段开始之后导致的电势增加对应的差值的值。更具体地说，将H电 平参考电势VrefH设置为比耦合效应之后实现的信号幅度低与耦合电压对应 的差值的电势。当然，可以调节H电平参考电势VrefH要减小到的电势，以 便耦合电压的量值越大，则所述电势就越低。
图10是示出实线与虚线之间关系的说明图，其中实线表示在虚拟地实行 耦合效应的本实施例中采用的输入/输出特性，而虚线表示期望的输入/输出特 性。在本实施例的情况下，数模转换电路45执行这样的数模转换处理：信号 电势Vsig的信号幅度比最终期望的8V的信号幅度小1V的差值。
这样，使施加到数据信号线DTL的信号电势Vsig的信号幅度小于最终 期望的信号幅度。结果，在迁移率补偿时间的长度增加到大于不实行耦合效 应的情况的迁移率补偿时间的长度的值的方向中，可以改变(shift)执行迁 移率补偿处理所需的迁移率补偿时间。
开关47是用于选择与像素的灰度级(gradation)对应的信号电势Vsig 或用于迁移率补偿处理的偏置电势Vofs，并用于将所选的一个提供到为所选 的一个提供的数据信号线DTL的电路。更具体地说，开关47仅在同时执行 用以将信号电势Vsig存储到子像素11中的操作以及迁移率补偿处理的时间 段期间输出信号电势Vsig。
(b)：第一控制线驱动部分的配置
第一控制线驱动部分35是用于驱动写控制信号线WSL以便连续地控制 用以在逐行的基础上将信号电势Vsig等写入子像素11的操作的驱动电路。
图11是示出第一控制线驱动部分35的典型局部配置的说明图。也就是 说，图11的图示出了对于一条水平线或一条控制信号线WSL的配置。因此， 在屏幕的垂直方向布置其每一个均在图11的图中示出的多个配置。在垂直方 中布置的配置的数量表示在屏幕上显示的图像的垂直方向分辨率。
在下文的描述中，也将其配置在图11的图中示出的局部电路称为第一控 制线驱动部分35，以便使说明更简单。如图中所示，第一控制线驱动部分35 采用移位寄存器51、在前级提供的反相器电路53、在后级提供的反相器55、 电平移位器57和单级反相器电路59。前级反相器电路53和后级反相器电路 55用作缓冲器电路。由单级反相器电路59根据向单级反相器电路59提供的 电源电压脉冲WSP的波形的电平来产生作为粗体线在图13的图中所示的迁 移率补偿曲线。图13的图中所示的迁移率补偿曲线是表示在最佳迁移率补偿 时间与迁移率补偿电压ΔV之间关系的曲线，其中在最佳迁移率补偿时间段 中执行的迁移率补偿处理期间装置驱动晶体管N2的源极电势Vs升高了ΔV。 如之前所述，迁移率补偿电压ΔV是用于迁移率补偿处理的信号电势Vsig的 一半。
图12是示出表示电源电压脉冲WSP的变化的波形的说明图。
如图12的图所示，在与用于水平线的迁移率补偿时间段相位同步的定时 设置用于水平线的迁移率补偿曲线部分。在本实施例的情况下，设置迁移率 补偿曲线以具有这样的形状，以便执行对于施加的信号电势Vsig来说过度的 迁移率补偿处理。也就是说，设置迁移率补偿曲线以具有这样的形状，以便 在比根据等式(2)计算的迁移率补偿时间更长的迁移率补偿时间段期间，对 于每一个所施加的信号电势Vsig执行过度的迁移率补偿处理。
图13是示出表示在该实施例中采用的迁移率补偿曲线的粗体线的图。在 该实施例的情况下，信号电势Vsig的最大值是7V。因此，图13的图中所示 的迁移率补偿曲线从与在左侧的7V的信号电势Vsig对应的曲线图开始。如 从图13的图中所示的迁移率补偿曲线中显而易见的那样，对于每一个信号电 势Vsig的迁移率补偿时间明显地变得更长。当然，耦合电压的量值越大，则 H电平参考电势VrefH要减小的差值就越大，且迁移率补偿时间要增加到的 长度就越大。要注意的是，迁移率补偿时间越长，则亮度可以增加到的级别 就越高。
顺便提及，图13的图中所示的迁移率补偿曲线表示对于与曲线上的一点 对应的信号电势Vsig相同的信号电势Vsig，每一个均比根据等式(2)计算 的迁移率补偿时间更长的迁移率补偿时间。将由图13的图中所示的迁移率补 偿曲线所表示的迁移率补偿时间有意地设置为比根据等式(2)计算的值更大 的值，这是因为必须考虑并入的耦合效应，如下文所述的那样。
在本实施例的情况下，尽管在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig 的幅度被减小到7V，但最终实现了与幅度为8V的情况相同的驱动状态。
因此，设置迁移率补偿曲线，以便即使对于在数据信号线DTL上维持 7V的信号电势(如图13的图中所示)的情况来说，可以确保4V的迁移率补 偿电压，作为与在如图8的图中所示的在数据信号线DTL上维持8V的信号 电势Vsig的情况的电压相同的电压。
出于同样的原因，对于在数据信号线DTL上维持6V的信号电势Vsig (如图13的图中所示)的情况，可以设置用于实现3.5V的迁移率补偿电压 的迁移率补偿时间段，其中所述3.5V的迁移率补偿电压是与在如图8的图中 所示的在数据信号线DTL上维持7V的信号电势Vsig的情况的电压相同的 电压。
以同样的方式，对于在数据信号线DTL上维持的5V的信号电势Vsig (如图13的图中所示)的情况，可以设置用于实现3V的迁移率补偿电压的 迁移率补偿时间段，其中所述3V的迁移率补偿电压是与在如图8的图中所 示的数据信号线DTL上维持6V的信号电势Vsig的情况的电压相同的电压。
类似地，对于在数据信号线DTL上维持4V的信号电势Vsig(如图13 的图中所示)的情况，可以设置用于实现2.5V的迁移率补偿电压的迁移率补 偿时间段，其中所述2.5V的迁移率补偿电压是与在如图8的图中所示的数据 信号线DTL上维持5V的信号电势Vsig的情况的电压相同的电压。
同样地，对于在数据信号线DTL上维持3V的信号电势Vsig(如图13 的图中所示)的情况，可以设置用于实现2V的迁移率补偿电压的迁移率补 偿时间段，其中所述2V的迁移率补偿电压是与在如图8的图中所示的数据 信号线DTL上维持4V的信号电势Vsig的情况的电压相同的电压。
出于同样的理由，对于在数据信号线DTL上维持2V的信号电势Vsig (如图13的图中所示)的情况，可以设置用于实现1.5V的迁移率补偿电压 的迁移率补偿时间段，其中所述1.5V的迁移率补偿电压是与在如图8的图中 所示的数据信号线DTL上维持3V的信号电势Vsig的情况的电压相同的电 压。
图14是示出用于产生前述电源电压脉冲WSP，并将电源电压脉冲WSP 提供到第一控制线驱动部分35的电路的配置的框图。
如图14的框图中所示，由定时发生器61和驱动电源发生器63产生电源 电压脉冲WSP。定时发生器61是用于产生其每一个均具有矩形波形的驱动 脉冲的电路，其中不仅将所述驱动脉冲提供到第一控制线驱动部分35，而且 还将其提供到其他控制线驱动部分和驱动电源发生器63。要注意的是，驱动 脉冲的下降沿的定时比迁移率补偿时间段的开始定时的定时落后预先确定的 延迟时间。
驱动电源发生器63是用于基于从定时发生器61接收到的、作为具有矩 形波形的驱动脉冲的驱动脉冲，产生图12的图中所示的电源电压脉冲WSP 的电路。如图12的图中所示，电源电压脉冲WSP具有这样的波形，所述波 形具有在两级折叠并弯曲的下降部分。
图15是示出驱动电源发生器63的典型电路的图。图15的电路图中所示 的驱动电源发生器63是典型的脉冲发生器，其具有用于产生接近于图13的 图中所示的迁移率补偿曲线的伪电源电压脉冲WSP的配置。如图15的图中 所示，驱动电源发生器63采用两个晶体管、一个电容器、每一个均具有固定 电阻的三个电阻器以及每一个均具有可变电阻的两个电阻器。
驱动电源发生器63关于输入驱动脉冲执行模拟处理，以便产生具有在两 级折叠并弯曲的下降部分的波形的电源电压脉冲WSP。在第一级折叠并弯曲 的波形下降部分具有大的倾斜度，而在第二级折叠并弯曲的波形下降部分具 有小的倾斜度。当然，通过在几个级折叠并弯曲电源电压脉冲WSP的波形的 下降部分，可以产生接近于理想迁移率补偿曲线的电源电压脉冲WSP。级的 数量越大，则电源电压脉冲WSP就越接近于理想迁移率补偿曲线。
(c)：第二控制线驱动部分的配置
第二控制线驱动部分37是用于控制从通过发光控制信号线LSL将驱动 功率提供到子像素11的操作切换到不向子像素11提供驱动功率的操作的驱 动电路，且反之亦然。要注意的是，本实施例的第二控制线驱动部分37在三 级向子像素11提供驱动功率。换言之，第二控制线驱动部分37在三个不同 的时间，在发光控制信号线LSL上维持第一发光电势Vcc1、第二发光电势 Vcc2和地电势Vss(其具有三个不同的值)。
图16是示出第二控制线驱动部分37的典型局部配置的说明图。也就是 说，图16的图示出了对于一条水平线或一条发光控制信号线LSL的输出级 部分的配置。因此，在屏幕的垂直方向中布置其每一个均在图16的图中所示 的多个配置。在垂直方向中布置的配置的数量表示在屏幕上显示的图像的垂 直方向分辨率。在下文的描述中，也将其配置在图16的图中示出局部电路称 为第二控制线驱动部分37，以便使说明更简单。
在作为第二控制线驱动部分37的配置的、在图16的图中示出的配置的 情况下，设计为P沟道型晶体管的P沟道薄膜晶体管P11的两个主电极中的 特定的一个连接到扫描电源线Vccp，而P沟道薄膜晶体管P111的另一个主 电极连接到发光控制信号线LSL。发光控制信号线LSL也连接到设计为N沟 道型晶体管的N沟道薄膜晶体管N11的两个主电极中的特定的一个。要注意 的是，N沟道型的N沟道薄膜晶体管N11的另一个主电极连接到传输地电势 VSS的地线。
顺便提及，设计为P沟道型的晶体管的薄膜晶体管P11的控制电极和设 计为N沟道型的晶体管的薄膜晶体管N11的控制电极连接到公共控制信号线 Scnt1。由于P沟道型的薄膜晶体管P11的特性与N沟道型的薄膜晶体管N11 的特性不同，因此当将它们中的特定一个置入截止状态时，它们中的另一个 被置入导通状态。也就是说，P沟道型薄膜晶体管P11和N沟道型薄膜晶体 管N11彼此互补地工作。
在该实施例的情况下，如图16的图中所示，两个二进制值是与该发明说 明书的权利要求中提到的第二驱动电压对应的第一发光电势Vcc1，以及与该 发明说明书的权利要求中提到的第三驱动电压对应的第二发光电势Vcc2。这 是因为，通过利用两个不同的发光电势，在发光时间段期间可以将发光电势 从第一发光电势Vcc1切换到第二发光电势Vcc2，以便抑制装置驱动晶体管 N2的栅极电极上的耦合电压ΔVg。通过将耦合电压ΔVg叠加在装置驱动晶 体管N2的栅极电极上，可以增大装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs。通过 增大装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs，可以对于大于施加到数据信号线 DTL的信号幅度的信号幅度执行驱动操作。
在该实施例的情况下，将第一发光电势Vcc1设置到满足以下条件的电 压：
(1)：所述电压应该驱动在每一个像素中采用的装置驱动晶体管N2以 在特性补偿时间段的开始与紧跟在发光时间段的开始之后的时间点之间在饱 和区域中工作。
(2)：所述电压应该驱动任意像素的装置驱动晶体管N2(向所述装置驱 动晶体管N2施加具有至少与预先确定的灰度级电平相等的电平的信号电势 Vsig)以在紧跟在发光时间段的开始之后的时间点之后在线性区域中工作。
上述第一条件是用于校正迁移率补偿处理的执行的条件。从以下事实导 出第一条件：在驱动装置晶体管N2以在饱和区域中工作的状态执行最终的 发光状态。
上述第二条件是用于最大化耦合电压的条件。从以下事实导出第二条件： 与在线性区域中工作的装置驱动晶体管N2的寄生电容器对应的电容性分量 (capacitive component)大于与在饱和区域中工作的装置驱动晶体管N2的寄 生电容器对应的电容性分量。
让我们考虑这样的情况：对于所有灰度级电平，在每一个像素中采用的 装置驱动晶体管N2在饱和区域中工作，作为例如，在发光时间段期间用以 将出现在发光控制信号线LSL上的电势从第一发光电势Vcc1改变到第二发 光电势Vcc2的操作所导致的情况。在这种情况下，叠加在装置驱动晶体管 N2的栅极电极上的耦合电压ΔVg0由如下等式(4)表达：
ΔVg0＝{Cc/(Cc+Cs)}·(Vcc2-Vcc1)...(4)
顺便提及，在以上等式中使用的参考符号Cc表示存在于装置驱动晶体 管N2的栅极和漏极电极之间的寄生电容器的电容。
如从等式(4)显而易见的那样，耦合电压ΔVg与存在于栅极和漏极电 极之间的寄生电容器的电容Cc成正比。因此，为了增大耦合电压ΔVg，必 须提高存在于栅极和漏极电极之间的寄生电容器的电容Cc。例如，通过增大 在栅极和漏极电极之间的结构重叠的尺寸，可以提高存在于栅极和漏极电极 之间的寄生电容器的电容Cc。然而，从布置的角度和从TFT(薄膜晶体管) 特性的角度来看，不能轻易选择该方法。
为了解决根据该实施例的该问题，如上述第二条件所示，对于用作至少 对应于高亮度级的像素中采用的装置驱动晶体管N2的薄膜晶体管，在从发 光时间段的开始起经过预先确定的时间之后，维持第一发光电势Vcc1，以便 驱动装置驱动晶体管N2以在经过该时间之后在线性区域中工作。
当在发光控制信号线LSL上维持第一发光电势Vcc1之后，如从发光控 制信号先LSL看到的，除了存在于栅极和漏极电极之间的寄生电容器之外， 还存在具有与栅极沟道电容Cgs的一半相等的电容的电容器。存在于装置驱 动晶体管N2的栅极和漏极电极之间的寄生电容器具有栅极-漏极电容Cc。栅 极-漏极电容Cc是扩散电容，而栅极沟道电容Cgs是栅极电容。
因此，存在于装置驱动晶体管N2的栅极和漏极电极之间的寄生电容器 的电容实际上为(Cc+Cgs/2)。要注意的是，栅极电容Cgs的量值为存在于栅 极和漏极电极之间的寄生电容器的电容Cc的至少10倍。因此，在该实施例 的情况下，至少在作为在其期间维持第一发光电势Vcc1的部分的、发光时间 段中包括的后一部分期间，大大增加的耦合电压ΔVg驱动在高亮度的像素中 采用的装置驱动晶体管以在线性区域中操作。当然，仅在该驱动方法的执行 期间获得寄生电容的增加，以便可以假设在该驱动方法的执行之前存在的像 素结构按其原样有效。
当如上所述驱动装置驱动晶体管N2以在线性区域中操作时，叠加在装 置驱动晶体管N2的栅极电极上的耦合电压ΔVg由如下等式(5)表达：
ΔVg＝{(Cc+Cgs/2)/((Cc+Cgs/2)+Cs)}·(Vcc2-Vcc1)...(5)
如上所述，根据第二条件，仅将用以驱动装置驱动晶体管N2以在线性 区域中操作的电压维持到在一像素中采用的装置驱动晶体管N2，其中向所述 像素施加具有至少与预先确定的灰度级电平相等的电平的信号电势Vsig。然 而，要注意的是，这是因为该驱动技术是用以提高亮度的技术。不过，陈述 “具有至少与预先确定的灰度级电平相等的电平的信号电势Vsig”的句子不 能被理解为陈述“以严格的方式确定灰度级的阈值”的句子。更具体地说， 很好地优化了用于每一个显示面板模块的具体的灰度级电平。
以下给出第一发光电势Vcc1的示例。让参考符号Vsig(max)表示信号 电势Vsig的最大值，而让参考符号Vth(N2)表示装置驱动晶体管N2的阈 值电压。信号电势Vsig的最大值Vsig(max)表示白电平。在这种情况下， 可以将第一发光电势Vcc1降低到由如下给出的等式(6)所表达的电势：
Vcc1＝Vsig(max)-Vth(N2)    ...(6)
也就是说，只要第一发光电势Vcc1高于(Vsig(max)-Vth(N2))， 就可以对于表示从灰电平到白电平的电平范围的所有信号电势Vsig，驱动装 置驱动晶体管N2以在线性区域中工作。
以下的描述说明用于要将第二发光电势Vcc2设置到的电压的条件。第 二发光电势Vcc2是在发光时间段期间，对于所有灰度级电平，驱动每一个像 素中采用的装置驱动晶体管N2以在饱和区域中工作的电压。
图17A到图17C是示出第二控制线驱动部分37的信号的波形与像素电 路的操作时间段之间的关系的时序图。更具体地说，图17A是示出表示在扫 描电源线Vccp上出现的驱动信号的变化的波形的时序图，而图17B是示出 表示在控制信号线Scnt1上出现的驱动信号的变化的波形的时序图。图17C 是示出表示在发光控制信号线LSL上出现的电势的变化的波形的时序图。
如图17A到图17C的时序图中所示，当将在控制信号线Scnt1上出现的 驱动信号维持在H电平时，驱动N沟道型薄膜晶体管N11以进入导通状态， 将在发光控制信号线LSL上出现的电势控制到L电平。另一方面，当将在控 制信号线Scnt1上出现的驱动信号维持在L电平时，驱动P沟道型薄膜晶体 管P11以进入导通状态，将在扫描电源线Vccp上出现的驱动信号输出到发光 控制信号线LSL。
要注意的是，在用于维持第一发光电势Vcc1的时间段T1期间流到有机 EL装置OLED的驱动电流Ids的量值不同于在用于维持第二发光电势Vcc2 的时间段T2期间流搭配有机EL装置OLED的驱动电流Ids的量值。驱动电 流Ids的差异导致图像质量的差异以及亮度级别的差异。这是因为被驱动以 在线性区域中操作的装置驱动晶体管N2产生具有小于被驱动以在饱和区域 中操作的驱动电流Ids的量值的驱动电流Ids。另外，补偿结果是不充分的。 另外，在该实施例的情况下，用以开始第二发光电势Vcc2的施加的操作不仅 导致到饱和区域的操作状态的转变，而且导致将发光亮度提高了与耦合电压 对应的增加量。
由于上述原因，用于在发光控制信号线LSL上维持第一发光电势Vcc1 的时间段T1越短，基本上，驱动方法的结果就越好。在该实施例的情况下， 例如，设置1到10个水平扫描时间段的范围。事实上，时间段长度是示例值。 期望将实际的时间段T1的长度设置到不大于整个发光时间段长度的20％的 值。要注意的是，在这种情况下，假设所述时间段长度为实际的时间段长度。 因此，在闪烁驱动操作中，时间段长度是在其期间有机EL装置OLED处于 导通状态的时间段的长度之和。
另外，要求发光电势施加时间段T1和T2具有这样的长度：在屏幕上识 别不出在电势施加时间段T1和T2之间的亮度差异。这是因为，如果在屏幕 上识别出在电势施加时间段T1和T2之间的亮度差异，那么所显示的图像的 质量将会大大恶化。因此，期望将电势施加时间段T1和T2之间的亮度差异 设置为不大于2％的值(其为根据经验获得的值)。
(B-2)：驱动操作
以下的描述说明由根据本实施例的有机EL面板模块31执行的典型驱动 操作。
图18A到图18E是示出子像素11内的电势变化的说明性时序图。更具 体地说，图18A是示出表示在写控制信号线WSL上出现的驱动信号的变化 的波形的时序图，而图18B是示出表示在数据信号线DTL上出现的驱动信号 的变化的波形的时序图。图18C是示出表示在发光控制信号线LSL上出现的 驱动信号的变化的波形的时序图，而图18D是示出表示在装置驱动晶体管N2 的栅极电极出现的栅极电势Vg的变化的波形的时序图。图18E是示出表示 在装置驱动晶体管N2的源极电极出现的源极电势Vs的变化的波形的时序 图。
(a)：初始化处理
当控制在发光控制信号线LSL上出现的电势以改变到L电平的地电势 Vss时，结束发光时间段，并开始不发光时间段。当开始不发光时间段时， 执行子像素11的初始化处理，以便进行用于将信号电势Vsig存储到信号保 持电容器Cs中的新处理的准备。严格来讲，执行子像素81的初始化处理以 便降低装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg和装置驱动晶体管N2的源极电势 Vs，如图18D和图18E的时序图中分别所示的那样。
图19是示出在不发光时间段开始时或初始化处理开始时用作表示子像 素11的状态的电路的子像素11的等效电路的说明图。如图19的电路图所示， 已经将信号采样晶体管N1置入截止状态。
当如上所述将在发光控制信号线LSL上出现的驱动信号设置到L电平的 地电势Vss时，在装置驱动晶体管N2的栅极电极与发光控制信号线LSL之 间出现的电压Vgs(如图19的电路图所示)变得大于装置驱动晶体管N2的 阈值电压Vth。因此，将装置驱动晶体管N2置入导通状态，如图19的电路 图中示出的虚线箭头所示，吸引(draw)在信号保持电容器Cs中累积的电荷。 吸引在信号保持电容器Cs中累积的电荷，使得装置驱动晶体管N2的源极电 势Vs降低到等于地电势VSS的电平。另外，因为由于源极电势Vs的降低引 起的耦合效应，所以也降低了装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg。
(b)：阈值电压补偿准备处理和阈值电压补偿处理
当结束上述初始化处理时，通过将在写控制信号线WSL上出现的驱动 信号提高到H电平，将信号采样晶体管N1置入导通状态，以便将用作参考 电势的偏置电势Vofs施加到装置驱动晶体管N2的栅极电极。
图20是示出用作表示该状态的电路的子像素11的等效电路的说明图。 在阈值电压补偿准备处理期间，控制信号保持电容器Cs以进入具有量值为 (Vofs-VSS)的电压的状态。将地电势Vss和偏置电势Vofs设置到这样的 值，以便具有量值为(Vofs-VSS)的电压大于装置驱动晶体管N2的阈值电 压Vth(N2)。当在信号保持电容器Cs的电极之间出现的电压超过装置驱动 晶体管N2的阈值电压Vth时，可以说阈值电压补偿准备处理已经结束。
实际上，当假设在信号保持电容器Cs的电极之间出现的电压已经超过装 置驱动晶体管N2的阈值电压Vth时，将在发光控制信号线LSL上出现的电 势从地电势Vss改变到第一发光电势Vcc1以便开始阈值电压补偿处理，所述 第一发光电势Vcc1是待维持在发光控制信号线LSL上的三个电势之中的中 间电势。
图21是示出子像素11的等效电路的说明图。在阈值电压准备处理的开 始时，在信号保持电容器Cs的电极之间出现的电压超过了装置驱动晶体管 N2的阈值电压Vth，即：装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs大于装置驱动 晶体管N2的阈值电压Vth。因此，将装置驱动晶体管N2置入导通状态，使 驱动电流Ids在从发光控制信号线LSL到信号保持电容器Cs的方向中流动。 在从发光控制信号线LSL到信号保持电容器Cs的方向中流动的驱动电流Ids 中和了在信号保持电容器Cs中累积的电荷，使得装置驱动晶体管N2的源极 电势Vs开始升高。
当中和在信号保持电容器Cs中累积的电荷时，在信号保持电容器Cs的 电极之间出现的电压变为等于装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth(N2)。在 信号保持电容器Cs的电极之间出现的电压变为等于装置驱动晶体管N2的阈 值电压Vth的时间点，驱动电流Ids停止流动。这是因为装置驱动晶体管N2 自动地进入截止状态。将用以将装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs设置在 装置驱动晶体管N2的阈值电压Vth的处理称为阈值电压补偿处理。
当假设已经结束阈值电压补偿处理时，通过将在写控制信号线WSL上 出现的驱动信号从H电平改变到L电平，控制信号采样晶体管N1以进入截 止状态。
当然，在阈值电压补偿处理结束时装置驱动晶体管N2进入截止状态之 后，在子像素11的多个点处出现的电势保持未改变。
(c)：信号电势写处理和迁移率补偿处理
在已经结束了阈值电压补偿处理之后的时间点，将在数据信号线DTL上 出现的电势从偏置电势Vofs改变到信号电势Vsig。然后，控制写控制信号线 WSL以从L电平升高到H电平，以便将信号采样晶体管N1置入导通状态。
图23是示出在信号电势写处理和迁移率补偿处理开始时用作表示子像 素11的状态的电路的子像素11的等效电路的说明图。由于信号采样晶体管 N1处于导通状态，因此将在数据信号线DTL上出现的信号电势Vsig存储在 信号保持电容器Cs中，以便信号保持电容器Cs的电压再次超过阈值电压Vth (N2)。结果，控制装置驱动晶体管N2进入导通状态。将用以将在数据信号 线DTL上出现的信号电势Vsig存储在信号保持电容器Cs中的处理称为信号 电势写处理。
因此，开始由装置驱动晶体管N2执行的、用以将驱动电流Ids提供到有 机EL装置OLED的操作。驱动电流Ids流动以电气地充电有机EL装置OLED 的寄生电容器Cel等。由于驱动电流Ids电气地充电寄生电容器Cel，因此有 机EL装置OLED的阳极出现的电势升高了与迁移率补偿电压ΔV相等的电 势增加量。要注意的是，在有机EL装置OLED的阳极出现的电势是装置驱 动晶体管N2的源极电势Vs。总的来说，执行迁移率补偿处理，以便产生等 于信号电势Vsig的一半的迁移率补偿电压ΔV。然而，在本实施例的情况下， 控制迁移率补偿时间T，将其有意地设置到比从信号电势Vsig发现的迁移率 补偿时间t更长的值。在图18A的时序图中，迁移率补偿时间T是后一脉冲 的宽度。因此，根据本实施例，在迁移率补偿时间T期间产生的迁移率补偿 电压ΔV大于在数据信号线DTL上实际维持的信号电势Vsig的一半。
另外，将迁移率补偿电压ΔV有意地设置到这样的值，以便电势不超过 有机EL装置OLED的阈值电压Vth(oled)。
因此，在迁移率补偿处理期间，有机EL装置OLED不操作。也就是说， 在迁移率补偿处理期间，有机EL装置OLED停留于不发光状态。
(d)：发光处理(包括耦合操作)
当假设已经完成迁移率补偿处理时，将信号采样晶体管N1置入截止状 态。图24是示出在迁移率补偿处理结束时子像素11的等效电路的说明图。
在迁移率补偿处理结束时，将装置驱动晶体管N2的栅极电极置入浮置 状态。因此，由于自举操作，装置驱动晶体管N2的栅极电势Vg也与源极电 势Vs一起升高。然而，一旦源极电势Vs超过有机EL装置OLED的阈值电 压Vth(oled)，则将有机EL装置OLED置入导通状态，开始以在根据驱动电 流Ids(其由栅-源电压Vgs确定)的亮度级别发光的发光处理。如之前所述， 栅-源电压Vgs是在信号保持电容器Cs中存储的电压。
在该实施例中，将在发光时间段开始时在装置驱动晶体管N2的栅极电 极出现的栅极电势Vg称为初始电势Vx。在发光时间段开始时，至少，在每 个高亮度像素中采用的装置驱动晶体管N2在线性区域中操作。也就是说， 存在于装置驱动晶体管N2的栅极和漏极电极之间的寄生电容器的电容实际 上为(Cc+Cgs/2)。
在适当的时间，将在发光控制信号线LSL上出现的电势从第一发光电势 Vcc1改变到第二发光电势Vcc2。第二发光电势Vcc2是在施加到发光控制信 号线LSL的三个电势之中最高的电势。
图25是示出表示该状态的子像素11的等效电路的说明图。在将出现在 发光控制信号线LSL上的电势从第一发光电势Vcc1提高到第二发光电势 Vcc2的时间点处，通过在驱动晶体管N2中存在的寄生电容器Cc+Cgs/2的方 式，将电势变化(＝Vcc2-Vcc1)的一部分传递到栅极电极。
让符号ΔVg表示耦合电压。因此，栅极电势Vg从电势Vx增大到电势 (Vx+ΔVg)。
顺便提及，当栅极电势Vg增大时，源极电势Vs几乎不升高。这是因为 源极电势Vs基本上由有机EL装置OLED的阈值电压Vth(oled)确定。
因此，由信号保持电容器Cs保持的电压也从Vgs升高到Vgs’(＝Vgs+ ΔVg)。
当由信号保持电容器Cs保持的电压以这种方式从Vgs增大到Vgs’时， 驱动电流也从Ids升高到Ids’。因此，将有机EL装置OLED置入以比根据信 号电势Vsig的亮度级别更高的亮度级别发光的状态。
然而，即使将有机EL装置OLED置入以更高亮度级别发光的状态，迁 移率补偿的变化也使得不能防止由于一致性恶化引起的图像质量变差。
然而，在本实施例的情况下，通过在耦合处理之后假设期望的栅-源电压 Vgs’，通过合适的调整，有意地增大在过度的迁移率补偿处理期间产生的迁 移率补偿电压ΔV。因此，在耦合处理之后获得的电势关系是适于耦合处理之 后的栅-源电压Vgs’的电势关系。
通过参照图26A到图26D的时序图，以下描述说明这样的事实：在耦合 处理之后获得的电势关系是合适的。图26A是示出表示在写控制信号线WSL 上出现的驱动信号的变化的波形的时序图，而图26B是示出表示在发光控制 信号线LSL上出现的驱动信号的变化的波形的时序图。图26C是示出表示装 置驱动晶体管N2的栅极电势Vg的变化的波形的时序图，而图26D是示出表 示装置驱动晶体管N2的源极电势Vs的变化的波形的时序图。
在图26的时序图中，实际上在数据信号线DTL上维持的信号电势Vsig 被假设为3V。控制图26A的时序图中所示的迁移率补偿时间T，将其设置 在长于迁移率补偿时间t的值。对于3V的信号电势Vsig，通过计算发现的 迁移率补偿电压为1.5V。然而，在这种情况下，产生2V的迁移率补偿电压。 也就是说，对于信号电势Vsig，过度地执行迁移率补偿处理。作为执行迁移 率补偿处理的结果，将装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs设置到(1V+Vth)。
如果将在发光控制信号线LSL上出现的电势从第一发光电势Vcc1升高 到第二发光电势Vcc2，则由于寄生电容器Cc提供的耦合效应，装置驱动晶 体管N2的栅极电势Vg也增大了ΔVg(将ΔVg设置为1V)。
结果，装置驱动晶体管N2的栅-源电压Vgs增大到(2V+Vth)。所述状 态与就像在执行的迁移率补偿处理中已经在数据信号线DTL上维持了4V的 信号电势那样而获得的状态相同。
(B-3)：实施例的效果
如上所述，通过设置在三个不同电势的驱动信号来驱动发光控制信号线 LSL。也就是说，本实施例采用了这样的驱动方法，通过该驱动方法，在阈 值电压补偿处理和迁移率补偿处理期间将第一发光电势Vcc1施加到发光控 制信号线LSL，并且在已经开始发光时间段之后，将第二发光电势Vcc2施加 到发光控制信号线LSL。换言之，本实施例采用了这样的驱动方法，通过该 驱动方法，由于耦合效应，将在发光控制信号线LSL上产生的、从第一发光 电势Vcc1到第二发光电势Vcc2的变化的电势的一部分叠加在薄膜晶体管的 栅极电极上。
另外，本实施例采用了这样的驱动方法，通过该驱动方法，通过考虑由 于耦合效应而叠加在栅极电极上的电势变化部分，对于实际上在数据信号线 DTL上维持的信号电势Vsig，将迁移率补偿时间T有意地延长到比通过计算 获得的迁移率补偿时间更长的值。
通过采用上述驱动方法，可以以高于普通驱动方法的亮度级别来显示图 像，同时适当地保证适于显示图像所要求的栅-源电压Vgs的迁移率补偿电压。
因此，可以实现这样的有机EL面板模块31，其中与通过普通驱动方法 提供的图像一致性和图像质量相比，提高了显示图像的一致性，并且改进了 显示图像的质量，以便提供更高级别的亮度。
另外，与通过第一发光电势Vcc1驱动装置驱动晶体管N2以在饱和区域 中操作的情况相比，作为耦合操作的结果在装置驱动晶体管N2的栅极电极 上叠加的耦合电压ΔVg很大。因此，在不修改像素结构的情况下，可以实现 具有比其中将第一发光电势和第二发光电势设置为驱动每一个装置驱动晶体 管N2以在饱和区域中工作的量值的有机EL显示面板的亮度级别更高的亮度 级别的有机EL显示面板。
(C)：其他实施例
(C-1)：第二控制线驱动部分的另一典型配置
在上述实施例的情况下，具有图16的电路图中所示的配置的第二控制线 驱动部分37用作用于驱动发光控制信号线LSL的部分。
然而，第二控制线驱动部分可以具有另一电路配置。图27是示出也适于 驱动发光控制信号线LSL的第二控制线驱动部分37的另一配置。
在图27的电路图中所示的第二控制线驱动部分37的情况下，对于要施 加到发光控制信号线LSL的三个电势Vss、Vcc1和Vcc2中的每一个提供开 关。每一个开关典型地为薄膜晶体管。
在图27的电路图中所示的第二控制线驱动部分37的情况下，P沟道型 薄膜晶体管P21和P22并联连接到发光控制信号线LSL。
第一P沟道薄膜晶体管P21的两个主电极中的特定的一个连接到在其上 维持第一发光电势Vcc1的电源线，而第一P沟道薄膜晶体管P21的另一主 电极连接到发光控制信号线LSL。另一方面，第二P沟道薄膜晶体管P22的 两个主电极中的特定的一个连接到在其上维持第一发光电势Vcc2的电源线， 而第二P沟道薄膜晶体管P22的另一主电极连接到发光控制信号线LSL。
设计为N沟道型晶体管的薄膜晶体管N21的两个主电极中的特定的一个 与两个薄膜晶体管P21和P22串联连接，而N沟道薄膜晶体管N21的另一主 电极连接到地电势VSS。
在图27的电路图中所示的第二控制线驱动部分37的情况下，第一P沟 道薄膜晶体管P21、第二P沟道薄膜晶体管P22和N沟道薄膜晶体管N21的 栅极电极分别连接到专用控制信号线Scnt11、Scnt12和Scnt13。
更具体地说，第一P沟道薄膜晶体管P21的栅极电极连接到专用控制信 号线Scnt11，第二P沟道薄膜晶体管P22的栅极电极连接到专用控制信号线 Scnt12，并且N沟道薄膜晶体管N21的栅极电极连接到专用控制信号线 Scnt13。
通过由移位寄存器(其在前级提供)的对应输出级产生的、作为具有两 个二进制值的脉冲的输出脉冲来控制在专用控制信号线Scnt11、专用控制信 号线Scnt12和专用控制信号线Scnt13的每一个上出现的电势。
图28A到图28D是示出第二控制线驱动部分37中驱动信号的波形与像 素电路的操作时间段之间的关系的说明性时序图。更具体地说，图28A是示 出在专用控制信号线Scnt11上维持的、用作驱动第一P沟道薄膜晶体管P21 的栅极电极的信号的驱动信号的波形的时序图，而图28B是示出在专用控制 信号线Scnt12上维持的、用作驱动第二P沟道薄膜晶体管P22的栅极电极的 信号的驱动信号的波形的时序图。图28C是示出在专用控制信号线Scnt13上 维持的、用作驱动N沟道薄膜晶体管N21的栅极电极的信号的驱动信号的波 形的时序图，而图28D是示出在发光控制信号线LSL上出现的电势的波形的 时序图。
在图27的电路图中所示的第二控制线驱动部分37的情况下，首先，当 将专用控制信号线Scnt13的电势设置到H电平时，将N沟道型薄膜晶体管 N21置入导通状态，将在发光控制信号线LSL上出现的电势控制到L电平。 然后，将专用控制信号线Scnt13的电势从H电平改变回L电平。与用以改变 专用控制信号线Scnt13的电势的操作互锁地，还将专用控制信号线Scnt11的 电势从H电平改变到L电平，以便将P沟道型的第一薄膜晶体管P21置入输 出第一发光电势Vcc1到发光控制信号线LSL的导通状态。
接下来，将专用控制信号线Scnt13的电势从L电平改变回H电平。与 用以改变专用控制信号线Scnt13的电势的操作互锁地，将专用控制信号线 Scnt12的电势从H电平改变到L电平，以便将P沟道型的第二薄膜晶体管 P22置入输出第二发光电势Vcc2到发光控制信号线LSL的导通状态。
结果，如图28D的时序图中所示，在发光控制信号线LSL上出现的电势 以与图17C的时序图中所示的、在发光控制信号线LSL上出现的电势相同的 方式改变。
(C-2)：信号线驱动部分的另一典型配置
根据本实施例的描述，在信号线驱动部分33中采用的数模转换电路45 将信号幅度减小到比普通驱动方法的信号幅度小了与通过基于耦合效应的耦 合操作所产生的电势增大对应的程度的值。然而，通常在目前可用的信号线 驱动部分5的配置可以照原样地用作信号线驱动部分33的配置。
(C-3)：迁移率补偿处理中的其他脉冲波形
在上述实施例的情况下，构造请求执行迁移率补偿处理的控制脉冲的下 降波形以匹配迁移率补偿曲线。
然而，在实际的驱动电路中，即使向写控制信号线WSL施加的输入控 制脉冲具有矩形波形，在写控制信号线WSL上出现的控制脉冲的下降波形也 不陡峭是公知的。由于该原因，如果在写控制信号线WSL上出现的控制脉冲 这样不陡峭使得控制脉冲的下降波形符合迁移率补偿曲线，那么向写控制信 号线WSL施加的输入控制脉冲可以具有矩形波形。
(C-4)：产品示例
(a)：电子设备
目前给出的描述已经说明了有机EL面板模块。在市场中也使有机EL面 板模块可用作以多种电子设备实现的商业产品。下面的描述说明在某些电子 设备中有机EL面板模块的典型实现。
图29是示出电子设备71的典型概念性配置的框图。如图所示，电子设 备71采用包括目前描述的驱动电路的显示面板模块73、系统控制部分75和 操作输入部分77。由系统控制部分75执行的处理取决于电子设备71的功能。 操作输入部分77是用于接收由用户向系统控制部分75键入的操作输入的部 分。操作输入部分77包括机械接口和/或图形界面。机械接口的典型示例为 开关和按钮。
图30是示出用作电视接收机81的电子设备71的典型外部视图的图。电 视接收机81的外壳正面包括具有前面板83和滤色玻璃85的显示屏87。显 示屏87与图29的框图中所示的显示面板模块73相对应。
另外，电子设备71也可以假设为数码相机91。图31A和图31B是每一 个均示出了数码相机91的典型外部视图的图。更具体地说，图31A是示出 数码相机91的前侧(或景物侧)的典型外部视图的图，而图31B是示出数码 相机91的后侧(或拍摄者侧)的典型外部视图的图。
如图所示，数码相机91采用保护盖93、拍摄镜头95、显示屏97、控制 开关99和快门按钮101。显示屏97与图29的框图中所示的显示面板模块73 相对应。
另外，电子设备71也可以假设为摄像机111。图32是示出摄像机111 的典型外部视图的图。
如图所示，摄像机111包括主单元113、取像镜头115、拍摄开始/停止 开关117和显示屏119。在主单元113上提供取像镜头115，以用作取得视频 拍摄的景物的图像的镜头。显示屏119与图29的框图中所示的显示面板模块 73相对应。
另外，电子设备71还可以假设为便携终端。图33A和图33B是每一个 均示出了用作翻盖型蜂窝电话121的便携终端的典型外部视图的图。具体地 说，图33A是示出了其外壳打开情况下的蜂窝电话121的典型外部视图的图， 而图33B是示出了其外壳折叠情况下的蜂窝电话121的典型外部视图的图。
如图所示，蜂窝电话121采用上外壳123、下外壳125、链接部分127、 显示屏129、辅助显示屏131、画面灯133和取像镜头135。在该蜂窝电话121 的情况下，链接部分127是铰链。显示屏129和辅助显示屏131与图29的框 图中所示的显示面板模块73相对应。
另外，电子设备71也可以假设为计算机。图34是示出了作为笔记本型 计算机141实现的计算机的典型外部视图的图。
如图所示，笔记本型计算机141采用上外壳145、下外壳143、键盘147 和显示屏149。显示屏149与图29的框图中所示的显示面板模块73相对应。
另外，电子设备71也可以假设为除了上述电子设备之外的设备。其他电 子设备的典型示例为音频再现设备、游戏机、电子笔记本和电子辞典。
(C-5)：其他典型显示装置
上述实施例将本发明应用于有机EL面板模块。
然而，上述信号和控制线驱动部分的配置也可以应用于另一发光型的显 示面板模块。
例如，信号和控制线驱动部分的配置也可以应用于采用布置以形成2维 矩阵的LED(发光二极管)的显示设备。另外，信号和控制线驱动部分的配 置也可以应用于采用在作为每一个均具有二极管结构的显示屏上布置的发光 装置的显示面板模块。另外，信号和控制线驱动部分的配置也可以应用于无 机EL面板。
(C-6)：其他
在本发明的实质范围内，上述实施例可以被改变为多种可想到的修改版 本。另外，也可以构思通过基于该说明书中的描述的构建和/或组合而获得的 多种改变/应用。
本发明包含涉及在2008年8月8日向日本专利局提交的日本优先权专利 申请JP 2008-205663中公开的主题，将其全部内容通过引用的方式合并在此。