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在线阳光控制膜 镀膜系统用 硅烷汇流排及其供气操作方法

阅读：117发布：2023-03-05

专利汇可以提供在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法，该硅烷汇流排包括作为高压管路的硅烷气供气通道、作为低压管路的配气架连接管路、用于连通高压管路与低压管路的减压管路、抽真空装置以及真空切换开关组，其中，硅烷气供气通道和减压管路分别与抽真空装置连通，各连接管路上分别设有真空切换开关作为真空切换开关组，用于切换硅烷气供气通道、减压管路与抽真空装置的通断。本发明采用两个硅烷气供气通道和真空切换开关组的组合方案，实现了稳定不间断的供气；并采用引流抽真空机构配合高压氮气引流使硅烷汇流排的管路中产生负压，采用高压氮气充分清洗管道，降低管道含氧量，减少硅烷粉尘的产生，以降低仪表维护成本。，下面是在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，包括作为高压管路的硅烷气供气通道、作为低压管路的配气架连接管路(03)、用于连通高压管路与低压管路的减压管路(06)、抽真空装置(05)以及真空切换开关组(04)，其中，硅烷气供气通道和减压管路(06)分别与抽真空装置(05)连通，各连接管路上分别设有真空切换开关组成真空切换开关组(04)，用于切换硅烷气供气通道、减压管路(06)与抽真空装置(05)的通断。
2.根据权利要求1所述的在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，所述减压管路(06)包括两路互为备份的减压通道，分别为串接有第一减压器(10)的第一减压通道和串接有第二减压器(21)的第二减压通道，两路减压通道的高压端相连接、低压端相连接，其高压端与硅烷气供气通道连接，低压端与配气架连接管路(03)连接；两个减压通道能够切换使用。
3.根据权利要求1或2所述的在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，所述硅烷气供气通道设有两个，分别为第一硅烷气供气通道(01)和第二硅烷气供气通道(02)，所述第一硅烷气供气通道(01)和第二硅烷气供气通道(02)结构相同且对称设置。
4.根据权利要求1至3任一项所述的在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，所述硅烷气供气通道包括硅烷集气架，硅烷集气架上集中布置有多个硅烷气瓶，该多个硅烷气瓶的出口均与硅烷集气架内的集气管路相连通，集气管路的入口连通氮气接入管路，该氮气接入管路连接高压氮气源，氮气接入管路还串接氮气清洗阀和单向阀；集气管路的出口通过硅烷气供气管路、减压管路(06)连接配气架连接管路(03)，硅烷气供气管路上设有供气阀、压力真空表和单向阀。
5.根据权利要求1至4任一项所述的在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，所述配气架连接管路(03)上依次串接有阀门二十三(23)、第三压力真空表(24)、供气阀(25)和用于连接配气架的配气架接口(26)。
6.根据权利要求1至5任一项所述的在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，所述抽真空装置(05)包括一引流抽真空机构(32)，引流抽真空机构(32)内部设有锥形空腔(321)，锥形空腔(321)的大端开口处设有大端直管(323)，锥形空腔(321)的小端开口处设有小端直管(324)，锥形空腔(321)内部设一引流管(322)，该引流管位于锥形空腔(321)内的管口朝向小端直管(324)，引流管(322)伸出锥形空腔(321)的一端连接接入高压高纯氮气；引流抽真空机构(32)的大端直管(323)分别连接第一硅烷气供气通道(01)、第二硅烷气供气通道(02)和配气架连接管路(03)。
7.根据权利要求1至6任一项所述的在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，其特征在于，所述硅烷气供气通道的供气管路中设有过滤器。
8.一种利用权利要求1至7任一项所述的硅烷汇流排的供气操作方法，包括以下步骤：
步骤一，硅烷汇流排供气前，采用“高压氮气吹扫+抽真空”的方式清洗硅烷汇流排管路；
步骤二，硅烷气供气通道供气开始后，当第一硅烷气供气通道(01)中的第一压力真空表(6)显示的压力值为1MPa时，切换至第二硅烷气供气通道(02)开始供气，第二压力真空表(17)稳定以后，切断第一硅烷气供气通道(01)，并更换洁净的第一硅烷气供气通道(01)的第一硅烷集气架(4)；待第二压力真空表(17)显示的压力值为1MPa时，将第二硅烷气供气通道(02)切换至第一硅烷气供气通道(01)连续供气，并更换洁净的第二硅烷气供气通道(02)的第二硅烷集气架(15)；
步骤三，硅烷汇流排停止供气，采用高压氮气清洗管路硅烷汇流排管路及与配气架连接管路(03)连接的配气架，将硅烷汇流排、配气架的残余硅烷气排空。
9.根据权利要求8所述的供气操作方法，其特征在于，所述步骤一中，所述采用“高压氮气吹扫+抽真空”的方式清洗硅烷汇流排管路，包括以下步骤：
a)首先将高压氮气通入硅烷气供气通道、减压管路(06)和配气架连接管路(03)，并流向配气架；
b)将抽真空装置(05)连通整个硅烷汇流排管路并抽真空；
c)重复步骤a)和步骤b)多次，直至排空汇流排管路中的空气；
d)将抽真空装置(05)与硅烷汇流排管路断开，利用硅烷气供气通道向配气架提供硅烷气。
10.根据权利要求8或9所述的供气操作方法，其特征在于，步骤二中，更换硅烷气供气通道中的硅烷集气架包括“抽真空+高压氮气吹扫”过程，具体为：
关闭硅烷集气架中的硅烷瓶阀，将抽真空装置(05)与该硅烷气供气通道连通，并对该硅烷气供气通道抽真空，然后向硅烷气供气通道通入高压氮气将硅烷气供气通道中的硅烷气排空，多次重复“抽真空+高压氮气吹扫”的过程；将抽真空装置(05)与硅烷气供气通道断开；
更换硅烷集气架后，重复“高压氮气吹扫+抽真空”过程。

说明书全文

在线阳光控制膜 镀膜系统用 硅烷汇流排及其供气操作方法

技术领域

[0001] 本发明属于玻璃镀膜技术领域，涉及浮法玻璃生产线上在线阳光控制膜镀膜系统，具体涉及一种在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法。

背景技术

[0002] 目前国内浮法玻璃产能严重过剩，浮法玻璃生产厂家纷纷采取措施降低由此带来的损失。在不影响浮法玻璃正常生产的情况下，在生产线上增加一套在线镀膜设备生产镀膜玻璃，可以大大提高玻璃产品的技术含量，提升产品的利润空间，同时可以避开与产能严重过剩的浮法玻璃原片之间的竞争。而其中的阳光控制膜镀膜系统由于投资小，成本回收快，生产灵活，所以受到很多浮法玻璃生产厂的青睐。

[0003] 在线阳光控制膜镀膜技术是在浮法玻璃生产线的锡槽中，在适合的温度、气氛下，将一种特定配比的反应气体均匀地喷涂在洁净的玻璃表面上，使之发生热分解反应：

[0004]

[0005]

[0006] 硅烷分解从而在玻璃表面上沉积一层纳米级薄膜，整个工艺流程非常简单，不破坏原有锡槽气氛，不影响生产线的正常生产。用此项技术生产的镀膜玻璃具有其它镀膜工艺所无法比拟的优点：产量大，成本低，规格全；具有高透光度或高反射率；能进行钢化，热弯加工；高温化学成膜，膜层牢固，具有很强的耐磨性和化学稳定性。

[0007] 大批量连续生产阳光控制膜镀膜玻璃的时候，保持镀膜气体原料的稳定供应是非常重要的一环。阳光控制膜镀膜生产线使用硅烷气作为主要原料，硅烷气体汇流排的设计，对保证反应气体的稳定供应至关重要。实际生产中常常将16-25瓶硅烷集中到一起，做成一个集装架，生产时一次打开所有瓶阀，硅烷经过汇流排上的减压器稳压以后，再输送至配气架，跟氮气、乙烯等气体混合均匀后送入反应器进行反应。其中，开始供气、结束供气和中间气瓶切换是导致供气不稳定的三个主要时间段，尽量缩短这三个时间段是提高成品率的一个关键。

[0008] 现有的镀膜生产中还会遇到一个问题，就是用氮气清洗管路很难把管路中的空气完全清除掉，空气中的氧气与硅烷容易发生如下分解反应：

[0009] SiH4+2O2＝SiO2↓+2H2O 3)

[0010] 因此，每次镀膜结束清洗管路时，总是会发现不少硅烷分解产生的粉末(SiO2)堵塞住流量控制器、仪表等，下一次镀膜生产前，需要全部清理干净才能正常使用。所以尽量降低管路内部所含有的氧气成分，是避免硅烷氧化，从而产生粉尘而堵塞管路的关键。

发明内容

[0011] 为了解决上述问题，本发明提供一种在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，该汇流排能够解决大批量连续生产阳光控制膜玻璃的时候，硅烷汇流排上的气瓶切换引起的反应气体供气不稳定的问题，以及管路中的空气清洗不充分的问题。

[0012] 本发明的上述问题是由以下技术方案解决的：

[0013] 一种在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排，包括作为高压管路的硅烷气供气通道、作为低压管路的配气架连接管路(03)、用于连通高压管路与低压管路的减压管路(06)、抽真空装置(05)以及真空切换开关组(04)，其中，硅烷气供气通道和减压管路(06)分别与抽真空装置(05)连通，各连接管路上分别设有真空切换开关组成真空切换开关组(04)，用于切换硅烷气供气通道、减压管路(06)与抽真空装置(05)的通断。

[0014] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述减压管路(06)包括两路互为备份的减压通道，分别为串接有第一减压器(10)的第一减压通道和串接有第二减压器(21)的第二减压通道，两路减压通道的高压端相连接、低压端相连接，其高压端与硅烷气供气通道连接，低压端与配气架连接管路(03)连接；两个减压通道能够切换使用。

[0015] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述硅烷气供气通道设有两个，分别为第一硅烷气供气通道(01)和第二硅烷气供气通道(02)，所述第一硅烷气供气通道(01)和第二硅烷气供气通道(02)结构相同且对称设置。

[0016] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述硅烷气供气通道包括硅烷集气架，硅烷集气架上集中布置有多个硅烷气瓶，该多个硅烷气瓶的出口均与硅烷集气架内的集气管路相连通，集气管路的入口连通氮气接入管路，该氮气接入管路连接高压氮气源，氮气接入管路还串接氮气清洗阀和单向阀；集气管路的出口通过硅烷气供气管路、减压管路(06)连接配气架连接管路(03)，硅烷气供气管路上设有供气阀、压力真空表和单向阀。

[0017] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述配气架连接管路(03)上依次串接有阀门二十三(23)、第三压力真空表(24)、供气阀(25)和用于连接配气架的配气架接口(26)。

[0018] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述抽真空装置(05)包括一引流抽真空机构(32)，引流抽真空机构(32)内部设有锥形空腔(321)，锥形空腔(321)的大端开口处设有大端直管(323)，锥形空腔(321)的小端开口处设有小端直管(324)，锥形空腔(321)内部设一引流管(322)，该引流管位于锥形空腔(321)内的管口朝向小端直管(324)，引流管(322)伸出锥形空腔(321)的一端连接接入高压高纯氮气；引流抽真空机构(32)的大端直管(323)分别连接第一硅烷气供气通道(01)、第二硅烷气供气通道(02)和配气架连接管路(03)。

[0019] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述抽真空装置(05)分别通过第一真空连接管路(053)、第二真空连接管路(054)和第三真空连接管路(055)连接第一硅烷气供气通道(01)、第二硅烷气供气通道(02)和配气架连接管路(03)，所述真空切换开关组(04)包括串接在第一真空连接管路(053)上的阀门二十八(28)、串接在第二真空连接管路(054)上的阀门三十(30)以及串接在第三真空连接管路(055)上的阀门二十七(27)和阀门二十九(29)。

[0020] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述引流抽真空机构(32)的小端直管(324)连接废气输出管路(052)，废气输出管路(052)上依次串接有阀门三十三(33)和水封出口(34)。

[0021] 上述在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排中，所述硅烷气供气通道的供气管路中设有过滤器。

[0022] 本发明还提供一种利用上述任一在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排的供气操作方法，包括以下步骤：

[0023] 步骤一，硅烷汇流排供气前，采用“高压氮气吹扫+抽真空”的方式清洗硅烷汇流排管路；

[0024] 步骤二，硅烷气供气通道供气开始后，当第一硅烷气供气通道(01)中的第一压力真空表(6)显示的压力值为1MPa时，切换至第二硅烷气供气通道(02)开始供气，第二压力真空表(17)稳定以后，切断第一硅烷气供气通道(01)，并更换洁净的第一硅烷气供气通道(01)的第一硅烷集气架(4)；待第二压力真空表(17)显示的压力值为1MPa时，将第二硅烷气供气通道(02)切换至第一硅烷气供气通道(01)连续供气，并更换洁净的第二硅烷气供气通道(02)的第二硅烷集气架(15)；

[0025] 步骤三，硅烷汇流排停止供气，采用高压氮气清洗管路硅烷汇流排管路及与配气架连接管路(03)连接的配气架，将硅烷汇流排、配气架的残余硅烷气排空。

[0026] 上述供气操作方法中，所述步骤一中，所述采用“高压氮气吹扫+抽真空”的方式清洗硅烷汇流排管路，包括以下步骤：

[0027] a)首先将高压氮气通入硅烷气供气通道、减压管路(06)和配气架连接管路(03)，并流向配气架；

[0028] b)将抽真空装置(05)连通整个硅烷汇流排管路并抽真空；

[0029] c)重复步骤a)和步骤b)多次，直至排空汇流排管路中的空气；

[0030] d)将抽真空装置(05)与硅烷汇流排管路断开，利用硅烷气供气通道向配气架提供硅烷气。

[0031] 上述供气操作方法中，步骤二中，更换硅烷集气架包括“抽真空+高压氮气吹扫”过程，具体为：

[0032] 关闭硅烷集气架中的硅烷瓶阀，将抽真空装置(05)与硅烷气供气通道连通，并对硅烷气供气通道抽真空，然后向硅烷气供气通道通入高压氮气将硅烷气供气通道中的硅烷气排空，多次重复“抽真空+高压氮气吹扫”的过程；将抽真空装置(05)与硅烷气供气通道断开；

[0033] 更换硅烷集气架后，重复“高压氮气吹扫+抽真空”过程。

[0034] 采用上述技术方案，本发明具有以下技术效果：

[0035] 1)本发明硅烷汇流排设置抽真空装置，引流抽真空机构配合高压氮气引流使硅烷汇流排的管路中产生负压，采用一定压力的高纯氮气充分清洗管道，降低管道含氧量，减少硅烷粉尘的产生，以降低仪表维护成本；

[0036] 2)通过多次“高压氮气吹扫+抽真空”的方式清洗硅烷汇流排管路，解决现有的管路清洗不充分的问题，使得汇流排管路清洗更干净，并且硅烷供气前，对清洗后的管道进行抽真空，防止管路内高压氮气降低硅烷气的浓度而影响阳光控制膜的膜层质量；

[0037] 3)采用两个硅烷气供气通道和真空切换开关组的组合方案，借助单向阀防止硅烷气体倒流，在两个硅烷气供气通道的气瓶切换时实施“先开后关”的操作，硅烷气体无缝安全切换，实现了稳定不间断的供气；

[0038] 4)在更换硅烷气供气通道的硅烷集气架时，采用“抽真空+高压氮气吹扫”方式，排空硅烷集气架中硅烷气瓶和管路中残余的硅烷气，避免硅烷气泄漏以致发生爆炸危险。附图说明

[0039] 图1是本发明硅烷汇流排的实施例一的结构示意图；

[0040] 图2是引流抽真空装置的内部结构示意图；

[0041] 图3是本发明硅烷汇流排的实施例二的局部结构示意图。

[0042] 图中附图标记表示为：

[0043] 01-第一硅烷气供气通道，011-第一氮气接入管路，012-第一供气管路；

[0044] 02-第二硅烷气供气通道，021-第二氮气接入管路，022-第二供气管路；

[0045] 03-配气架连接管路；04-真空切换开关组；

[0046] 05-抽真空装置，051-第三氮气接入管路，052-废气输出管路，053-第一真空连接管路，054-第二真空连接管路，055-第三真空连接管路；

[0047] 06-减压管路；

[0048] 1-第一氮气接口，2-第一氮气清洗阀，3-第一单向阀，4-第一硅烷集气架，5-第一供气阀，6-第一压力真空表，7-阀门七，8-第二单向阀，9-阀门九，10-第一减压器，11-阀门十一；

[0049] 12-第二氮气接口，13-第二氮气清洗阀，14-第三单向阀，15-第二硅烷集气架，16-第二供气阀，17-第二压力真空表，18-阀门十八，19-第四单向阀，20-阀门二十，21-第二减压器，22-阀门二十二；

[0050] 23-阀门二十三，24-第三压力真空表，25-低压供气阀，26-配气架接口；

[0051] 27-阀门二十七，28-阀门二十八，29-阀门二十九，30-阀门三十；

[0052] 32-引流抽真空机构，321-锥形空腔，322-引流管，323-大端直管，324-小端直管；35-第三氮气接口，31-引流阀，33-阀门三十三，34-水封出口；

[0053] 100-第一过滤器，200-第二过滤器。

具体实施方式

[0054] 阳光控制膜镀膜生产使用硅烷气体作为主要原料，使用过程中需要不断的更换硅烷气瓶，因更换硅烷气瓶导致的硅烷气体中断或不稳定，会对镀膜质量产生严重影响，因此，为更好地提高成品率，需要进行硅烷气体无缝安全切换，实现稳定不间断供硅烷气体。硅烷极易被氧化而产生粉尘，易堵塞管路，因此管道通入硅烷气体之前，必须彻底清洗管路。

[0055] 基于以上考虑，本发明提供一种在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法，该硅烷汇流排采用两个硅烷气供气通道和真空切换开关组的组合方案，借助单向阀防止硅烷气体倒流，在两个硅烷气供气通道的气瓶切换时实施“先开后关”的操作，实现了稳定不间断的供气；并采用引流抽真空机构配合高压高纯氮气引流使硅烷汇流排的管路中产生负压，采用一定压力的高纯氮气充分清洗管道，降低管道含氧量，减少硅烷粉尘的产生，以降低仪表维护成本。

[0056] 显然，本发明汇流排结构的使用并不限于阳光控制膜镀膜系统的硅烷汇流排，只要对本发明结构进行非创造性改动，也可适用于其他需要不间断供气和/或气体本身极易与空气中的氧气反应的其他气体汇流排。

[0057] 以下结合附图和具体实施例，对本发明在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法进行详细说明。

[0058] 实施例一

[0059] 图1为本发明硅烷汇流排的实施例一的结构示意图。如图1所示，该硅烷汇流排包括作为高压管路的硅烷气供气通道、作为低压管路的配气架连接管路03、连通低压管路与高压管路的减压管路06、抽真空装置05和真空切换开关组04，硅烷气供气通道和减压管路06分别与抽真空装置05连通，各连接管路上分别设有真空切换开关作为真空切换开关组
04，用于切换硅烷气供气通道与抽真空装置05的通断，以实现管路中供气状态与抽真空状态的转换，其中：

[0060] 硅烷气供气通道包括硅烷集气架，硅烷集气架上集中布置有多个硅烷气瓶，该多个硅烷气瓶的出口均与硅烷集气架内的集气管路相连通，集气管路的入口连通氮气接入管路，该氮气接入管路连接高压氮气源，氮气接入管路还串接氮气清洗阀和单向阀；集气管路的出口通过硅烷气供气管路、减压管路06连接配气架连接管路03，硅烷气供气管路上设有供气阀、压力真空表和单向阀。

[0061] 参见图1，该实施例中，硅烷气供气通道设有两路，分别为第一硅烷气供气通道01和第二硅烷气供气通道02，第一硅烷气供气通道01和第二硅烷气供气通道02结构相同且对称设置。

[0062] 具体的，该实施例中，硅烷气供气通道设有两路，分别为第一硅烷气供气通道01和第二硅烷气供气通道02。其中，第一硅烷气供气通道01包括第一硅烷集气架4，第一硅烷集气架4上集中布置有多个硅烷气瓶，该多个硅烷气瓶的出口均与第一集气管路相连通，第一集气管路的入口连通第一氮气接入管路011，该氮气接入管路上依次串接第一氮气接口1、第一氮气清洗阀2和第一单向阀3，第一氮气接口1连接高纯氮气源(例如，可以是高压高纯氮气汇流排，一般要求压强大于8MPa)，第一单向阀2只允许氮气进入第一硅烷气供气通道01内，硅烷气不能在第一氮气接入管路011中倒流；第一集气管路的出口通过第一供气管路
012、减压管路06连接配气架连接管路03，第一供气管路012上依次串接有第一供气阀5、第一压力真空表6、阀门七7和第二单向阀8，第一压力真空表6用于监测第一供气管路011中的硅烷气的压力。第一供气管路012与减压管路06连接，第一供气管路012中的硅烷气为高压硅烷气，其经减压管路06中的第一减压器10或第二减压器21减为低压硅烷气，进入配气架连接管路03中，第一减压器10或第二减压器21之前的管路均为为高压管路，第一减压器10或第二减压器21之后的管路为低压管路。优选的，控制高压管路中的气体压力小于15MPa，经第一减压器10减压后的低压管路中的气体压力控制在小于2.5MPa。

[0063] 第二硅烷气供气通道02包括第二硅烷集气架15，第二硅烷集气架15上同样集中布置有多个硅烷气瓶，该多个硅烷气瓶的出口均与第二集气管路相连通，第二集气管路的入口连通第二氮气接入管路021，该氮气接入管路上依次串接第二氮气接口12、第二氮气清洗阀13和第三单向阀14，第二氮气接口12连接高纯氮气源(例如，可以是高压高纯氮气汇流排，一般要求压强大于8MPa)，第三单向阀14只允许氮气进入第二硅烷气供气通道02内，硅烷气不能在第二氮气接入管路021中倒流；第一集气管路的出口通过第二供气管路022、减压管路06连接配气架连接管路03，第二供气管路022上依次串接有第二供气阀16、第二压力真空表17、阀门十八18和第四单向阀19。因第二硅烷气供气通道02与第一硅烷气供气通道01对称设置，两路硅烷气供气通道具有相同的结构和参数设置，其他相同的结构参数请参照第一硅烷气供气通道01的描述，这里不再赘述。

[0064] 减压管路06包括两路互为备份的减压通道，分别为依次串接阀门九9、第一减压器10、阀门十一11的第一减压通道和依次串接阀门二十20、第二减压器21和阀门二十二22的第二减压通道，两路减压通道的高压端与低压端分别连接，其中，高压端分别与第一硅烷气供气通道01、第二硅烷气供气通道02相连接，低压端与配气架连接管路03相连接。第一减压通道和第二减压通道互为备份，使得任一管路的减压器发生故障或进行校准，不影响整个硅烷汇流排的正常运行。

[0065] 一般减压器经长时间使用，易损坏需要维修、更换或需要进行校准，串接在第一减压器10的两侧的阀门九9和阀门十一11的作用是为了避免拆除减压器造成硅烷汇流排无法持续工作，第一减压器10需要更换、维修或校准时，可以关闭阀门十一11和阀门九9，防止硅烷气从第一减压器10处泄漏，同时保证另一路硅烷气供气通道正常运行。

[0066] 配气架连接管路03通过减压管路(06)分别与第一硅烷气供气通道01、第二硅烷气供气通道02相连接，配气架连接管路03上依次串接有阀门二十三23、第三压力真空表24、供气阀25和配气架接口26，配气架接口26连接至配气架，硅烷气通过配气架接口26进入配气架并与氮气、乙烯等气体均匀混合后送入反应器，对玻璃表面进行镀膜；配气架连接管路03为减压后的低压管路，第三压力真空表24用于监测减压器(第一减压器10或第二减压器21)减压后的气体压力，如果该压力不满足预定要求，可以通过调整减压器来调整低压管路的气体压力。

[0067] 抽真空装置05用于对硅烷汇流排的供气管路抽真空并配合高纯氮气进行管道清洗，降低管道中含氧量。如图2所示，抽真空装置05包括一引流抽真空机构32，引流抽真空机构32内部设有锥形空腔321，锥形空腔321的大端开口处设有大端直管323，锥形空腔321的小端开口处设有小端直管324，锥形空腔321内部设一引流管322，该引流管为弯折形管，位于锥形空腔321内的管口朝向小端直管324。引流抽真空机构32的大端直管323分别通过第一真空连接管路053、第二真空连接管路054与第一硅烷气供气通道01、第二硅烷气供气通道02相连，且第一真空连接管路053上串接阀门二十八28，第二真空连接管路054上串接阀门三十30，用于控制供气通道与抽真空装置05的连通与断开。引流抽真空机构32的引流管322伸出锥形空腔321的一端连接第三氮气接入管路051，第三氮气接入管路051上依次串接有引流阀31和第三氮气接口35，第三氮气接口35接入高压高纯氮气，用于配合引流抽真空机构32对供气通道产生负压，以利于氮气对供气管道进行清洗。引流抽真空机构32的小端直管324连接废气输出管路052，废气输出管路052上依次串接有阀门三十三33和水封出口
34，废气通过水封出口34经水吸收、稀释排出，可接入后续的废气处理装置进行废气处理。

[0068] 为了对整个供气通道进行无死角清洗，通常需要对整个供气管路进行抽真空，由于第一硅烷气供气通道01和第二硅烷气供气通道02中的减压器的存在，使得抽真空装置05仅仅连接第一硅烷气供气通道01和第二硅烷气供气通道02中的高压管路部分，并不能对包括配气架连接管路03的低压管路部分抽真空，因此，本发明还包括第三真空连接管路055，第三真空连接管路055与第一硅烷气供气通道01、第二硅烷气供气通道02、配气架连接管路03相连，第三真空连接管路055上串接阀门二十七27和阀门二十九29，用于在硅烷气正常供气时，断开抽真空装置05，使得硅烷气经减压器减压后再进入配气架连接管路03；引流抽真空机构32的大端直管323分别通过第一真空连接管路053、第二真空连接管路054和第三真空连接管路055连接第一硅烷气供气通道01、第二硅烷气供气通道02和配气架连接管路03(低压气体管路)，用于在硅烷气正常供气时，断开第三真空连接管路055，防止硅烷气从抽真空装置05处逸出，而在供气通道抽真空、清洗阶段，打开阀门二十九29、阀门二十七27，连通供气通道与抽真空装置05(阀门二十七27连接高压气体管路和低压气体管路部分，正常供气时必须关闭)。

[0069] 综上可知，本发明真空切换开关组04包括串接在第一真空连接管路053上的阀门二十八28、串接在第二真空连接管路054上的阀门三十30以及串接在第三真空连接管路055上的阀门二十七27和阀门二十九29，通过控制各真空切换开关的通断进而切换高压管路(两个硅烷气供气通道)、低压管路(包括配气架连接管路03的减压器之后的管路)与抽真空装置05的通断。

[0070] 相对于现有的汇流排管路清洗方法，本发明通过设置抽真空装置05，将汇流排管路抽真空形成负压管路，再经高压高纯氮气多次吹扫汇流排管路，可以将汇流排管路中的空气彻底清洗干净，从而显著提高管路清洗效果，例如三次清洗之后，汇流排管路中含氧量可达现有方法清洗后管路中含氧量的1/(5×105)。

[0071] 抽真空装置05采用引流技术对汇流排管路抽真空(例如，约-2000Pa，抽真空后的管路内气体压力取决于抽真空装置05本身的结构参数与用于引流的高压高纯氮气的压力决定的)，其原理是通过向引流抽真空机构32的锥形空腔321内喷入高压高纯氮气，高速氮气将锥形空腔321内的空气带走，使得锥形空腔321内的压力降低，汇流排管路内的气体流入锥形空腔321，根据伯努利效应，管道内稳定流动的流体，流速大的地方压强小，流速小的地方压强大，采用锥形空腔321，高速氮气通入空腔内，通过直径缩小的锥形空腔321时，同样体积、压力的氮气流速高，则其产生的负压大，从而使得汇流排管路中的空气进入锥形空腔321内，直到整个汇流排管路里产生负压值等于锥形空腔321内的负压，达到一个平衡。本发明引流抽真空机构32采用锥形空腔结构，有利于加大引流产生的负压。

[0072] 经抽真空装置05将汇流排管路抽真空，有助于将管路中的空气排净，实现管路彻底清洗，防止硅烷气被空气中的氧气氧化产生粉尘，堵塞管路，从而增加维修成本，降低硅烷汇流排的使用寿命。

[0073] 实施例二

[0074] 该实施例的硅烷汇流排是在实施例一的基础上进行改进，硅烷气供气通道的供气管路上设有过滤器。具体的，参见图3，在第一硅烷气供气通道01和第二硅烷气供气通道02的管路中分别串接第一过滤器100和第二过滤器200，主要用于过滤硅烷气被氧化而产生的粉尘，防止堵塞串接在管路中的器件，尤其是减压器和后续管路(例如配气架)中的流量计量器件。优选的，第一过滤器100串接在第一硅烷集气架4与第一减压器10之间的管路上，第二过滤器200串接第二硅烷集气架15与第二减压器21之前的管路上。图3所示的实施例中，第一过滤器100串接在阀门五5和第一压力真空表6之间，第二过滤器200串接在阀门十六16和第二压力真空表17之间。

[0075] 一个实施例中，第一过滤器100和第二过滤器200均为耐压耐腐蚀的气体过滤器，过滤精度不大于5um，可有效除去气体中的固体颗粒和粉尘，气体可通过该过滤器。通过在管路中加设过滤器，防止管路中器件发生堵塞，减少了硅烷汇流排的维修成本，延长了其使用寿命。

[0076] 实施例三

[0077] 实施例三的硅烷汇流排是在实施例一或实施例二的基础上的改进，即将汇流排管路上用于控制管路通断的阀门均替换为电磁阀(例如，第一氮气接入管路011上的第一氮气清洗阀2，第一供气管路012上的第一供气阀5和阀门七7，减压管路06上的阀门九9、阀门十一11和阀门二十20和阀门二十二22，配气架连接管路03上的阀门二十三23和低压供气阀25以及真空切换开关组04中的真空切换开关等)，压力真空表替换为压力变送器，采用PLC或控制器控制硅烷汇流排整个运行流程，其中，各电磁阀、压力变送器均电连接至PLC或控制器。该实施例能够实现自动化操作，从而减少人力成本，减轻操作人员的工作量，提高工作效率。

[0078] 方法

[0079] 本发明硅烷汇流排在硅烷气供气时需要进行清洗操作，以将硅烷汇流排中的氧气排空，防止硅烷气发生氧化而产生粉尘。硅烷汇流排的清洗操作主要在开始硅烷气供气前、两个硅烷气供气通道切换时以及硅烷气供气结束后这三个时段进行，以下分别对供气操作方法以及供气前清洗操作、供气通道切换时清洗操作以及供气结束后清洗操作的步骤进行描述。

[0080] 基于上述硅烷汇流排，本发明提供一种硅烷汇流排供气操作方法，包括以下步骤：

[0081] 步骤一，硅烷汇流排供气前(即在线阳光控制膜镀膜系统镀膜开始前)，采用“高压氮气吹扫+抽真空”方式清洗硅烷汇流排管路，即a)首先将高压氮气(一般大于8MPa)通入硅烷气供气通道、减压管路06和配气架连接管路03，并流向配气架；b)将抽真空装置05连通整个硅烷汇流排管路并抽真空；c)重复步骤a)和步骤b)多次，直至排空硅烷汇流排管路中的空气；d)将抽真空装置05与硅烷汇流排管路断开，利用硅烷气供气通道向配气架提供硅烷气。

[0082] 具体步骤如下(默认开始供气前所有阀门、硅烷气瓶阀均关闭)：

[0083] a)清洗第一硅烷气供气通道01和配气架连接管路03：首先打开第一硅烷气供气通道01，即打开第一供气阀5、阀门七7、阀门二十20、阀门二十二22、阀门二十三23和低压供气阀25(减压管路06优选交叉清洗)，然后打开第一氮气清洗阀2，高压氮气从第一氮气接口1进入，依次经第一单向阀3、第一硅烷集气架4、第一供气管路012、减压管路06的第二减压通道、配气架连接管路03流入配气架，直至流入浮法玻璃生产线的锡槽；持续清洗5分钟，关闭第一氮气清洗阀2、第一供气阀5、阀门七7、阀门二十20、阀门二十二22；

[0084] b)清洗第二硅烷气供气通道02和配气架连接管路03：打开第二供气阀16、阀门十八18、阀门九9、阀门十一11，然后打开第二氮气清洗阀13，高压氮气从第二氮气接口12进入，依次经第三单向阀14、第二硅烷集气架15、第二供气管路022、减压管路06的第二一减压通道、配气架连接管路03流入配气架，直至流入浮法玻璃生产线的锡槽；持续清洗5分钟，关闭第二氮气清洗阀13和低压供气阀25；

[0085] c)硅烷汇流排管路的“抽真空+高压氮气吹扫”过程：打开除第一氮气清洗阀2、第二氮气清洗阀13和低压供气阀25的其他阀门，将抽真空装置05与第一硅烷气供气通道01、第二硅烷气供气通道02、配气架连接管路03和减压管路06连通，高压氮气从第三氮气接入口35进入，经引流阀31喷入引流抽真空机构32内，抽真空装置05对整个硅烷汇流排管路抽真空，直到第一压力真空表6和第二压力真空表17显示的压力数值稳定(例如接近-2000Pa)；关闭引流阀31，打开第一氮气清洗阀2和第二氮气清洗阀13，高压氮气吹扫硅烷汇流排管路，废气从抽真空装置05的水封出口34排出，直至第一压力真空表6和第二压力真空表17显示数值稳定(通常大于8MPa)，关闭第一氮气清洗阀2和第二氮气清洗阀13，可重复“抽真空+高压氮气吹扫”多次(一般为三次)；最后再次对整个硅烷汇流排管路抽真空，将硅烷汇流排中的高压氮气排出；

[0086] d)将抽真空装置05与硅烷汇流排管路断开，即关闭阀门二十七27、阀门二十八28、阀门二十九29和阀门三十30。

[0087] 步骤二，硅烷气供气通道供气开始后，当第一硅烷气供气通道01中的第一压力真空表6显示的压力值为1MPa时，通过打开阀门十八18先打开第二硅烷气供气通道02开始供气，第二压力真空表17稳定以后，通过关闭阀门七7切断第一硅烷气供气通道01，更换洁净的第一硅烷气供气通道01的第一硅烷集气架4；待第二压力真空表17显示的压力值为1MPa时，将第二硅烷气供气通道02切换至第一硅烷气供气通道01连续供气，并更换洁净的第二硅烷气供气通道02的第二集气架15。

[0088] 其中，更换硅烷集气架包括“抽真空+高压氮气吹扫”过程，具体为：关闭硅烷集气架中的硅烷瓶阀，将抽真空装置05与该硅烷气供气通道连通，并对该硅烷气供气通道抽真空，然后向硅烷气供气通道通入高压氮气将硅烷气供气通道中的硅烷气排空，多次重复“抽真空+高压氮气吹扫”的过程；将抽真空装置05与硅烷气供气通道断开；更换硅烷集气架后，重复“高压氮气吹扫+抽真空”过程。

[0089] 步骤三，硅烷汇流排停止供气，采用高压氮气清扫汇流排管路及与配气架连接管路03连接的配气架，将硅烷汇流排、配气架的残余硅烷气排空。

[0090] 本发明在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法，具有以下技术效果：

[0091] 1)本发明硅烷汇流排设置抽真空装置05，引流抽真空机构32配合高压高纯氮气引流使硅烷汇流排的管路中产生负压，采用一定压力的高纯氮气充分清洗管道，降低管道含氧量，减少硅烷粉尘的产生，以降低仪表维护成本；

[0092] 2)通过多次“抽真空+高压氮气吹扫”的方式清洗硅烷汇流排管路，解决现有的管路清洗不充分的问题，使得汇流排管路清洗更干净，并且硅烷供气前，对清洗后的管道进行抽真空，防止管路内高压氮气降低硅烷气的浓度而影响阳光镀膜的质量；

[0093] 3)采用两个硅烷气供气通道和真空切换开关组04的组合方案，借助单向阀防止硅烷气体倒流，在两个硅烷气供气通道的气瓶切换时实施“先开后关”的操作，硅烷气体无缝安全切换，实现了稳定不间断的供气；

[0094] 4)在更换硅烷气供气通道的硅烷集气架时，采用“抽真空+高压氮气吹扫”方式，排空硅烷集气架中硅烷气瓶和管路中残余的硅烷气，避免硅烷气泄漏以致发生爆炸危险。。

[0095] 本领域技术人员应当理解，这些实施例仅用于说明本发明而不限制本发明的范围，对本发明所做的各种等价变型和修改均落入本发明所附权利要求所限定的范围内。

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在线阳光控制膜镀膜系统用硅烷汇流排及其供气操作方法

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