专利汇可以提供一种腔内倍频激光器的激光晶体结构专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种腔内倍频 激光器 的激光 晶体结构 ,包括多个层结构,依次为入射端的光学介质膜层、未掺杂晶体层、掺杂晶体层、未掺杂晶体层、倍频晶体层和输出端的光学介质膜层。本发明在掺杂晶体层的两端都键合未掺杂晶体层,且光学介质膜远离掺杂晶体,可以减小热效应及其对光学介质膜的损坏;未掺杂晶体层有利于将掺杂晶体层与倍频晶体层粘合在一起,从而方便激光器的设计与调整,大大减小激光器的体积。,下面是一种腔内倍频激光器的激光晶体结构专利的具体信息内容。
1.一种腔内倍频激光器的激光晶体结构,包括多个层结构,其特征是,依次为入射端的光学介质膜层、未掺杂晶体层、掺杂晶体层、未掺杂晶体层、倍频晶体层和输出端的光学介质膜层。
2.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构,其特征是,未掺杂晶体层、掺杂晶体层、未掺杂晶体层、倍频晶体层厚度依次为0.1-6mm,0.1-30mm,0.1-6mm,0.1-6mm。
3.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构,其特征是,所述的掺杂晶体层和倍频晶体层通过光胶粘合在一起。
4.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构,其特征是,所述的未掺杂晶体层和掺杂晶体层的基质晶体是同种晶体或不同种晶体,分别选自YAG晶体、YVO4晶体、GdVO4晶体、YAP晶体、YLF晶体中的一种。
5.根据权利要求1或4所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构,其特征是,所述的掺杂
3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 3+ 2+ 2+ 2+ 3+
晶体层的掺杂离子选自Nd ,Er ,Ho ,Ce ,Tm ,Pr ,Gd ,Eu ,Yb ,Sm ,Dy ,Tm ,Cr ,
2+ 2+ 3+ 2+
Ni ,Co ,Ti ,V 中的一种。
6.根据权利要求1所述的腔内倍频激光器的激光晶体结构,其特征是,所述的倍频晶体层选自KTP晶体、LBO晶体、BBO晶体、LiNbO3晶体中的一种。
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