一种吸水率可调的硅瓷薄板及其制备方法
阅读：749发布：2021-09-23
专利汇可以提供一种吸水率可调的硅瓷薄板及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种吸 水 率可调的 硅 瓷薄板及其制备方法，属 建筑材料 领域。其由 基板 和位于基板上的釉面装饰层构成；其基板为无机材料发泡层；无机材料发泡层的原料配方中， 长石 ：10至30份；粘土：15至40份； 石英 ：5至10份； 高岭土 ：10至25份；硅灰石：5至15份；石灰石：8至15份；辅助 增粘剂 ：1至5份；经过高温烧制后硅瓷薄板的厚度为3至6毫米；经过高温烧制后硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％；单 块 硅瓷薄板的长、宽尺寸比例为2∶1至3∶1；单块硅瓷薄板的长×宽尺寸为2米×1米、2.4米×1.2米或3.6米×1.2米；硅瓷薄板的单块面积≥2平方米；所述的硅瓷薄板适用于 建筑物 内、外墙面的装饰，可广泛用于建筑用大规格陶瓷类板材的制造领域。，下面是一种吸水率可调的硅瓷薄板及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种吸水率可调的硅瓷薄板，包括基板和位于基板上的装饰层，其特征是：
所述的硅瓷薄板由基板和位于基板上的釉面装饰层构成；
所述的基板为无机材料发泡层；
所述无机材料发泡层的原料配方为：
长石：10至30份；粘土：15至40份；石英：5至10份；高岭土：10至25份；硅灰石：5至15份；
石灰石：8至15份；辅助增粘剂：1至5份；
经过高温烧制后所述硅瓷薄板的厚度为3至6毫米；
经过高温烧制后所述硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％；
所述硅瓷薄板的单块长、宽尺寸比例为2∶1至3∶1；
所述硅瓷薄板的单块面积等于或大于2平方米；
所述的硅瓷薄板适用于建筑物内、外墙面的装饰；
其中，所述的釉面装饰层为常规的釉面装饰层；
所述的辅助增粘剂为工业级海菜粉、汉生胶、刺槐豆胶、卡波树脂、改性蒙脱石或有机膨润土；
所述吸水率可调的硅瓷薄板，在釉面装饰层下面设置由无机材料发泡层构成的基板，通过调节无机材料发泡层发泡率的大小或不同的发泡尺寸，来实现整个建筑板材的吸水率可调功能。
2.按照权利要求1所述的硅瓷薄板，其特征是所述的硅瓷薄板，通过改变无机材料发泡层原料配方中各组分的配比，调节无机材料发泡层发泡率的大小，进而实现硅瓷薄板的吸水率可调。
3.按照权利要求1所述的硅瓷薄板，其特征是所述的硅瓷薄板通过控制、调节所述无机材料发泡层中发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
4.按照权利要求1所述的硅瓷薄板，其特征是所述硅瓷薄板的单块长×宽尺寸为2米×
1米、2.4米×1.2米或3.6米×1.2米。
5.一种如权利要求1所述硅瓷薄板的制备方法，其特征是所述的制备方法包括下列步骤：
A、按照无机材料发泡层的配方，配制基板原料；
B、对基板原料进行混合、研磨；
C、对基板原料进行压滤成饼，获得基板饼料；
D、采用真空练泥机对获得的基板饼料进行“均化”操作，得到基板泥料；
E、采用挤压机对“均化”后的基板泥料进行“一次挤压成型”操作，将基板泥料一次挤压成宽度为1.3米以上的基板板料；
F、采用红外线干燥法对基板板料进行“第一次干燥”操作；
G、对“第一次干燥”后的基板板料进行“素烧”操作，得到素板；
H、对素板进行“施釉”操作，在素板的表面形成釉面料层；
I、利用窑炉废气的回收热能对经过“施釉”操作的素板进行“第二次干燥”操作；
J、对经过“第二次干燥”操作的、表面带有釉面料层的素板进行“釉烧”操作，得到硅瓷薄板的粗品；
K、对硅瓷薄板的粗品进行按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品；
在所述的B步骤中，对基板原料的混合、研磨时间为10～12小时，混合、研磨后基板原料的含水率为30～35％，混合、研磨后基板原料的粒度要求为325目筛的过筛剩余量小于3％；
在所述的D步骤中，采用真空练泥机对获得的基板饼料进行捏合、搅拌，实现基板饼料的“均化”操作；
在所述的F步骤中，“第一次干燥”操作的温度为100～250度，时间为80～120分钟，经过“第一次干燥”操作后基板板料的含水率≤5％；
在所述的I步骤中，“第二次干燥”操作的温度为150～200度，时间为30～60分钟，经过“第二次干燥”操作后素板的含水率≤1％；
在所述的H步骤中，所述“素烧”操作的温度为1000～1150度，时间为40～80分钟；
在所述的J步骤中，所述“釉烧”操作的温度为1100～1230度，时间为60～120分钟；
所述硅瓷薄板的制备方法，通过改变所述无机材料发泡层原料中各组分的配比，调节发泡率的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调；
或者，所述硅瓷薄板的制备方法，通过控制所述“素烧”操作或“釉烧”操作的温度及时间，调节发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
6.按照权利要求5所述的硅瓷薄板的制备方法，其特征是对所述硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切后，进行表面抛光操作，获得硅瓷薄板成品；
或者，对所述硅瓷薄板的粗品进行表面抛光操作，再按尺寸裁切，获得符合尺寸及表面光洁度要求的硅瓷薄板成品。
7.按照权利要求5所述的硅瓷薄板的制备方法，其特征是在所述H步骤中的“施釉”操作，包括采用常规的丝网印刷施釉法、喷墨打印施釉法、釉料粉剂施釉法或采用在表面粘贴装饰图案釉料纸的方法，在所述基板板料的表面构成釉面料层。
一种吸水率可调的硅瓷薄板及其制备方法
技术领域
背景技术
[0003] 授权公告日为2006年4月26日，授权公告号为CN1253402C的中国发明专利中，公开了一种“内、外墙装饰用超薄纤瓷板”，其在纤瓷板基体层的粘土中混有无机矿物纤维，在基体层的一面设置包括底釉层和面釉层的复合表面层；瓷板的长、宽、厚度尺寸之比为3～1.5∶2～1∶0.008～0.003。
[0004] 该技术方案在纤瓷板基体层的粘土中混有无机矿物纤维，在纤瓷板的表面设置有复合釉面层，从而可以制得长、宽尺寸为3米×1.5米，厚度仅为3至6毫米的、具有装饰效果的大规格陶瓷建材板，可广泛用于建筑物的内、外墙装饰用。
[0005] 但是该技术方案所制得的装饰用瓷板其吸水率较高，通常在12～14％，这就意味着在潮湿或多雨的环境中，每单位面积(即每平米面积)的装饰用瓷板的重量会增加13～15kg，如果按照整个建筑物的外表面积来计算的话，将是一个不可忽视的重量，其会大大增加装饰用瓷板自身的重量，既对建筑物的安全不利，又增加了对支撑结构的强度要求，使其在作为建筑物外墙的装饰用材使用时受到一定的限制，尤其是在多雨、潮湿的南方地区，如果建筑物内、外墙用材吸水率较高的话，不仅给建筑物的承重带来不利影响，还会增加施工成本和建筑成本，从而增加业主的一次性投入成本，故而使得该产品的使用地域受到很大的限制。
[0006] 作为建筑物的内、外墙装饰用材料，所使用的大规格陶瓷建筑板材除了要具有良好的可装饰性、便于现场安装和施工的便利性之外，其吸水率的高低，也影响到其适用环境、地域和使用寿命，如何使类似于上述大规格的陶瓷建材板既具有装饰功能，又同时具有较低的吸水率，是实际作业施工和建材制造行业急需解决的问题。
发明内容
[0007] 本发明所要解决的技术问题是提供一种吸水率可调的硅瓷薄板及其制备方法，其在釉面装饰层下面设置由无机材料发泡层构成的基板，通过调节无机材料发泡层发泡率的大小或不同的发泡尺寸，来实现整个建筑板材的吸水率可调功能；通过釉面装饰层来实现建筑板材的装饰功能；并且由于其烧制成品具有一定的发泡特性，使得其单位面积所用板材的自身重量进一步得到降低，既可提高建筑物的安全性，又降低了对支撑结构的强度要求，有助于降低施工成本和建筑成本，从而减少了建筑物的一次性投入成本，故而使得该产品对使用环境的要求进一步降低，可适用的地域得到进一步扩大。
[0008] 本发明的技术方案是提供一种吸水率可调的硅瓷薄板，其特征是：
[0009] 所述的硅瓷薄板由基板和位于基板上的釉面装饰层构成；
[0010] 所述的基板为无机材料发泡层；
[0011] 所述无机材料发泡层的原料配方为：
[0013] 经过高温烧制后所述硅瓷薄板的厚度为3至6毫米；
[0014] 经过高温烧制后所述硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％；
[0015] 所述单块硅瓷薄板的长、宽尺寸比例为2∶1至3∶1；
[0016] 所述单块硅瓷薄板的长×宽尺寸为2米×1米、2.4米×1.2米或3.6米×1.2米；
[0017] 所述硅瓷薄板的单块面积等于或大于2平方米；
[0018] 所述的硅瓷薄板适用于建筑物内、外墙面的装饰。
[0019] 具体的，所述的釉面装饰层为常规的釉面装饰层。
[0021] 进一步的，所述的硅瓷薄板通过改变基板原料配方中各组分的构成比例，来实现硅瓷薄板的吸水率可调。
[0022] 本发明的技术方案还提供了一种上述硅瓷薄板的制备方法，其特征是所述的制备方法包括下列步骤：
[0023] A、按照无机材料发泡层的配方，配制基板原料；
[0025] C、对基板原料进行压滤成饼，获得基板饼料；
[0026] D、采用真空练泥机对获得的基板饼料进行“均化”操作，得到基板泥料；
[0028] F、采用红外线干燥法对基板板料进行“第一次干燥”操作；
[0029] G、对“第一次干燥”后的基板板料进行“素烧”操作，得到素板；
[0030] H、对素板进行“施釉”操作，在素板的表面形成釉面料层；
[0031] I、利用窑炉废气的回收热能对经过“施釉”操作的素板进行“第二次干燥”操作；
[0032] J、对经过“第二次干燥”操作的、表面带有釉面料层的素板进行“釉烧”操作，得到硅瓷薄板的粗品；
[0033] K、对硅瓷薄板的粗品进行按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0034] 进一步的，对所述硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切后，进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品；或者，对所述硅瓷薄板的粗品进行表面抛光操作，再按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0035] 具体的，在所述的B步骤中，对基板原料的混合、研磨时间为10～12小时，混合、研磨后基板原料的含水率为30～35％，混合、研磨后基板原料的粒度要求为325目筛的过筛剩余量小于3％；
[0036] 在所述的D步骤中，采用真空练泥机对获得的基板饼料进行捏合、搅拌，实现基板饼料的“均化”操作；
[0037] 在所述的F步骤中，“第一次干燥”操作的温度为100～250度，时间为80～120分钟，经过“第一次干燥”操作后基板板料的含水率≤5％；
[0038] 在所述的I步骤中，“第二次干燥”操作的温度为150～200度，时间为30～60分钟，经过“第二次干燥”操作后素板的含水率≤1％；
[0039] 在所述的H步骤中，所述“素烧”操作的温度为1000～1150度，时间为40～80分钟；
[0040] 在所述的J步骤中，所述“釉烧”操作的温度为1100～1230度，时间为60～120分钟。
[0041] 在所述H步骤中的“施釉”操作，包括采用常规的丝网印刷施釉法、喷墨打印施釉法、釉料粉剂施釉法或采用在表面粘贴装饰图案釉料纸的方法，在所述基板板料的表面构成釉面料层。
[0042] 本技术方案所述的制备方法，通过改变所述无机材料发泡层原料中各组分的配比，调节发泡率的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0043] 本技术方案所述的制备方法，通过控制所述“素烧”操作或“釉烧”操作的温度及时间，调节发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0044] 与现有技术比较，本发明的优点是：
[0045] 1.采用无机材料发泡层来构成基板，使得所制得的硅瓷薄板具有质轻、吸水率低的特点，且可以通过调节无机材料发泡层发泡率的大小或不同的发泡尺寸，实现了陶瓷建筑板材的吸水率可调；
[0046] 2.采用无机材料发泡层来构成基板，使得陶瓷建筑板材单位面积的自身重量进一步得到降低，既可提高建筑物的安全性，又降低了对支撑结构的强度要求，有助于降低施工成本和建筑成本；
[0047] 3.采用无机材料发泡层构成基板，使得大规格的陶瓷建材板既具有装饰功能，又同时具有较低的吸水率和较轻的单位面积重量，对使用环境的要求进一步降低，可适用的地域得到进一步扩大，使用寿命和耐候性均得以大幅度提高。附图说明
[0048] 图1是本发明硅瓷薄板的剖面结构示意图；
[0049] 图2是本发明硅瓷薄板制备方法的步骤框图。
[0050] 图中1为无机材料发泡层，2为釉面装饰层。
具体实施方式
[0051] 下面结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
[0052] 图1中，本发明的技术方案提供了一种硅瓷薄板，其发明点在于：
[0053] 所述的硅瓷薄板由无机材料发泡层(即俗称的基板)1和位于基板上的釉面装饰层2构成。
[0054] 本技术方案中，经过高温烧制后，所述硅瓷薄板的厚度为3至6毫米；
[0055] 经过高温烧制后，所述硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％；
[0056] 所述单块硅瓷薄板的长、宽尺寸比例为2∶1至3∶1；
[0057] 所述单块硅瓷薄板的长×宽尺寸为2米×1米、2.4米×1.2米或3.6米×1.2米；
[0058] 所述硅瓷薄板的单块面积等于或大于2平方米；
[0059] 所述的硅瓷薄板适用于建筑物内、外墙面的装饰。
[0060] 具体的，所述的釉面装饰层为常规的釉面装饰层。
[0061] 本技术方案的硅瓷薄板具有保温、隔音以及装饰功能，适用于建筑物内、外墙面的装修、装饰之用。
[0062] 本技术方案中，所述的硅瓷薄板通过改变基板原料配方中各组分的构成比例，来实现硅瓷薄板的吸水率可调。
[0063] 具体的，在本技术方案中，所述的硅瓷薄板通过改变所述无机材料发泡层原料中各组分的配比，调节无机材料发泡层发泡率的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0064] 换句话说，在本技术方案中，所述的硅瓷薄板通过控制、调节所述无机材料发泡层中发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0065] 本发明的技术方案，采用无机材料发泡层来构成基板，使得所制得的硅瓷薄板具有质轻、吸水率低的特点，且可以通过调节无机材料发泡层发泡率的大小或不同的发泡尺寸，实现了陶瓷建筑板材的吸水率可调；同时，采用无机材料发泡层来构成基板，使得陶瓷建筑板材单位面积的自身重量进一步得到降低，既可提高建筑物的安全性，又降低了对支撑结构的强度要求，有助于降低施工成本和建筑成本；通过采用无机材料发泡层来构成基板，使得陶瓷建筑板材对使用环境的要求进一步降低，可适用的地域得到进一步扩大，使用寿命和耐候性均得以大幅度提高。
[0066] 图2中，本发明的技术方案还提供了一种上述硅瓷薄板的制备方法，其发明点在于所述的制备方法至少包括下列步骤：
[0067] A、按照无机材料发泡层的配方，配制基板原料；
[0068] B、对基板原料进行混合、研磨；
[0069] C、对基板原料进行压滤成饼，获得基板饼料；
[0070] D、采用真空练泥机对获得的基板饼料进行“均化”操作，得到基板泥料；
[0071] E、采用挤压机对“均化”后的基板泥料进行“一次挤压成型”操作，将基板泥料一次挤压成宽度为1.3米以上的基板板料；
[0072] F、采用红外线干燥法对基板板料进行“第一次干燥”操作；
[0073] G、对“第一次干燥”后的基板板料进行“素烧”操作，得到素板；
[0074] H、对素板进行“施釉”操作，在素板的表面形成釉面料层；
[0075] I、利用窑炉废气的回收热能对经过“施釉”操作的素板进行“第二次干燥”操作；
[0076] J、对经过“第二次干燥”操作的、表面带有釉面料层的素板进行“釉烧”操作，得到硅瓷薄板的粗品；
[0077] K、对硅瓷薄板的粗品进行按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0078] 在本技术方案中，可以在对硅瓷薄板的粗品按尺寸进行裁切后，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品；或者，也可以先对硅瓷薄板的粗品进行表面抛光操作，然后再按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0079] 在前述的B步骤中，对基板原料的混合、研磨时间为10～12小时，混合、研磨后基板原料的含水率为30～35％，混合、研磨后基板原料的粒度要求为325目筛的过筛剩余量小于3％。
[0080] 在前述的D步骤中，采用真空练泥机对获得的基板饼料进行捏合、搅拌，实现基板饼料的“均化”操作。
[0081] 在前述的F步骤中，“第一次干燥”操作的温度为100～250度，时间为80～120分钟，经过“第一次干燥”操作后基板板料的含水率≤5％。
[0082] 在前述的I步骤中，“第二次干燥”操作的温度为150～200度，时间为30～60分钟，经过“第二次干燥”操作后素板的含水率≤1％。
[0083] 在前述的H步骤中，所述“素烧”操作的温度为1000～1150度，时间为40～80分钟。
[0084] 在前述的J步骤中，所述“釉烧”操作的温度为1100～1230度，时间为60～120分钟。
[0085] 在前述H步骤中的“施釉”操作，包括采用常规的丝网印刷施釉法、喷墨打印施釉法、釉料粉剂施釉法或采用在表面粘贴装饰图案釉料纸的方法，在所述基板板料的表面构成釉面料层。
[0086] 由于上述构成釉面料层(经高温烧制后，即构成了釉面装饰层)的方法均为现有技术，在此不再详述。
[0087] 本技术方案中的制备方法，通过改变无机材料发泡层原料中各组分的配比，调节发泡率的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0088] 本技术方案中的制备方法，通过控制“素烧”操作或“釉烧”操作的温度及时间，调节发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0089] 经过高温烧制后，本技术方案的硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％；对应的，在最大吸水率的状态下，本技术方案的硅瓷薄板，每单位面积(即每平米面积)的重量，仅仅会增加8～9kg，使得其单位面积所用板材的自身重量进一步得到降低，既提高建筑物的安全性，又降低了对支撑结构的强度要求，有助于降低施工成本和建筑成本，从而减少了建造建筑物的一次性投入成本，使得该产品对使用环境的要求进一步降低，可适用的地域得到进一步扩大。
[0090] 换句话说，由于采用本技术方案所制得的硅瓷薄板具有交底较低的吸水率，使得其不仅仅可以适用于气候干旱少雨的北方地区，还可以应用在气候多雨、湿润的南方地区，故而使得该产品对使用环境的要求进一步降低，可适用的地域得到进一步扩大。
[0091] 本技术方案中的“高温烧制”过程，至少包括“第一次干燥”操作、“素烧”操作、“第二次干燥”操作和“釉烧”操作；其中的“第一次干燥”操作相当于“素烧”操作的预热阶段，“素烧”操作的目的是为了得到能够便于进行“施釉”操作的素板，而进行“第二次干燥”操作的目的，是对经过“施釉”操作的素板进行干燥；通过对烧制温度的控制，使得无机材料发泡层在“素烧”操作阶段和/或“釉烧”操作阶段进行发泡、膨化，生成“发泡”结构，构成了无机材料发泡层的“发泡”阶段；通过控制/调整“发泡”阶段的温度和时间，来控制和调节无机材料发泡层发泡率的大小和调节无机材料发泡层中发泡尺寸的大小，进而实现所述硅瓷薄板的吸水率可调。
[0092] 本技术方案，通过采用上述技术方案和制备方法，即可获得吸水率可调的硅瓷薄板。
[0093] 经过高温烧制后，所述硅瓷薄板的整体厚度为3至6毫米，所述硅瓷薄板的吸水率为0.5～3％。所制得的硅瓷薄板的单块面积等于或大于2平方米/块。
[0094] 实施例：
[0095] 实施例1：
[0096] A、按照无机材料发泡层的配方，配制基板原料：
[0097] 其无机材料发泡层的原料配方(按重量计算，下同)为：长石：10份；粘土：15份；石英：5份；高岭土：10份；硅灰石：5份；石灰石：8份；辅助增粘剂：1份。
[0098] 其中的辅助增粘剂为工业级海菜粉。
[0099] B、对基板(无机材料发泡层)的原料进行混合、研磨；
[0100] C、对基板原料进行压滤成饼，获得基板饼料；
[0101] D、采用真空练泥机对获得的基板饼料进行“均化”操作，得到基板泥料；
[0102] E、采用挤压机对“均化”后的基板泥料进行“一次挤压成型”操作，将基板泥料一次挤压成宽度为1.3米以上的基板板料；
[0103] F、采用红外线干燥法对基板板料进行“第一次干燥”操作；
[0104] G、对“第一次干燥”后的基板板料进行“素烧”操作，得到素板；
[0105] H、对素板进行“施釉”操作，在素板的表面形成釉面料层；
[0106] I、利用窑炉废气的回收热能对经过“施釉”操作的素板进行“第二次干燥”操作；
[0107] J、对经过“第二次干燥”操作的、表面带有釉面料层的素板进行“釉烧”操作，得到硅瓷薄板的粗品；
[0108] K、对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切后，进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0109] 其中，在B步骤中，对基板原料的混合、研磨时间为10小时，混合、研磨后基板原料的含水率为30％，混合、研磨后基板原料的粒度要求为325目筛的过筛剩余量小于3％；
[0110] 在D步骤中，采用真空练泥机对获得的基板饼料进行捏合、搅拌，实现基板饼料的“均化”操作；
[0111] 在F步骤中，“第一次干燥”操作的温度为100±5度，时间为250±3分钟，经过“第一次干燥”操作后基板板料的含水率≤5％；
[0112] 在I步骤中，“第二次干燥”操作的温度为150±5度，时间为30±1分钟，经过“第二次干燥”操作后素板的含水率≤1％；
[0113] 在H步骤中，所述“素烧”操作的温度为1000±10度，时间为40±2分钟；
[0114] 在J步骤中，所述“釉烧”操作的温度为1100±10度，时间为120±3分钟。
[0115] 在H步骤中的“施釉”操作，采用常规的丝网印刷施釉法在所述基板板料的表面构成釉面料层。
[0116] 由于在大规模工业化生产过程中，想要将窑炉中的实际温度精确地控制在某一固定温度值是十分困难的，故上述各个温度、时间控制值给出的均为一个控制范围，只要将温度、时间参数控制在所规定的数值范围内，即可满足本技术方案制备工艺的需要。
[0117] 为了简洁起见，以下实施例中均给出温度、时间参数控制值的中心值，实际操作时按照窑炉设备的控制精度和允许偏差进行控制即可。
[0118] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为3毫米。
[0119] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝2米×1米，其长、宽尺寸比例为2∶1，单块硅瓷薄板的面积等于2平方米/块，该硅瓷薄板的吸水率为3％。
[0120] 实施例2：
[0121] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：30份；粘土：40份；石英：10份；高岭土：25份；硅灰石：15份；石灰石：15份；辅助增粘剂：5份。
[0122] 其中的辅助增粘剂为汉生胶。
[0123] 对基板原料的混合、研磨时间为12小时，混合、研磨后基板原料的含水率为35％；
[0124] “第一次干燥”操作的温度为250度，时间为100分钟；
[0125] “第二次干燥”操作的温度为200度，时间为60分钟；
[0126] “素烧”操作的温度为1150度，时间为80分钟；
[0127] “釉烧”操作的温度为1230度，时间为120分钟；
[0128] 得到硅瓷薄板的粗品后，先对硅瓷薄板的粗品进行表面抛光操作，然后再按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0129] 其余同实施例1。
[0130] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为6毫米。
[0131] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝3.6米×1.2米，其长、宽尺寸比例为3∶1，单块硅瓷薄板的面积大于2平方米/块，该硅瓷薄板的吸水率为0.5％。
[0132] 实施例3：
[0133] 无机材料发泡层的原料配方中：长石：22.5份；粘土：27.5份；石英：7.5份；高岭土：17.5份；硅灰石：10份；石灰石：11.5份；辅助增粘剂：3份；
[0134] 其中的辅助增粘剂为刺槐豆胶。
[0135] 对基板原料的混合、研磨时间为11小时，混合、研磨后基板原料的含水率为32.5％；
[0136] “第一次干燥”操作的温度为175度，时间为100分钟；
[0137] “第二次干燥”操作的温度为175度，时间为45分钟；
[0138] “素烧”操作的温度为1075度，时间为60分钟；
[0139] “釉烧”操作的温度为1165度，时间为90分钟；
[0140] 其余同实施例1。
[0141] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为4.5毫米。
[0142] 硅瓷薄板的吸水率为1.5％。
[0143] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝2.4米×1.2米，其长、宽尺寸比例为2∶1。
[0144] 实施例4：
[0145] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：24.5份；粘土：30.5份；石英：8.4份；高岭土：19.5份；硅灰石：11份；石灰石：13份；辅助增粘剂：3.5份；
[0146] 其中的辅助增粘剂为卡波树脂。
[0147] 对基板原料的混合、研磨时间为11小时，混合、研磨后基板原料的含水率为31.4％；
[0148] “第一次干燥”操作的温度为187度，时间为120分钟；
[0149] “第二次干燥”操作的温度为193度，时间为30分钟；
[0150] “素烧”操作的温度为1150度，时间为50分钟；
[0151] “釉烧”操作的温度为1290度，时间为97分钟；
[0152] 得到硅瓷薄板的粗品后，先对硅瓷薄板的粗品进行表面抛光操作，然后再按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0153] 其余同实施例1。
[0154] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为5毫米。
[0155] 硅瓷薄板的吸水率为2.5％。
[0156] 实施例5：
[0157] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：30份；粘土：15份；石英：9份；高岭土：17份；硅灰石：7份；石灰石：9份；辅助增粘剂：2份；
[0158] 其中的辅助增粘剂为改性蒙脱石。
[0159] 对基板原料的混合、研磨时间为13小时，混合、研磨后基板原料的含水率为35％；
[0160] “第一次干燥”操作的温度为220度，时间为109分钟；
[0161] “第二次干燥”操作的温度为182度，时间为49分钟；
[0162] “素烧”操作的温度为1140度，时间为50分钟；
[0163] “釉烧”操作的温度为1190度，时间为95分钟；
[0164] 得到硅瓷薄板的粗品后，对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0165] 其余同实施例2。
[0166] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为5.5毫米。
[0167] 硅瓷薄板的吸水率为0.85％。
[0168] 实施例6：
[0169] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：12份；粘土：15份；石英：10份；高岭土：10份；硅灰石：10份；石灰石：8份；辅助增粘剂：1.5份；
[0170] 其中的辅助增粘剂为有机膨润土。
[0171] 其余同实施例3。
[0172] 得到硅瓷薄板的粗品后，对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0173] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为4毫米。
[0174] 硅瓷薄板的吸水率为2.85％。
[0175] 实施例7：
[0176] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：35份；粘土：30份；石英：6.5份；高岭土：10份；硅灰石：6份；石灰石：13份；辅助增粘剂：4份；
[0177] 其中的辅助增粘剂为工业级海菜粉和有机膨润土，两者比例为1∶1。
[0178] 对基板原料的混合、研磨时间为12小时，混合、研磨后基板原料的含水率为32％；
[0179] “第一次干燥”操作的温度为125度，时间为120分钟；
[0180] “第二次干燥”操作的温度为180度，时间为50分钟；
[0181] “素烧”操作的温度为1100度，时间为72分钟；
[0182] “釉烧”操作的温度为1200度，时间为105分钟。
[0183] 得到硅瓷薄板的粗品后，对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0184] 其余同实施例2。
[0185] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为4毫米。
[0186] 硅瓷薄板的吸水率为0.75％。
[0187] 实施例8：
[0188] 无机材料发泡层的原料配方中，辅助增粘剂：3份。
[0189] 辅助增粘剂为汉生胶和卡波树脂，两者比例为2∶1。
[0190] 得到硅瓷薄板的粗品后，对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0191] 其余同实施例3。
[0192] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为5.8毫米。
[0193] 硅瓷薄板的吸水率为0.6％。
[0194] 实施例9：
[0195] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：10份；粘土：20份；石英：5份；高岭土：19份；硅灰石：5份；石灰石：15份；辅助增粘剂：5份；
[0196] 辅助增粘剂为改性蒙脱石和卡波树脂，两者比例3∶2。
[0197] 其余同实施例1。
[0198] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为3.8毫米。
[0199] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝3.6米×1.2米，该硅瓷薄板的吸水率为2.9％。
[0200] 实施例10：
[0201] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：30份；粘土：30份；石英：9份；高岭土：11份；硅灰石：13份；石灰石：8份；辅助增粘剂：5份；
[0202] 辅助增粘剂为汉生胶和卡波树脂，两者比例为2∶3。
[0203] 其余同实施例3。
[0204] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为4.5毫米。
[0205] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝2.4米×1.2米，该硅瓷薄板的吸水率为0.9％。
[0206] 实施例11：
[0207] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：10份；粘土：27.5份；石英：5份；高岭土：17份；硅灰石：10份；石灰石：11.5份；辅助增粘剂：3份；
[0208] 辅助增粘剂为有机膨润土和汉生胶，两者比例1∶2。
[0209] 其余同实施例4。
[0210] 得到硅瓷薄板的粗品后，先对硅瓷薄板的粗品进行表面抛光操作，然后再按尺寸裁切，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0211] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为4.8毫米。
[0212] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝2.4米×1.2米，该硅瓷薄板的吸水率为3％。
[0213] 实施例12：
[0214] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：11份；粘土：15份；石英：8份；高岭土：22份；硅灰石：15份；石灰石：15份；辅助增粘剂：4份；
[0215] 辅助增粘剂为刺槐豆胶、有机膨润土和汉生胶，三者之间的比例为1∶1∶2；
[0216] 得到硅瓷薄板的粗品后，对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0217] 其余同实施例5。
[0218] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为3.5毫米。
[0219] 硅瓷薄板的吸水率为2.65％。
[0220] 所制得的单块硅瓷薄板的尺寸为长×宽＝2米×1米。
[0221] 实施例13：
[0222] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：10份；粘土：15份；石英：10份；高岭土：20份；硅灰石：13份；石灰石：13份；辅助增粘剂：4份；
[0223] 辅助增粘剂为卡波树脂、汉生胶和有机膨润土，三者之间的比例为1∶1∶2；
[0224] 其余同实施例2。
[0225] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为4.8毫米。
[0226] 硅瓷薄板的吸水率为2.9％。
[0227] 实施例14：
[0228] 无机材料发泡层的原料配方中，辅助增粘剂：5份；辅助增粘剂为工业级海菜粉、卡波树脂、汉生胶和有机膨润土，四者之间的比例为1∶2∶1∶1；
[0229] 其余同实施例3。
[0230] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为5毫米。
[0231] 硅瓷薄板的吸水率为1.6％。
[0232] 实施例15：
[0233] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：12份；粘土：40份；石英：5份；高岭土：20份；硅灰石：25份；石灰石：10份；辅助增粘剂：5份。
[0234] 其中的辅助增粘剂为工业级海菜粉、有机膨润土、刺槐豆胶和汉生胶，四者之间的比例为1∶1∶2∶1。
[0235] “第一次干燥”操作的温度为125度，时间为120分钟；
[0236] “第二次干燥”操作的温度为185度，时间为75分钟；
[0237] “素烧”操作的温度为1075度，时间为70分钟；
[0238] “釉烧”操作的温度为1190度，时间为75分钟；
[0239] 其余同实施例1。
[0240] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为5毫米。
[0241] 硅瓷薄板的吸水率为2.9％。
[0242] 实施例16：
[0243] 无机材料发泡层的原料配方中，长石：35份；粘土：30份；石英：6.5份；高岭土：10份；硅灰石：6份；石灰石：13份；辅助增粘剂：4份；
[0244] 其中的辅助增粘剂为工业级海菜粉和卡波树脂，两者比例1∶1。
[0245] 得到硅瓷薄板的粗品后，对硅瓷薄板的粗品按尺寸裁切，再进行表面抛光操作，获得符合要求的硅瓷薄板成品。
[0246] 其余同实施例3。
[0247] 经过高温烧制后单块硅瓷薄板的整体厚度为4.5毫米。
[0248] 硅瓷薄板的吸水率为0.95％。
[0249] 实施例17：
[0250] 无机材料发泡层的原料配方中，辅助增粘剂：3份；
[0251] 辅助增粘剂为有机膨润土和改性蒙脱石，两者比例2∶1。
[0252] 对基板原料的混合、研磨时间为10小时，混合、研磨后基板原料的含水率为32％；
[0253] “第一次干燥”操作的温度为110度，时间为120分钟；
[0254] “第二次干燥”操作的温度为200度，时间为40分钟；
[0255] “素烧”操作的温度为1150度，时间为40分钟；
[0256] “釉烧”操作的温度为1230度，时间为60分钟；
[0257] 其余同实施例2。
[0258] 经过高温烧制后硅瓷薄板的整体厚度为6毫米；硅瓷薄板的吸水率为2.9％。
[0259] 本发明可广泛用于建筑用大规格陶瓷类板材的制造领域。
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