一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法
专利汇可以提供一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种从AgCd废料中提纯AgCd 合金 并循环利用的方法。将将等面积的 泡沫 陶瓷片放置于熔炼炉底部，再放入AgCd废料，进行高温熔炼处理；待精炼完成后取出浮于熔体表面的泡沫陶瓷片，得到高纯AgCd合金；将AgCd合金作为原材料制备AgCdO材料。采用高纯AgCd合金投料的电 接触 材料，因原材料纯度高，其杂质含量低，具有良好的理化性能和优异的加工性能。采用这种方法，将AgCdO电接触材料生产过程中产生的AgCd边 角 料进行回收及再利用，有效回收废料中的AgCd 合金元素 ，材料周转快，经济效益显著。，下面是一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法专利的具体信息内容。
1.一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法，其特征在于,包括如下步骤：
（1）将AgCd废料放于坩埚底部放置有等面积的泡沫陶瓷片的熔炼炉内，按3个阶段对AgCd废料进行高温熔炼精炼处理：第一阶段：升温至500-600℃恒温0.5-1h；第二阶段：升温至900-1000℃并恒温0.5-1h；第三阶段：900-800℃，匀速降温，控制降温时间为0.5-1h；
（2）将浮于熔体表面的泡沫陶瓷片取出，得到高纯AgCd合金熔体；
（3）将高纯AgCd合金作为原材料进行投料。
2.根据权利要求1所述的一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法，其特征在于：所述的泡沫陶瓷片为Al2O3、SiC或ZrO2的一种或多种组合。
3.根据权利要求1所述的一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法，其特征在于：所述的泡沫陶瓷片密度在0.3-1.5g/cm3，孔隙率为60-90%，孔径为20nm-1mm，厚度为
0.3-1.5mm。
一种从AgCd废料中提纯AgCd合金并循环利用的方法
技术领域
背景技术
2）经过熔炼提纯后再用于投料；通过高温熔炼过程中，AgCd废料熔化后与杂质元素分离，杂质浮于液相表面，通过液态扒渣去除表面浮渣进行除杂；但由于液相的流动性，仍无法完全去除AgCd废料中的杂质元素，因此采用该类回用料投料的AgCdO产品加工性仍无法与新料投料产品相比。
发明内容
（1）将AgCd废料放于坩埚底部放置有等面积的泡沫陶瓷片的熔炼炉内，按3个阶段对AgCd废料进行高温熔炼精炼处理：第一阶段：升温至500-600℃恒温0.5-1h；第二阶段：升温至900-1000℃并恒温0.5-1h；第三阶段：900-800℃，匀速降温，控制降温时间为0.5-1h；
（2）将浮于熔体表面的泡沫陶瓷片取出，得到高纯AgCd合金熔体；
（3）将高纯AgCd合金作为原材料进行投料。
（2）同时由于泡沫陶瓷片密度低，在浸湿功和浮力的作用下，逐步从AgCd合金内部排出，并浮于熔体表面；待精炼完成后取出表层集渣的泡沫陶瓷片；
（3）本方法可有效解决AgCd废料中的杂质问题，提取纯净度高的AgCd合金原材料，采用其投料的电接触材料的理化性能和加工性能与新料投料产品相当采用这种方法，将AgCdO电接触材料生产过程中产生的AgCd废料进行有效回收及再利用，材料周转快，且无工业三废污染，经济效益显著。
具体实施方式
1)将等面积的密度为0.32g/cm ，孔隙率64%，孔径35nm-950um，厚度为0.8 mm 的SiC泡沫陶瓷片置于坩埚底部，再放入25Kg AgCd10.5角料，分三阶段进行熔炼精炼：第一阶段：升温至500℃恒温0.5h；第二阶段：升温至900℃并恒温0.5h；第三阶段： 800℃，匀速降温，控制降温时间为0.5h；
2)将浮于熔体表面的泡沫陶瓷片取出，得到高纯AgCd合金熔体；
3)采用该AgCd合金投料AgCdO（10），产品性能对比如下表所示：
实施例二：
1)将等面积的密度为0.42g/cm3，孔隙率78%，孔径45nm-865um，厚度为0.6 mm 的Al2O3泡沫陶瓷片置于坩埚底部，再放入22Kg AgCd13.13角料，分三阶段进行熔炼精炼：第一阶段：升温至600℃恒温1h；第二阶段：升温至1000℃并恒温1h；第三阶段： 900℃，匀速降温，控制降温时间为0.5h；
2)将浮于熔体表面的泡沫陶瓷片取出，得到高纯AgCd合金熔体；
3)采用该AgCd合金投料AgCdO（12），产品性能对比如下表所示：
实施例三：
1)将等面积的密度为1.27g/cm3，孔隙率86%，孔径68nm-730um，厚度为1.2 mm 的ZrO2泡沫陶瓷片置于坩埚底部，再放入20Kg AgCd8.75角料，分三阶段进行熔炼精炼：第一阶段：
升温至600℃恒温0.5h；第二阶段：升温至1000℃并恒温0.5h；第三阶段： 800℃，匀速降温，控制降温时间为1h；
2)将浮于熔体表面的泡沫陶瓷片取出，得到高纯AgCd合金熔体；
3)采用该AgCd合金投料AgCdO（15），产品性能对比如下表所示：
电阻率 μΩ·cm 抗拉强度 MPa 延伸率 %
新料投料 2.21 330 22
本专利工艺投料 2.19 327 21
本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
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