专利汇可以提供模块化应用于组合的传输/发射断层造影设备的检测装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种模 块 化地用于组合的传输/发送 断层 造影设备的检测装置,用于测量检测器内的传输 X射线 辐射 和发射γ辐射,其中该检测装置至少具有3个在辐射方向上 叠加 设置的、不同厚度的吸收层(Ax),用于检测吸收事件,其中,所有至少3个吸收层(Ax)都由一种材料构成,每个吸收层(Ax)连接到可以向一个共用的分析单元传送所检测的吸收事件的测量值: 位置 x、时间t和 能量 E的测量芯片(Cx),该分析单元可以从所传送的吸收事件的测量值中分辨出CT、SPECT和PET 信号 ,并且吸收层被分为多个检测单元。,下面是模块化应用于组合的传输/发射断层造影设备的检测装置专利的具体信息内容。
1.一种模块化地用于组合的传输/发送断层造影设备的检测装置,用于测 量在检测器内的传输X射线辐射和发射γ辐射,其中该检测装置至少具有3个 在辐射方向上叠加设置的、不同厚度的吸收层(Ax),用于检测吸收事件,其 特征在于,所有至少3个吸收层(Ax)都由一种材料构成,每个吸收层(Ax) 连接到可以向一个共用的分析单元传送所检测的吸收事件的测量值:位置x、 时间t和能量E的测量芯片(Cx),该分析单元可以从所传送的吸收事件的测量 值中分辨出CT、SPECT和PET信号,以及所述吸收层被分为多个检测单元。
2.根据权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所有吸收层(Ax)的 测量芯片(Cx)的构造相同。
3.根据权利要求2所述的检测装置,其特征在于,作为所述吸收层的共 同和唯一的材料采用半导体材料,优选为CdZnTe或CdTe。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置,其特征在于,将所述 测量芯片(Cx)构造为硅-CMOS芯片。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测装置,其特征在于,所述吸 收层(Ax)的层厚位于0.5mm到3cm的范围内。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的检测装置,其特征在于,位于上 面的吸收层(Al)具有至少主要检测在CT检查中采用的小于150keV、优选小 于100keV的低能量X射线辐射的层厚。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的检测装置,其特征在于,位于中 间的吸收层(A2)具有至少主要检测在CT检查和/或核医学中采用的、位于 100keV到300keV范围内、优选位于150keV到300keV范围内的X射线辐射或 γ辐射的层厚。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的检测装置,其特征在于,至少一 个位于下面的吸收层(A3)具有超过1cm的层厚,并且至少主要检测超过500keV 的γ辐射,优选511keV。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的检测装置,其特征在于,至少叠 加地设置5个吸收层(Ax)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的检测装置,其特征在于,至少叠 加地设置3个不同厚度的吸收层,其中层厚优选在辐射方向上逐渐增大。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的检测装置,其特征在于,所有 检测单元都构造为具有附加吸收事件能量分辨率的、对事件计数的检测单元。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的检测装置,其特征在于,至少 有两个吸收层(Ax)具有不同的分布,优选较薄的吸收层比较厚吸收层具有更 高的分布。
13.一种用于组合PET设备和/或SPECT设备的CT设备的检测器模块, 其特征在于,该检测器模块包含根据上述权利要求之一所述检测装置。
14.一种用于组合PET设备和/或SPECT设备的CT设备的检测器,其特 征在于,该检测器为模块化构造的,并具有多个根据权利要求13所述的检测器 模块(1),其中每个检测器模块(1)具有多个检测单元。
15.根据权利要求14所述的检测器,其特征在于,所述检测单元形成矩 阵形式的检测器行和列。
16.一种组合了PET设备和/或SPECT设备的CT设备,其特征在于,该 CT设备包括具有权利要求14或15所述特征的检测器。
本发明涉及一种模块化应用于组合的传输/发送断层造影设备、优选为 CT/PET/SPECT设备的检测装置,以测量检测器内的传输X射线辐射和发射γ 辐射,优选在40keV到1MeV的范围内,其中该检测装置至少具有三个在辐射 方向上叠加设置的、不同厚度的吸收层,用于检测吸收情况。
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