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EUV微光刻的强度适配滤光器、产生其的方法以及具有对应滤光器的照明系统

阅读：1014发布：2020-05-29

专利汇可以提供EUV微光刻的强度适配滤光器、产生其的方法以及具有对应滤光器的照明系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及一种光学系统的光学元件，该光学系统用在极紫外光或软 X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，该光学元件包括EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面垂直限定的厚度，其中吸收体层的厚度在光学有效表面上变化，以及由其粗糙度在表面上变化的反射镜的至少一个粗糙表面形成的反射镜。本发明还涉及EUV投射曝光设备的照明系统，涉及产生对应强度适配滤光器的方法，以及涉及对应滤光器的用途。，下面是EUV微光刻的强度适配滤光器、产生其的方法以及具有对应滤光器的照明系统专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种光学系统的光学元件，所述光学系统用极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，所述光学元件包括EUV或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于所述光学有效表面横向限定的厚度，其中所述吸收体层(12)被施加到基板上并且所述基板实施为反射镜(21)，其特征在于，
所述吸收体层的厚度在所述光学有效表面上变化并且所述反射镜包括布拉格反射器形式的反射层(21)，所述反射层沿着所述光学有效表面延伸并在所述光学有效表面之上适配于所述工作光的不同入射角。
2.根据权利要求1所述的光学元件，
其特征在于，
所述吸收体层(12)由多个部分层(22、23)构成，其特别地在吸收效应方面不同，其中优选地面向要过滤的辐射的入射侧的一个或多个所述吸收体部分层(23)比背离所述要过滤的辐射的入射侧的侧面的一个或多个所述吸收体部分层(22)具有更小的吸收。
3.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述光学元件包括覆盖层(23)，其特别是所述吸收体层(12)的部分。
4.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述吸收体层(12)包括来自包含Mo、Ru、Si、Si3N4、ZrN、SiC、B4C和Ni的组的一个或多个成分。
5.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述基板被结构化或者结构化层(20)布置为担当扩散器，其中特别是提供与结构化组合的平滑层。
6.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述反射层(21)实施为使得波长的带宽能够由所述反射层来反射，其中所述带宽在所述光学有效表面上变化。
7.根据前述权利要求中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述吸收体层在面向要过滤的辐射的入射侧的至少一个侧面处具有微结构，其中所述微结构的特征高度大于或等于所述工作光的波长的四分之一，由此抑制与驻波场干涉。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述吸收体层在面向要过滤的辐射的入射侧的至少一个侧面处具有限定的粗糙度，其中所述限定的粗糙度大于或等于所述工作光的波长的四分之一，由此抑制与驻波场干涉。
9.根据权利要求中任一项所述的光学元件，
其特征在于，
所述吸收体层是由与所述布拉格反射器的最外层的材料相同或不同的材料来制造的层，并且除了所述布拉格反射器的最外层外布置在所述最外层上，其中选择所述布拉格反射器的最外层的厚度，以便于导致所述布拉格反射器的最大反射率。
10.一种反射镜，特别是EUV投射曝光设备的照明系统的反射镜，包括强度适配滤光器，通过所述强度适配滤光器，由所述反射镜反射的强度在所述光学有效表面上变化，其中所述反射镜实施为根据权利要求1至9中任一项所述的光学元件和/或由所述反射镜的至少一个粗糙表面来形成，所述反射镜的粗糙度在所述表面上变化。
11.根据权利要求10所述的反射镜，
其特征在于，
所述反射镜包括主体和布拉格反射器形式的反射层(21)，所述反射层布置在所述主体上，其中在所述反射镜的主体和反射层之间的界面是所述粗糙表面，并且所述布拉格反射器被直接施加在所述粗糙表面上。
12.一种EUV投射曝光设备的照明系统，包括光源(1)、集光器反射镜(5)和场分面反射镜(4)，并且还包括强度适配滤光器(8、18)，特别是实施为根据权利要求1至9中任一项所述的光学元件或者实施为根据权利要求10和11中任一项所述的反射镜的强度适配滤光器，其特征在于，
所述强度适配滤光器实施为透射滤光器(8)并布置在从所述光源出发在光源和集光器反射镜之间的束路径中，或在所述集光器反射镜的下游或所述场分面反射镜的上游附近，或者在于，
所述强度适配滤光器(18)实施为具有反射镜的结构化单元中的光学元件或实施为反射镜并布置在从所述光源出发在光源和集光器反射镜之间的束路径中，或在所述集光器反射镜的下游或在具有所述集光器反射镜的结构化单元(15)中。
13.一种产生强度适配滤光器的方法，优选地用于EUV微光刻，特别是用于根据权利要求1至9中任一项所述的光学元件的形式的滤光器，其中产生EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于所述光学有效表面横向地限定的厚度，
其特征在于，
确定在所述光学有效表面上变化的吸收体层厚度，并且在产生所述吸收体层(12)期间设定所述吸收体层的变化的厚度和/或在产生所述吸收体层之后接着适配所述吸收体层的变化的厚度。
14.根据权利要求13所述的方法，
其特征在于，
所述吸收体层(12)在所述光学有效表面之上的厚度分布通过迭代测量并与参考比较和/或通过计算来确定。
15.一种强度适配滤光器的用途，特别是在用极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作的测量照明系统中，根据权利要求1至9中任一项所述的光学元件的形式的强度适配滤光器的用途，用于将所述工作光的强度和/或强度分布适配到其他照明系统。

说明书全文

EUV微光刻的强度适配滤光器、产生其的方法以及具有对应滤

光器的照明系统

[0001] 优先申请的交叉引用

[0002] 本申请要求2016年12月5日提交的德国专利申请DE 10 201 6224 113.3的优先权，其中所述申请的公开通过引用全部并入本文中。

[0003] 发明背景

技术领域

[0004] 本发明涉及EUV微光刻的强度适配滤光器、涉及包括强度适配滤光器的EUV投射曝光设备的照明系统、涉及产生强度适配滤光器的方法以及涉及对应的强度适配滤光器的用途。

背景技术

[0005] 为了产生附属于微电子和微系统工程的微结构和纳米结构部件，使用微光刻投射曝光设备，其中掩模母版由照明系统被照明并通过投射镜头被成像在晶片上，使得将包含在掩模母版上的结构以缩小的方式成像在晶片上，因此以便于通过光刻工艺在晶片上形成对应的结构。因为要成像的结构尺寸变得越来越小，还必须对应地增加投射曝光设备的分辨率能力。为此，在投射曝光设备中，可以使用具有越来越短波长的光，例如在具有5nm至15nm的波长的极紫外(EUV)波长光谱的范围中，或者在20pm至250pm的软X射线辐射的范围中。

[0006] 为了能够微光刻地产生小结构，必须确保以指定方式照明掩模母版。对应地，由光源提供的工作光必须在照明系统中调整，以便于在掩模母版的照明期间具有所需性质。作为示例，掩模母版尽可能均匀的照明旨在于通过照明系统来实现，使得在掩模母版平面中必须补偿在由光源提供的光的强度中的可能差异。

[0007] 此外，期望能够更换投射曝光设备的光源或其部分，使得需要将新光源的然后更改的发射特性适配于照明系统的可能性。作为示例，如果使用不同光源或采用不同集光器反射镜，则除了数值孔径的适配以外，这还可以在照明系统中需要光源的远场强度的适配。

发明内容

[0008] 本发明解决的问题

[0009] 因此，由本发明解决的问题在于提供以下可能性：特别是EUV投射曝光设备的EUV照明系统能够特别地关于光在掩模母版平面中的可实现强度分布进行光源的发射特性的适配，以便于能够优选地使用EUV照明系统的不同光源。这以相同方式应用于用软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作的设备。然而，发射特性与期望的照明性质(特别地关于掩模母版平面中的强度分布)的适配或者对照明系统的不同光源的影响的补偿旨在于以具有尽可能最少的费用的简单方式是可实现的，并且仍然产出令人满意的结果。

[0010] 技术方案

[0011] 该问题通过以下来解决：具有权利要求1的特征的光学元件和具有权利要求10所主张的强度适配功能的反射镜、以及产生具有权利要求13的特征的强度适配滤光器的方法。此外，本发明涉及具有权利要求12的特征的EUV投射曝光设备的照明系统，以及具有权利要求15的特征的强度适配滤光器的用途的方法。有利的实施例是从属权利要求的主题。

[0012] 为了补偿工作光(特别是在微光刻投射曝光设备的照明系统中使用的EUV光)的光强度和/或光强度分布中的差异，本发明提出了使用强度适配滤光器，与可见光范围中的中性滤光器或中性密度滤光器相似，其通过吸收使用的工作光使强度适配成为可能，具体而言在所用的波长范围中与波长无关。为了该目的，提出特别是强度适配滤光器的光学元件，包括使用的特别是EUV辐射的工作光的吸收体层，所述吸收体层沿着光学元件的光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面横向限定的厚度。吸收体层的所述厚度可以随光学有效表面而变化，以便于补偿由于不同工作光源的不同强度分布。在这种情况下，光学有效表面被认为是光学元件或滤光器由工作光或要过滤的光来辐照的表面。

[0013] 特别是如果光学元件实施为透射滤光器形式的强度适配滤光器，也就是说要过滤的工作光穿过光学元件辐射到照明系统的束路径中，则吸收体层可以被施加到基板上或吸收体层可以实施为自支撑。

[0014] 特别是在作为透射滤光器的实施例的情况下，吸收体层可以包括具有对于工作光的一个或多个波长反射降低效应的至少一个部分层。

[0015] 至少一个反射降低层可以沿着层来不同地实施，使得取决于工作光的局部入射角来优化反射降低效应。

[0016] 作为透射滤光器的替代例，光学元件还可以实施为反射强度适配滤光器形式的强度适配滤光器，其在照明系统的束路径中反射工作光。对应地，光学元件的或强度适配滤光器的基板(其上施加吸收体层)可以实施为反射镜，特别是EUV反射镜。

[0017] 吸收体层可以整体地实施或由多个部分层构成，其可以特别地在吸收效应方面是不同的。因为吸收体层旨在于提供以在光学有效表面(其上将工作光入射到照明系统的束路径中)之上分布的方式的不同吸收效应，通过使用吸收体层的多个部分层可以实现不同吸收效应的有利适配。就此而言，作为示例，一个部分层可以由具有高吸收效应的材料形成，而其他部分层可以由具有低吸收效应的材料形成。用于适配不同吸收效应的吸收体层的厚度的设定然后可以主要在具有低吸收效应的部分层中实行，使得可以降低厚度设定的准确度。对应地，由具有低吸收效应的材料构成的部分层可以特别地实施在对应光学元件的表面或强度适配滤光器的表面处，以便于能够以对应的简单方式处理表面部分层的厚度轮廓，而布置在下方并具有较高吸收效应的部分层使吸收效应的基本设定成为可能。

[0018] 此外，由多个部分层制成的吸收体层的实施例还可以用于以下效应：由执行覆盖层的功能并特别是相对于周围影响不敏感的材料构成的吸收体部分层，并且例如在光学元件或强度适配滤光器的表面处形成与氢和氧的化学反应。此外，还可以选择覆盖层的材料，使得表面易于清洁。

[0019] 吸收体层可以包括钼、钌、硅、Si3N4、ZrN、SiC、B4C和/或镍。

[0020] 光学元件或强度适配滤光器可以具有其他功能，诸如扩散器的功能，其中对应的扩散器效应可以通过将光学元件的基板或强度适配滤光器结构化或者施加对应的结构化层来实现。结构化层或结构化可以再次用适当的平滑层来平整，以便于施加随后的层，例如吸收体层。

[0021] 在作为反射滤光器的光学元件或强度适配滤光器的实施例的情况下，反射镜功能可以由具有不同折射率的多个交替布置的层的布拉格反射器的形式的反射层来实现。反射层(其像吸收体层一样同样沿着光学有效表面延伸)可以借助于在光学有效表面之上以适当的方式适配反射层的厚度比或其部分层的厚度比来在光学有效表面之上适配于工作光的不同入射角。

[0022] 此外，可以由反射层反射的波长的带宽还可以在光学有效表面之上变化。

[0023] 吸收体层的表面或面向工作光的入射侧的侧面可以具有微结构或具有限定的粗糙度。在吸收体层的结构化表面或侧面的情况下，微结构的特征高度可以大于或等于工作光的波长的四分之一。在这种情况下，特征高度被认为是关于表面横向地在最大凸起和最小凹陷之间的最大距离或平均距离。在配备有限定的粗糙度的吸收体层的表面或侧面的情况下，表面的均方根粗糙度(RMS)可以大于或等于工作光的波长的四分之一。

[0024] 在作为反射强度适配滤光器的光学元件或强度适配滤光器的实施例的情况下，强度适配滤光器在工作光的入射侧处的表面可以实施为足够粗糙以避免与布拉格反射器的驻波场干涉。对应地，粗糙度(特别是均方根粗糙度RMS)应该大于工作光的波长的四分之一。同样的应用于作为透射滤光器的实施例，在此，朝向真空的两个外表面的差异应该具有大于波长的四分之一的粗糙度。

[0025] 根据本发明的其他方面，为了独立地寻找保护并结合本发明的其他方面，提出其中集成了强度适配滤光器的功能的反射镜。

[0026] 为此，反射镜可以包括诸如对于反射强度适配滤光器已经描述的吸收体层，其中吸收体层沉积在具有大量部分层的布拉格反射器的形式的反射层的最外层上方，或沉积为以较大厚度实施的布拉格反射器的最外层。

[0027] 如果由比布拉格反射器所需更厚的最外层形成吸收体层，则通过首先确定最大布拉格反射所需的最外层的厚度，以及然后限定需要的强度适配所需的附加厚度，可以确定布拉格反射器的最外层的厚度，其中因此确定最外层的总厚度。

[0028] 为了制造，布拉格反射器的最外层首先可以用与用于旨在于实现最大程度降低反射的辐射的强度的厚度相对应的厚度，其中然后可以在光学表面的区域中通过材料移除来降低布拉格反射器的最外层的厚度，其中需要较小地降低反射的辐射的强度。在这种情况下，可以通过已知的方法以任何适合形式来实行材料移除。替代地，布拉格反射器的最外层的厚度可以通过局部沉积附加材料以位置相关方式来变化。特别地由与布拉格反射器的最外层不同的材料构成的附加吸收体层的沉积还可以通过局部沉积以位置相关方式来实行，以便于获得在光学有效表面之上变化的强度适配。变化厚度的层的位置相关沉积可以例如借助于克努森容器由分子束沉积来实现。

[0029] 将强度适配集成到反射镜中此外可以由通过形成粗糙的表面降低反射镜的反射率来实现，其中出于局部变化的强度适配的目的，界面的粗糙度可以在界面之上变化。这可以例如通过离子束修形(IBF)来处理表面来实现。然而，还可以使用粗糙表面的其他方法。界面可以是表面或内部界面。

[0030] 粗糙表面特别地可以是其上沉积布拉格反射器的反射镜的主体的表面，其中由于在粗糙表面上布拉格反射器的部分层的直接沉积，主体的粗糙表面的粗糙度持续到布拉格反射器中，并且由于布拉格反射器的减少的反射率，可以将强度适配集成到反射镜中。

[0031] 在可以例如用作具有不同光源的测量系统的对应的EUV照明系统中，光学元件或强度适配滤光器可以布置在光源和集光器反射镜之间或在从光源出发的集光器反射镜的下游的束路径中，或场分面反射镜的上游附近。后面的可能性仅应用于实施为透射滤光器的强度适配滤光器。对于反射强度适配滤光器，存在将其集成在集光器反射镜中的其他可能性。

[0032] 在制造(也就是说沉积吸收体层)期间，已经可以通过对应适配的对应沉积方法来产生光学元件或强度适配滤光器的吸收体层的变化层厚度。这可以借助于以下来完成：例如借助于关于涂覆源以适当的方式布置或相对于其移动的基板，其上旨在于沉积吸收体层，或者借助于提供对应的遮蔽光阑以便于产生吸收体层的不同层厚度。

[0033] 此外，吸收体层的变化层厚度或层厚度分布还可以通过随后处理已经产生的吸收体层来实现，例如通过离子束修形(IBF)的变化的移除。

[0034] 可以通过迭代测量在计算上和/或实验上确定吸收体层在光学有效表面之上变化的厚度。附图说明

[0035] 附图仅示意性地示出。

[0036] 图1是EUV投射曝光设备的第一照明系统的部分；

[0037] 图2是根据第二实施例的投射曝光设备的照明系统的部分；

[0038] 图3是根据本发明的第一实施例的EUV投射曝光设备的照明系统的部分；

[0039] 图4是根据本发明的第二实施例的EUV投射曝光设备的照明系统的部分的示意图；

[0040] 图5是根据本发明的第三实施例的EUV投射曝光设备的照明系统的部分的示意图；

[0041] 图6是根据本发明的第四实施例的EUV投射曝光设备的照明系统的部分的示意图；

[0042] 图7是根据本发明的第五实施例的EUV投射曝光设备的照明系统的部分的示意图；

[0043] 图8是根据本发明的第六实施例的EUV投射曝光设备的照明系统的部分的示意图；

[0044] 图9是根据本发明的强度适配滤光器的一个实施例的横截面视图；

[0045] 图10是图示了沿着线穿过本发明的滤光器的EUV辐射的透射率的图；

[0046] 图11是针对各种吸收体材料示出反射镜元件形式的强度适配滤光器的相对反射率的相关性的图；

[0047] 图12是示出了沿着滤光器上的线的吸收体层的厚度的轮廓，并相应地对应的吸收体层的厚度因子(右侧部分图)的图；

[0048] 图13是示出了在各种表面粗糙度的情况下，基于包括钌吸收体层的反射镜的根据本发明的滤光器元件的反射率与厚度的相关性的图；

[0049] 图14是示出了沿着根据本发明的强度适配滤光器的反射层的线的层厚度变化的图；

[0050] 图15在子图a)和b)中示出了反射率与基板和布拉格反射器之间的界面的粗糙度的相关性，以及表面的粗糙度与通过离子束修形的材料移除的相关性；以及[0051] 图16是产生根据本发明的强度适配滤光器的方法的流程图。

具体实施方式

[0052] 参考附图从以下的示例性实施例的详细描述，本发明的其他优点、特性和特征将变得清楚。然而，本发明不限于这些示例性实施例。特别地，即使单独的特征和部件与其他特征或部件一起描述为功能性或结构化关系，则该单独的特征和部件不仅公开在所描述的这些功能性或结构化关系中，而且公开为它们本身并与所有其他特征和/或组件组合。

[0053] 图1示出了EUV投射曝光设备的常规照明系统的部分，其包括使EUV光可用的等离子光源1以及将来自等离子体光源的EUV光指引到场分面反射镜4上的椭球面反射镜2。在3处示出中间焦点。

[0054] 图2示出了EUV投射曝光设备的相似照明系统的部分，其中再次提供EUV光的等离子体光源1′以及集光器反射镜5和场分面反射镜4。再次，同样，在3处存在中间焦点。

[0055] 图2的照明系统不同于图1的照明系统，因为使用不同EUV光源1，并且还因为使用不同于椭球面反射镜2的集光器反射镜5。此外，在图2的照明系统中提供等离子体光源1′的冷却装置。

[0056] 包括不同等离子体光源1、1′和不同反射镜2、5的照明系统的不同配置导致了照明系统中EUV光的不同强度分布，其旨在于通过使用强度适配滤光器来得到补偿，以便于在两个照明系统中获得可比较的条件。作为示例，图1的照明系统可以是旨在于用于实行EOS测量的测量系统，而图2的照明系统可以是用于投射曝光设备中的照明系统的部分。为了能够将图1的测量系统处的测量转移到图2的照明系统，并能够避免不同强度和不同强度分布的影响，可以使用对应的强度适配滤光器。这图示在图3至8中，其示出了照明系统的不同实施例，在该照明系统中，在不同位置处使用不同强度适配滤光器。

[0057] 就此而言，图3示出了照明系统的部分，其再次包括等离子体光源1、集光器反射镜5、中间焦点3和场分面反射镜4。滤光器形式的强度适配滤光器8(辐射可以穿过其传输)配备在集光器反射镜5下游的束路径中布置的远场10的区域中，然而所谓的杂物过滤器7布置在等离子体光源1和集光器反射镜5，所述杂物过滤器过滤出可能从等离子体光源1通行到束路径中的污染物。

[0058] 图4实质上示出了与图3相比较相同的照明系统的相同部分，但是在此再次实施为透射滤光器形式的强度适配滤光器8布置在场分面反射镜4处的远场11附近。

[0059] 图5示出了EUV投射曝光设备的照明系统中强度适配滤光器8的布置的其他可能性。在此强度适配滤光器8布置在等离子体光源1的远场9的附近。在图5的实施例的情况下的强度适配滤光器8的位置与图3和图4的实施例中杂物过滤器7的布置的位置对应，使得优选地强度适配滤光器8附加地具有杂物过滤器的功能，使得杂物过滤器7的功能和强度适配滤光器8的功能可以集成在单个过滤器中。然而，在不具有附加的杂物过滤器的情况下，还可以在图5中的对应位置中布置强度适配滤光器8。

[0060] 图6和7再次示出了具有强度适配滤光器的布置的EUV照明系统的部分，但是在此相应的强度适配滤光器18不是如在先前的示例性实施例中的透射滤光器(其中光辐射因此通过滤光器)，而在此是反射强度适配滤光器18(其中入射光辐射以一种方式来反射)。对应地，形成强度适配滤光器的吸收体层12布置在平面反射镜上，如下文将更加详细地描述。

[0061] 如可以从图6和7中获悉，强度适配滤光器18可以同样布置在EUV照明系统的不同位置处。在图6的示例性实施例中，强度适配滤光器18布置在等离子体光源1和集光器反射镜5之间、在等离子体光源1的远场9附近，其中杂物过滤器7附加地配备在强度适配滤光器18和等离子体光源1之间。至于其它，图6的实施例与图3至5中的那些实施例没有区别。

[0062] 在图7所示的EUV照明系统的实施例的情况下，相对于图6的实施例的差异仅在于以下事实：强度适配滤光器18布置在集光器反射镜5下游的束路径中。

[0063] 图8示出了强度适配滤光器15的其他实施例。在该示例中，强度适配滤光器与集光器反射镜组合以形成部件15，其中实现强度适配的吸收体层12布置在集光器反射镜上。

[0064] 尽管将强度适配的功能集成到具有其他功能的部件(诸如杂物过滤器或集光器反射镜)中就降低部件的数目而言是有利的，但是还出现了以下效果的缺点：制造变得更加复杂，并且在有缺陷的部件的情况下，必须更换具有多个功能的对应的复杂的部件。对应地，必须权衡可实现的优点和伴随的缺点。

[0065] 图9示出了诸如可以用于图6和7的实施例中的强度适配滤光器18。强度适配滤光器18是反射强度适配滤光器，其中入射光辐射(也就是说EUV光24)在反射层21处被反射。

[0066] 强度适配滤光器18因此包括实施为平面板的基板19。例如，在基板19上提供布拉格反射器形式的反射层21，其包括诸如钼和硅的不同材料的交替层。因为在反射层21的部分层处反射入射光24并适当选择部分层的厚度，所以反射的EUV光束的相长干涉发生。因为对应地选择由钼和硅构成的层对的数目或周期、在Mo/Si层系统中层厚度比的改变、其它材料的使用，或者因为变换到多层系统的较高谐波，或者因为周期性垂直层构造(所谓的Z分级)，因而可以改变反射光的带宽，并且反射层可以具有对应的窄带或宽带设计，使得仅在窄的波长和入射角范围(窄带)或者大的波长和入射角范围(宽带)中的光被反射。通过在强度适配滤光器的光学有效表面之上使反射层21的上述提及的参数变化，还可以实现反射的辐射的带宽在强度适配滤光器之上变化。

[0067] 结构化层20配备在反射层21下方，所述结构化层提供在其沉积期间继续布拉格反射器的部分层的结构，使得提供了入射光24的扩散器的效果，并因此影响入射光的反射强度。结构化层20的结构可以通过布拉格反射器的最外层上的平滑层来平整，以便于在结构化层20上方提供特别是随后吸收体层12的平滑表面。

[0068] 两部分的吸收体层12包括下部部分层22和表面层23，该吸收体层12在入射EUV光的方向上配备在反射层21上方。表面层23相对于下部部分层22的区别在于，其实施为使得可以更容易清洁污染物并对氢和氧有抗性。此外，在其吸收行为的情况下，同样地，表面层23可以相对于下部部分层22是不同的，并特别地带来EUV光的较低吸收。

[0069] 如从图9的示意图显而易见的，吸收体层12具有相对于表面横向限定的变化的层厚度d，在该表面中，EUV光照射在强度适配滤光器18上。变化的层厚度d导致了在强度适配滤光器18的光学有效表面之上变化的吸收行为，使得可以补偿照明系统的不同部件(诸如不同等离子体光源或集光器反射镜)的强度分布。

[0070] 图10示出了沿着强度适配滤光器18的光学有效表面上的线(其可以与图9的截面平面对应)的吸收体层12的透射行为的一个示例。在图9的示例性实施例中，强度适配滤光器18的光学有效表面相对于像平面横向地延伸。

[0071] 图10的透射图示出了：图9的示例性实施例的吸收体层12能够在强度适配滤光器18的中心处提供几乎100％的透射率，而透射率在边缘区域中显著地降低。

[0072] 图11示出了作为吸收体层的层厚度d的函数的不同材料的不同吸收行为的图。图11的图示出了在材料钼、钌和镍的不同厚度的吸收体层的情况下，例如来自图9的强度适配滤光器18的相对反射率。如从图11的示意图中直接显而易见的，在考虑的三种材料中，镍具有对EUV光的最高吸收，而钼具有对EUV光的最低吸收。

[0073] 图12在与左边轴线相关的左边曲线中示出了沿着强度适配滤光器的光学有效表面上的线的吸收体层的厚度，而与右边轴线相关的右边曲线示出了沿着图9的强度适配滤光器18的光学有效表面上的线的对应的吸收体层的厚度因子c。厚度因子在此限定为除以最小厚度的局部厚度。图12的曲线公开了以下事实：在钌作为吸收体材料的情况下，例如需要在2-3nm和70nm之间的吸收体层的层厚度，以便于产生图10中所示的透射率轮廓。绝对厚度的这个变化与多达22的相对层厚度改变(厚度因子c)对应。这示出了必须产生具有不同层厚度的吸收体层。为此，可以有利地选择如图9所示的吸收体层12的两部分或多部分构造，例如以便于通过具有强的吸收行为的下部部分层22(例如由镍构成的吸收体层)来确保高度的所需的吸收轮廓，并且以便于能够用具有较低的吸收率的其他吸收部分层23来精细调整吸收轮廓。吸收率越低，对于透射率的所需的不确定性可以允许的厚度误差更高。这个实施例因此关于相对于制造波动的稳健性是有利的。

[0074] 为了产生吸收体层的层厚度轮廓，可以使用通常的PVD方法(物理气相沉积PVD)或分子束沉积。

[0075] 附加地或替代地，在通过对应的处理(例如通过IBF(离子束修形)处理)的产生之后，吸收体层还可以被设定至期望的层厚度轮廓，

[0076] 在根据图9的示例性实施例的强度适配滤光器18中的具有两部分构造的吸收体层12的配置的情况下，可以由钌形成外部覆盖层23，其例如首先带来EUV光的较低吸收(参见上文)并且其次相对于环境影响是不敏感的。较低吸收还提供以下优点，对表面区域中层厚度的准确度的要求是较不严格的。

[0077] 此外，在对应的覆盖层23的情况下，还可以用期望的方式设定表面粗糙度。如从图13中显而易见的，在平面反射镜形式的反射强度适配滤光器的实施例的情况中和在过于平滑表面的情况下，可发生与反射层21的驻波场的干涉，使得随着增加的吸收体层，反射率将不会指数式降低，而是将在指数轮廓附近振荡，如图13中表面粗糙度rms＝0nm的曲线30中所示(rms(均方根)粗糙度)。因此只有如曲线32所示的表面粗糙度具有一定值(例如rms＝
3nm)，才导致如图13的曲线31中所示的反射率随吸收体层的层厚度几乎呈指数式降低。

[0078] 此外，如果覆盖层23足够厚和/或可以用简单的方式更新，则具有两部分的吸收体层12的强度适配滤光器18可以经受清洁或随后则更容易处理。此外，如果例如由于对应的部件(诸如集光器反射镜上的EUV反射层或强度适配滤光器的反射层)的老化的适配使得适配成为必要，则存在使强度适配滤光器的透射率更容易适配到更改的需求的可能性。特别地，还可以对具有中性滤光器的EUV照明系统的集光器反射镜上的层厚度误差和反射率轮廓进行补偿。

[0079] 图14示出了由于入射光的不同入射角，反射层可以具有层厚度轮廓。从此得到的入射角和层厚度轮廓可以以不同方向在层上变化。因此，在光学有效表面之上的反射层的相对层厚度改变或厚度因子c不等于1。图14的线图中的称为垂直层厚度因子c的层厚度因子(曲线40)和称为水平层厚度因子c的层厚度因子(曲线41)的曲线40和41示出了可以得到在反射镜之上的不同方向上的厚度因子c的不同轮廓。以与吸收体层相同的方法通过相对应的涂覆方法，可以获得反射层21或其部分层的在反射镜之上的不同层厚度轮廓。

[0080] 图15的子图a)和b)揭露了示出以下的线图：反射率与基板和布拉格反射器之间的界面的粗糙度的相关性，以及表面的粗糙度与通过离子束修形的材料移除的相关性。

[0081] 图16以流程图示出了强度适配滤光器的产生方法的顺序。附图标记50表示开始，并且在步骤51中，将具有预先确定的吸收体层的强度适配滤光器插入到对应的测量照明系统中。步骤52包含实行诸如EOS测量的对应的测量，例如其中根据框60检测器布置在光源的远场中。步骤53包含将测量结果与参考比较，其中根据框61参考值对应于参考源的远场。如果在步骤54中确定测量值对应于规范，则可以对应地使用强度适配滤光器，并且根据框55该方法结束。

[0082] 然而，如果强度适配滤光器不在规范内，则步骤56包含计算必须如何适配吸收体层的厚度。在步骤57中，将强度适配滤光器从测量照明系统中移除，并且在步骤58中，通过对应的涂覆或通过IBF(离子束修形)的移除来适配吸收体层的厚度。在步骤59中，再次将以这种方式处理的强度适配滤光器并入到测量照明系统中，以便于用步骤52和随后的步骤再次迭代进一步方法。重复对应的步骤，直到在步骤54中得出强度适配滤光器在规范内的决定。

[0083] 尽管已经基于示例性实施例详细地描述本发明，但是对于本领域技术人员显而易见的是，本发明不限于这些示例性实施例，当然只要没有背离所附的权利要求的保护范围，则以省略单独特征或者实现特征的不同组合的方式的修改是可能的。

[0084] 本公开包含所展示的单独特征的所有组合。特别地，本发明与具有以下特征或特征的组合的主题相关：

[0085] 1.一种光学系统的光学元件，该光学系统用在极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作，特别是EUV微光刻的光学系统，该光学元件包括EUV或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面横向限定的厚度，

[0086] 其中

[0087] 吸收体层的厚度在光学有效表面上变化。

[0088] 2.根据特征组合1的光学元件，

[0089] 其中

[0090] 吸收体层(12)被施加在基板上。

[0091] 3.根据前述特征组合中任一项的光学元件，

[0092] 其中

[0093] 光学元件是强度适配滤光器，特别是透射滤光器。

[0094] 4.根据特征组合3的光学元件，

[0095] 其中

[0096] 吸收体层(12)包括具有对于工作光的一个或多个波长的反射降低效应的至少一个部分层。

[0097] 5.根据特征组合4的光学元件，

[0098] 其中

[0099] 至少一个反射降低层以变化方式沿着层来实施，使得取决于工作光的局部入射角来优化反射降低效应。

[0100] 6.根据特征组合1或2的光学元件，

[0101] 其中

[0102] 基板实施为反射镜(21)。

[0103] 7.根据前述特征组合中任一项的光学元件，

[0104] 其中

[0105] 吸收体层(12)由多个部分层(22、23)构成，其特别地关于吸收效应不同，其中优选地面向要过滤的辐射的入射侧的一个或多个吸收体部分层(23)比背离要过滤的辐射的入射侧的侧面的一个或多个吸收体部分层(22)具有更小的吸收。

[0106] 8.根据前述特征组合中任一项的光学元件，

[0107] 其中

[0108] 光学元件包括覆盖层(23)，其特别是吸收体层(12)的部分。

[0109] 9.根据前述特征组合中任一项的光学元件，

[0110] 其中

[0111] 吸收体层(12)包括来自包含Mo、Ru、Si、Si3N4、ZrN、SiC、B4C和Ni的组的一个或多个成分。

[0112] 10.根据前述特征组合中任一项的光学元件，

[0113] 其中

[0114] 基板被结构化或者结构化层(20)布置为担当扩散器，其中特别是提供与结构化组合的平滑层。

[0115] 11.根据特征组合6至10中任一项的光学元件，

[0116] 其中

[0117] 反射镜包括以布拉格反射器形式的反射层(21)。

[0118] 12.根据特征组合11的光学元件，

[0119] 其中

[0120] 反射层(21)沿着光学有效表面延伸，并且在光学有效表面之上适配于工作光的不同入射角。

[0121] 13.根据特征组合11和12中任一项的光学元件，

[0122] 其中

[0123] 反射层(21)实施为使得波长的带宽能够由反射层来反射，其中带宽在光学有效表面上变化。

[0124] 14.根据前述特征组合中任一项的光学元件，

[0125] 其中

[0126] 吸收体层在面向要过滤的辐射的入射侧的至少一个侧面处具有微结构，其中微结构的特征高度大于或等于工作光的波长的四分之一，由此抑制与驻波场干涉。

[0127] 15.根据特征组合1至13中任一项的光学元件，

[0128] 其中

[0129] 吸收体层在面向要过滤的辐射的入射侧的至少一个侧面处具有限定的粗糙度，其中限定的粗糙度大于或等于工作光的波长的四分之一，由此抑制与驻波场干涉。

[0130] 16.根据特征组合11至15中任一项的光学元件，

[0131] 其中，

[0132] 吸收体层是由与布拉格反射器的最外层的材料相同或不同的材料来制造的层，并且除了布拉格反射器的最外层外布置在所述最外层上，其中选择布拉格反射器的最外层的厚度以便于导致布拉格反射器的最大反射率。

[0133] 17.一种反射镜，特别是EUV投射曝光设备的照明系统的反射镜，包括强度适配滤光器，通过该强度适配滤光器，由反射镜反射的强度在光学有效表面上变化，其中反射镜实施为根据特征组合6至16中任一项的光学元件和/或由其粗糙度在表面上变化的反射镜的至少一个粗糙表面来形成。

[0134] 18.根据特征组合17的反射镜，

[0135] 其中

[0136] 反射镜包括主体和布拉格反射器形式的反射层(21)，所述反射层布置在主体上，其中在反射镜的主体和反射层之间的界面是粗糙表面并且布拉格反射器被直接施加在粗糙表面上。

[0137] 19.一种EUV投射曝光设备的照明系统，包括光源(1)、集光器反射镜(5)和场分面反射镜(4)，并且还包括强度适配滤光器(8、18)，特别是实施为根据特征组合1至16中任一项的光学元件或者实施为根据特征组合17和18中任一项的反射镜的强度适配滤光器，[0138] 其中

[0139] 强度适配滤光器实施为透射滤光器(8)并布置在从光源出发在光源和集光器反射镜之间的束路径中，或在集光器反射镜的下游或场分面反射镜的上游附近，或者其中[0140] 强度适配滤光器(18)实施为具有反射镜的结构化单元的光学元件或实施为反射镜并布置在从光源出发在光源和集光器反射镜之间的束路径中，或在集光器反射镜的下游或在具有集光器反射镜的结构化单元(15)中。

[0141] 20.一种产生强度适配滤光器的方法，优选地用于EUV微光刻，特别是用于根据特征组合1至16中任一项的光学元件的形式的滤光器，其中产生EUV辐射或软X射线辐射的吸收体层(12)，所述吸收体层沿着光学有效表面延伸并具有相对于光学有效表面横向地限定的厚度，

[0142] 其中

[0143] 确定在光学有效表面上变化的吸收体层厚度，并且在产生吸收体层(12)期间设定吸收体层的变化的厚度和/或在产生吸收体层之后接着适配吸收体层的变化的厚度。

[0144] 21.根据特征组合20的方法，

[0145] 其中

[0146] 通过迭代测量并与参考比较和/或通过计算来确定吸收体层(12)在光学有效表面之上的厚度分布。

[0147] 22.一种强度适配滤光器的用途，特别是在用极紫外光或软X射线辐射的波长光谱中的工作光来操作的测量照明系统中，根据特征组合1至16中任一项的光学元件的形式的强度适配滤光器的用途，用于将工作光的强度和/或强度分布适配到其他照明系统。

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