技术领域
[0001] 本
发明涉及一种在晶片支承面上具有槽的静电吸盘。
背景技术
[0002] 以往公知的是，气体滞留在晶片和静电吸盘的晶片支承面之间，这会对晶片处理工序产生不良影响。
[0003] 作为针对所述问题的对策，如
专利文献1所述的，在晶片支承面上形成有用于将滞留在构件间的气体向外部排出的槽。
[0004] 专利文献1的形成在晶片支承面上的槽是直线状或螺旋状的槽，从支承面的中央到外边缘形成为放射状。
[0005] 如果考虑气体的排出，则希望遍及支承面的大范围地形成槽，但是仅简单地增加槽的个数，晶片支承面对晶片的支承会变得不稳定。
[0007] 专利文献1：日本专利公开
公报特开2006-179693
[0008] 专利文献2：日本专利公开公报特开2012-216625
发明内容
[0009] 本发明提供一种静电吸盘，能够遍及晶片支承面的大范围地形成槽，并且能够稳定地支承晶片
[0010] 本发明提供一种静电吸盘，其具有晶片支承面，在所述支承面上形成有多个槽，所述槽之间相互连通。
[0011] 由于在晶片支承面上形成有多个槽，并且所述多个槽相互连通，所以与独立地形成槽的结构相比，能够用较少个数的槽遍及支承面的大范围地有效地排出气体。此外，由于槽的个数少，所以支承晶片下表面的面积变大，能够稳定地支承晶片。
附图说明
[0012] 图1是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的一个结构例的俯视图。
[0013] 图2是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的另一个结构例的俯视图。
[0014] 图3是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的又一个结构例的俯视图。
[0015] 图4是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的又一个结构例的俯视图。
[0016] 图5是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的又一个结构例的俯视图。
[0017] 图6是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的又一个结构例的俯视图。
[0018] 图7是表示形成在静电吸盘的晶片支承面上的槽的又一个结构例的俯视图。
[0019] 附图标记说明
[0020] E 静电吸盘
[0021] H 凹部
[0022] G1 径向的槽
[0023] G2 周向的槽
[0024] S 支承面
[0025] T 横孔
具体实施方式
[0026] 参照图1对本发明的静电吸盘E的结构进行说明。
[0027] 图1是从上方观察静电吸盘E时的俯视图。在圆形的晶片支承面S上支承未图示的晶片。在该晶片支承面S上形成有槽，该槽与专利文献1同样地用于排出滞留在晶片和支承面之间的气体。
[0028] 在晶片支承面S上形成有两种槽。具体地说，是沿晶片支承面S的径向形成的槽G1和沿晶片支承面S的周向形成的槽G2。这些槽相互连通，通过径向的槽G1将滞留在构件间的气体向外部排出。
[0029] 如果考虑气体的排出，则希望遍及晶片支承面S的大范围地形成槽。如专利文献1所述的，在仅沿晶片支承面的径向形成槽的情况下，如果想要遍及晶片支承面的大范围地形成槽，则需要形成大量的槽。
[0030] 但是，由于槽的个数增加会使支承晶片下表面的面积减少，晶片的支承会变得不稳定，所以为了稳定地支承晶片而希望减少槽的个数。
[0031] 考虑这些方面，如图1所示，如果除了径向的槽G1以外，还形成周向的槽G2，则能够用较少数量的槽，遍及晶片支承面的整个区域地容易地形成槽，并且不会有损于晶片支承的
稳定性。
[0032] 本发明中所说的周向的槽G2也可以是图2所示的槽。
[0033] 在图2中，形成在由径向的槽G1划分的晶片支承面S的各区域的周向的槽G2沿周向以不连续的方式形成。即使是这样的不连续的槽，也能够起到与图1所示的结构相同的效果。
[0034] 但是，在简单地进行槽加工的方面，如图1所示，将周向的槽G2形成为包围晶片支承面S的中心的封闭的槽是好的。
[0035] 在图1中，周向的槽G2的个数是一个，但是也可以如图3所示设置多个。但是，在周向的槽G2的个数增加了的情况下，产生用虚线圆描绘的多个交点。
[0036] 对于所述交点，由于在槽加工方面形成在交点的
角部发圆，所以与其他部位相比槽宽度变宽。由于如果槽宽度变宽，则在槽上方不能支承晶片的部位变大，在与宽度宽的槽相对的晶片的部位产生大的弯曲。
[0037] 因此，希望减少槽之间的交点的个数。
[0038] 另外，在此所说的交点并不是指槽之间连通的三叉路的交叉点，而是指槽之间交叉并形成四叉路以上时的交叉点。
[0039] 为了减少交点的个数并抑制槽宽度的变宽来稳定地支承晶片，如图4所示，在槽之间相互连通的情况下，形成三叉路。
[0040] 如图5所示，有时除了槽G1、G2以外，还在晶片支承面S上形成有凹部H。所述凹部H例如是插入固定件(
螺栓)的孔，所述固定件用于将具有晶片支承面S的构件固定在设置于该构件下方的
基座构件(未图示)上。
[0041] 如果形成有所述凹部H，则气体有可能滞留于该凹部H。因此，如图5所示，如果使周向的槽G2与这样的凹部H连通，则可以防止气体滞留在凹部H。
[0042] 另外，在图5的结构中，周向的槽G2与凹部H连通，但是也可以使径向的槽G1与所述凹部H连通。
[0043] 作为滞留在晶片和晶片支承面之间的气体的产生主要原因，在专利文献1中例举了附着在晶片上的
水以及
吸附在晶片上的气体，但是除此以外，附在支承在专利文献2中所记载那样的静电吸盘E上的晶片面上的保护膜也可以成为滞留在晶片和晶片支承面之间的气体的产生主要原因。
[0044] 此外，在专利文献1中公开了通过设置在静电吸盘E上的加热器使晶片升温时会产生气体，但是有时除了加热器以外，也会使晶片升温。例如，通过在晶片处理工序中使晶片表面暴露在
等离子体中或向晶片表面照射离子束，也会使晶片
温度上升。
[0045] 因此，本发明的静电吸盘无需一定像专利文献1那样具有加热器。
[0046] 在图1、图3～图5中，作为周向的槽形状描绘了圆形的槽，但是形状并不限定于圆形，也可以是椭圆形，还可以是五边、六边等多边形。
[0047] 在所述实施方式中，假设了切削支承面来形成槽，但是也可以局部
覆盖支承面并将未被覆盖的部位作为槽。
[0048] 在大量晶片的处理工序中，在
离子注入工序中要求以规定的角度向晶片表面照射离子束，注入角度的容许范围是±0.5°左右，条件严格。
[0049] 如果晶片的厚度是数十微米，则即使槽部分处的晶片的弯曲量非常小，针对晶片表面的离子束的照射角度也会变成容许范围外。
[0050] 晶片的弯曲量并不是与槽深度相关，而是与支承晶片下表面的槽宽度有很大关系。
[0051] 考虑这些方面，在离子注入工序中作为实用性的槽宽度优选的是在1～2mm的范围内。
[0052] 此外，如图6的(A)所示，可以相对于凹部H形成横孔T。该横孔T在静电吸盘E的表面沿水平方向延伸并与静电吸盘E的外侧连通，用于将滞留在凹部H的气体向静电吸盘E的外部排出。
[0053] 在形成有所述横孔T的情况下，所述横孔T形成在晶片支承面S的下方未形成有槽的平面上。
[0054] 形成在一个凹部H的横孔T的个数并不限定于一个，可以是多个。此外，在具有多个凹部H的情况下，如果设置与静电吸盘E的外侧连通的横孔T，并且如图6的(B)所示以连接各凹部H的方式设置横孔T，则可以减少横孔T的数量。
[0055] 此外，本发明的槽G并不限定于在所述实施方式中说明的径向的槽G1和周向的槽G2。例如，如图7所示，也可以形成将晶片支承面S划分成大体格子状的槽G。
[0056] 此外，本发明并不限定于所述实施方式，可以在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种
变形。
[0057] 可以相互组合本发明的各个实施方式(
实施例)中所记载的技术特征形成新的技术方案。
