压力传感器芯片
阅读：242发布：2021-10-25
专利汇可以提供压力传感器芯片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且在本 发明 的压 力 传感器 芯片中，以包围低压差压用隔膜(1)的周围的方式设置圆环状的隔膜作为高压差压用隔膜(2)。将向低压差压用隔膜(1)的一面的测定压力(Pa)分支传导到高压差压用隔膜(2)的一面，将向低压差压用隔膜(1)的另一面的测定压力(Pb)分支传导到高压差压用隔膜(2)的另一面。由此，能够实现差压的测定量程多样化。，下面是压力传感器芯片专利的具体信息内容。
1.一种压力传感器芯片，其特征在于，具备：
基板；
第1种传感器隔膜，其形成于所述基板的中央部，并输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号；
第2种传感器隔膜，其在所述基板上与所述第1种传感器隔膜间隔开地形成，并输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号；
第1保持构件和第2保持构件，其以夹着所述第2种传感器隔膜相对的方式，接合到所述基板的一面和另一面；
第1导压孔，其设置于所述第1保持构件，并将第1测定压力传导到所述第1种传感器隔膜的一面；
第2导压孔，其设置于所述第2保持构件，并将第2测定压力传导到所述第1种传感器隔膜的另一面；
第1凹部，其设置于所述第1保持构件，并阻止对所述第1种传感器隔膜施加过大压力时的该第1种传感器隔膜的过度的位移；
第2凹部，其设置于所述第2保持构件，并阻止对所述第1种传感器隔膜施加过大压力时的该第1种传感器隔膜的过度的位移；
第1室，其作为与所述第2种传感器隔膜的一面相对的空间而设置于所述第1保持构件的周缘部，并被传导向所述第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力中的某一压力；以及
第2室，其作为与所述第2种传感器隔膜的另一面相对的空间而设置于所述第2保持构件的周缘部，并被传导向所述第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力中的另一压力。
2.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，
所述第2种传感器隔膜是以包围所述第1种传感器隔膜的周围的方式连续设置的环状的隔膜。
3.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，
所述第2种传感器隔膜是以包围所述第1种传感器隔膜的周围的方式分割设置的环状的隔膜。
4.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，
所述第2种传感器隔膜是设置在所述第1种传感器隔膜的周围的一部分的隔膜。
5.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，
所述第2种传感器隔膜的受压灵敏度低于所述第1种传感器隔膜的受压灵敏度。
6.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，
具备多个所述第2种传感器隔膜，
所述多个第2种传感器隔膜的受压灵敏度低于所述第1种传感器隔膜的受压灵敏度，其受压灵敏度阶段性地降低。
7.根据权利要求1所述的压力传感器芯片，其特征在于，
所述第1保持构件在内部具有与所述第1导压孔的周部连通的非接合区域，所述第1保持构件的内部的非接合区域被设置为将与所述基板的一面平行的面的一部分分成相对的第1面和第2面的区域，
在所述第1保持构件的内部的非接合区域的相对的第1面和第2面的至少一面上，离散地形成有多个凸部，
形成于所述第1保持构件的多个凸部和凸部之间的通路被设为所述第1导压孔的周部与所述非接合区域的周端部之间的连通路径，
所述第2保持构件在内部具有与所述第2导压孔的周部连通的非接合区域，所述第2保持构件的内部的非接合区域被设置为将与所述基板的另一面平行的面的一部分分成相对的第1面和第2面的区域，
在所述第2保持构件的内部的非接合区域的相对的第1面和第2面的至少一面上，离散地形成有多个凸部，
形成于所述第2保持构件的多个凸部和凸部之间的通路被设为所述第2导压孔的周部与所述非接合区域的周端部之间的连通路径。
压力传感器芯片
技术领域
[0001] 本发明涉及一种使用输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号的传感器隔膜的压力传感器芯片，例如涉及在受到压力而进行位移的薄片状的隔膜上形成电阻应变计并根据形成于隔膜的电阻应变计的电阻值变化来检测施加于隔膜的压力的压力传感器芯片。
背景技术
[0002] 以往以来，作为工业用的差压传感器，使用组装了压力传感器芯片的差压传感器，该压力传感器芯片使用输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号的传感器隔膜。
[0003] 该差压传感器构成为通过作为压力传递介质的封入液体将对高压侧和低压侧的受压隔膜施加的各测定压力传导到传感器隔膜的一面和另一面，将该传感器隔膜的应变作为例如电阻应变计的电阻值变化来检测，将该电阻值变化变换成电信号并取出。
[0004] 作为该差压传感器的一种，存在不仅能够测定差压还能够测定静压的差压静压复合传感器。在该差压静压复合传感器中，在形成于基板的中央部的差压用隔膜的外周，形成圆轮上的静压用隔膜(例如，参照专利文献1)。在该差压静压复合传感器中，使对差压用隔膜的一面或者另一面的测定压力进行分支，并将其传导到另一面被设成基准压力的静压用隔膜的一面，从而不仅能够检测差压，还能够检测静压。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1：日本特开2010-91384号公报
发明内容
[0008] 发明要解决的技术问题
[0009] 在这种传感器中，其隔膜的纵横比决定灵敏度和耐压，所以通过改变纵横比，其测定量程被划分。因此，一般来说，如果将纵横比不同、即量程不同的隔膜搭载于1个芯片，则能够实现上述那样的差压静压复合传感器(差压静压的多变量传感器)。然而，在这种传感器中，差压的测定量程的多样化较难，未能实现差压的多量程传感器。
[0010] 本发明的目的在于提供一种能够实现差压的测定量程多样化的压力传感器芯片。
[0011] 解决技术问题的技术手段
[0012] 本发明的压力传感器芯片包括：基板；第1种传感器隔膜，其形成于基板的中央部，并输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号；第2种传感器隔膜，其在基板上与第1种传感器隔膜间隔开地形成，并输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号；第1保持构件和第2保持构件，其以夹着第2种传感器隔膜相对的方式，接合到基板的一面和另一面；第1导压孔，其设置于第1保持构件，并将第1测定压力传导到第1种传感器隔膜的一面；第2导压孔，其设置于第2保持构件，并将第2测定压力传导到第1种传感器隔膜的另一面；第1凹部，其设置于第1保持构件，并阻止对第1种传感器隔膜施加过大压力时的该第1种传感器隔膜的过度的位移；第2凹部，其设置于第2保持构件，并阻止对第1种传感器隔膜施加过大压力时的该第1种传感器隔膜的过度的位移；第1室，其作为与第2种传感器隔膜的一面相对的空间而设置于第1保持构件的周缘部，并被传导向第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力中的某一压力；以及第2室，其作为与第2种传感器隔膜的另一面相对的空间而设置于第2保持构件的周缘部，并被传导向第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力中的另一压力。
[0014] 图1是示出本发明的压力传感器芯片的第1实施方式(实施方式1)的概略的图。
[0015] 图2是示出实施方式1的压力传感器芯片的基板的低压差压用隔膜及高压差压用隔膜的配置例的图。
[0016] 图3是示出在实施方式1的压力传感器芯片中的阻挡构件的内部的非接合区域离散地形成的多个凸部的形状的俯视图。
[0017] 图4是示出在实施方式1的压力传感器芯片中的阻挡构件的内部的非接合区域离散地形成的多个凸部的形状的另一例的俯视图。
[0018] 图5是示出在实施方式1的压力传感器芯片中，低压差压用隔膜在阻挡构件的凹部触底之后的状态的图。
[0019] 图6是示出本发明的压力传感器芯片的第2实施方式(实施方式2)的概略的图。
[0020] 图7是示出在实施方式2的压力传感器芯片中，将阻挡构件的内部的环状的槽设为狭缝状(矩形状剖面)的例子的图。
[0021] 图8是示出实施方式2的压力传感器芯片中，将阻挡构件的内部的环状的槽设为使半圆以上的槽与半圆以下的槽错开而成的形状的例子的图。
[0022] 图9是示出实施方式2的压力传感器芯片中，低压差压用隔膜在阻挡构件的凹部触底之后的状态的图。
[0023] 图10是示出本发明的压力传感器芯片的第3实施方式(实施方式3)的概略的图。
[0024] 图11是示出高压差压用隔膜的其他结构例的图。
[0025] 图12是示出高压差压用隔膜的其他结构例的图。
[0026] 图13是示出设置第1段高压差压用隔膜和第2段高压差压用隔膜的例子的图。
[0027] 图14是示出设置第1段高压差压用隔膜和第2段高压差压用隔膜的情况的其他结构例的图。
[0028] 图15是示出设置第1段高压差压用隔膜和第2段高压差压用隔膜的情况的其他结构例的图。
[0029] 图16是示出本发明的压力传感器芯片的第4实施方式(实施方式4)的概略的图。
具体实施方式
[0030] 首先，对本发明的压力传感器芯片的概要进行说明。
[0031] 本发明的压力传感器芯片包括：基板；第1种传感器隔膜，其形成于基板的中央部，并输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号；第2种传感器隔膜，其在基板上与第1种传感器隔膜间隔开地形成，并输出与在一面和另一面受到的压力差相应的信号；第1保持构件和第2保持构件，其以夹着第2种传感器隔膜相对的方式，接合到基板的一面和另一面；第1导压孔，其设置于第1保持构件，并将第1测定压力传导到第1种传感器隔膜的一面；第2导压孔，其设置于第2保持构件，并将第2测定压力传导到第1种传感器隔膜的另一面；第1凹部，其设置于第1保持构件，并阻止对第1种传感器隔膜施加过大压力时的该第1种传感器隔膜的过度的位移；第2凹部，其设置于第2保持构件，并阻止对第1种传感器隔膜施加过大压力时的该第1种传感器隔膜的过度的位移；第1室，其作为与第2种传感器隔膜的一面相对的空间而设置于第1保持构件的周缘部，并被传导向第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力中的某一压力；以及第2室，其作为与第2种传感器隔膜的另一面相对的空间而设置于第2保持构件的周缘部，并被传导向第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力中的另一压力。
[0032] 在本发明的上述压力传感器芯片中，第1测定压力被传导到第1种传感器隔膜的一面，第2测定压力被传导到第1种传感器隔膜的另一面。由此，第1种传感器隔膜输出与第1测定压力和第2测定压力的压力差对应的信号。另一方面，向第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力的某一方被传导到第2种传感器隔膜的一面，向第1种传感器隔膜的一面的第1测定压力和向另一面的第2测定压力的另一方被传导到第2种传感器隔膜的另一面。由此，第2种传感器隔膜输出与第1测定压力和第2测定压力的压力差对应的信号。即、在本发明的上述压力传感器芯片中，第1种传感器隔膜构成检测第1测定压力和第2测定压力的压力差的第1差压传感器，第2种传感器隔膜构成检测第1测定压力和第2测定压力的压力差的第2差压传感器。
[0033] 在本发明的上述压力传感器芯片中，使第2种传感器隔膜的受压灵敏度低于第1种传感器隔膜的受压灵敏度的话，能够将从第1种传感器隔膜得到的压力差作为低压量程的差压、将从第2种传感器隔膜得到的压力差作为高压量程的差压进行输出。即、能够在施加低压差压时，利用第1种传感器隔膜高精度地测定该差压，在施加高压差压时，利用第2种传感器隔膜高精度地测定该差压，因此，能够实现差压的测定量程的多样化。
[0034] 另外，在施加高压差压时，过大压力被施加到第1种传感器隔膜，但在第1保持构件和第2保持构件设置有阻止第1种传感器隔膜的过度位移的凹部，因此不会被破坏。
[0035] 以下，根据附图，详细说明本发明的压力传感器芯片的实施方式。
[0036] 〔实施方式1〕
[0037] 图1是示出本发明的压力传感器芯片的第1实施方式(实施方式1)的概略的图。在该图中，11-1是作为基台的基板，11-2和11-3是夹着基板11-1而接合了的作为保持构件的第1阻挡构件和第2阻挡构件，11-4和11-5是与阻挡构件11-2和11-3接合了的第1台座和第2台座。阻挡构件11-2、11-3、台座11-4、11-5由硅、玻璃等构成。
[0038] 在该压力传感器芯片11A中，在基板11-1处，通过干法蚀刻，形成低压差压用隔膜1作为第1种传感器隔膜，形成高压差压用隔膜2作为第2种传感器隔膜。
[0039] 图2示出基板11-1处的低压差压用隔膜1和高压差压用隔膜2的配置例。在该例子中，在基板11-1的中央部设置圆形的隔膜作为低压差压用隔膜1，以包围该圆形的低压差压用隔膜1的周围的方式设置圆环状的隔膜作为高压差压用隔膜2。
[0040] 在本实施方式中，高压差压用隔膜2的受压面的面积小于低压差压用隔膜1的受压面的面积。即、高压差压用隔膜2的受压灵敏度低于低压差压用隔膜1的受压灵敏度。
[0041] 设置有该低压差压用隔膜1和高压差压用隔膜2的基板11-1被夹在阻挡构件11-2和阻挡构件11-3之间。即、以使阻挡构件11-2和阻挡构件11-3在基板11-1的一面和另一面夹着形成于基板11-1的中央部的低压差压用隔膜1和高压差压用隔膜2相对的方式，接合阻挡构件11-2和阻挡构件11-3。
[0042] 在阻挡构件11-2的周缘部，设置有作为与高压差压用隔膜2的一面相对的空间(圆环状的空间)的室3。在阻挡构件11-3的周缘部，设置有作为与高压差压用隔膜2的另一面相对的空间(圆环状的空间)的室4。以下，将设于阻挡构件11-2的室3称为第1室、将设于阻挡构件11-3的室4称为第2室。
[0043] 在本实施方式中，高压差压用隔膜2的与第1室3相对的一面的宽度、即与高压差压用隔膜2的一面相对的第1室3的宽度W1与高压差压用隔膜2的与第2室4相对的另一面的宽度、即与高压差压用隔膜2的另一面相对的第2室4的宽度W2相等。
[0044] 另外，在阻挡构件11-2的中央部，设置有作为与低压差压用隔膜1的一面相对的空间的室5。在阻挡构件11-3的中央部，设置有作为与低压差压用隔膜1的另一面相对的空间的室6。
[0045] 室5和6是通过与低压差压用隔膜1的一面和另一面对峙的凹部11-2a和11-3a形成的空间。该凹部11-2a和11-3a具有沿着低压差压用隔膜1的位移的曲面(非球面)的形状。
[0046] 针对室5和6，压力导入孔(导压孔)11-2b和11-3b形成在凹部11-2a和11-3a的顶部。另外，在台座11-4、11-5上的与阻挡构件11-2、11-3的导压孔11-2b、11-3b对应的位置形成有压力导入孔(导压孔)11-4a、11-5a。
[0047] 在该压力传感器芯片11A中，阻挡构件11-2在内部具有与导压孔11-2b的周部连通的非接合区域SA1。该非接合区域SA1被设置为将与基板11-1的一面平行的面PL的一部分分成相对的第1面PL1和第2面PL2的区域。
[0048] 又，如图3所示，在该非接合区域SA1的相对的第1面PL1和第2面PL2的至少一面(在该例子中，为第1面PL1)上，离散地形成有多个凸部(柱)12。该多个凸部12和凸部12之间的通路(槽)13作为导压孔11-2b的周部和非接合区域SA1的周端部14之间的连通路径。在该例中，凸部12为圆柱状，但也可以如图4所示为六棱柱状等。
[0049] 在该例中，阻挡构件11-2被与基板11-1的一面平行的面PL一分为二。即、通过将设有该非接合区域SA1的面PL的除去非接合区域SA1的区域SB1彼此接合，将该一分为二的一个阻挡构件11-21和另一个阻挡构件11-22形成为一个阻挡构件11-2。由此，与基板11-1的一面平行的面PL被划分为与导压孔11-2b的周部连通的非接合区域SA1和与导压孔11-2b的周部不连通的接合区域SB1。
[0050] 阻挡构件11-3也与阻挡构件11-2一样在内部具有与导压孔11-3b的周部连通的非接合区域SA2。该非接合区域SA2被设置为将与基板11-1的另一面平行的面PL的一部分分成相对的第1面PL1和第2面PL2的区域。
[0051] 另外，在非接合区域SA2的相对的第1面PL1和第2面PL2的至少一面(在该例子中，为第1面PL1)上，与阻挡构件11-2的非接合区域SA1一样离散地形成有多个凸部(柱)12。该多个凸部12和凸部12之间的通路(槽)13作为导压孔11-3b的周部和非接合区域SA2的周端部14之间的连通路径。在该例中，凸部12为圆柱状，但也可以为六棱柱状等。
[0052] 在该例中，阻挡构件11-3被与基板11-1的另一面平行的面PL一分为二。即、通过将设有非接合区域SA2的面PL的除去非接合区域SA2的区域SB2彼此接合，将该一分为二的一个阻挡构件11-31和另一个阻挡构件11-32形成为一个阻挡构件11-3。由此，与基板11-1的另一面平行的面PL被划分为与导压孔11-3b的周部连通的非接合区域SA2和与导压孔11-3b的周部不连通的接合区域SB2。
[0053] 在阻挡构件11-2中，第1室3与凹部11-2a一起设于阻挡构件11-21。在第1室3和非接合区域SA1之间形成有压力导入孔(导压孔)11-2c。又，在阻挡构件11-3中，第2室4与凹部11-3a一起设于阻挡构件11-31。在第2室4和非接合区域SA2之间形成有压力导入孔(导压孔)11-3c。在在该例中，如图1所示，在剖视图中，导压孔11-2c和11-3c在导压孔11-2b、11-
3b的左右设有两处。
3b的左右设有两处。
[0054] 在该压力传感器芯片11A中，测定压力Pa通过阻挡构件11-2的导压孔11-2b被倒入室5的内部，测定压力Pb通过设于阻挡构件11-3的导压孔11-3b被传导到室6的内部。由此，低压差压用隔膜1产生与被传导到室5的内部的测定压力Pa和被传导到室6的内部的测定压力Pb的差相当的位移。由于该位移而在低压差压用隔膜1的边缘部产生的应力作为差压ΔP而根据设于低压差压用隔膜1的边缘部的压电电阻元件(未图示)的电阻值的变化而被检测出来。
[0055] 另一方面，在该压力传感器芯片11A中，测定压力Pa通过导压孔11-2b被传导到设于阻挡构件11-2的内部的非接合区域SA1，被传导到该非接合区域SA1的测定压力Pa通过导压孔11-2c被传导到与高压差压用隔膜2的一面相对的第1室3。
[0056] 另外，测定压力Pb通过导压孔11-3b被传导到设于阻挡构件11-3的内部的非接合区域SA2，被传导到该非接合区域SA2的测定压力Pb通过导压孔11-3c被传导到与高压差压用隔膜2的另一面相对的第2室4。
[0057] 由此，高压差压用隔膜2产生与被传导到室3的内部的测定压力Pa与被传导到室4的内部的测定压力Pb的差相当的位移。由于该位移而在高压差压用隔膜2的边缘部产生的应力作为差压ΔP而根据设于图2所示的高压差压用隔膜2的边缘部的压电电阻元件ra1～ra4的电阻值的变化而被检测出来。
[0058] 在本实施方式中，高压差压用隔膜2的受压灵敏度低于低压差压用隔膜1的受压灵敏度。因此，在施加低压差压时，虽然低压差压用隔膜1产生与差压ΔP相当的位移，但高压差压用隔膜2却没有产生与差压ΔP相当的位移。在施加高压差压时，低压差压用隔膜1的过度位移被设于阻挡构件11-2和11-3的凹部11-2a和11-3a阻止，因此，虽然低压差压用隔膜1没有产生与差压ΔP相当的位移，但高压差压用隔膜2却产生与差压ΔP相当的位移。
[0059] 这样一来，在本实施方式中，由于高压差压用隔膜2的受压灵敏度低于低压差压用隔膜1的受压灵敏度，从低压差压用隔膜1得到的压力差ΔP作为低压量程的差压ΔPL被输出，从高压差压用隔膜2得到的压力差ΔP作为高压量程的差压ΔPH被输出。
[0060] 由此，在施加低压差压时，利用低压差压用隔膜(第1种传感器隔膜)1，低压差压用隔膜1的差压被高精度地测定。另外，在施加高压差压时，利用高压差压用隔膜(第2种传感器隔膜)2，高压差压用隔膜2的差压被高精度地测定。由此，实现差压的测定量程的多样化。
[0061] 又，在施加高压差压时，虽然低压差压用隔膜1被施加过大压力，但，低压差压用隔膜1的过度位移被设于阻挡构件11-2和11-3的凹部11-2a和11-3a阻止，从而不会遭到破坏。
[0062] 例如，在该压力传感器芯片11A中，将测定压力Pb设为高压侧的测定压、将测定压力Pa设为低压侧的测定压的情况下，如果对低压差压用隔膜1的另一面施加高压侧的测定压力Pb，则低压差压用隔膜1向阻挡构件11-2侧发生挠曲。此时，针对阻挡构件11-3，向与低压差压用隔膜1发生挠曲的方向相反的一侧施加力，在隔膜边缘，例如在图1中点G所示的部位将产生开口。此外，在以下的说明中，在图1中，将低压差压用隔膜1发生挠曲的方向称为上方向，将与发生挠曲的方向相反的一侧称为下方向。
[0063] 在这种情况下，在本实施方式中，测定压力Pb通过导压孔11-3b被传导到设于阻挡构件11-3的内部的非接合区域SA2，所以该非接合区域SA2成为测定压力Pb的受压面，抑制对阻挡构件11-3施加的向下方向的力，使得在隔膜边缘不产生开口。由此，减少由于低压差压用隔膜1的约束而产生应力的情况，防止应力向隔膜边缘集中。
[0064] 在该压力传感器芯片11A中，当低压差压用隔膜1在阻挡构件11-2的凹部11-2a触底之后，过大压力变大那样的情况下，非接合区域SA2发挥更大的效果。以下，使用图5进行详细说明。
[0065] 图5中示出低压差压用隔膜1在阻挡构件11-2的凹部11-2a触底之后的状态。如果对低压差压用隔膜1的另一面施加过大压力，则低压差压用隔膜1向阻挡构件11-2侧发生挠曲，在阻挡构件11-2的凹部11-2a触底。该低压差压用隔膜1在向凹部11-2a触底之后，如果过大压力变大，则由于对阻挡构件11-3施加的向下方向的力，阻挡构件11-3发生变形，在隔膜边缘将产生开口。
[0066] 在该情况下，在本实施方式中，通过导压孔11-3b而在多个凸部12与凸部12之间的通路13内无遗漏地将过大压力也传导到设置于阻挡构件11-3的内部的非接合区域SA2，所以，该非接合区域SA2成为过大压力的受压面，对阻挡构件11-31施加向上方向的力。通过该力，抑制阻挡构件11-31的变形，或者使阻挡构件11-31向反方向变形。在图5的例子中，以跟随低压差压用隔膜1的向上方向的变形的形式，使阻挡构件11-31向上方向变形。
[0067] 由此，在低压差压用隔膜1向阻挡构件11-2的凹部11-2a触底之后，即使过大压力变大，在隔膜边缘也不产生开口，避免应力向隔膜边缘集中，确保所期待的耐压。因此，防止在通过高压差压用隔膜2测定高压量程的差压ΔPH的过程中低压差压用隔膜1被破坏。
[0068] 此外，在本实施方式中，为了抑制阻挡构件11-3向下方向的变形，或者使阻挡构件11-3向反方向变形，期望将设置于阻挡构件11-3的内部的非接合区域SA2的面积、即阻挡构件11-3的内部的受压面积设为比阻挡构件11-3的凹部11-3a的受压面积充分大的面积。
[0069] 另外，在本实施方式中，在阻挡构件11-3的内部的非接合区域SA2的第1面PL1的面上离散地形成多个凸部12，但既可以在第2面PL2的面上离散地形成多个凸部12，也可以在第1面PL1和第2面PL2这两个面上离散地形成多个凸部12。
[0070] 另外，在上述中，以将测定压力Pb设为高压侧的测定压力、将测定压力Pa设为低压侧的测定压力的情况为例进行了说明，但在将测定压力Pa设为高压侧的测定压力、将测定压力Pb设为低压侧的测定压力的情况下，阻挡构件11-2的内部的非接合区域SA1起到与阻挡构件11-3的内部的非接合区域SA2相同的作用，得到与上述相同的动作。
[0071] 另外，在本实施方式中，在阻挡构件11-2、11-3的内部的非接合区域SA1、SA2的第1面PL1的面上，离散地形成多个凸部12，将该多个凸部12与凸部12之间的通路13设为导压孔11-2b、11-3b的周部与非接合区域SA1、SA2的周端部14之间的连通路径，所以，容易封入通常使用的油等压力传递介质。进一步地，使封入的压力传递介质的传递阻力下降，从而消除由传递速度差造成的动作不良的影响。进一步地，针对来自相反侧的压力施加，对凸部12的面积进行最佳设计，从而也得到能够确保耐压这样的效果。
[0072] 〔实施方式2〕
[0073] 图6示出本发明的压力传感器芯片的第2实施方式(实施方式2)的概略。在该实施方式2的压力传感器芯片11B中，在阻挡构件11-2、11-3的内部，形成与非接合区域SA1、SA2连续的向阻挡构件11-2、11-3的壁厚方向伸出的环状的槽11-2d、11-3d。期望该环状的槽11-2d、11-3d不是离散地分段的槽，而是连续的槽，并增大槽剖面的直径。
[0074] 此外，在图6所示的例子中，环状的槽11-2d、11-3d的与非接合区域SA1、SA2正交的剖面形状设为圆形，但不一定设为圆形，例如，如图7所示，上述剖面形状也可以设为狭缝状(矩形)，也可以如图8所示，上述剖面形状设为使半圆以上的槽与半圆以下的槽错开而成的形状。
[0075] 图9示出在图6所示的压力传感器芯片11B中，低压差压用隔膜1在阻挡构件11-2的凹部11-2a触底之后的状态。通过形成这样的环状的槽11-2d、11-3d，使应力分散于该环状的槽11-2d、11-3d的内部，能够得到更高的耐压。
[0076] 〔实施方式3〕
[0077] 图10示出该发明的压力传感器芯片的第3实施方式(实施方式3)的概略。该实施方式3的压力传感器芯片11C是实施方式2的压力传感器芯片11B的变形例，从相同方向获取测定压力Pa、Pb。
[0078] 在该例子中，从与测定压力Pb相同方向的一侧获取测定压力Pa。即，在实施方式3的压力传感器芯片11C中，贯通台座11-5、阻挡构件11-3、基板11-1、阻挡构件11-2地形成的导压孔15具有经由台座11-4而与阻挡构件11-2的导压孔11-2b连通的结构。从而将从与测定压力Pb相同方向的一侧获取到的测定压力Pa向低压差压用隔膜1的一面和高压差压用隔膜2的一面传导。
[0079] 此外，在上述实施方式中，将高压差压用隔膜2设为圆环状的隔膜，但高压差压用隔膜2并不限定为该形状。例如，也可以如图11所示，环状的隔膜被分割成2个，以包围低压差压用隔膜1的方式配置，通过一个隔膜2-1和另一个隔膜2-2构成高压差压用隔膜2。
[0080] 此外，也可以如图12所示，在低压差压用隔膜1的周围的一部分设置半圆带状(例如，字母“C”型)的隔膜，将该半圆带状的隔膜作为高压差压用隔膜2。
[0081] 此外，也可以如图13所示，夹着低压差压用隔膜1相对地设置半圆带状的隔膜，将一个半圆带状的隔膜作为第1段高压差压用隔膜2A，将另一个半圆带状的隔膜作为第2段高压差压用隔膜2B。在这种情况下，通过使第2段高压差压用隔膜2B的受压灵敏度低于第1段高压差压用隔膜2A，能够进一步划分高压差压的量程。另外，在该例中分为2段，也可以将高压差压用隔膜的受压灵敏度阶段性地降低，进一步地增加段数。
[0082] 此外，也可以如图14或图15所示，通过夹着低压差压用隔膜1相对地设置的圆弧状或矩形状的隔膜2A1、2A2来构成第1段高压差压用隔膜2A，且由相对于高压差压用隔膜2A角度错开90°地夹着低压差压用隔膜1相对地设置的圆弧状或矩形状的隔膜2B1、2B2来构成第2段高压差压用隔膜2B。
[0083] 〔实施方式4〕
[0084] 图16示出该发明的压力传感器芯片的第4实施方式(实施方式4)的概略。
[0085] 在上述的实施方式中，在阻挡构件11-2处设置非接合区域SA1，在阻挡构件11-3处设置非接合区域SA2，使测定压力Pa、Pb进行分支并将其经由该非接合区域SA1、SA2传导到高压差压用隔膜2，但也可以如在图16中示为实施方式4的压力传感器芯片11D的那样，在压力传感器芯片11D的外侧使测定压力Pa、Pb进行分支，将测定压力Pa和Pb传导到高压差压用隔膜2的一面和另一面。
[0086] 另外，例如，在图16中，也可以将测定压力Pa贯穿基板11-1而传导到圆环状的高压差压用隔膜2的另一面，将测定压力Pb贯穿基板11-1而传导到圆环状的高压差压用隔膜2的一面。
[0087] 另外，在上述实施方式中，在阻挡构件11-2、11-3的内部的非接合区域SA1、SA2离散地形成多个凸部(柱)12，将该多个凸部12与凸部12之间的通路(槽)13设为导压孔11-2b、11-3b的周部与非接合区域SA1、SA2的周端部14之间的连通路径，但不一定设为通过这样的离散地形成的凸部12而形成的连通路径，也可以将简单的狭缝状的间隙设为连通路径。
[0088] 〔实施方式的扩展〕
[0089] 以上，参照实施方式来说明了本发明，但本发明不限定于上述实施方式。针对本发明的结构、详细情况，在本发明的技术思想的范围内能够进行本领域技术人员能够理解的各种变更。另外，关于各实施方式，在不矛盾的范围能够任意组合来实施。
[0090] 产业上的可利用性
[0091] 本发明的压力传感器芯片能够适用于例如工业用的差压传感器等各种用途。
[0092] 符号说明
[0093] 1…低压差压用隔膜；2…高压差压用隔膜；3…第1室；4…第2室；11-1…基板、11-2(11-21、11-22)、11-3(11-31、11-32)…阻挡构件；11-2a、11-3a…凹部；11-2b、11-2c、11-3b、11-3c…导压孔；11-4、11-5…台座；12…凸部(柱)、13…通路(槽)；14…周端部；SA1、SA2…非接合区域；SB1、SB2…接合区域；ra1～ra4、rb1～rb4…压电电阻元件。
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
传感器热门专利
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈