专利汇可以提供一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种稳定掺杂降低 石墨 烯 薄膜 方 块 电阻 的方法,其特征在于,包括以下步骤:将转移在基底上的 石墨烯 薄膜与含有稳定 掺杂剂 成分的 试剂 进行相互 接触 ,接触时间为1~240min,实现对石墨烯薄膜进行稳定掺杂,降低石墨烯薄膜方块电阻。通过本发明对石墨烯薄膜进行处理之后,在基本不影响石墨烯薄膜透光率的情况下,不仅可以降低其方阻,更为重要的是可以使石墨烯薄膜的方阻长期保持稳定,且在80~120摄氏度高温 烘烤 60~240min及长期放置下,方 阻变 化不大,从而方便后续进行 图案化 等处理,促进石墨烯薄膜在显示技术等对透明导电薄膜的方阻和透光率要求较高的工业领域进行广泛应用。,下面是一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法专利的具体信息内容。
1.一种稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于,包括以下步骤:将转移在基底上的石墨烯薄膜与含有稳定掺杂剂成分的试剂进行相互接触,接触时间为1~
240min,实现对石墨烯薄膜进行稳定掺杂,形成的稳定的∏-∏重叠结构,降低石墨烯薄膜方块电阻;其中,
所述稳定掺杂剂为含有苯环、萘环或稠环中两个以上苯环相邻或者相连的芳香基团的化学试剂,包括如下结构式:
其中,所述R包括H,-NO2,-CN,-F,-NH2,-NH-,-N=,SO3或-OSO3中的任意一种或两种以上的混合;所述X包括C,O,N或S中的任意一种或两种以上的混合;所述Ar包括具有共平面共轭结构的含有芳香基团及其衍生物结构。
2.根据权利要求1所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:所述进行相互接触的方式包括浸泡、滚涂、刮涂、蒸涂、滴涂或旋涂中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:所述石墨烯薄膜为通过CVD法生长的单层或者两层以上的石墨烯薄膜。
4.根据权利要求1至3任一项所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:与掺杂剂接触后,或者接触的同时还包括加热或UV光照的步骤。
5.根据权利要求4所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:所述加热的温度为80~120℃,加热时间为60~240mi n;所述UV光照的时间为1~60mi n。
6.根据权利要求1至3任一项所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:所述稳定掺杂剂的有效形式为所述试剂的溶液形式、固态化合物、液态化合物或气态形式中的一种。
7.根据权利要求1至3任一项所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:所述具有共平面共轭结构的含有芳香基团及其连接基团的衍生物包括多元环、稠环及其衍生物,含N、O、S中一种或者多种杂原子环及其衍生物结构。
8.根据权利要求7所述的稳定掺杂降低石墨烯薄膜方块电阻的方法,其特征在于:所述含N、O、S中一种或者多种杂原子环包括咪唑、吡咯、噻吩、吲哚、嘧啶、嘌呤中的任意一种或两种以上混合。
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